本申請要求于2016年04月22日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2016-0049384號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

本發(fā)明構思的實施例針對一種印刷電路板(pcb)和一種半導體封裝件，更具體地，針對一種具有使用鋁對其焊盤執(zhí)行的表面處理的pcb和一種半導體封裝件。

背景技術：

隨著電子組件已經(jīng)變得大規(guī)模，已經(jīng)開發(fā)了印刷電路板(pcb)的各種表面處理技術。金屬鍍覆技術用來處理pcb的表面。另外，由于消費者的需求，目前電子系統(tǒng)具有高性能功能和更小的尺寸，這導致連接到電子系統(tǒng)中包括的pcb的連接端子的數(shù)量的增加以及連接端子的間隔和尺寸的減小。可以通過使連接端子的間隔和尺寸減小來減小pcb的總面積。因此，已經(jīng)研究了諸如封孔、半加成工藝(sap)和改進的半加成工藝(msap)的工藝。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構思的實施例可以提供一種減少工藝成本并且改善鍵合工藝可靠性的印刷電路板(pcb)。

本發(fā)明構思的實施例也可以提供一種減少工藝成本并且改善鍵合工藝可靠性的半導體封裝件。

根據(jù)本發(fā)明構思的實施例，提供了一種印刷電路板(pcb)，所述印刷電路板包括：絕緣層，包括上表面和與上表面相對的下表面；第一導電圖案，在絕緣層的上表面上；第二導電圖案，在絕緣層的下表面上；鋁圖案，覆蓋第一導電圖案的上表面的至少一部分；以及第一鈍化層，覆蓋第一導電圖案的側面的至少一部分，并且防止進入第一導電圖案中的擴散。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例，提供了一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：封裝基底；半導體芯片，在封裝基底上；以及鍵合引線，將封裝基底和半導體芯片連接，其中，封裝基底包括絕緣層、在絕緣層的上表面上并且包括銅的第一布線圖案、在第一布線圖案上并且包括與第一布線圖案的材料不同的材料的第二布線圖案以及在第一布線圖案的側面上并且防止進入第一布線圖案中的擴散的有機鈍化層。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例，提供了一種用于制造印刷電路板(pcb)的方法，所述方法包括：提供包括載體層、脫模層和鋁層的載體基底；在載體基底上形成第一導電層；在第一導電層上形成絕緣層和第二導電層；形成穿透絕緣層并且將第一導電層和第二導電層電連接的接觸塞；通過將脫模層分離為兩個子層來將載體層和鋁層彼此分離，其中，第一子層與載體層保留在一起，第二子層與鋁層保留在一起；去除分離的載體層和脫模層的第一子層；通過分別將鋁層、第一導電層和第二導電層圖案化并且將脫模層的第二子層從鋁層去除來形成鋁圖案、第一導電圖案和第二導電圖案；分別在絕緣層的上表面和絕緣層的與上表面相對的下表面上形成第一阻焊層和第二阻焊層，其中，第一阻焊層包括暴露第一導電圖案的一部分和鋁圖案的一部分的至少一個開口；以及通過有機可焊性防腐劑(osp)表面處理在第一導電圖案和第二導電圖案的各自的暴露的表面上形成第一鈍化層和第二鈍化層。

附圖說明

圖1是根據(jù)實施例的印刷電路板(pcb)的剖視圖。

圖2是根據(jù)實施例的圖1的部分a的放大的剖視圖。

圖3a至圖3h是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。

圖4是根據(jù)實施例的pcb的一部分的放大的剖視圖。

圖5是根據(jù)實施例的pcb的一部分的放大的剖視圖。

圖6a至圖6d是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。

圖7是根據(jù)實施例的pcb的剖視圖。

圖8是根據(jù)實施例的圖7的部分b的放大的剖視圖。

圖9a至圖9d是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。

圖10是根據(jù)實施例的使用pcb的半導體封裝件的剖視圖。

具體實施方式

圖1是根據(jù)實施例的印刷電路板(pcb)1a的剖視圖。圖2是根據(jù)實施例的圖1的部分a的放大的剖視圖。

參照圖1和圖2，根據(jù)實施例的pcb1a包括具有上表面和與上表面相對的下表面的絕緣層10、第一導電圖案100、第二導電圖案200、鋁圖案110、第一鈍化層120、第二鈍化層220、第一阻焊層130和第二阻焊層230。

