本實(shí)用新型屬于開關(guān)復(fù)位技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種開關(guān)復(fù)位電路，尤其涉及一種高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路。

背景技術(shù)：

隨著高新技術(shù)的迅速發(fā)展，越來越多的場合用到集成芯片，傳統(tǒng)對(duì)芯片的復(fù)位包括上電復(fù)位，開關(guān)復(fù)位，但僅適用于單個(gè)芯片的復(fù)位，而不能對(duì)多個(gè)芯片同時(shí)進(jìn)行復(fù)位操作。

有鑒于此，如今迫切需要設(shè)計(jì)一種新的復(fù)位方式，以便克服現(xiàn)有復(fù)位方式存在的上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一種高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路，可實(shí)現(xiàn)一對(duì)多的復(fù)位操作，同時(shí)能延伸應(yīng)用于其他一對(duì)多操作的場合的一種適用性較廣的電路結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路，所述復(fù)位電路包括：總復(fù)位電路、至少一低電平子復(fù)位電路、至少一高電平子復(fù)位電路，各低電平子復(fù)位電路分別經(jīng)低壓降二級(jí)管與總復(fù)位電路連接，各高電平子復(fù)位電路分別經(jīng)低壓降二極管與推挽電路的輸出端；總復(fù)位信號(hào)端與推挽電路的控制端門極相連；

各低電平子復(fù)位電路用于對(duì)應(yīng)低電平子系統(tǒng)復(fù)位，各高電平子復(fù)位電路用于對(duì)應(yīng)高電平子系統(tǒng)復(fù)位。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，各低電平子復(fù)位電路包括第一上拉電阻、第一電容、第一開關(guān)、第一二極管，第一電容與第一開關(guān)并聯(lián)后一端接地，另一端作為低電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第一上拉電阻接至電源端VCC；各低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過各自的第一二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接在一起，且各第一二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流入總復(fù)位信號(hào)端。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，各個(gè)第一二極管采用低導(dǎo)通壓降的鍺管。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，各高電平子復(fù)位電路包括第二下拉電阻、第二電容、第二開關(guān)、第二二極管，第二電容與第二開關(guān)并聯(lián)后一端接至電源端VCC，另一端作為高電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第二下拉電阻接地；各高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過各自的第二二極管與推挽電路的輸出端連接在一起，且各第二二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流出推挽電路輸出端。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，各第二二極管均采用低導(dǎo)通壓降的鍺管。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述總復(fù)位電路包括第三上拉電阻、第三電容、總開關(guān)，第三電容與第三開關(guān)并聯(lián)后一端接地，另一端作為總復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第三上拉電阻接至電源端VCC。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，總復(fù)位信號(hào)端控制P溝道、N溝道構(gòu)成的推挽電路的門極，各高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過對(duì)應(yīng)第二二極管與推挽電路輸出端連接在一起，且各第二二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流出推挽電路輸出端；各低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過對(duì)應(yīng)第一二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述推挽電路包括P溝道的第一MOS管Q1、N溝道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的柵極、第二MOS管Q2的柵極連接總復(fù)位信號(hào)端，第一MOS管Q1的源極連接電源端VCC，第二MOS管Q2的源極接地，第一MOS管Q1的漏極、第二MOS管Q2的漏極連接各個(gè)第二二極管的正極。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，子系統(tǒng)信號(hào)端與總信號(hào)端的信號(hào)流向是單向的，且通過低壓降二極管連接實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提出的高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路，填充了對(duì)子系統(tǒng)電路或芯片組批量復(fù)位處理設(shè)計(jì)的空白，兼容了不同極性的復(fù)位信號(hào)，能夠利用成本極低的元器件實(shí)現(xiàn)同時(shí)對(duì)多個(gè)復(fù)位信號(hào)極性相同或不同的電路進(jìn)行復(fù)位操作，并且能延伸應(yīng)用于其他一對(duì)多操作的場合(如基于此電路結(jié)構(gòu)的統(tǒng)一按鍵或開關(guān)入網(wǎng)、離網(wǎng)操作；基于此電路結(jié)構(gòu)的統(tǒng)一點(diǎn)亮LED燈操作等)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型揭示了一種高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路，所述復(fù)位電路包括：總復(fù)位電路、至少一低電平子復(fù)位電路、至少一高電平子復(fù)位電路，各低電平子復(fù)位電路、各高電平子復(fù)位電路分別與總復(fù)位電路連接；

各低電平子復(fù)位電路用于對(duì)應(yīng)低電平子系統(tǒng)復(fù)位，各高電平子復(fù)位電路用于對(duì)應(yīng)高電平子系統(tǒng)復(fù)位；

