本實(shí)用新型涉及電路集成技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有內(nèi)埋式無(wú)源器件的電路板。

背景技術(shù)：

隨著微電子技術(shù)應(yīng)用的發(fā)展，電子系統(tǒng)小型化，集成化，輕重化等要求顯得越來(lái)越迫切。相應(yīng)的各個(gè)層級(jí)的措施與手段也不斷涌現(xiàn)，如無(wú)源元件，如電阻/電感/電容(R/L/C)的封裝尺寸越來(lái)越小，由1206，0805，到0402，再到0201，01005等等；有源器件由分立器件到單一功能的ASIC或MMIC到MCM，再到SoC，其集成度的提升遵循著摩爾定律或所謂的超摩爾定律；基板技術(shù)也從最初的單面板，到雙面板，到多層基板技術(shù)等，這些技術(shù)的發(fā)展無(wú)疑不斷提升了各種電子產(chǎn)品或系統(tǒng)的集成度。

但是對(duì)于射頻/微波組件或系統(tǒng)而言，出于電性能的要求，通常需要很多無(wú)源元件如R/L/C等，和無(wú)源器件如濾波器、功分器、耦合器等來(lái)實(shí)現(xiàn)某些特定的功能，如濾波、功分、衰減等。從目前的技術(shù)發(fā)展來(lái)看，多層電路基板在實(shí)現(xiàn)射頻/微波模塊或系統(tǒng)的小型化及高密度集成方面得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。但目前的多層電路基板主要用于多層布線，或內(nèi)埋少量的無(wú)源元件如R/L/C等，更多的無(wú)源元件和無(wú)源器件還只能是采用表貼的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)集成。同時(shí)，由于射頻/微波電路的特點(diǎn)，此類無(wú)源器件的集成度的提升又相當(dāng)困難，更不用說(shuō)滿足摩爾定律或超摩爾定律，從而成為了制約射頻/微波組件或系統(tǒng)集成度提升的主要瓶頸。通常情況下，無(wú)源元件與器件占有整個(gè)射頻/微波產(chǎn)品基板空間的50%，甚至70%以上。因此，在射頻/微波組件中如何有效提高無(wú)源器件的集成度具有非常重要的意義。

同時(shí)，正因?yàn)槟壳暗臒o(wú)源器件還只能是采用表貼方式來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成，因此，不可避免的存在以下問(wèn)題：（1）無(wú)源器件表貼方式，占用基板空間；（2）需要另行采購(gòu)，增加元器件采購(gòu)成本；（3）需要另行組裝，增加了組裝難度與組裝成本；（4）對(duì)于小尺寸的表貼式無(wú)源器件，由于不方便采用高效的電磁隔離措施，通常還會(huì)因?yàn)榭臻g輻射等因素，導(dǎo)致其很難發(fā)揮出應(yīng)有的電特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有內(nèi)埋式無(wú)源器件的電路板，采用基板內(nèi)埋方式來(lái)實(shí)現(xiàn)特定無(wú)源器件的內(nèi)埋式集成，減少基板的占用空間，降低成本，提高電路的電特性。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案：

一種具有內(nèi)埋式無(wú)源器件的電路板，包括主基板及設(shè)于主基板內(nèi)部的無(wú)源器件，所述無(wú)源器件的上表面、下表面分別設(shè)有上表面地層、下表面地層，所述主基板的表面設(shè)有與無(wú)源器件電連接的輸入接口、輸出接口，無(wú)源器件的外周設(shè)有電磁屏蔽墻。

所述電磁屏蔽墻通過(guò)沿?zé)o源器件的外邊緣處垂直設(shè)置的多個(gè)過(guò)孔形成，所述過(guò)孔的兩端分別與無(wú)源器件上表面地層和下表面地層連接導(dǎo)通。

所述過(guò)孔內(nèi)通過(guò)金屬漿料填充與上表面地層和下表面地層連接導(dǎo)通。

所述輸入接口和輸出接口之間設(shè)有用于使其相互隔離的金屬隔墻。

所述主基板的表面設(shè)有外圍電路，該外圍電路通過(guò)設(shè)于主基板內(nèi)部的導(dǎo)帶實(shí)現(xiàn)電連接。

由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型不需要額外的采購(gòu)與組裝成本，由于整個(gè)器件采用全屏蔽結(jié)構(gòu)，因此，不會(huì)對(duì)基板上的其它電路產(chǎn)生影響；其次，不存在因?yàn)榭臻g輻射而降低該器件性能的問(wèn)題。同時(shí)，該集成方式較表貼方式具有更高的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式的剖視圖；