根據(jù)實施例，絕緣層10包括從酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺中選擇的至少一種材料。例如，絕緣層10可以包括從阻燃劑4(fr4)、四官能環(huán)氧樹脂、聚苯醚、環(huán)氧樹脂/聚苯醚、雙馬來酰亞胺三嗪(bt)、聚酰胺短纖席材、氰酸酯、聚酰亞胺和液晶聚合物中選擇的至少一種材料。在一些實施例中，絕緣層10包括例如聚酯(pet)、聚酯對苯二甲酸酯、氟化乙烯丙烯(fep)、樹脂涂層紙、液態(tài)聚酰亞胺樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)膜等。

根據(jù)實施例，第一導電圖案100形成在絕緣層10的上表面上。第二導電圖案200形成在絕緣層10的下表面上。為了將第一導電圖案100和第二導電圖案200電連接，形成了穿透絕緣層10的接觸塞150?？梢詷嬙於鄠€第一導電圖案100和多個第二導電圖案200。因此，也可以形成多個接觸塞150。第一導電圖案100可以包括銅(cu)、鎳(ni)、鋁(al)、金(au)、鉑(pt)和銀(ag)中的至少一種。例如，第一導電圖案100可以包括銅。第二導電圖案200可以包括與第一導電圖案100的材料相似的材料，但是實施例不限于此。第二導電圖案200可以包括與第一導電圖案100的材料不同的材料。

根據(jù)實施例，鋁圖案110形成為覆蓋第一導電圖案100的上表面的至少一部分。鋁圖案110可以防止第一導電圖案100被暴露。在這方面，第一導電圖案100的上表面高于絕緣層10的上表面。因此，鋁圖案110具有從絕緣層10突出的形狀。像第一導電圖案100一樣，也可以構造多個鋁圖案110。鋁具有良好的導電性和低的價格，因此可以替代通常用來處理在基底上形成的焊盤的表面的金、銀等。結果，可以減少pcb1a的制造成本。

根據(jù)實施例，鋁圖案110在與絕緣層10的上表面垂直的方向上的厚度t1小于第一導電圖案100在與絕緣層10的上表面垂直的方向上的厚度t2。即，薄的鋁圖案110可以形成在第一導電圖案100的上表面上。然而，為了突顯起見，在圖1和圖2中相對夸大了鋁圖案110的厚度t1。鋁圖案110的厚度t1可以為從大約0.1μm至大約1μm。第一導電圖案100的厚度t2可以為從大約0.1μm至大于10μm。

根據(jù)實施例，第一鈍化層120覆蓋第一導電圖案100的側面的至少一部分。第一鈍化層120可以防止進入第一導電圖案100中的擴散。第一鈍化層120包括通過有機可焊性防腐劑(osp)表面處理形成的材料。例如，當?shù)谝粚щ妶D案100包括銅時，第一鈍化層120可以包括可以附著到銅表面并與銅原子化學地結合的有機化合物(諸如苯并三唑、咪唑、苯并咪唑等)。具體地，當?shù)谝粚щ妶D案100包括銅時，對其執(zhí)行osp表面處理的第一鈍化層120可以防止在第一導電圖案100的表面中發(fā)生不希望的氧化反應或者防止表面被損壞。

根據(jù)實施例，第一鈍化層120在第一導電圖案100的側面上相對薄。第一鈍化層120在第一導電圖案100的側面上的厚度t3等于或小于0.5μm。因此，第一導電圖案100之間的空間在尺寸上增加，并且工藝可靠性在pcb1a的引線鍵合期間增加。

