技術(shù)總結(jié)
本實用新型涉及一種230MeV超導回旋加速器避免引出區(qū)有害共振的磁極結(jié)構(gòu)，在磁極凸出側(cè)輪廓處開設圓滑過渡的缺口，采用與磁極同材質(zhì)的導磁材料墊塊在所開設的磁極凸出側(cè)缺口位置配合安裝；所述導磁材料墊塊的內(nèi)表面與磁極的凸出側(cè)缺口緊配合；導磁材料墊塊的外表面輪廓的前后端與磁極的凸出側(cè)缺口前后的輪廓圓滑過渡，并形成避免引出區(qū)有害共振所需的反折角。本實用新型在不增加磁極半徑的條件下，降低引出點前軸向共振頻率νz，避免在引出點前穿越νz＝1的共振，防止由該共振造成的引出束流軸向品質(zhì)變差，減小引出區(qū)的束流損失，進而減小加速器維護人員所受的輻照劑量。

技術(shù)研發(fā)人員：王川;崔濤;李明;尹蒙;張?zhí)炀?呂銀龍
受保護的技術(shù)使用者：中國原子能科學研究院
文檔號碼：201620816007
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2017.01.11