本申請涉及智能家居領(lǐng)域，尤其涉及一種用于智能家居的中央控制機(jī)箱。

背景技術(shù)：

電磁技術(shù)是一把雙刃劍，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電磁技術(shù)的利用給人類帶來了諸多便利，然而，隨著大功率、高集成電氣化設(shè)備的廣泛使用，其同樣引發(fā)了電磁干擾、電磁泄密、電磁污染等一系列問題。

近年來，智能家居產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，包括音視頻產(chǎn)品、照明產(chǎn)品、窗欄控制系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)、安防系統(tǒng)等，其中，在智能家居諸多產(chǎn)品中，中央控制機(jī)箱內(nèi)部包含智能家居產(chǎn)品的控制模塊，其作用非常重要。首先，中央控制機(jī)箱要具有良好的電磁屏蔽效果，以保護(hù)其內(nèi)的控制模塊不受或少受周圍電磁波的影響，另外還要有非常好的散熱性。

現(xiàn)有的中央控制機(jī)箱結(jié)構(gòu)能夠滿足常規(guī)的要求，其散熱性也可以通過散熱風(fēng)扇來解決，但是其電磁屏蔽效果仍難以滿足要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在提供一種用于智能家居的中央控制機(jī)箱，以解決上述提出問題。

本發(fā)明的實(shí)施例中提供了一種用于智能家居的中央控制機(jī)箱，該中央控制機(jī)箱包括上層箱蓋、中間層的控制主板和下層箱蓋；上層箱蓋、控制主板和下層箱蓋上均設(shè)有相互匹配的安裝孔，控制主板上設(shè)有處理器，上層箱蓋內(nèi)設(shè)有與處理器相匹配的凸臺，凸臺上設(shè)有大面積分布的散熱凸起，散熱凸起與處理器緊密貼合；上層箱蓋和下層箱蓋采用電磁屏蔽體一體制作，該電磁屏蔽體包括鋁合金外殼、緊貼鋁合金外殼內(nèi)表面的電磁吸收層和緊貼電磁吸收層內(nèi)表面的電磁反射層；電磁吸收層中，以鎂酚醛樹脂為基底，填充物為納米二氧化鈦、碳納米管、真空玻璃微珠、沸石粉、羰基鐵粉；電磁反射層中，以鎂酚醛樹脂為基底，填充物包括鍍銀玻璃纖維、銀包二氧化鈦粒子。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

本發(fā)明的中央控制機(jī)箱包括上層箱蓋、中間層的控制主板和下層箱蓋，上層箱蓋和下層箱蓋采用電磁屏蔽體一體制作，該電磁屏蔽體對電磁波同時(shí)具有吸收和反射的屏蔽效果，可以有效降低中央控制機(jī)箱內(nèi)的電磁輻射，消除二次雜波的影響，同時(shí)具備一定的力學(xué)承載能力，能夠?qū)ζ鋬?nèi)的控制主板起到良好的保護(hù)作用。

本申請附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實(shí)踐了解到。應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請。

附圖說明

利用附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對本發(fā)明的任何限制，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。

圖1是本發(fā)明中央控制機(jī)箱的結(jié)構(gòu)示意圖，

圖2是本發(fā)明電磁屏蔽體的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

其中，1-上層箱蓋，2-控制主板，3-下層箱蓋，4-安裝孔，5-處理器，21-鋁合金外殼，22-電磁吸收層，23-電磁反射層。

具體實(shí)施方式

這里將詳細(xì)地對示例性實(shí)施例進(jìn)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時(shí)，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實(shí)施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

本申請涉及一種用于智能家居的中央控制機(jī)箱，根據(jù)圖1，該中央控制機(jī)箱包括上層箱蓋1、中間層的控制主板2和下層箱蓋3；其中，上層箱蓋1和下層箱蓋3采用電磁屏蔽體一體制作，該電磁屏蔽體具有反射、吸收電磁波的功能，屏蔽電磁波頻率寬；上層箱蓋1、控制主板2和下層箱蓋3上均設(shè)有相互匹配的安裝孔4，控制主板2上設(shè)有處理器5，上層箱蓋1內(nèi)設(shè)有與處理器5相匹配的凸臺，凸臺上設(shè)有大面積分布的散熱凸起，散熱凸起與處理器緊密貼合，同時(shí)可以在散熱凸起與處理器之間設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層，在系統(tǒng)運(yùn)行過程中間，處理器工作產(chǎn)生的熱量通過與其直接接觸的上層箱蓋傳導(dǎo)出去。

該中央控制機(jī)箱能夠很好的處理器滿足散熱要求，對控制主板密封性好，無噪音，同時(shí)具備很強(qiáng)的電磁波屏蔽功能，能夠?qū)ζ鋬?nèi)的控制主板起到良好的保護(hù)作用。

以上所述的上層箱蓋1和下層箱蓋3采用電磁屏蔽體制作，該電磁屏蔽體能夠同時(shí)采用反射、吸收的機(jī)制對電磁波進(jìn)行屏蔽，可以有效降低中央控制機(jī)箱內(nèi)的電磁輻射，消除二次雜波的影響，同時(shí)具備一定的力學(xué)承載能力。

如圖2所示為電磁屏蔽體的截面示意圖，該電磁屏蔽體包括鋁合金外殼21、緊貼鋁合金外殼21內(nèi)表面的電磁吸收層22和緊貼電磁吸收層22內(nèi)表面的電磁反射層23。

