本發(fā)明涉及功率放大電路。

背景技術(shù)：

移動(dòng)電話等移動(dòng)通信機(jī)中，為了放大向基站發(fā)送的無線頻率(RF:Radio Frequency)信號(hào)的功率，采用功率放大電路。功率放大電路中，采用用于向功率放大用的晶體管提供偏置電流的偏置電路。例如，專利文獻(xiàn)1公開了采用由共源共柵電流鏡電路構(gòu)成的偏置電路的功率放大電路。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特表2005-501458號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

專利文獻(xiàn)1公開的偏置電路具備從發(fā)射極輸出偏置電流的晶體管(Q3)，和與晶體管(Q3)的接地側(cè)連接的晶體管(Q2)。放大晶體管(Q1)由晶體管(Q3)充電，由晶體管(Q2)放電。在輸出功率(輸入功率)低時(shí)，晶體管(Q2)的放電速度比晶體管(Q3)的充電速度快得多或者與之相等。另一方面，輸出功率(輸入功率)越增大，晶體管(Q2)的放電速度越比晶體管(Q3)的充電速度慢。從而，在高輸出功率時(shí)，放大晶體管(Q1)的基極電壓變高，線性度提高。但是，該偏置電路中，低輸出功率時(shí)由于流過晶體管(Q2)的電流，導(dǎo)致消耗電流增大。

本發(fā)明鑒于這樣的問題而完成，目的是提供能夠抑制功率放大電路中的增益特性的劣化的并且降低消耗電流的功率放大電路。

為了實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明一個(gè)方面所涉及的功率放大電路，包括：第1放大晶體管，該第1放大晶體管將第1信號(hào)輸入至基極或柵極，從集電極或漏極輸出將第1信號(hào)放大后的第2信號(hào)；以及第1偏置電路，該第1偏置電路向第1放大晶體管的基極或柵極提供第1偏置電流，第1偏置電路包括：第1晶體管，該第1晶體管向集電極或漏極提供電源電壓，向基極或柵極提供規(guī)定的電壓，從發(fā)射極或源極輸出第1偏置電流；以及第1控制電路，該第1控制電路控制第1晶體管的發(fā)射極或源極與接地之間的電連接，第1控制電路包括串聯(lián)連接的第1電阻元件及第1開關(guān)元件，第1開關(guān)元件根據(jù)表示功率模式的控制信號(hào)，在第1功率模式時(shí)為導(dǎo)通，在比第1功率模式中的輸出功率低的輸出功率下工作的第2功率模式時(shí)為斷開。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供抑制功率放大電路中的增益特性的劣化，并且降低消耗電流的功率放大電路。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的功率放大電路100的構(gòu)成的圖。

圖2是表示功率放大電路100的構(gòu)成例的圖。

圖3是表示功率放大電路100的其他構(gòu)成例的圖。

圖4是表示功率放大電路100的其他構(gòu)成例的圖。

圖5是表示功率放大電路100A中的消耗電流的模擬結(jié)果的曲線圖。

圖6是表示功率放大電路100A中的增益特性的模擬結(jié)果的曲線圖。

圖7是表示功率放大電路100A中的ACLR特性的模擬結(jié)果的曲線圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，對(duì)相同要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)的說明。

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的功率放大電路100的構(gòu)成的圖。功率放大電路100放大無線頻率(RF:Radio Frequency)信號(hào)RFin，輸出放大信號(hào)RFout2。

如圖1所示，功率放大電路100具備放大電路200、201、偏置電路300、301及匹配電路400、401、402。

放大電路200、201構(gòu)成二級(jí)放大電路。放大電路200放大RF信號(hào)RFin(第3信號(hào))，輸出RF信號(hào)RFout1(第1信號(hào))。從放大電路200輸出的RF信號(hào)RFout1經(jīng)由匹配電路401被輸入至放大電路201。放大電路201放大RF信號(hào)RFout1，輸出放大信號(hào)RFout2(第2信號(hào))。另外，放大電路的級(jí)數(shù)不限于二級(jí)，可以是一級(jí)，也可以是三級(jí)以上。

偏置電路300、301分別根據(jù)從功率放大電路100的外部提供的控制信號(hào)MODE而生成偏置電流，向放大電路200、201提供偏置電流。功率放大電路100中，通過控制偏置電流來控制增益。放大電路200、201及偏置電路300、301的構(gòu)成的詳細(xì)情況將后述。

匹配電路400、401、402用于使電路間的阻抗匹配而設(shè)置。匹配電路400、401、402分別用例如電感器、電容器來構(gòu)成。

圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的功率放大電路100的構(gòu)成例(功率放大模塊100A)的圖。

如圖2所示，功率放大電路100A具備放大電路200A、201A、偏置電路300A、301A及匹配電路400、401、402。構(gòu)成功率放大電路100A的晶體管例如是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)。

放大電路200A具備電容器210a、電阻元件220a、電感器230a及雙極晶體管240a。

電容器210a從放大電路200A的外部經(jīng)由匹配電路400向第1端子提供RF信號(hào)RFin，第2端子與電阻元件220a的第1端子連接。電容器210a去除RF信號(hào)RFin的直流分量的電壓。

