1.一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，其包括以下步驟：
S1.對(duì)待加工的晶片清洗，并對(duì)清洗后的晶片進(jìn)行上片點(diǎn)膠；
S2.在真空環(huán)境下，對(duì)點(diǎn)膠后的晶片，通過在線監(jiān)測(cè)濺鍍頻率，進(jìn)行雙側(cè)濺鍍鍍膜，并對(duì)鍍膜后的晶片進(jìn)行真空退火處理。
2.如權(quán)利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S2進(jìn)一步包括以下步驟：
S21.對(duì)點(diǎn)膠后的晶片進(jìn)行真空清洗；
S22.對(duì)真空清洗后的晶片，通過在線監(jiān)測(cè)濺鍍頻率，進(jìn)行雙側(cè)濺鍍鍍膜，并對(duì)鍍膜后的晶片進(jìn)行真空退火處理；
S23.將鍍膜后的晶片進(jìn)行真空退火處理，然后對(duì)其進(jìn)行真空密封。
3.如權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S22進(jìn)一步包括：
通過在線監(jiān)測(cè)濺鍍頻率，根據(jù)濺鍍頻率與目標(biāo)頻率之間的差值大小，以調(diào)整濺鍍頻率的大小。
4.如權(quán)利要求3所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S22進(jìn)一步包括：
通過在線監(jiān)測(cè)濺鍍頻率，在濺鍍頻率達(dá)到目標(biāo)頻率的正100ppm之前，采用150w功率進(jìn)行粗調(diào)鍍膜，當(dāng)濺鍍頻率達(dá)到目標(biāo)頻率的正100ppm后，采用15w功率進(jìn)行微調(diào)鍍膜，且所述目標(biāo)頻率為石英晶體諧振器的標(biāo)稱頻率。
5.如權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S23中進(jìn)一步包括：
所述真空退火的溫度為200℃～240℃，真空退火的時(shí)間為1h～2h。
6.如權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S22進(jìn)一步包括在進(jìn)行雙側(cè)濺鍍鍍膜前，對(duì)所述真空清洗后的晶片進(jìn)行烘烤去水處理，其中，烘烤處理的溫度為150℃-200℃，烘烤時(shí)間為2～3小時(shí)。
7.如權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S21中的真空清洗包括以下步驟：
對(duì)點(diǎn)膠后的晶片順序進(jìn)行真空烘烤、UV清洗、離子轟擊處理。
8.如權(quán)利要求6所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述UV清洗為采用功率為60％P的UV燈，且清洗時(shí)間為30s。
9.如權(quán)利要求6所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述離子轟擊處理的轟擊功率為300w，且轟擊時(shí)間為10s。
10.如權(quán)利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S1中對(duì)待加工的晶片清洗具體包括：
將拋光后的待加工晶片，順序進(jìn)行酸熱浸洗，用去離子水放入超聲波中進(jìn)行超洗，堿熱浸洗，用去離子水放入超聲波中進(jìn)行二次超洗，最后使用無水乙醇進(jìn)行脫水，并在100-120℃下真空烘干。