1.一種基于線性光耦隔離的MOSFET/IGBT高速驅(qū)動電路，其特征在于，包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、線性光耦、第一PNP型三極管、第二PNP型三極管、第三PNP型三極管、第四PNP型三極管、第一NPN型三極管、第一電容、第二電容、MOSFET管、負(fù)載、驅(qū)動電路控制信號輸入端、控制信號電源正極、驅(qū)動電路電源正極、驅(qū)動電路電源負(fù)極、主電路電源正極和主電路電源負(fù)極，驅(qū)動信號控制信號輸入端通過第一電阻與第一PNP型三極管的基極相連，第一PNP型三極管的集電極接地，第一PNP型三極管的發(fā)射極與線性光耦基極的第一端相連，第二電阻的一端與控制信號電源正極相連，第二電阻的另一端與線性光耦基極的第二端相連，線性光耦的發(fā)射極與驅(qū)動電路電源負(fù)極相連，線性光耦的發(fā)射極還通過負(fù)載與主電路電源負(fù)極相連，線性光耦的集電極通過第三電阻與驅(qū)動電路電源正極相連，線性光耦的集電極還與第二PNP型三極管的集電極相連，第二PNP型三極管的發(fā)射極與驅(qū)動電路電源正極相連，第二PNP型三極管的基極通過第一電容與驅(qū)動電路電源正極相連，線性光耦的集電極還通過第四電阻與第三PNP型三極管的基極相連，第二電容通過導(dǎo)線分別連接于第四電阻的兩端，第三PNP型三極管的發(fā)射極與驅(qū)動電路電源正極相連，第三PNP型三極管的集電極通過第五電阻接地，第三PNP型三極管的集電極還分別與第一NPN型三極管的基極以及第四PNP型三極管的基極相連，第一NPN型三極管的集電極與驅(qū)動電路電源正極相連，第一NPN型三極管的發(fā)射極與第四PNP型三極管的發(fā)射極相連，第一NPN型三極管的發(fā)射極還與MOSFET管的柵極相連，第四PNP型三極管的集電極接地，MOSFET管的漏極與主電路電源正極相連，MOSFET管的源極通過負(fù)載與主電路電源負(fù)極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于線性光耦隔離的MOSFET/IGBT高速驅(qū)動電路，其特征在于，第三電阻、第二PNP型三極管和第一電容組成變阻結(jié)構(gòu)支路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于線性光耦隔離的MOSFET/IGBT高速驅(qū)動電路，其特征在于，第四電阻、第二電容和第三PNP型三極管組成動態(tài)電壓比較器。