各低電平子復(fù)位電路包括第一上拉電阻、第一電容、第一開關(guān)、第一二極管，第一電容與第一開關(guān)并聯(lián)后一端接地，另一端作為低電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第一上拉電阻接至電源端VCC；各低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過第一二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接在一起，且各第一二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流入總復(fù)位信號(hào)端；

各高電平子復(fù)位電路包括第二下拉電阻、第二電容、第二開關(guān)、第二二極管，第二電容與第二開關(guān)并聯(lián)后一端接至電源端VCC，另一端作為高電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第二下拉電阻接地；各高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過第二二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接在一起，且各第二二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流出推挽電路輸出端；

所述總復(fù)位電路包括第三上拉電阻、第三電容、總開關(guān)，第三電容與第三開關(guān)并聯(lián)后一端接地，另一端作為總復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)第三上拉電阻接至電源端VCC；總復(fù)位信號(hào)端控制P溝道、N溝道構(gòu)成的推挽電路的門極，各高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過對(duì)應(yīng)第二二極管與推挽電路輸出端連接在一起，且各第二二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流出推挽電路輸出端；各低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過第一二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接；

所述推挽電路包括P溝道的第一MOS管Q1、N溝道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的柵極、第二MOS管Q2的柵極連接總復(fù)位信號(hào)端，第一MOS管Q1的源極連接電源端VCC，第二MOS管Q2的源極接地，第一MOS管Q1的漏極、第二MOS管Q2的漏極連接各個(gè)第二二極管的正極；

系統(tǒng)上電時(shí)，各個(gè)低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位電路中的第一電容兩端電壓從0突變，這時(shí)低電平子復(fù)位電路對(duì)第一電容充電，電流經(jīng)第一電容流入地，低電平子復(fù)位信號(hào)端為低電平，完成對(duì)低電平子電路系統(tǒng)上電復(fù)位過程；

當(dāng)某低電平子系統(tǒng)中的第一開關(guān)閉合后，該低電平子系統(tǒng)記為第一低電平子系統(tǒng)，第一低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端被短接至地，呈低電平，與此同時(shí)其他低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端和總復(fù)位信號(hào)端因各第一上拉電阻常態(tài)為高電平，由于第一低電平子系統(tǒng)的第一二極管的單向?qū)щ娦裕藭r(shí)第一低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端的低電平因第一低電平子系統(tǒng)的第一二極管處于未導(dǎo)通狀態(tài)，而不會(huì)受到其他低電平子復(fù)位信號(hào)端上以及總復(fù)位信號(hào)端上高電平的影響，保持低電平，從而對(duì)該第一低電平子系統(tǒng)復(fù)位，即實(shí)現(xiàn)各個(gè)低電平子系統(tǒng)的單獨(dú)復(fù)位功能；

當(dāng)總開關(guān)閉合時(shí)，總復(fù)位信號(hào)端被短接至地，呈低電平，與此同時(shí)各低電平子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端因第一上拉電阻常態(tài)為高電平，因此在第一二極管兩端產(chǎn)生電勢(shì)差，致使第一二極管單向?qū)?，電流從電源端VCC先后流經(jīng)第一上拉電阻、第一二極管、總開關(guān)后流入地；各個(gè)第一二極管均被導(dǎo)通，各個(gè)低電平子復(fù)位信號(hào)端的電壓均等于所接第一二極管的前向?qū)▔航担晒?fù)位各個(gè)低電平子系統(tǒng)；

為保證可靠復(fù)位，各個(gè)第一二極管均采用低導(dǎo)通壓降的鍺管，導(dǎo)通壓降為0.3V,為低電平，成功復(fù)位各個(gè)低電平子系統(tǒng)；

系統(tǒng)上電時(shí)，各個(gè)高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位電路中的第二電容兩端電壓從0突變，這時(shí)高電平子復(fù)位電路對(duì)第二電容充電，電流經(jīng)第二電容、第二下拉電阻后流入地，高電平子復(fù)位信號(hào)端為高電平，完成對(duì)高電平子電路系統(tǒng)上電復(fù)位過程；

