本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種恒溫晶體振蕩器。
背景技術(shù):
目前控制晶體振蕩器恒溫的技術(shù)主要是雙槽控溫技術(shù),該技術(shù)不僅工藝復(fù)雜、成本較高,且生產(chǎn)出來的產(chǎn)品體積較大。
因此,需要一種結(jié)構(gòu)簡單、體積較小的恒溫晶體振蕩器。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的一個目的在于:提供一種恒溫晶體振蕩器,其具備結(jié)構(gòu)簡單、整體體積較小的優(yōu)點(diǎn)。
為達(dá)此目的,本發(fā)明提供一種恒溫晶體振蕩器,包括第一電路板和晶體;
所述第一電路板包括依次疊合的第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間、所述第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層之間、所述第三導(dǎo)電層與第四導(dǎo)電層之間均設(shè)有絕緣基材;
所述第三導(dǎo)電層包括金屬塊,所述金屬塊通電時釋放熱量;
所述第四導(dǎo)電層包括控溫線路圖形;
所述晶體貼合于所述第四導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第三導(dǎo)電層的一側(cè)。
具體地,第一電路板為依次包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的四層板。第三導(dǎo)電層主要包括一塊金屬塊,當(dāng)給金屬塊通電時,金屬塊發(fā)熱,進(jìn)而為晶體提供了一個數(shù)值較高的基礎(chǔ)溫度,第四導(dǎo)電層上的控溫線路圖形連接上第二電子元器件后,就形成控溫電路,控溫電路根據(jù)晶體的溫度及晶體的工作情況再進(jìn)行二次調(diào)溫,即在基礎(chǔ)溫度的基礎(chǔ)上進(jìn)行精度更高的二次溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而使溫度控制更加精準(zhǔn)。
進(jìn)一步地,設(shè)置晶體合理平貼于第四導(dǎo)電層上,并設(shè)置第四導(dǎo)電層上的控溫線路圖形與第一導(dǎo)電層上的線路圖形相對獨(dú)立,使控溫線路圖形專門負(fù)責(zé)晶體的加熱工作,可以進(jìn)一步提高溫度控制的精度。
優(yōu)選地,第三導(dǎo)電層的厚度為40μm~60μm,可以有效增大加熱量。進(jìn)一步地,第三導(dǎo)電層的厚度為50μm。
優(yōu)選地,第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的材料均為銅、銀或者鋁合金等導(dǎo)體。
優(yōu)選地,金屬塊的材料為銅、銀或者鋁合金等導(dǎo)體。
進(jìn)一步地,所述控溫線路圖形的形式多樣,且不是本發(fā)明的主要發(fā)明點(diǎn),故不進(jìn)行贅述。本發(fā)明中提及的控溫線路圖形具體指當(dāng)前已公開的現(xiàn)有技術(shù)中能實(shí)現(xiàn)溫度檢測與控制的線路圖形。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,所述金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積大于或等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積的一半。
具體地,可以在第三導(dǎo)電層中既設(shè)置線路圖形又設(shè)置金屬塊,但是,為了保證發(fā)熱效果和控制恒溫晶體振蕩器的整體體積,金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積應(yīng)該大于或等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積的一半。
進(jìn)一步地,所述金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積。
具體地,也可以不在第三導(dǎo)電層中布置任何線路圖形,直接將一整塊金屬塊作為第三導(dǎo)電層。第三導(dǎo)電層整層敷設(shè)金屬塊,可以使整個線路板加熱均衡,有利于實(shí)現(xiàn)溫度檢測與控制。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,所述第一導(dǎo)電層包括電源輸入觸點(diǎn)和信號輸出觸點(diǎn);
