本實(shí)用新型涉及電子鎮(zhèn)流器保護(hù)電路，具體是涉及電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

無極燈是一種磁能燈，沒有電極，具有高光效、長壽命、高顯色性、色溫可選、無頻閃、快速啟動、熱啟動、防震、環(huán)保，一種代表照明技術(shù)的新型光源。它是通過電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的高頻信號推動無極燈燈管電感，電感的電磁場耦合到燈管內(nèi)，使燈管內(nèi)的氣體雪崩電離，形成等離子體，等離子受激原子返回基態(tài)時輻射出紫外線，燈泡內(nèi)壁的熒光粉受到紫外線激發(fā)產(chǎn)生可見光。

由于無極燈無電極、高光效、長壽命、高顯色性、色溫可選、無頻閃、快速啟動、熱啟、防震、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，因此適用于各種照明場所。無極燈燈管電感是無極燈中最關(guān)鍵的元器件，電感的性能直接決定了無極燈的質(zhì)量。

市場上的無極燈燈管電感的磁場穩(wěn)定性差、溫度特性差等因素，無極燈在高溫狀況下工作時，燈管電感溫度高，電感量下降，電感電流變化，燈管電感溫度進(jìn)一步升高，半橋MOS溫升加劇，超出半橋MOS的安全范圍時產(chǎn)生熱擊穿，鎮(zhèn)流器損壞。當(dāng)溫度升高導(dǎo)致磁芯接近或者進(jìn)入飽和狀態(tài)時，電感電流異常增大，半橋MOS溫升快速升高產(chǎn)生熱擊穿，鎮(zhèn)流器損壞。鎮(zhèn)流器損壞嚴(yán)重影響了無極燈的市場推廣。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型公開了電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路，該保護(hù)電路裝配方式簡單多樣、電路簡單、高可靠性、長壽命、低價格，滿足無極燈燈管電感磁芯高溫異常時，保護(hù)電子鎮(zhèn)流器的作用。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案如下：

電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路，在電子鎮(zhèn)流器電路的輸出半橋MOS管處設(shè)有檢測其高溫異常變化的溫度取樣元器件，所述溫度取樣元器件的工作狀態(tài)發(fā)生變化繼而控制半橋MOS管的關(guān)閉或開通。

溫度取樣元器件的工作狀態(tài)發(fā)生變化時，溫度取樣元器件將半橋MOS管溫度變化信息傳輸至控制電路，控制電路接收上傳的信息并與設(shè)定值比較，超過設(shè)定值時控制電路控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，低于設(shè)定值時，控制電路控制電子鎮(zhèn)流器的半橋MOS管進(jìn)入工作狀態(tài)。

溫度取樣元器件的開關(guān)狀態(tài)發(fā)生變化時，溫度取樣元器件通過檢測的半橋MOS管的溫度信息，溫度取樣元器件自身的開關(guān)狀態(tài)改變，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，半橋MOS管溫度降低后恢復(fù)初始開關(guān)狀態(tài)，電子鎮(zhèn)流器重新工作。

所述溫度取樣元器件用于間接檢測燈管電感的高溫異常。

所述溫度取樣元器件的工作狀態(tài)是阻值高低狀態(tài)，或者是壓降高低狀態(tài)，或者是ON/OFF狀態(tài)，或者是因溫度變化導(dǎo)致的其他參數(shù)變化狀態(tài)。

所述溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管的肩部、側(cè)部或中部緊靠MOS管體的部位，或者半橋MOS管周圍的PCB上，或者與MOS管固定在一起的其他材料上。

所述溫度取樣元器件與半橋MOS管緊靠，或者緊靠部位涂抹導(dǎo)熱材料，或者與半橋MOS管之間增加絕緣材料。

所述溫度取樣元器件是溫度取樣電阻，或者是自恢復(fù)溫度保險，或者是自恢復(fù)溫度開關(guān)或者是具有溫度特性的其他種類的器件。

所述溫度取樣元器件安裝在被保護(hù)輸出的半橋MOS管的上管上，或者安裝在被保護(hù)輸出半橋MOS管的下管上。

所述溫度取樣元器件及半橋MOS管均可以采用多種封裝形式，包括表面貼裝式、直插式或其他封裝形式。

所述溫度取樣元器件與半橋MOS管是立式裝配，或者是臥式裝配。

一種電子鎮(zhèn)流器，用于無極燈，包括上述電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路。

一種電子鎮(zhèn)流器，包括上述所述的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路。

一種無極燈，包括上述電子鎮(zhèn)流器。所述無極燈用于室內(nèi)外照明。

一種電源，包括上述的電子鎮(zhèn)流器。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型的保護(hù)電路安裝方便、電路簡單、高可靠性、長壽命、低價格，滿足保護(hù)電子鎮(zhèn)流器。

在燈管電感高溫異常時，電感量下降，電感電流變化，溫度取樣元器件能夠及時準(zhǔn)確感知因燈管電感高溫異常導(dǎo)致的半橋MOS管溫度信息，將檢測的信息傳輸至控制電路，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)；或者溫度取樣元器件根據(jù)檢測到的半橋MOS管溫度信息，改變自身的ON/OFF狀態(tài)，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。能夠及時保護(hù)電子鎮(zhèn)流器，防止因高溫被破壞。

