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芯片電磁屏蔽封裝的制作方法

文檔序號:11555344閱讀:2775來源:國知局
芯片電磁屏蔽封裝的制造方法與工藝

本實用新型涉及電子技術領域,尤其涉及電磁屏蔽裝置。



背景技術:

帶有集成電路芯片的智能手機或用于其它帶有射頻組件的產(chǎn)品系統(tǒng),會產(chǎn)生電磁干擾或遭受到電磁干擾而導致電路功能受到影響。



技術實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的在于,提供芯片電磁屏蔽封裝,以解決上述至少一個技術問題。

本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現(xiàn):

芯片電磁屏蔽封裝,包括一集成電路芯片,所述集成電路芯片安裝在一電路板上,其特征在于,所述電路板上固定有一由吸波材料制成的屏蔽墻,所述屏蔽墻圍繞所述集成電路芯片設置;

所述屏蔽墻上方覆蓋有一導電材料層,所述導電材料層、所述屏蔽墻與所述電路板圍成一密閉空腔,所述集成電路芯片設置在所述密閉空腔內(nèi)。

本實用新型通過吸波材料構成的屏蔽墻,隔離電磁干擾;通過導電材料層對電磁干擾進行反射衰減,采用本實用新型的結構,可以有效的防止電磁干擾,集成電路芯片周圍的射頻信號被吸波材料隔絕的同時,導電材料層通過在集成電路芯片上方的射頻反射損耗為集成電路芯片屏蔽了電磁干擾。

所述導電材料層是由導電復合材料制成的導電材料層。

所述導電材料層是由鋁板材構成的導電材料層。既能實現(xiàn)屏蔽電磁干擾的同時,還能實現(xiàn)散熱的效果。

所述導電材料層是由導電布構成的導電材料層。實現(xiàn)屏蔽電磁干擾的效果。

所述導電材料層的上表面連接有一由散熱材料制成的散熱層。

通過散熱層實現(xiàn)熱擴散,進而避免由集成電路芯片升溫而導致的熱點。

所述散熱層是一由石墨構成的散熱層。石墨散熱效果好。

所述屏蔽墻呈圓環(huán)狀或矩形環(huán)狀。

所述屏蔽墻是由吸波材料經(jīng)模切制成的屏蔽墻。

作為一種優(yōu)選方案,所述導電材料層是由銅箔構成的導電材料層,所述導電材料層的厚度為7~15微米;

所述散熱層是一石墨片制成的散熱層,所述散熱層的厚度為20~30微米。

所述散熱層的上表面還連接有一PET保護膜,所述PET保護膜的厚度為4~7微米。

經(jīng)實驗證明,采用上述結構,在控制成本的前提下,散熱性能優(yōu)異,且使用壽命長。該種結構適用于智能手機中的集成電路芯片的電磁屏蔽。

所述集成電路芯片上固定有一導熱墊,所述導熱墊的上方抵住所述導電材料層。便于將集成電路芯片的熱量經(jīng)導電材料層傳遞出去。該結構更適用于屏蔽墻內(nèi)設有至少兩個集成電路芯片的結構。

所述導電材料層通過一壓敏膠與所述吸波機構相連。實現(xiàn)導電材料層與吸波機構形成非導電連接。

所述吸波機構通過一壓敏膠連接所述電路板。實現(xiàn)電路板與吸波機構形成非導電連接。

所述導電材料層通過一壓敏膠與所述集成電路芯片相連。便于將集成電路芯片的熱量經(jīng)導電材料層傳遞出去。

所述吸波材料是一射頻吸波材料。從而抵抗電磁干擾。

所述屏蔽墻上設有一接地金屬層,所述接地金屬層的上端連接所述導電材料層,所述接地金屬層的下端設有接地端子,所述接地端子連接所述電路板。

進而實現(xiàn)導電材料層電氣接地到所述電路板。提高導電材料層的電磁屏蔽效果。

即,所述導電材料層通過所述接地金屬層連接所述電路板上的GND端。GND端即為所述電路板上的接地端。所述GND端可以是一設置在電路板上的GND孔。便于通過接地端子插入GND孔實現(xiàn)接地。

所述接地金屬層是由導電泡棉材料或者導電橡膠材料制成的接地金屬層。接地金屬層具有壓縮性,通過被壓縮可以加強與電路板之間的接地。

所述密閉空腔內(nèi)設有一接地金屬層,所述接地金屬層的上端連接所述導電材料層,所述接地金屬層的下端設有接地端子,所述接地端子連接所述電路板。實現(xiàn)導電材料層的電氣接地。

即,所述導電材料層通過所述接地金屬層連接所述電路板上的GND端。GND端即為所述電路板上的接地端。所述GND端可以是一設置在電路板上的GND孔。便于通過接地端子插入GND孔實現(xiàn)接地。

所述接地金屬層是螺釘或者套筒。

實現(xiàn)導電材料層電氣接地到所述電路板。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種結構示意圖;

圖2為本實用新型的一種結構示意圖;

圖3為本實用新型的一種采用圖1結構的一種透視圖;

圖4為本實用新型的另一種結構示意圖;

圖5為本實用新型的另一種結構示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體圖示進一步闡述本實用新型。