根據(jù)實施例，第一阻焊層130形成在絕緣層10上，并且包括開口130a。鋁圖案110的一部分的上表面通過第一阻焊層130的開口130a暴露。第二阻焊層230形成在絕緣層10的下表面上。在這方面，第二阻焊層230形成為覆蓋第二導電圖案200的側面。第一阻焊層130和第二阻焊層230為絕緣層，并且可以包括聚酰亞胺膜、聚酯膜、柔性焊接掩模、感光覆蓋層(pic，photoimageablecoverlay)、感光阻焊劑(photoimageablesolderresist)等。第一阻焊層130可以保護第一導電圖案100并且可以防止在相鄰的第一導電圖案100之間發(fā)生橋接現(xiàn)象，第二阻焊層230可以保護第二導電圖案200并且可以防止在相鄰的第二導電圖案200之間發(fā)生橋接現(xiàn)象。

根據(jù)實施例，第二鈍化層220另外形成在第二導電圖案200的不接觸第二阻焊層230的下表面上。第二鈍化層220覆蓋第二導電圖案200的下表面的至少一部分。第二鈍化層220通過同一工藝包括與第一鈍化層120相同的材料，并且可以執(zhí)行與第一鈍化層120相同的功能。

根據(jù)實施例，上面描述的pcb1a具有使用鋁對其焊盤執(zhí)行的表面處理，從而減少工藝成本。pcb1a也具有在形成于其上的焊盤之間的更大的空間，從而增加電連接的可靠性并且增加鍵合工藝的可靠性。

圖3a至圖3h是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。

根據(jù)實施例，參照圖3a，提供了包括載體層20、脫模層30和鋁層40的載體基底2a。載體層20具有包括諸如樹脂、玻璃纖維等的多個絕緣層的堆疊結構。載體層20可以在將在下面描述的隨后的工藝中支撐其它層。

根據(jù)實施例，脫模層30包括合金和有機化合物。脫模層30也可以包括粘合層，并且可以形成為非導電膜(ncf)、各向異性導電膜(acf)、瞬時粘合劑、熱固性粘合劑、激光可固化粘合劑、超聲可固化粘合劑等?？梢酝ㄟ^例如旋涂、繪涂、噴涂等形成粘合層。

可以通過化學沉積、金屬濺射、電鍍和無電金屬鍍覆工藝形成鋁層40。脫模層30和鋁層40在圖3a中示出為形成在載體層20的一個表面上，但是實施例不限于此。在其他實施例中，也可以在與脫模層30和鋁層40形成在其上的表面相對的表面上形成另一脫模層和另一鋁層。

參照圖3b，根據(jù)實施例，在載體基底2a上形成第一導電層70。例如，可以在載體基底2a的鋁層40上形成種子層，可以通過利用種子層作為種子通過鍍覆而形成第一導電層70?？梢酝ㄟ^浸鍍、無電鍍、電鍍或這些的結合來形成第一導電層70。因此，當種子層包括銅時，第一導電層70包括銅。在一些實施例中，第一導電層70使用包含添加劑的鍍覆溶液施加電流。添加劑可以為例如使鍍層平整的平整劑、使鍍層的顆粒細化的晶粒細化劑、使鍍層在被鍍覆于其上時的應力減小的應力減小劑或者使鍍覆原子很好地粘附至陰極的表面的濕潤劑中的至少一種。

參照圖3c，根據(jù)實施例，在第一導電層70上形成絕緣層10和第二導電層90。在上面參照圖1描述了用于形成絕緣層10的材料。絕緣層10具有包括多個層的堆疊結構并且包括布線，這將在下面進行描述。以與第一導電層70相同的方式形成第二導電層90。因此，可以在形成種子層之后通過鍍覆來形成第二導電層90。第一導電層70和第二導電層90可以包括相同的材料。例如，第一導電層70和第二導電層90可以包括銅。

參照圖3d，根據(jù)實施例，形成穿透絕緣層10并將第一導電層70與第二導電層90電連接的接觸塞150。通過使用濕法刻蝕或干法刻蝕或者通過機械鉆孔或激光鉆孔形成接觸孔150a并隨后通過鍍覆工藝使用導電材料填充接觸孔150a來形成接觸塞150。激光鉆孔可以使用例如co2激光器、釔鋁石榴石(yag)激光器、準分子激光器、cu蒸氣激光器或這些激光器的混合組合。

