本實(shí)用新型涉及信號處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻屏蔽裝置。

背景技術(shù)：

目前，為了滿足電子設(shè)計(jì)的EMC(電磁兼容性)問題，一般都會為射頻器件加裝射頻屏蔽裝置，通過其屏蔽罩來隔離內(nèi)部信號與外部信號之間的串?dāng)_。

但是，很多射頻器件，如SAW、RF PA、雙工器等，在工作時(shí)均處于高速率、高功率工作狀態(tài)，其器件本體周圍存在較為復(fù)雜的電磁場環(huán)境。相關(guān)技術(shù)中的屏蔽罩并沒有針對此類射頻器件進(jìn)行特殊處理，故經(jīng)常造成射頻器件整體性能的下降和電磁干擾問題。

因此，如何減少射頻屏蔽裝置對射頻器件的串?dāng)_，成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種射頻屏蔽裝置，旨在解決相關(guān)技術(shù)中射頻屏蔽裝置容易對射頻器件產(chǎn)生串?dāng)_的技術(shù)問題，能夠保證射頻器件的性能不受射頻屏蔽裝置的影響，從而提升射頻器件的性能。

第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種射頻屏蔽裝置，包括：接地焊盤；屏蔽罩，設(shè)置在所述接地焊盤上，與所述接地焊盤形成封閉式屏蔽空間，所述屏蔽罩上在對應(yīng)于射頻器件的放置位置處具有向外凸起，所述向外凸起的內(nèi)壁與所述射頻器件的距離大于所述射頻器件的高度的1/2。

第二方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種射頻屏蔽裝置，包括：接地焊盤；屏蔽罩，設(shè)置在所述接地焊盤上，與所述接地焊盤形成開放式屏蔽空間，所述開放式屏蔽空間的寬度小于射頻器件的工作頻段波長的1/2。

在本實(shí)用新型第一方面和第二方面所述的實(shí)施例中，可選地，所述屏蔽罩包括拐角縫隙，所述拐角縫隙寬度小于所述射頻器件的工作頻段波長的1/2。

在本實(shí)用新型第一方面和第二方面所述的實(shí)施例中，可選地，所述接地焊盤具有隔離層，所述射頻器件放置在所述隔離層上。

以上技術(shù)方案，針對相關(guān)技術(shù)中射頻屏蔽裝置容易對射頻器件產(chǎn)生串?dāng)_的技術(shù)問題，可以在屏蔽罩上設(shè)置向外凸起，該向外凸起處的內(nèi)壁與所述射頻器件的距離比屏蔽罩上其他位置的內(nèi)壁離射頻器件更遠(yuǎn)，具體地，可大于所述射頻器件的高度的1/2，使屏蔽罩的內(nèi)壁遠(yuǎn)離射頻器件。

或者，當(dāng)射頻器件只能靠近屏蔽罩的側(cè)邊放置時(shí)，可以在屏蔽罩的側(cè)邊挖空，形成開放式屏蔽空間，并設(shè)置該挖空處的寬度小于射頻器件的工作頻段波長的1/2，使屏蔽罩的內(nèi)壁遠(yuǎn)離射頻器件。

通過以上技術(shù)方案，可避免因屏蔽罩離射頻器件過近，避免射頻器件自身輻射信號被屏蔽罩反射回自身而帶來的相鄰頻道泄露比指標(biāo)降低或跳動(dòng)的問題，減少屏蔽罩反射的影響，提升了射頻器件的性能。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1示出了本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置的示意圖；

圖2示出了本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置的示意圖；

圖3示出了本實(shí)用新型的再一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置的示意圖；

圖4示出了本實(shí)用新型的又一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置的示意圖。

其中，圖1至圖4中部件名稱與附圖標(biāo)記的對應(yīng)關(guān)系如下：

射頻屏蔽裝置1，接地焊盤11，隔離層111，屏蔽罩12，向外凸起121，拐角縫隙122，封閉式屏蔽空間13，開放式屏蔽空間14，射頻器件2，PCB板3。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本實(shí)用新型。在本實(shí)用新型實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