參見圖1、圖2、圖3、圖4、圖5,芯片電磁屏蔽封裝,包括一集成電路芯片110,集成電路芯片110安裝在一電路板120上,電路板120上固定有一由吸波材料制成的屏蔽墻104;屏蔽墻104上方連接有一由導電材料制成的導電材料層102,導電材料層102、屏蔽墻104與電路板120圍成一密閉空腔,密閉空腔內(nèi)容置有集成電路芯片110。本實用新型通過吸波材料構成的屏蔽墻104,隔離電磁干擾;通過導電材料層102對電磁干擾進行反射衰減,采用本實用新型的結構,可以有效的防止電磁干擾,集成電路芯片110周圍的射頻信號被吸波材料隔絕的同時,導電材料層102通過在集成電路芯片110上方的射頻反射損耗為集成電路芯片110屏蔽了電磁干擾。導電材料層的橫截面呈一矩形,屏蔽墻的橫截面呈一環(huán)狀矩形,矩形的長度等于環(huán)狀矩形外環(huán)的長度,矩形的寬度等于環(huán)狀矩形外環(huán)的寬度。實現(xiàn)導電材料層覆蓋在屏蔽墻的上方。

屏蔽墻104呈圓環(huán)狀或矩形環(huán)狀。吸波材料可以選取為3M公司的AB5010R,AB5020R。屏蔽墻是由吸波材料經(jīng)模切制成的屏蔽墻。

導電材料層102是由鋁板材構成的導電材料層102。既能實現(xiàn)屏蔽電磁干擾的同時,還能實現(xiàn)散熱的效果。

導電材料層102是由導電布構成的導電材料層102。實現(xiàn)屏蔽電磁干擾的效果。導電材料層102的上表面連接有一由散熱材料制成的散熱層。通過散熱層實現(xiàn)熱擴散,進而避免由集成電路芯片110升溫而導致的熱點。

散熱層108是一由石墨構成的散熱層108。石墨散熱效果好。作為一種優(yōu)選方案,參見圖4,導電材料層102是由銅箔構成的導電材料層102,導電材料層102的厚度為7~15微米;散熱層108是一石墨片制成的散熱層,散熱層的厚度為20~30微米。該種結構適用于智能手機中的集成電路芯片的電磁屏蔽。散熱層的上表面還連接有一PET保護膜,PET保護膜的厚度為4~7微米。經(jīng)實驗證明,采用上述結構,在控制成本的前提下,散熱性能優(yōu)異,且使用壽命長。

吸波材料是一射頻吸波材料。從而抵抗電磁干擾。吸波材料是膠黏劑。通過吸波材料隔離電磁干擾的同時,還可以實現(xiàn)導電材料層102與電路板120的固定連接。

參見圖1、圖2,屏蔽墻104上設有一接地金屬層106,接地金屬層106的上端連接導電材料層102,接地金屬層的下端設有接地端子,接地端子連接電路板。進而實現(xiàn)導電材料層電氣接地到電路板。提高導電材料層的電磁屏蔽效果。即,電路板120上設有接地線;導電材料層102通過一接地金屬層106連接到接地線。進而實現(xiàn)導電材料層102電氣接地到電路板120。提高導電材料層102的電磁屏蔽效果。即,導電材料層102通過接地金屬層106連接電路板120上的GND端。GND端即為電路板120上的接地端。GND端可以是一設置在電路板120上的GND孔。

接地金屬層106是由導電泡棉材料或者導電橡膠材料制成的接地金屬層106。接地金屬層106具有壓縮性,通過被壓縮可以加強與電路板120之間的接地。屏蔽墻104上設有一用于固定接地金屬層106的缺口。便于實現(xiàn)接地金屬層106固定在屏蔽墻104上,且與導電材料層102相連。

密閉空腔內(nèi)設有一接地金屬層,接地金屬層的上端連接導電材料層,接地金屬層的下端設有接地端子,接地端子連接電路板。接地金屬層106是螺釘或者套筒。實現(xiàn)導電材料層102電氣接地到電路板120。

參見圖5,導電材料層102通過一導熱墊422與集成電路芯片110相連。便于將集成電路芯片的熱量經(jīng)導電材料層傳遞出去。該結構更適用于屏蔽墻內(nèi)設有至少兩個集成電路芯片的結構。接地金屬層是套筒420。圖5的結構適用于無線電模塊的集成電路芯片的電磁屏蔽。導電材料層102通過一壓敏膠與集成電路芯片110相連。便于將集成電路芯片110的熱量經(jīng)導電材料層102傳遞出去。

集成電路芯片包括一由環(huán)氧樹脂制成的封裝殼體,封裝殼體的上方設有一用于容置金屬鎵的凹槽,凹槽內(nèi)填充有液態(tài)金屬;集成電路芯片還設有一鋼制散熱器,鋼制散熱器包括一鋼制蓋體,鋼制蓋體上方設有散熱翅片;鋼制蓋體下方設有熱交換金屬片;鋼制散熱器的鋼制蓋體蓋住凹槽,實現(xiàn)密封;熱交換金屬片插入凹槽內(nèi)的液態(tài)金屬中。散熱翅片接觸連接導電材料層的下表面。液態(tài)金屬在高溫下(如40度以上),是液態(tài)。在需要對芯片進行散熱時,完成液態(tài)轉化。液態(tài)的流動性,在上下溫差作用下,會產(chǎn)生對流,散熱性遠遠大于固態(tài)金屬。本專利將液態(tài)金屬的對流散熱,和固態(tài)金屬制成的散熱器相結合,既保證了流體金屬強度的熱交換性能,又實現(xiàn)了對液態(tài)金屬的密封,保證了電路的安全性。另外,本專利中特別采用由鋼制成的鋼制散熱器,而不是采用常用的鋁質散熱器。避免了同相金屬的溶解腐蝕。液態(tài)金屬可以是鎵合金。鎵合金可以是銦鎵合金。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。

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