參照圖3e，根據(jù)實施例，通過將脫模層30分離為兩個子層來將載體層20和鋁層40彼此分離?？梢酝ㄟ^使用刀片的物理方法、使用分離溶劑的化學方法、使用激光的激光燒蝕等來執(zhí)行分離工藝。脫模層30的子層30a與載體層20保留在一起。脫模層30的另一子層30b與鋁層40保留在一起。去除分離的載體層20和脫模層30的子層30a。

參照圖3e和圖3f，根據(jù)實施例，通過分別將鋁層40、第一導電層70和第二導電層90圖案化來形成鋁圖案110、第一導電圖案100和第二導電圖案200。使用掩模通過蝕刻鋁層40、第一導電層70和第二導電層90來形成鋁圖案110、第一導電圖案100和第二導電圖案200。在這方面，也從鋁層40去除脫模層30的另一子層30b。

參照圖3g，根據(jù)實施例，在絕緣層10的上表面上形成預備的第一阻焊層130b，在絕緣層10的與上表面相對的下表面上形成第二阻焊層230。預備的第一阻焊層130b覆蓋鋁圖案110的上表面和側表面兩者以及第一導電圖案100的側面。第二阻焊層覆蓋第二導電圖案200的側面。

可以通過例如使用絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷而利用熱固性油墨直接涂覆絕緣層10并且使涂覆的熱固性油墨熱固化來形成預備的第一阻焊層130b和第二阻焊層230?？蛇x擇地，可以通過例如使用網(wǎng)版印刷或噴涂而利用感光阻焊劑完全地涂覆絕緣層10來形成預備的第一阻焊層130b和第二阻焊層230?？梢酝ㄟ^例如將聚酰亞胺膜或聚酯膜附著到絕緣層10上的層壓法來形成預備的第一阻焊層130b和第二阻焊層230。在上面參照圖1描述了第一阻焊層130和第二阻焊層230的材料。

參照圖3g和圖3h，根據(jù)實施例，通過去除預備的第一阻焊層130b的一部分來形成包括開口130a的第一阻焊層130。通過使用曝光和顯影去除不必要的部分來形成開口130a。通過開口130a暴露第一導電圖案100的一部分和鋁圖案110的一部分。第一導電圖案100和鋁圖案110的暴露的部分可以用作接觸鍵合引線的焊盤，所述鍵合引線將pcb與安裝在pcb上的半導體芯片或半導體封裝件電連接。

根據(jù)實施例，分別在第一導電圖案100和第二導電圖案200的暴露的表面上形成第一鈍化層120和第二鈍化層220。因此，在第一導電圖案100的一部分的側面上形成第一鈍化層120，在第二導電圖案200的至少一部分的下表面上形成第二鈍化層220。通過osp表面處理形成第一鈍化層120和第二鈍化層220?？梢酝瑫r形成第一鈍化層120和第二鈍化層220，但是實施例不限于此。

圖4是根據(jù)實施例的pcb1b的一部分的放大的剖視圖。pcb1b的這一部分與圖1的部分a對應。

參照圖4，根據(jù)實施例的pcb1b包括絕緣層10、第一導電圖案100、第二導電圖案200、鋁圖案110、第一鈍化層120、第二鈍化層220、第一阻焊層130、第二阻焊層230和阻擋圖案140。

根據(jù)實施例，阻擋圖案140可以防止因?qū)щ姴牧蠌牡谝粚щ妶D案100至鋁圖案110的擴散導致的電導率的減少。阻擋圖案140可以包括例如鎳(ni)、鈦(ti)、鉭(ta)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、金(au)、銀(ag)和鎢(w)。例如，阻擋圖案140可以為包括鎳(ni)的層。