圖1示出了本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置的示意圖。

如圖1所示，本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置1，包括接地焊盤11和屏蔽罩12，屏蔽罩12設(shè)置在接地焊盤11上，與接地焊盤11形成封閉式屏蔽空間13。

屏蔽罩12上在對應(yīng)于射頻器件2的放置位置處具有向外凸起121，該向外凸起121處的內(nèi)壁與所述射頻器件2的距離比屏蔽罩12上其他位置的內(nèi)壁離射頻器件2更遠(yuǎn)，使屏蔽罩12的內(nèi)壁遠(yuǎn)離射頻器件2。

具體地，向外凸起121的內(nèi)壁與射頻器件2的距離X大于射頻器件2的高度Y的1/2。

由此，可避免因屏蔽罩12離射頻器件2過近，避免射頻器件2自身輻射信號被屏蔽罩12反射回自身而帶來的相鄰頻道泄露比指標(biāo)降低或跳動(dòng)的問題，減少屏蔽罩12反射的影響，提升了射頻器件2的性能。

本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的射頻屏蔽裝置1，包括接地焊盤11和屏蔽罩12，屏蔽罩12設(shè)置在接地焊盤11上，如圖2所示，射頻器件2靠近屏蔽罩12的側(cè)邊放置，屏蔽罩12的側(cè)邊被挖空，使得屏蔽罩12與接地焊盤11形成開放式屏蔽空間14。

其中，設(shè)置該挖空處的寬度W小于射頻器件2的工作頻段波長的1/2，使屏蔽罩12的內(nèi)壁遠(yuǎn)離射頻器件2。

由此，可避免因屏蔽罩12離射頻器件2過近，避免射頻器件2自身輻射信號被屏蔽罩12反射回自身而帶來的相鄰頻道泄露比指標(biāo)降低或跳動(dòng)的問題，減少屏蔽罩12反射的影響，提升了射頻器件2的性能。

在圖1和圖2示出的射頻屏蔽裝置1中，或者除此之外的其他類型的射頻屏蔽裝置1中，如圖3所示，屏蔽罩12包括拐角縫隙122，如果拐角縫隙122過大，會成射頻器件2內(nèi)部電磁環(huán)境與外部電磁環(huán)境互相串?dāng)_，使得屏蔽罩12的作用喪失。因此，可設(shè)置拐角縫隙122寬度B小于射頻器件2的工作頻段波長的1/2，使其適應(yīng)射頻器件2的實(shí)際情況，不會過大，從而避免射頻器件2內(nèi)部電磁環(huán)境與外部電磁環(huán)境互相串?dāng)_，保證屏蔽罩12的有效性。

另外，如果屏蔽罩12的接地沒有特別處理，造成輻射到屏蔽罩12上的外部噪聲通過地網(wǎng)絡(luò)回流至射頻器件2，從而造成射頻器件2的性能下降。故在圖1和圖2示出的射頻屏蔽裝置1中，或者除此之外的其他類型的射頻屏蔽裝置1中，如圖4所示，接地焊盤11具有隔離層111，射頻器件2放置在隔離層111上，這樣，屏蔽罩12的接地焊盤11與射頻器件2的接地焊盤通過隔離層111進(jìn)行了隔離，從而不會在PCB板3的表層通過GND相連，進(jìn)而不會產(chǎn)生串?dāng)_，保證了射頻器件2的性能，能夠縮短射頻調(diào)試的時(shí)間，降低設(shè)計(jì)成本。

需要補(bǔ)充的是，上述的射頻器件2包括但不限于SAW濾波器。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說明了本實(shí)用新型的技術(shù)方案，通過本實(shí)用新型的技術(shù)方案，可避免因屏蔽罩離射頻器件過近，避免射頻器件自身輻射信號被屏蔽罩反射回自身而帶來的相鄰頻道泄露比指標(biāo)降低或跳動(dòng)的問題，減少屏蔽罩反射的影響，提升了射頻器件的性能。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍之內(nèi)。