附圖說明

圖1是電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路原理圖；

圖2是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管肩部立式裝配圖；

圖3是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管肩部臥式裝配圖；

圖4是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管側(cè)部立式裝配圖；

圖5是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管側(cè)部臥式裝配圖；

圖6是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管中部立式裝配圖；

圖7是溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管中部臥式裝配圖；

圖中，1.溫度取樣元器件，2.控制電路，3.半橋MOS管。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明：

如圖1所示，電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路，包括用于檢測半橋MOS管的溫度取樣元器件1，溫度取樣元器件1將檢測的信息傳輸至控制電路2，控制電路2接收上傳的信息并與設(shè)定值比較，超過設(shè)定值時控制電路2控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，低于設(shè)定值時，控制電路2控制電子鎮(zhèn)流器進(jìn)入工作狀態(tài)，無極燈再次點(diǎn)亮；或者溫度取樣元器件1根據(jù)檢測的信息，改變自身的ON/OFF狀態(tài)，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，溫度降低后恢復(fù)初始ON/OFF狀態(tài)，電子鎮(zhèn)流器重新工作，無極燈再次點(diǎn)亮。

其中，半橋MOS管3是指電子鎮(zhèn)流器中的半橋MOS開關(guān)管。溫度取樣元器件1是熱敏電阻，或者是自恢復(fù)溫度保險，或者是自恢復(fù)溫度開關(guān)或者是具有溫度特性的其他種類的器件。

優(yōu)選的，上述控制電路2可以為單片機(jī)等微處理器及其外圍電路組成的控制電路。

溫度取樣元器件及半橋MOS管均可以采用多種封裝形式。包括表面貼裝式、直插式或其他封裝形式。

溫度取樣元器件1與半橋MOS管3緊密接觸，或者接觸部位涂抹導(dǎo)熱材料。

溫度取樣元器件1與半橋MOS管3直接接觸，或者接觸部位之間增加絕緣材料。

溫度取樣元器件1安裝在被保護(hù)輸出半橋MOS管3的上管，或者安裝在被保護(hù)輸出半橋MOS管3的下管。

溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3的肩部或者其他緊貼MOS管體的部位，或者M(jìn)OS管的周圍的PCB上，或者與MOS管固定在一起的其他材料上。如圖2，如圖3所示，溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3肩部；如圖4，圖5所示，溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3側(cè)部；如圖6，圖7所示，溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3中部。

溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3的肩部或者其他緊貼MOS管體的部位，溫度取樣元器件1與控制電路2連接，實(shí)現(xiàn)申請的電子鎮(zhèn)流器的保護(hù)功能。

對上述溫度取樣元器件1與半橋MOS管3的關(guān)系解釋如下：溫度取樣元器件1可以緊靠或緊貼在半橋MOS管3上或溫度取樣元器件1與半橋MOS管3緊密接觸，溫度取樣元器件1與半橋MOS管3之間也可以有較小的距離，但是至少需要保證溫度取樣元器件能夠感知該MOS管3的溫度變化，高溫異常時，燈管電感的電感量下降，電感電流變化，輸出半橋MOS管3溫度升高，溫度取樣元器件1的工作狀態(tài)發(fā)生變化。

本申請采用的工作原理是：溫度取樣元器件1安裝在半橋MOS管3的肩部或其他緊貼MOS管體的部位或半橋MOS管的周圍的PCB上，或者與MOS管固定在一起的其他材料上，燈管電感高溫工作時，電感量下降，電感電流變化，導(dǎo)致輸出半橋MOS管3溫度升高，導(dǎo)致溫度取樣元器件1的工作狀態(tài)發(fā)生變化，控制電路2接收變化的信息，與設(shè)定值比較判斷，超過設(shè)定值時控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，輸出半橋MOS管3溫度降低，低于設(shè)定值時，控制電子鎮(zhèn)流器進(jìn)入工作狀態(tài)，無極燈再次點(diǎn)亮；或者半橋MOS管3溫度升高，導(dǎo)致溫度取樣元器件1自身的ON/OFF狀態(tài)改變，控制電子鎮(zhèn)流器停止工作進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，溫度降低后恢復(fù)初始ON/OFF狀態(tài)，電子鎮(zhèn)流器重新工作，無極燈再次點(diǎn)亮。本申請為滿足保護(hù)可靠性，采取如下措施：1、溫度取樣元器件1與半橋MOS管3緊密接觸，接觸部位可以涂抹導(dǎo)熱材料，接觸部位之間可以增加絕緣材料。

在具體實(shí)施時，本申請中的電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路可以與電子鎮(zhèn)流器、無極燈、燈具等組成無極燈照明系統(tǒng)。無極燈用于室內(nèi)外照明。也就是說電子鎮(zhèn)流器燈管電感高溫異常保護(hù)電路應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器中或應(yīng)用于包括上述電子鎮(zhèn)流器的無極燈中或包括上述無極燈的電源中。

另一種實(shí)施方式，基于上述高溫異常保護(hù)電路的中溫度取樣電阻與MOS管的安裝方式(所述溫度取樣元器件安裝在半橋MOS管的肩部、側(cè)部、中部等緊靠MOS管體的部位，或者半橋MOS周圍的PCB上，或者與MOS管固定在一起的其他材料上，同樣適用于其他電源產(chǎn)品，該電源產(chǎn)品在使用時，對使用環(huán)境沒有具體的限制要求。

上述雖然結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但并非對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，在本實(shí)用新型的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性勞動即可做出的各種修改或變形仍在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以內(nèi)。