圖5是根據(jù)實施例的pcb1c的一部分的放大的剖視圖。pcb1c的這一部分與圖1的部分a對應。

參照圖5，根據(jù)實施例的pcb1c包括絕緣層10、第一導電圖案100、第二導電圖案200、鋁圖案110、第一鈍化層120、第二鈍化層220、第一阻焊層130、第二阻焊層230、阻擋圖案140和氧化物層115。例如，氧化物層115可以為氧化鋁(al2o3)。氧化物層115可以防止鋁圖案110的另外的氧化和變色，從而改善鋁圖案110用作焊盤時的可靠性。自然被氧化的鋁可以在沒有進一步的工藝的情況下有效地保護內(nèi)部形成的導電材料。

圖6a至圖6d是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。省略了圖6a至圖6d與圖3a至圖3h之間的多余描述。

參照圖6a，根據(jù)實施例，提供包括載體層20、脫模層30、鋁層40、阻擋層50和種子層60的載體基底2b。脫模層30、鋁層40、阻擋層50和種子層60在圖6a中示出為形成在載體層20的一個表面上，但是實施例不限于此。在其它實施例中，可以在與脫模層30、鋁層40、阻擋層50和種子層60形成在其上的表面相對的表面上形成另一脫模層、另一鋁層、另一阻擋層和另一種子層。種子層60為包括銅(cu)的銅種子層。

參照圖6b，根據(jù)實施例，在載體基底2b上形成第一導電層70。利用種子層60作為種子通過鍍覆而形成第一導電層70。因此，當種子層60包括銅時，第一導電層70包括銅。

參照圖6c，根據(jù)實施例，在第一導電層70上形成絕緣層10和第二導電層90。形成穿透絕緣層10并將第一導電層70和第二導電層90電連接的接觸塞150。在上面參照圖1描述了用于形成絕緣層10的材料。在這方面，第一導電層70、第二導電層90和接觸塞150包括相同的材料。例如，第一導電層70、第二導電層90和接觸塞150可以包括銅。然而，第一導電層70、第二導電層90和接觸塞150不限于此，在其他實施例中可以包括不同的材料。

參照圖6c，根據(jù)實施例，通過將脫模層30分離為兩個子層來將載體層20和鋁層40彼此分離。脫模層30的子層30a與載體層20保留在一起。脫模層30的另一子層30b與鋁層40保留在一起。去除分離的載體層20和脫模層30的子層30a。

參照圖6c和6d，根據(jù)實施例，通過分別將鋁層40、阻擋層50、第一導電層70和第二導電層90圖案化來形成鋁圖案110、阻擋圖案140、第一導電圖案100和第二導電圖案200。使用掩模通過蝕刻鋁層40、阻擋層50、第一導電層70和第二導電層90來形成鋁圖案110、阻擋圖案140、第一導電圖案100和第二導電圖案200。在這方面，從鋁層40去除脫模層30的另一子層30b。

根據(jù)實施例，分別在絕緣層10的上表面和絕緣層10的與上表面相對的下表面上形成第一阻焊層130和第二阻焊層230。第一阻焊層130覆蓋鋁圖案110的上表面和側面、阻擋圖案140的側面以及第一導電圖案100的側面的至少一部分。第二阻焊層230覆蓋第二導電圖案200的側面。

根據(jù)實施例，第一阻焊層130包括使第一導電圖案100的一部分、阻擋圖案140的一部分以及鋁圖案110的一部分暴露的至少一個開口130a。第一導電圖案100、阻擋圖案140和鋁圖案110的暴露的部分可以用作接觸鍵合引線的焊盤，所述鍵合引線將pcb與安裝在pcb上的半導體芯片或半導體封裝件電連接。

根據(jù)實施例，分別在第一導電圖案100和第二導電圖案200的暴露的表面上形成第一鈍化層120和第二鈍化層220。因此，在第一導電圖案100的一部分的側面上形成第一鈍化層120，在第二導電圖案200的至少一部分的下表面上形成第二鈍化層220。通過osp表面處理形成第一鈍化層120和第二鈍化層220。

根據(jù)實施例，在鋁圖案110的暴露的表面上形成氧化物層115。氧化物層115可以因鋁圖案110接觸空氣而自然地形成。因此，氧化物層115為氧化鋁。氧化物層115可以保護鋁圖案110。