該電磁屏蔽體采用吸收層和反射層復(fù)合設(shè)置，對于電磁屏蔽效果，其區(qū)別于通常情況下單一設(shè)置屏蔽層或單一設(shè)置吸波層的設(shè)置方式，并且，對于吸收層和反射層，其總的屏蔽效果不區(qū)分吸收的多還是反射的多；當(dāng)電磁波入射時(shí)，在電磁吸收層和電磁反射層均產(chǎn)生對電磁波的反射和吸收，只不過吸收層以吸收為主、反射層以反射為主；同時(shí)，在兩層的界面處，由于阻抗差異很大，阻抗突變使得電磁波在界面處的反射增大，從而能夠提高屏蔽效果。

優(yōu)選地，以上所述的電磁屏蔽體中，電磁吸收層22厚度為1.2mm，電磁反射層23厚度為0.7mm。

在優(yōu)選地實(shí)施方式中，電磁吸收層22以吸波為主，其以鎂酚醛樹脂為基底，填充物為納米二氧化鈦、碳納米管、真空玻璃微珠、沸石粉、羰基鐵粉。

其中，電磁吸收層22中填充物各物質(zhì)的質(zhì)量比為：納米二氧化鈦6份、碳納米管13份、真空玻璃微珠14份、沸石粉5份、羰基鐵粉15份。

在優(yōu)選地實(shí)施方式中，電磁反射層23以反射為主，其以鎂酚醛樹脂為基底，填充物包括鍍銀玻璃纖維、銀包二氧化鈦粒子。

在電磁反射層23中，主要依靠導(dǎo)電物質(zhì)的電導(dǎo)率傳輸、消耗和極化發(fā)射電磁波達(dá)到電磁屏蔽的作用，銀包二氧化鈦粒子和鍍銀玻璃纖維均勻混合可以形成一種立體導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，具有良好的導(dǎo)電性；此外，纖維加粒子的組合，其與樹脂基底的界面增加，根據(jù)混雜界面散射機(jī)理，其能夠最大程度的增大電磁波在其中的散射次數(shù)，增加電磁波的損耗。

二氧化鈦粒子一般用于光催化自清潔材料，或者用于造紙、橡膠等制品中，表現(xiàn)為光催化性能，作為填充劑、著色劑使用，而在本申請中，采用銀包二氧化鈦粒子與鍍銀玻璃纖維構(gòu)成了一種立體導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，該結(jié)構(gòu)具有很低的電阻率，表現(xiàn)為良好的電磁屏蔽效果。

其中，鍍銀玻璃纖維中，玻璃纖維長度為30mm，直徑為25μm，銀鍍層厚度為6μm；銀包二氧化鈦粒子中，二氧化鈦粒子直徑為3μm，銀包層厚度為150nm，鍍銀玻璃纖維和銀包二氧化鈦粒子的質(zhì)量比為9:4。

在優(yōu)選地實(shí)施方式中，該電磁反射層23的制備過程為：

步驟1，裁絲，將鍍銀玻璃纖維裁剪成30mm長的短纖維，將短纖維浸泡到裝滿純凈水的燒杯中，然后取出將其均勻的平鋪，晾干；

步驟2，量取樹脂，選取固含量為60％的鎂酚醛樹脂，然后加入一半體積的10％丙酮溶液稀釋，一邊傾倒一邊攪拌；

步驟3，混料，將鍍銀玻璃纖維整齊的放置在瓷缽盂中，均勻倒入適量的銀包二氧化鈦粒子，再向缽盂中倒入鎂酚醛樹脂溶液，一邊傾倒一邊攪拌直至混合物粘度變大，再倒入少量丙酮溶液；

步驟4，混合均勻后溶劑的揮發(fā)、固化，將已經(jīng)混合均勻的纖維-粒子-樹脂體系混合物置于通風(fēng)廚中，使體系的丙酮和水等液態(tài)溶劑揮發(fā)，等待100h；

步驟5，模具升溫，將溫控箱目標(biāo)溫度調(diào)整為180℃；

步驟6，投料階段，將混合物料分成4cm²的片狀后放入模壓腔中，整個(gè)過程應(yīng)迅速進(jìn)行；

步驟7，啟動(dòng)壓機(jī)并觀察壓力表，待顯示有壓力時(shí)開始計(jì)時(shí)，先粗調(diào)壓力至20MPa，然后通過微調(diào)鈕較為精確的保持此壓力；隨著反應(yīng)的進(jìn)行，大量揮發(fā)性物質(zhì)排出，此時(shí)顯示壓力會(huì)有所下降，應(yīng)通過微調(diào)及時(shí)補(bǔ)償壓力；

步驟8，保溫，待反應(yīng)結(jié)束后，切斷供熱電源，仍然保持壓力等待樣品溫度降低后取出樣品，即得到電磁反射層23。

電磁吸收層22的制備過程與電磁反射層23近似。

然后，將電磁吸收層22、電磁反射層23依次貼附粘合在鋁合金外殼21內(nèi)表面一起構(gòu)成本申請所述的電磁屏蔽體，然后分別制備成上層箱蓋1、下層箱蓋3。

對依賴上述電磁屏蔽體制備的所述中央控制機(jī)箱，進(jìn)行電磁屏蔽效能測試，發(fā)現(xiàn)，對于500KHz～3.5GHz的電磁波，其屏蔽效能均能達(dá)到25dB，表現(xiàn)良好的電磁屏蔽效果。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳方式，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。