當(dāng)某高電平子系統(tǒng)中的第二開關(guān)閉合后，該高電平子系統(tǒng)記為第一高電平子系統(tǒng)，第一高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端被短接至電源端VCC，呈高電平，與此同時(shí)其他高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端和總復(fù)位信號(hào)端因第二下拉電阻常態(tài)為低電平，由于第一高電平子系統(tǒng)的第二二極管的單向?qū)щ娦?，此時(shí)第一高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端的低電平因第一高電平子系統(tǒng)的第二二極管處于未導(dǎo)通狀態(tài)，而不會(huì)受到其他高電平子復(fù)位信號(hào)端上以及總復(fù)位信號(hào)端上低電平的影響，保持高電平，從而對(duì)子第一高電平子系統(tǒng)復(fù)位，即實(shí)現(xiàn)各個(gè)高電平子系統(tǒng)的單獨(dú)復(fù)位功能；

當(dāng)總開關(guān)閉合時(shí)，總復(fù)位信號(hào)端被短接至地，呈低電平，推挽電路P溝道第一MOS管導(dǎo)通，N溝道第一MOS管關(guān)斷，推挽電路輸出(Reset_H)高電平；與此同時(shí)各高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端因其第二下拉電阻常態(tài)為低電平，因此在各高電平子系統(tǒng)的第二二極管兩端產(chǎn)生電勢(shì)差，致使對(duì)應(yīng)的第二二極管單向?qū)?，電流從電源端VCC先后流經(jīng)總開關(guān)、第二二極管、第二下拉電阻后流入地；各個(gè)第二二極管均被導(dǎo)通；各個(gè)高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端的電壓均等于電源端VCC的電壓值減去所接第二二極管的前向?qū)▔航担?/p>

為保證可靠復(fù)位，各第二二極管均采用低導(dǎo)通壓降的鍺管，導(dǎo)通壓降約為0.3V,高電平子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端的電壓依然為高電平，成功復(fù)位各個(gè)高電平子系統(tǒng)。

子系統(tǒng)信號(hào)端與總信號(hào)端的信號(hào)流向是單向的，且通過低壓降二極管連接實(shí)現(xiàn)，不局限于一對(duì)多開關(guān)復(fù)位操作，可拓展作其他用途的高低電平混合有效的一對(duì)多操作，如一對(duì)多LED燈點(diǎn)亮，一對(duì)多入離網(wǎng)等操作。

實(shí)施例二

如圖1所示的高低電平混合有效總復(fù)位電路結(jié)構(gòu)，包括用于各個(gè)低電平子系統(tǒng)復(fù)位的獨(dú)立復(fù)位電路，各個(gè)高電平子系統(tǒng)復(fù)位的獨(dú)立復(fù)位電路和總復(fù)位電路。

各個(gè)低電平子系統(tǒng)的復(fù)位電路由電容、開關(guān)和上拉電阻組成，電容與開關(guān)并聯(lián)后一端接地，另一端作為低電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)上拉電阻接至VCC電源端；總復(fù)位電路也具有子系統(tǒng)相同的電路元件，此外，各子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接在一起，且各二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流入總復(fù)位信號(hào)端。系統(tǒng)上電時(shí)，各個(gè)子系統(tǒng)(如子系統(tǒng)1)復(fù)位電路中的電容(如C1)兩端電壓從0突變，這時(shí)電路對(duì)電容充電，電流經(jīng)電容流入地，低電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reset1)為低電平，完成對(duì)子電路系統(tǒng)上電復(fù)位過程；當(dāng)子系統(tǒng)(如子系統(tǒng)1)中的開關(guān)(如S1)閉合后，子系統(tǒng)(如子系統(tǒng)1)的低電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reset1)被短接至地，呈低電平，與此同時(shí)其他子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端和總復(fù)位信號(hào)端(如Reset2、Reset_L)因上拉電阻(R2、R0)常態(tài)為高電平，由于二極管(D1)的單向?qū)щ娦?，此時(shí)低電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reset1)的低電平因二極管(D1)處于未導(dǎo)通狀態(tài)，而不會(huì)受到其他低電平子復(fù)位信號(hào)端上以及總復(fù)位信號(hào)端上高電平的影響，保持低電平，從而對(duì)子電路系統(tǒng)(如子系統(tǒng)1)復(fù)位，即實(shí)現(xiàn)各個(gè)子系統(tǒng)的單獨(dú)復(fù)位功能；當(dāng)總開關(guān)(S0)閉合時(shí)，總復(fù)位信號(hào)端(Reset_L)被短接至地，呈低電平，與此同時(shí)子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reset1)因上拉電阻(R1)常態(tài)為高電平，因此在二極管(如D1)兩端產(chǎn)生電勢(shì)差，致使二極管(D1)單向?qū)?，電流從VCC先后流經(jīng)電阻(R1)、二極管(D1)、總開關(guān)(S0)后流入地；同理各個(gè)二極管均被導(dǎo)通，各個(gè)低電平子復(fù)位信號(hào)端的電壓均等于所接二極管的前向?qū)▔航?，為保證可靠復(fù)位，二極管均采用低導(dǎo)通壓降的鍺管，導(dǎo)通壓降約為0.3V,子系統(tǒng)的低電平子復(fù)位信號(hào)端為低電平，成功復(fù)位各個(gè)低電平復(fù)位有效的子電路系統(tǒng)(二極管的類型和前向?qū)▔航档葏?shù)可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要)。