圖7是根據(jù)實施例的pcb1d的剖視圖。圖8是根據(jù)實施例的圖7的部分b的放大的剖視圖。

參照圖7和圖8，根據(jù)實施例的pcb1d包括絕緣層10a、第一導電圖案100、第二導電圖案200、鋁圖案110、第一鈍化層120、第二鈍化層220、第一阻焊層130、第二阻焊層230、阻擋圖案140和氧化物層115。在這方面，絕緣層10a包括第一絕緣層11和第二絕緣層12。第二絕緣層12形成在第一絕緣層11的下部上。在下面省略了圖7和圖8與圖1、圖2、圖4之間的多余描述。

根據(jù)實施例，第三導電圖案300形成在第二絕緣層12中。因此，形成穿透第一絕緣層11并且將第一導電圖案100和第三導電圖案300電連接的第一接觸塞160。形成穿透第二絕緣層12并且將第二導電圖案200和第三導電圖案300電連接的第二接觸塞260。絕緣層10a可以包括如圖7和圖8中示出的兩層，但是實施例不限于此。絕緣層10a可以包括附加層，因此可以以各種方式形成接觸塞150。

根據(jù)實施例，鋁圖案110在與絕緣層10a的上表面垂直的方向上的厚度小于第一導電圖案100在與絕緣層10a的上表面垂直的方向上的厚度。為了突顯起見，在圖7和圖8中相對夸大了鋁圖案的厚度，這也應用于下面描述的附圖。

圖9a至圖9d是示出根據(jù)實施例的制造pcb的方法的剖視圖。省略了圖9a至圖9d與圖3a至圖3h及圖6a至圖6d之間的多余描述。

參照圖9a，根據(jù)實施例，提供包括載體層20、脫模層30、鋁層40、阻擋層50和種子層60的載體基底2b。在種子層60上形成第一導電層70。在第一導電層70上形成第一絕緣層11和第三導電圖案300。形成穿透第一絕緣層11并且將第一導電層70和第三導電圖案300電連接的第一接觸塞160。可以通過將第三導電層圖案化來形成第三導電圖案300。脫模層30、鋁層40、阻擋層50、第一導電層70、第一絕緣層11和第三導電圖案300在圖9a中示出為形成在載體層20的一個表面上，但是實施例不限于此。在其他實施例中，可以在相對的表面上形成脫模層30、鋁層40、阻擋層50、第一導電層70、第一絕緣層11和第三導電圖案300，從而在兩個表面上形成脫模層30、鋁層40、阻擋層50、第一導電層70、第一絕緣層11和第三導電圖案300。

參照圖9b，根據(jù)實施例，形成第二絕緣層12以覆蓋第三導電圖案300。第一絕緣層11和第二絕緣層12包括相同的材料。在上面參照圖1描述了用于形成第二絕緣層12的材料。在第二絕緣層12的下部上形成第二導電層90。第一導電層70、第二導電層90和第三導電圖案300包括相同的材料。例如，第一導電層70、第二導電層90和第三導電圖案300可以包括銅。然而，第一導電層70、第二導電層90和第三導電圖案300的實施例不限于此，在其他實施例中可以包括不同的材料。

根據(jù)實施例，形成穿透第二絕緣層12的第二接觸塞260并且將第二接觸塞260連接到第二導電層90?？梢酝ㄟ^使用濕法蝕刻或干法蝕刻或者通過機械鉆孔或激光鉆孔形成接觸孔260a并隨后通過鍍覆工藝使用導電材料填充接觸孔260a來形成第二接觸塞260。

參照圖9c，根據(jù)實施例，通過將脫模層30分離為兩個子層來將載體層20和鋁層40彼此分離?？梢酝ㄟ^使用物理方法、化學方法等執(zhí)行分離工藝。脫模層30的子層30a保留在載體層20上。脫模層30的子層30b保留在鋁層40上。去除分離的載體層20和脫模層30的子層30a。通過分別將鋁層40、阻擋層50、第一導電層70和第二導電層90圖案化來形成鋁圖案110、阻擋圖案140、第一導電圖案100和第二導電圖案200。在這方面，從鋁層40去除脫模層30的子層30b。