所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層分別與所述第一導(dǎo)電層電導(dǎo)通。
優(yōu)選地,所述第三導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;所述第四導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
進(jìn)一步地,還包括第一引腳和第二引腳;
所述第一引腳與所述電源輸入觸點(diǎn)焊接連接,所述第二引腳與所述信號輸出觸點(diǎn)焊接連接。
具體地,焊接連接,工藝簡單可靠,成本低廉。
進(jìn)一步地,還包括第二電路板;
所述第一電路板與所述第二電路板通過所述第一引腳和第二引腳實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
具體地,通過將第一引腳和第二引腳接入第二電路板進(jìn)而可以將第一電路板接入第二電路板中進(jìn)行使用。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,所述第一導(dǎo)電層為信號層;所述信號層包括穩(wěn)壓電路、濾波電路和震蕩電路。
具體地,信號層中的具體線路圖形及相應(yīng)的連接關(guān)系本發(fā)明不進(jìn)行贅述。本發(fā)明中提及的穩(wěn)壓電路、濾波電路和震蕩電路具體指當(dāng)前已公開的現(xiàn)有技術(shù)中的線路圖形。
進(jìn)一步地,還包括第一電子元器件;
所述第一電子元器件位于所述信號層遠(yuǎn)離所述第二導(dǎo)電層的一側(cè),且與所述信號層電導(dǎo)通。
具體地,將第一導(dǎo)電層設(shè)置為信號層,是為了方便在第一導(dǎo)電層上連接第一電子元器件。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,所述第二導(dǎo)電層為地線層;
所述第一導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層分別與所述地線層電導(dǎo)通。
優(yōu)選地,所述第一導(dǎo)電層與所述地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;所述第三導(dǎo)電層與所述地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;所述第四導(dǎo)電層與所述地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,還包括第二電子元器件;
所述第二電子元器件與所述晶體位于所述第四導(dǎo)電層的同一側(cè),且所述第二電子元器件與所述控溫線路圖形電導(dǎo)通。
具體地,將第二電子元器件與晶體設(shè)置于第四導(dǎo)電層遠(yuǎn)離第三導(dǎo)電層的一側(cè),簡單方便,可以降低加工的復(fù)雜程度。第四導(dǎo)電層上的控溫線路圖形連接上第二電子元器件后,就形成控溫電路,控溫電路根據(jù)晶體的溫度及晶體的工作情況再進(jìn)行二次調(diào)溫,即在基礎(chǔ)溫度的基礎(chǔ)上進(jìn)行精度更高的二次溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而使溫度控制更加精準(zhǔn)。
本發(fā)明的有益效果為:提供一種恒溫晶體振蕩器,通過設(shè)置第三導(dǎo)電層提供基礎(chǔ)溫度和設(shè)置第四導(dǎo)電層進(jìn)行二次控溫,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對晶體的恒溫控制,結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉,且產(chǎn)品的體積較小。
附圖說明
下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
圖1為實(shí)施例提供的恒溫晶體振蕩器的剖面示意圖;
圖2為實(shí)施例提供的第一導(dǎo)電層在垂直于第一電路板的厚度方向的正面示意圖。
圖中:
