1.一種高壓驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、第一延時(shí)濾波電路、第二延時(shí)濾波電路、第一或非門和第二或非門；
所述第一反相器用于對(duì)接收到的第一電平移位信號(hào)進(jìn)行反相處理，并輸出第一反相信號(hào)；
所述第二反相器用于對(duì)接收到的第二電平移位信號(hào)進(jìn)行反相處理，并輸出第二反相信號(hào)；
所述第一延時(shí)濾波電路用于對(duì)接收到所述第一反相信號(hào)進(jìn)行處理以輸出第一短延時(shí)信號(hào)；并對(duì)接收到的所述第二反相信號(hào)進(jìn)行處理以輸出第二短延時(shí)信號(hào)；
所述第二延時(shí)濾波電路用于對(duì)接收到所述第二反相信號(hào)進(jìn)行處理以輸出第一長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)；并對(duì)接收到的所述第一反相信號(hào)進(jìn)行處理以輸出第二長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)；
所述第一或非門用于對(duì)接收到的所述第一短延時(shí)信號(hào)和所述第一長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)進(jìn)行或非處理，以輸出第一或非信號(hào)；
所述第二或非門用于對(duì)接收到的所述第二短延時(shí)信號(hào)和所述第二長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)進(jìn)行或非處理，以輸出第二或非信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，其特征在于，所述第一延時(shí)濾波電路包括第一RC延時(shí)支路和第一反相支路；
所述第二延時(shí)濾波電路包括第二RC延時(shí)支路和第二反相支路；
所述第一反相支路與所述第二反相支路配合，以使第一反相信號(hào)處理后的第一短延時(shí)信號(hào)和第一長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)反相，并使第二反相信號(hào)處理后的第二 短延時(shí)信號(hào)和第二長(zhǎng)延時(shí)信號(hào)反相。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，其特征在于，所述第一RC延時(shí)支路包括第一延時(shí)PMOS管、第一延時(shí)NMOS管、第一延時(shí)電阻和第一延時(shí)電容；所述第一延時(shí)PMOS管和所述第一延時(shí)NMOS管的柵極分別接信號(hào)輸入端，漏極分別連接在所述第一延時(shí)電阻的兩端；第一延時(shí)PMOS管的漏極與所述第一延時(shí)電阻之間接信號(hào)輸出端；所述第一延時(shí)電容一端連接在所述第一延時(shí)PMOS管的漏極與所述第一延時(shí)電阻之間，另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，其特征在于，所述第二RC延時(shí)支路包括第二延時(shí)PMOS管、第二延時(shí)NMOS管、第二延時(shí)電阻和第二延時(shí)電容；所述第二延時(shí)PMOS管和所述第二延時(shí)NMOS管的柵極分別接信號(hào)輸入端，漏極分別連接在所述第二延時(shí)電阻的兩端；第二延時(shí)NMOS管的漏極與所述第二延時(shí)電阻之間接信號(hào)輸出端；所述第二延時(shí)電容一端連接在所述第二延時(shí)NMOS管與所述第二延時(shí)電阻之間，另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，其特征在于，所述第一反相支路包括一級(jí)反相器，所述第二反相支路包括二級(jí)反相器；
或者，所述第一反相支路包括二級(jí)反相器，所述第二反相支路包括一級(jí)反相器；
其中，所述二級(jí)反相器包括串聯(lián)的兩個(gè)所述一級(jí)反相器，每一所述一級(jí)反相器包括一反相PMOS管和一反相NMOS管，所述反相PMOS管和所述反相NMOS管的柵極分別接信號(hào)輸入端，漏極分別接信號(hào)輸出端。
6.一種高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括窄脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路、電平移位電路、權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述濾波電路和RS觸發(fā)器；
所述窄脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路用于接收原始脈沖信號(hào)，并輸出上升沿窄脈沖 信號(hào)和下降沿窄脈沖信號(hào)；
所述電平移位電路用于對(duì)所述上升沿窄脈沖信號(hào)進(jìn)行電平移位處理，以形成所述第一電平移位信號(hào)；并用于對(duì)所述下降沿窄脈沖信號(hào)進(jìn)行電平移位處理，以形成所述第二電平移位信號(hào)；
所述RS觸發(fā)器包括S端、R端和Q端；所述S端用于接收所述第一或非信號(hào)，所述R端用于接收所述第二或非信號(hào)，所述Q端用于輸出所述原始脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的還原脈沖信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電平移位電路包括第一移位支路和第二移位支路；
所述第一移位支路包括第一移位NMOS管、第一移位電阻和第一鉗位二極管；所述第一移位NMOS管的柵極與所述窄脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路相連，漏極與所述第一移位電阻相連，源極接公共端；所述第一鉗位二極管與所述第一移位電阻并聯(lián)；
所述第二移位支路包括第二移位NMOS管、第二移位電阻和第二鉗位二極管；所述第二移位NMOS管的柵極與所述窄脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路相連，漏極與所述第二移位電阻相連，源極接公共端；所述第二鉗位二極管與所述第二移位電阻并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述高壓驅(qū)動(dòng)電路還包括與所述RS觸發(fā)器相連的電流放大電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電流放大電路包括第三反相器、第一放大NMOS管和第二放大NMOS管；所述第三反相器的輸入端與所述RS觸發(fā)器的Q端相連，輸出端與所述第二放大NMOS管的柵極相連；所述第二放大NMOS管的源極接低電位供應(yīng)端VS，漏極與所述第一放 大NMOS管的源極相連；所述第一放大NMOS管的柵極與所述RS觸發(fā)器的Q端相連，漏極接高電位供應(yīng)端VB。