1.電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，在電子鎮(zhèn)流器電路的輸出半橋MOS管處設(shè)有檢測其高溫異常變化的溫度取樣元器件，所述溫度取樣元器件的工作狀態(tài)發(fā)生變化繼而控制半橋MOS管的關(guān)閉或開通。
2.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，溫度取樣元器件的工作狀態(tài)發(fā)生變化時，溫度取樣元器件將半橋MOS管溫度變化信息傳輸至控制電路，控制電路接收上傳的信息并與設(shè)定值比較，超過設(shè)定值時控制電路控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進入保護狀態(tài)，低于設(shè)定值時，控制電路控制電子鎮(zhèn)流器的半橋MOS管進入工作狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，溫度取樣元器件的開關(guān)狀態(tài)發(fā)生變化時，溫度取樣元器件通過檢測的半橋MOS管的溫度信息，溫度取樣元器件自身的開關(guān)狀態(tài)改變，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進入保護狀態(tài)，半橋MOS管溫度降低后恢復(fù)初始開關(guān)狀態(tài)，電子鎮(zhèn)流器重新工作。
4.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件用于間接檢測燈管電感的高溫異常。
5.如權(quán)利要求4所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管的肩部、側(cè)部或中部緊靠MOS管體的部位，或者半橋MOS的周圍的PCB上，或者與MOS管固定在一起的其他材料上。
6.如權(quán)利要求4所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件與半橋MOS管緊靠，或者緊靠部位涂抹導(dǎo)熱材料，或者與半橋MOS管之間增加絕緣材料。
7.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件是溫度取樣電阻，或者是自恢復(fù)溫度保險，或者是自恢復(fù)溫度開關(guān)或者是具有溫度特性的其他種類的器件。
8.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件安裝在被保護輸出的半橋MOS管的上管上，或者安裝在被保護輸出半橋MOS管的下管上。
9.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，所述溫度取樣元器件及半橋MOS管均可以采用多種封裝形式，包括表面貼裝式或直插式；
所述溫度取樣元器件與半橋MOS管是立式裝配，或者是臥式裝配。
10.如權(quán)利要求1-9任一所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路，其特征是，電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護電路應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器中或應(yīng)用于包括上述電子鎮(zhèn)流器的無極燈或包括上述無極燈的電源。