1、第一導(dǎo)電層;101、電源輸入觸點(diǎn);102、信號輸出觸點(diǎn);2、第二導(dǎo)電層;3、第三導(dǎo)電層;4、第四導(dǎo)電層;5、絕緣基材;6、第一引腳;7、第二引腳;8、晶體。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
如圖1~圖2所示,一種恒溫晶體振蕩器,包括第一電路板和晶體8。第一電路板包括依次疊合的第一導(dǎo)電層1、第二導(dǎo)電層2、第三導(dǎo)電層3和第四導(dǎo)電層4,第一導(dǎo)電層1與第二導(dǎo)電層2之間、第二導(dǎo)電層2與第三導(dǎo)電層3之間、第三導(dǎo)電層3與第四導(dǎo)電層4之間均設(shè)有絕緣基材5。第三導(dǎo)電層3包括金屬塊,金屬塊通電時釋放熱量。第四導(dǎo)電層4包括控溫線路圖形;晶體8貼合于第四導(dǎo)電層4遠(yuǎn)離第三導(dǎo)電層3的一側(cè)。
具體地,第一電路板為依次包括第一導(dǎo)電層1、第二導(dǎo)電層2、第三導(dǎo)電層3和第四導(dǎo)電層4的四層板。第三導(dǎo)電層3主要包括一塊金屬塊,當(dāng)給金屬塊通電時,金屬塊發(fā)熱,進(jìn)而為晶體8提供了一個數(shù)值較高的基礎(chǔ)溫度,第四導(dǎo)電層4上的控溫線路圖形連接上第二電子元器件后,就形成控溫電路,控溫電路根據(jù)晶體8的溫度及晶體8的工作情況再進(jìn)行二次調(diào)溫,即在基礎(chǔ)溫度的基礎(chǔ)上進(jìn)行精度更高的二次溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而使溫度控制更加精準(zhǔn)。進(jìn)一步地,設(shè)置晶體8合理平貼于第四導(dǎo)電層4上,并設(shè)置第四導(dǎo)電層4上的控溫線路圖形與第一導(dǎo)電層1上的線路圖形相對獨(dú)立,使控溫線路圖形專門負(fù)責(zé)晶體8的加熱工作,可以進(jìn)一步提高溫度控制的精度。
具體地,第三導(dǎo)電層3中的金屬塊的體積較大,升溫速度較快,升溫幅度也較大,用第三導(dǎo)電層3可以快速提供基礎(chǔ)溫度。第四導(dǎo)電層4的控溫線路圖形體積較小,升溫速度較慢,升溫幅度也較小,更有利于在固定溫度范圍內(nèi)進(jìn)行溫度控制。例如提供同樣的電流變化量,第三導(dǎo)電層3可能會產(chǎn)生3℃的溫差,而第四導(dǎo)電層4則可能只會產(chǎn)生1℃的溫差,即第三導(dǎo)電層3的溫度分度值較大,第四導(dǎo)電層4的溫度分度值較小。例如,晶體8需要的恒溫溫度為85℃,則第三導(dǎo)電層3通電后提供的基礎(chǔ)溫度為85℃(由于第三導(dǎo)電層3不是與晶體8貼合,因此,晶體8的溫度一般會稍低于第三導(dǎo)電層3的溫度),第四導(dǎo)電層4通電后檢測晶體8的溫度是否為85°:如果晶體8的溫度為83°,則第四導(dǎo)電層4增大自身發(fā)熱量并將晶體8溫度控制為85°;如果晶體8的溫度為84°,則第四導(dǎo)電層4減少自身發(fā)熱量并將晶體8溫度控制為85°。簡單而言,第三導(dǎo)電層3和第四導(dǎo)電層4是兩個相對獨(dú)立的控溫系統(tǒng),二者的共同點(diǎn)在于都是以同樣的目標(biāo)溫度指導(dǎo)自身發(fā)熱的,二者的區(qū)別在于前者的溫度分度值較大,后者的溫度分度值較小。
于本實(shí)施例中,第三導(dǎo)電層3的厚度為50μm。于其它實(shí)施例中,第三導(dǎo)電層3的厚度也可以為40μm、45μm或者60μm,具體地,上述厚度下的第三導(dǎo)電層3可以有效增大加熱量而又不至于使整體體積增大。
于本實(shí)施例中,第一導(dǎo)電層1、第二導(dǎo)電層2、第三導(dǎo)電層3和第四導(dǎo)電層4的材料均為銅、銀或者鋁合金等導(dǎo)體。于本實(shí)施例中,金屬塊的材料為銅、銀或者鋁合金等導(dǎo)體。
于本實(shí)施例中,控溫線路圖形的形式多樣,且不是本發(fā)明的主要發(fā)明點(diǎn),故不進(jìn)行贅述。本發(fā)明中提及的控溫線路圖形具體指當(dāng)前已公開的現(xiàn)有技術(shù)中能實(shí)現(xiàn)溫度檢測與控制的線路圖形。