參照圖9d，根據(jù)實施例，分別在絕緣層10a的上表面和絕緣層10a的與絕緣層10a的上表面相對的下表面上形成第一阻焊層130和第二阻焊層230。第一阻焊層130覆蓋鋁圖案110的上表面和側面、阻擋圖案140的側面和第一導電圖案100的側面的至少一部分。第二阻焊層230覆蓋第二導電圖案200的側面。

根據(jù)實施例，第一阻焊層130包括使第一導電圖案100的一部分、阻擋圖案140的一部分和鋁圖案110的一部分暴露的至少一個開口130a。第一導電圖案100、阻擋圖案140和鋁圖案110的暴露的部分可以用作接觸鍵合引線的焊盤，所述鍵合引線將pcb和安裝在pcb上的半導體芯片或半導體封裝件電連接。

根據(jù)實施例，分別在第一導電圖案100和第二導電圖案200的暴露的表面上形成第一鈍化層120和第二鈍化層220。因此，在第一導電圖案100的一部分的側面上形成第一鈍化層120，在第二導電圖案200的至少一部分的下表面上形成第二鈍化層220?？梢酝ㄟ^osp表面處理形成第一鈍化層120和第二鈍化層220。可以同時形成第一鈍化層120和第二鈍化層220，但實施例不限于此。在鋁圖案110的通過開口130a暴露的表面上形成氧化物層115。氧化物層115為氧化鋁。氧化物層115可以保護鋁圖案110。

圖10是根據(jù)實施例的使用pcb1的半導體封裝件1000的剖視圖。

參照圖10，根據(jù)實施例，半導體封裝件1000包括pcb1、半導體芯片500和模層700。粘合層550形成在pcb1上。半導體芯片500可以附著到粘合層550。pcb1可以為圖1和圖2的pcb1a、圖4的pcb1b、圖5的pcb1c或者圖7和圖8的pcb1d。

在一些實施例中，半導體芯片500可以為控制器芯片、非易失性存儲器芯片、易失性存儲器芯片和/或虛設芯片或者這些芯片的組合。

非易失性存儲器芯片可以為例如nand閃速存儲器、電阻式隨機存取存儲器(rram)、磁阻式ram(mram)、相變式ram(pram)或者鐵電式ram(fram)。非易失性存儲器芯片可以為包括一個非易失性存儲器芯片或者多個堆疊的非易失性存儲器芯片的半導體封裝件。

在一些實施例中，多個半導體芯片500可以在pcb1中堆疊。在一些實施例中，多個堆疊的半導體芯片500可以經(jīng)由貫穿電極彼此電連接。

根據(jù)實施例，鍵合引線600將pcb1和半導體芯片500電連接。鍵合引線600可以包括例如銅或金。鍵合引線600穿透形成在鋁圖案110的表面上的氧化物層115，以將半導體芯片500的焊盤520和pcb1的第一導電圖案100電連接。

根據(jù)實施例，模層700形成在pcb1的上表面上，以覆蓋pcb1的上表面的至少一部分和半導體芯片500。模層700可以包括例如硅材料、熱固性材料、熱塑性材料、uv可固化材料等。當模層700包括熱固性材料時，模層700可以包括酚類試劑、酸酐類試劑、胺類可固化試劑或丙烯酸類聚合物添加劑。

在一些實施例中，模層700在包括相對小量的填充劑的同時包括樹脂。在這方面，填充劑可以為二氧化硅填充劑。

盡管在圖10中安裝了半導體芯片500，但是另一半導體封裝件可以安裝在pcb1上以形成層疊封裝件(pop)結構。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構思的示例性實施例具體地示出并描述了本發(fā)明構思的實施例，但是將理解的是，在不脫離權利要求的精神和范圍的情況下，在這里可以作出形式和細節(jié)上的各種改變。