本申請涉及半導體器件技術領域，尤其涉及一種用于安裝石英晶片的基座。

背景技術：

石英晶體諧振器一般包括帶電極的石英晶片、基座和外殼，所述石英晶片通過粘接材料與基座的安裝層連接。所述粘接材料為導電膠，基座通過粘接材料實現(xiàn)對晶片的物理支撐和固定，同時實現(xiàn)石英晶片和基座間的電氣連接，由此通過外圍電路實現(xiàn)石英晶體的振蕩，產(chǎn)生振蕩頻率。常用的石英晶片安裝固定基座包含安裝層，所述石英晶片一端通過粘接材料連接在安裝層，另一端為無限自由狀態(tài)，該方式雖然可以實現(xiàn)良好電氣性能，但在經(jīng)受高沖擊后存在導電膠開裂、晶片脫落的問題，嚴重制約含有表貼石英晶片的石英晶體諧振器或晶體振蕩器的使用場所及使用可靠性。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于提供一種用于安裝石英晶片的基座，解決傳統(tǒng)用于表貼石英晶片安裝、固定的基座在高沖擊環(huán)境下，晶片與粘接材料脫離的問題。

本申請實施例提供一種用于安裝石英晶片的基座，所述石英晶片在點膠膠點通過粘接材料與基座的安裝層連接，安裝層與表層的交界處為臺階，形成槽狀的基座內(nèi)腔，所述基座包括緩沖結構，所述緩沖結構為L形，內(nèi)側環(huán)繞晶片點膠膠點90度弧長，外側與所述臺階銜接。

優(yōu)選地，所述緩沖結構的高度大于0.05mm。

優(yōu)選地，所述緩沖結構為四個，分別位于基座內(nèi)腔的四個角區(qū)域。

優(yōu)選地，所述緩沖結構為陶瓷材料。

優(yōu)選地，所述緩沖結構與所述安裝層材料一體成型。

本申請實施例采用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：解決傳統(tǒng)用于表貼石英晶片安裝、固定的基座在高沖擊環(huán)境下易產(chǎn)生晶片與粘接材料脫離、晶片與基座粘接部開裂的問題。當出現(xiàn)高沖擊環(huán)境時，若導電膠同晶片在沖擊方向出現(xiàn)微位移，緩沖裝置發(fā)生作用，對導電膠與晶片進行自由狀態(tài)限定，阻止微位移繼續(xù)增大，防止晶片與導電膠脫離，保證晶片的完整性和與導電膠連接的有效性，達到緩沖高沖擊的作用。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為傳統(tǒng)石英晶片基座結構示意圖；

圖2為石英晶片安裝在傳統(tǒng)的基座后結構示意圖；

圖3為本發(fā)明用于安裝石英晶片的基座結構示意圖；

圖4為石英晶片安裝在本發(fā)明的基座后結構示意圖。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本申請具體實施例及相應的附圖對本申請技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

以下結合附圖，詳細說明本申請各實施例提供的技術方案。

圖1為傳統(tǒng)石英晶片基座結構示意圖。石英晶體諧振器一般包括帶電極的石英晶片、基座和外殼，常用的石英晶片安裝固定基座通常是有4層，包含表層(MP-1)、安裝層(MP-2)、上底(MP-3)、下底(MP-4)。圖1表示出基座的頂視圖，及沿A平面的剖視圖。安裝層與表層的交界處為臺階，圍繞石英晶片的安裝部位，形成槽狀的基座內(nèi)腔。

圖2為石英晶片安裝在傳統(tǒng)的基座后結構示意圖。所述石英晶片5放置于基座的安裝層(MP-2)，所述石英晶片一端的兩個角部壓置于點膠膠點1，2處通過粘接材料連接在安裝層(MP-2)，所述石英晶片的另一端為無限自由狀態(tài)。圖2表示出了安裝有石英晶片的基座頂視圖，以及沿B平面的剖面圖，其中在頂視圖中，點膠膠點1，2的形狀呈圓形；在剖面圖中，點膠膠點處粘接材料在局部包繞芯片。所述石英晶片在點膠膠點通過粘接材料與基座的安裝層連接，所述粘接材料為導電膠，基座通過粘接材料實現(xiàn)對晶片的物理支撐和固定，同時實現(xiàn)石英晶片和基座間的電氣連接，由此通過外圍電路實現(xiàn)石英晶體的振蕩，產(chǎn)生振蕩信號。