于本實(shí)施例中,金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積。于其它實(shí)施例中,金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積的一半、三分之二、五分之三或者五分之四。具體地,可以不在第三導(dǎo)電層3中布置任何線路圖形,直接將一整塊金屬塊作為第三導(dǎo)電層3。第三導(dǎo)電層3整層敷設(shè)金屬塊,可以使整個線路板加熱均衡,有利于實(shí)現(xiàn)溫度檢測與控制。也可以在第三導(dǎo)電層3中既設(shè)置線路圖形又設(shè)置金屬塊,但是,為了保證發(fā)熱效果和控制恒溫晶體振蕩器的整體體積,金屬塊在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積應(yīng)該大于或等于第一電路板在垂直于第一電路板的厚度方向的平面上的截面面積的一半。
于本實(shí)施例中,第一導(dǎo)電層1為信號層;信號層包括穩(wěn)壓電路、濾波電路和震蕩電路、電源輸入觸點(diǎn)101和信號輸出觸點(diǎn)102;第三導(dǎo)電層3與第一導(dǎo)電層1通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;第四導(dǎo)電層4與第一導(dǎo)電層1通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。具體地,信號層中的具體線路圖形及相應(yīng)的連接關(guān)系本發(fā)明不進(jìn)行贅述。本發(fā)明中提及的穩(wěn)壓電路、濾波電路和震蕩電路具體指當(dāng)前已公開的現(xiàn)有技術(shù)中的線路圖形。
恒溫晶體振蕩器還包括第二電路板、第一引腳6和第二引腳7;第一引腳6與電源輸入觸點(diǎn)101焊接連接,第二引腳7與信號輸出觸點(diǎn)102焊接連接。第一電路板與第二電路板通過第一引腳6和第二引腳7實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。具體地,通過將第一引腳6和第二引腳7接入第二電路板進(jìn)而可以將第一電路板接入第二電路板中進(jìn)行使用。進(jìn)一步地,焊接連接工藝簡單可靠、成本低廉。
恒溫晶體振蕩器還包括第一電子元器件和第二電子元器件。第一電子元器件位于信號層遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電層2的一側(cè),且與信號層電導(dǎo)通。具體地,將第一導(dǎo)電層1設(shè)置為信號層,是為了方便在第一導(dǎo)電層1上連接第一電子元器件。第二電子元器件與晶體8位于第四導(dǎo)電層4的同一側(cè),且第二電子元器件與控溫線路圖形電導(dǎo)通。具體地,將第二電子元器件與晶體8設(shè)置于第四導(dǎo)電層4遠(yuǎn)離第三導(dǎo)電層3的一側(cè),簡單方便,可以降低加工的復(fù)雜程度。第四導(dǎo)電層4上的控溫線路圖形連接上第二電子元器件后,就形成控溫電路,控溫電路根據(jù)晶體8的溫度及晶體8的工作情況再進(jìn)行二次調(diào)溫,即在基礎(chǔ)溫度的基礎(chǔ)上進(jìn)行精度更高的二次溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而使溫度控制更加精準(zhǔn)。
于本實(shí)施例中,第二導(dǎo)電層2為地線層;第一導(dǎo)電層1、第三導(dǎo)電層3和第四導(dǎo)電層4分別與地線層電導(dǎo)通。具體地,第一導(dǎo)電層1與地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;第三導(dǎo)電層3與地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通;第四導(dǎo)電層4與地線層通過鍍通法實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
本文中的“第一”、“第二”等僅僅是為了在描述上加以區(qū)分,并沒有特殊的含義。
另外需要聲明的是,在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合,為了避免不必要的重復(fù),本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。
此外,本發(fā)明的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合,只要其不違背本發(fā)明的思想,其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。