各個(gè)高電平子系統(tǒng)的復(fù)位電路由電容、開關(guān)和下拉電阻組成，電容與開關(guān)并聯(lián)后一端接VCC電源，另一端作為高電平子復(fù)位信號(hào)端，并經(jīng)下拉電阻接至地；總復(fù)位電路也具有子系統(tǒng)相同的電路元件，此外，各子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端分別通過二極管與總復(fù)位信號(hào)端連接在一起，且各二極管的PN結(jié)電流導(dǎo)通方向均流出總復(fù)位信號(hào)端。系統(tǒng)上電時(shí)，各個(gè)子系統(tǒng)(如圖1中子系統(tǒng)a)復(fù)位電路中的電容(如Ca)兩端電壓從0突變，這時(shí)電路對(duì)電容充電，電流經(jīng)電容、電阻后流入地，高電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reseta)為高電平，完成對(duì)子電路系統(tǒng)上電復(fù)位過程；當(dāng)子系統(tǒng)(如子系統(tǒng)a)中的開關(guān)(如Sa)閉合后，子系統(tǒng)(如子系統(tǒng)a)的高電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reseta)被短接至VCC，呈高電平，與此同時(shí)其他子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端(Resetb)因下拉電阻(Rb)常態(tài)為低電平，而總復(fù)位信號(hào)端(Reset_L)因上拉電阻(R0)常態(tài)為高電平，推挽電路的P溝道場效應(yīng)管關(guān)斷，N溝道場效應(yīng)管導(dǎo)通，推挽電路輸出端(Reset_H)為低電平，由于二極管(Da)的單向?qū)щ娦?，此時(shí)高電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reseta)的低電平因二極管(Da)處于未導(dǎo)通狀態(tài)，而不會(huì)受到其他高電平子復(fù)位信號(hào)端上以及推挽輸出(Reset_H)低電平的影響，保持高電平，從而對(duì)子電路系統(tǒng)(如子系統(tǒng)1)復(fù)位，即實(shí)現(xiàn)各個(gè)子系統(tǒng)的單獨(dú)復(fù)位功能；當(dāng)總開關(guān)(S0)閉合時(shí)，總復(fù)位信號(hào)端(Reset_L)被短接至地，呈低電平，推挽電路P溝道導(dǎo)通，N溝道關(guān)斷，推挽輸出(Reset_H)高電平，與此同時(shí)子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端(如Reseta)因下拉電阻(Ra)常態(tài)為低電平，因此在二極管(如Da)兩端產(chǎn)生電勢(shì)差，致使二極管(Da)單向?qū)ǎ娏鲝腣CC先后流經(jīng)P溝道、二極管(Da)、電阻(Ra)后流入地；同理各個(gè)二極管均被導(dǎo)通，各個(gè)高電平子復(fù)位信號(hào)端的電壓均近似等于VCC的電壓值減去所接二極管的前向?qū)▔航担瑸楸ＷC可靠復(fù)位，二極管均采用低導(dǎo)通壓降的鍺管，導(dǎo)通壓降約為0.3V,子系統(tǒng)的高電平子復(fù)位信號(hào)端電壓依然為高電平，成功復(fù)位各個(gè)高電平復(fù)位有效的子電路系統(tǒng)(二極管的類型和前向?qū)▔航档葏?shù)可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要)。

綜上所述，本實(shí)用新型提出的高低電平混合有效開關(guān)復(fù)位電路，填充了對(duì)子系統(tǒng)電路或芯片組批量復(fù)位處理設(shè)計(jì)的空白，兼容了不同極性的復(fù)位信號(hào)，能夠利用成本極低的元器件實(shí)現(xiàn)同時(shí)對(duì)多個(gè)復(fù)位信號(hào)極性相同或不同的電路進(jìn)行復(fù)位操作，并且能延伸應(yīng)用于其他一對(duì)多操作的場合(如基于此電路結(jié)構(gòu)的統(tǒng)一按鍵或開關(guān)入網(wǎng)、離網(wǎng)操作；基于此電路結(jié)構(gòu)的統(tǒng)一點(diǎn)亮LED燈操作等)。

這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下，本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。