圖3為本發(fā)明用于安裝石英晶片的基座結構示意圖；本申請實施例提供一種用于安裝石英晶片的基座，所述石英晶片在點膠膠點通過粘接材料與基座的安裝層連接，安裝層與表層的交界處為臺階，形成槽狀的基座內(nèi)腔，所述基座包括緩沖結構，所述緩沖結構為L形，內(nèi)側環(huán)繞晶片點膠膠點90度弧長，外側與所述臺階銜接。

如圖3所表示，在基座內(nèi)腔晶片安裝支撐位置設緩沖結構；緩沖結構6,7,8,9環(huán)繞晶片點膠膠點90度弧長，具體為以基座內(nèi)腔的角部為中心，沿點膠膠點邊緣向兩側各沿伸45度弧長，具體延伸方向為：緩沖結構6圍繞點膠膠點1向下、向右延伸；緩沖結構7圍繞點膠膠點2向上、向右延伸；緩沖結構8圍繞點膠膠點3向上、向右延伸；緩沖結構9圍繞點膠膠點4向下、向左延伸。

優(yōu)選地，所述緩沖結構的高度大于0.05mm。

需要指出，所述緩沖結構位于所述基座內(nèi)腔的角區(qū)域，數(shù)量為至少一個；最佳地，所述緩沖結構為四個，分別位于基座內(nèi)腔的四個角區(qū)域。

優(yōu)選地，所述緩沖結構為陶瓷材料，例如三氧化二鋁。最佳地，所述緩沖結構與所述安裝層材料一體成型。

圖3表示出了本發(fā)明基座頂視圖，以及沿B平面的剖面圖，其中在頂視圖中，點膠膠點1，2，3，4的形狀呈圓形；在剖面圖中，顯示點膠膠點2，3處粘接材料和緩沖結構7，8的橫截面，其中緩沖結構內(nèi)側與點膠膠點處粘接材料接觸，外側與所述臺階銜接。

為了提高緩沖結構的彈性，進一步優(yōu)化的實施例為：所述緩沖結構外側與所述臺階之間局部相連。最佳地，所述緩沖結構外側的角部與所述臺階之間有空隙10。

圖4為石英晶片安裝在本發(fā)明的基座后結構示意圖。在基座內(nèi)部四個角區(qū)域中2個電極位置和2個非電極區(qū)域進行點膠，具體位置滿足晶片的支撐要求，石英晶片壓置于基座內(nèi)部導電膠上，然后再在四個導電膠位置隔著晶片再次點膠。圖4表示出了安裝有石英晶片的基座頂視圖、以及沿B平面的剖面圖，其中在頂視圖中，點膠膠點1，2，3，4在頂視圖中的形狀呈圓形；在剖面圖中，顯示點膠膠點2，3處粘接材料和緩沖結構7，8的橫截面，其中緩沖結構一側與點膠膠點處粘接材料接觸，另一側與所述臺階銜接；點膠膠點處粘接材料在局部包繞芯片。

安裝時，在基座內(nèi)部四個角區(qū)域中，兩個電極位置和兩個非電極區(qū)域進行點膠；將石英晶片壓置于導電膠上。具體地，粘接材料為導電膠，主要成分包括銀粉和樹脂。在四個導電膠位置隔著晶片再次點膠，使得點膠膠點處粘接材料包繞晶片。晶片完成點膠后連同基座一起放入烘箱上進行烘烤，固化后完成表貼石英晶片粘接固定。

當出現(xiàn)高沖擊環(huán)境時，若導電膠同晶片在沖擊方向出現(xiàn)微位移，當微位移大于導電膠與緩沖裝置間的縫隙時，緩沖裝置發(fā)生作用，對導電膠與晶片進行自由狀態(tài)限定，阻止微位移繼續(xù)增大，防止晶片與導電膠脫離，保證晶片的完整性和與導電膠連接的有效性，達到緩沖高沖擊的作用。

還需要說明的是，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本申請的實施例而已，并不用于限制本申請。對于本領域技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的權利要求范圍之內(nèi)。