1.一種低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，設(shè)置在射頻接收機(jī)的信號(hào)通路上，作為射頻接收機(jī)中的第二混頻器，通過(guò)電路連接設(shè)置在第一混頻器與低通濾波器之間；
所述的電壓模式無(wú)源混頻器包含兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的混頻電路，由第一混頻器輸出的射頻信號(hào)分別與本振信號(hào)在各個(gè)混頻電路中進(jìn)行混頻，輸出中頻信號(hào)，并經(jīng)低通濾波器濾波；
每個(gè)混頻電路的本振信號(hào)均采用25%占空比的I/Q正交方波信號(hào)，由兩個(gè)混頻電路實(shí)現(xiàn)同相正交I/Q變頻。
2.如權(quán)利要求1所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的混頻電路包含：
核心處理模塊，與第一混頻器通過(guò)電路連接，將經(jīng)過(guò)第一次混頻輸出的射頻信號(hào)與本振信號(hào)進(jìn)行混頻以輸出中頻信號(hào)；
電壓偏置模塊，與核心處理模塊通過(guò)電路連接，提供偏置電壓，使核心處理模塊工作在穩(wěn)定的電壓范圍內(nèi)；
源極跟隨器，通過(guò)電路連接設(shè)置在核心處理模塊與低通濾波器之間，提高驅(qū)動(dòng)能力以驅(qū)動(dòng)低通濾波器。
3.如權(quán)利要求2所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的核心處理模塊包含由四個(gè)無(wú)源PMOS晶體管組成的雙平衡混頻器，其中：
第一PMOS晶體管的柵極連接第一路本振信號(hào)，源極連接輸入的第一路射頻信號(hào)，漏極連接輸出的第一路中頻信號(hào)；
第二PMOS晶體管的源極連接輸入的第一路射頻信號(hào)，即連接第一PMOS晶體管的源極，漏極連接輸出的第二路中頻信號(hào)；
第三PMOS晶體管的柵極連接第二PMOS晶體管的柵極，即連接第二路本振信號(hào)，源極連接輸入的第二路射頻信號(hào)，漏極連接輸出的第一路中頻信號(hào)；
第四PMOS晶體管的柵極連接第一PMOS晶體管的柵極，即連接第一路本振信號(hào)，源極連接輸入的第二路射頻信號(hào)，即連接第三PMOS晶體管的源極，漏極連接輸出的第二路中頻信號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的核心處理模塊還包含：
襯偏電壓輸入電路，連接設(shè)置在第一、第二PMOS晶體管的源極與第三、第四PMOS晶體管的源極之間，由依次串聯(lián)的第一電阻和第二電阻組成，阻止兩路輸入的射頻信號(hào)流入電壓偏置模塊；
第一隔直流電路，包含第一電容和第二電容，該第一電容設(shè)置在第一路射頻信號(hào)與第一、第二PMOS晶體管的源極之間，該第二電容設(shè)置在第二路射頻信號(hào)與第三、第四PMOS晶體管的源極之間，阻隔直流并防止共模串?dāng)_。
5.如權(quán)利要求4所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的核心處理模塊還包含：
柵偏電壓輸入電路，連接設(shè)置在第一、第四PMOS晶體管的柵極與第二、第三PMOS晶體管的柵極之間，由依次串聯(lián)的第三電阻和第四電阻組成，阻止兩路輸入的本振信號(hào)流入電壓偏置模塊；
第二隔直流電路，包含第三電容和第四電容，該第三電容設(shè)置在第一路本振信號(hào)與第一、第四PMOS晶體管的柵極之間，該第四電容設(shè)置在第二路本振信號(hào)與第二、第三PMOS晶體管的柵極之間，阻隔直流。
6.如權(quán)利要求5所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的電壓偏置模塊包含：
第一電流源，產(chǎn)生恒定電流輸出；
電流復(fù)制電路，由鏡像連接的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管組成，對(duì)第一電流源的輸出電流進(jìn)行復(fù)制，其中，該第一NMOS晶體管連接第一電流源；
偏置電壓生成電路，由依次連接的第五PMOS晶體管、第六電阻和第五電阻組成，其中，第五PMOS晶體管連接第二NMOS晶體管；
第一電流源的輸出電流經(jīng)復(fù)制后通過(guò)第五PMOS晶體管，利用其閾值電壓產(chǎn)生柵偏電壓，并由第三電阻和第四電阻之間輸入核心處理模塊；
第一電流源的輸出電流經(jīng)復(fù)制后通過(guò)第五PMOS晶體管、第六電阻和第五電阻，利用電流流經(jīng)第六電阻和第五電阻形成的壓降產(chǎn)生襯偏電壓，并由第一電阻和第二電阻之間輸入核心處理模塊。
7.如權(quán)利要求2所述的低功耗低成本高線性的電壓模式無(wú)源混頻器，其特征在于，所述的源極跟隨器由第三NMOS晶體管和第二電流源連接組成，由核心處理模塊輸出的中頻信號(hào)經(jīng)過(guò)第三NMOS晶體管后輸出至低通濾波器。