圖2是本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式的俯視圖；

圖3是本實(shí)用新型第二種實(shí)施方式的剖視圖；

圖4是本實(shí)用新型第二種實(shí)施方式的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明：

如圖1、2所示，圖1、2是本實(shí)用新型的第一種實(shí)施方式，本實(shí)施例的具有內(nèi)埋式無(wú)源器件的電路板，包括主基板1及設(shè)于主基板1內(nèi)部的無(wú)源器件2，無(wú)源器件2的上表面、下表面分別設(shè)有上表面地層21、下表面地層22，主基板1的表面設(shè)有與無(wú)源器件2電連接的輸入接口11和輸出接口12，該輸入接口11、輸出接口12采用共面波導(dǎo)的形式直接與主基板1上的其它電路實(shí)現(xiàn)電連接。在無(wú)源器件2的外周設(shè)有電磁屏蔽墻，該電磁屏蔽墻能夠引導(dǎo)射頻/微波信號(hào)從輸入口11進(jìn)入，從輸出口12輸出，避免空間輻射降低器件性能。

本實(shí)施例的電磁屏蔽墻通過(guò)沿?zé)o源器件2的外邊緣處垂直設(shè)置的適當(dāng)數(shù)量的過(guò)孔3形成，該過(guò)孔3的兩端分別與無(wú)源器件2上表面地層21和下表面地層22連接導(dǎo)通。過(guò)孔3內(nèi)通過(guò)金屬漿料填充與上表面地層21和下表面地層22連接導(dǎo)通。輸入接口11和輸出接口12之間設(shè)有用于使其相互隔離的金屬隔墻4，實(shí)現(xiàn)該無(wú)源器件1的輸入接口11和輸出接口12的完全隔離，以更好的發(fā)揮其性能。上表面地層21、下表面地層22和過(guò)孔3構(gòu)成了對(duì)該無(wú)源器件2的電磁屏蔽，以確保該器件與外圍電路6的互相隔離。在主基板1的上側(cè)面貼裝有外圍電路6，多個(gè)外圍電路6之間可通過(guò)導(dǎo)帶5相連接導(dǎo)通。

根據(jù)實(shí)際情況，可對(duì)無(wú)源器件2內(nèi)埋的個(gè)數(shù)及輸入/出接口的引出方式進(jìn)行設(shè)定，外圍電路6可貼裝于主基板1的上側(cè)面或下側(cè)面；輸入接口11和輸出接口12可設(shè)于主基板1的上側(cè)面也可設(shè)于主基板1的下側(cè)面。如圖3、4所示，圖3、4是本實(shí)用新型的第二種實(shí)施方式，本實(shí)施例除了內(nèi)埋無(wú)源器件個(gè)數(shù)、金屬隔墻4及輸入接口11和輸出接口12的位置不同，其余結(jié)構(gòu)均與第一種實(shí)施方式相同。從圖中可以看出，內(nèi)埋2個(gè)無(wú)源器件。主基板1的上表面貼裝外圍電路6，該外圍電路6通過(guò)設(shè)于主基板1內(nèi)部的導(dǎo)帶5電連接。第一個(gè)無(wú)源器件2的輸入接口11和第二個(gè)無(wú)源器件2的輸出接口12位于主基板1的下側(cè)面，第一個(gè)無(wú)源器件2的輸出接口12和第二個(gè)無(wú)源器件2的輸入接口11位于主基板1的上側(cè)面。主基板1與外部電路板7相連接時(shí)，可通過(guò)由BGA球構(gòu)成的類同軸結(jié)構(gòu)8與外部電路板7相連通。由于屏蔽結(jié)構(gòu)的作用，信號(hào)從左邊的BGA類同軸結(jié)構(gòu)8注入主基板中，經(jīng)無(wú)源器件1，主基板1其它外圍電路，無(wú)源器件2，最終從無(wú)源器件2的輸出接口12再次流回到外部電路板。若第一個(gè)無(wú)源器件2的輸入接口11和第二個(gè)無(wú)源器件2的輸出接口12之間的距離足夠遠(yuǎn)的話，這兩者之間無(wú)需設(shè)置金屬隔墻4，否則，還需要在其中間位置設(shè)置金屬隔墻來(lái)阻擋空間電磁輻射。

以上所述的實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求書(shū)確定的保護(hù)范圍內(nèi)。