電阻元件220a中，第1端子與電容器210a的第2端子連接，第2端子與雙極晶體管240a的基極連接。

電感器230a中，向第1端子提供電源電壓Vcc，第2端子與雙極晶體管240a的集電極連接。

雙極晶體管240a(第2放大晶體管)中，經(jīng)由電感器230a向集電極提供電源電壓Vcc，基極與電阻元件220a的第2端子連接，發(fā)射極接地。向雙極晶體管240a的基極提供從放大電路200A的外部提供的RF信號(hào)Rfin、及從偏置電路300A輸出的偏置電流Ibias1(第3偏置電流)。從而，從雙極晶體管240a的集電極輸出RF信號(hào)RFin放大后的RF信號(hào)RFout1。另外，雙極晶體管240a按照從偏置電路300A提供的偏置電流Ibias1，來控制增益特性。

另外，雙極晶體管240a也可以采用N溝道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)取代雙極晶體管。另外，以下所示的其他雙極晶體管也同樣。采用N溝道MOSFET取代雙極晶體管時(shí)，可以將集電極、基極、發(fā)射極分別替換為漏極、柵極、源極。

放大電路201A具備電容器210b、210c、電阻元件220b、220c、電感器230b及雙極晶體管240b(第1放大晶體管)、240c。

放大電路201A中，2個(gè)放大路徑并聯(lián)連接。具體地說，電容器210b、電阻元件220b、電感器230b及雙極晶體管240b構(gòu)成一個(gè)放大路徑，電容器210c、電阻元件220c、電感器230b及雙極晶體管240c構(gòu)成另一個(gè)放大路徑。另外，電容器210b的第1端子連接電容器210c的第1端子。從偏置電路301A輸出的偏置電流Ibias2(第1偏置電流)、Ibias3分別被提供至雙極晶體管240b、240c的基極。各個(gè)放大通路的構(gòu)成與放大電路200A同樣，因此省略詳細(xì)的說明。

放大電路201A能夠根據(jù)放大信號(hào)RFout2的輸出功率的大小，并用并聯(lián)連接的2個(gè)放大路徑來構(gòu)成。具體地說，以放大信號(hào)RFout2的功率高于規(guī)定的值的高功率模式(第1功率模式)工作時(shí)，功率放大電路100A采用兩個(gè)各自包含雙極晶體管240b及雙極晶體管240c的放大路徑。以放大信號(hào)RFout2的功率低于規(guī)定的值的低功率模式(第2功率模式)工作時(shí)，功率放大電路100A能夠采用僅利用包含雙極晶體管240b、240c的任一方的放大路徑來構(gòu)成。功率放大電路100A中，作為例子，示出了低功率模式時(shí)利用僅包含雙極晶體管240b的放大路徑來構(gòu)成。

與功率模式相對(duì)應(yīng)的放大路徑的切換例如能夠通過偏置電路301A所具備的開關(guān)元件321的動(dòng)作來進(jìn)行。開關(guān)元件321的動(dòng)作的詳細(xì)情況將后述。

通過所述的結(jié)構(gòu)，放大電路201A中，從雙極晶體管240b、240c的各自的集電極輸出將RF信號(hào)RFout1(第1信號(hào))放大后的放大信號(hào)RFout2(第2信號(hào))。另外，雙極晶體管240b、240c依照從偏置電路301A提供的偏置電流Ibias2、Ibias3，來控制增益特性。

另外，功率放大電路100A中，示出了放大電路200A由一個(gè)放大路徑組成，放大電路201A由兩個(gè)放大路徑組成的結(jié)構(gòu)，但放大電路200A、201A也可以均由一個(gè)或多個(gè)放大路徑構(gòu)成。

接著，對(duì)偏置電路300A進(jìn)行說明。偏置電路300A(第2偏置電路)具備電阻元件310a、320a、雙極晶體管330a、340a、350a、電容器360a及控制電路370a。

電阻元件310a、雙極晶體管330a、340a及電容器360a構(gòu)成為生成規(guī)定電平的電壓。具體地說，電阻元件310a中，向第1端子提供偏置控制電壓Vb1，第2端子與雙極晶體管330a的集電極連接。雙極晶體管330a中，集電極與基極連接(以下，稱為二極管連接)，集電極與電阻元件310a的第2端子連接，發(fā)射極與雙極晶體管340a的集電極連接。雙極晶體管340a進(jìn)行二極管連接，集電極與雙極晶體管330a的發(fā)射極連接，發(fā)射極接地。電容器360a中，第1端子與電阻元件310a的第2端子及雙極晶體管330a的集電極連接，第2端子接地。

通過所述的構(gòu)成，在雙極晶體管330a的集電極生成規(guī)定電平的電壓(例如，2.6V左右)。

電阻元件320a中，第1端子與雙極晶體管350a的發(fā)射極連接，第2端子與電容器210a的第2端子及電阻元件220a的第1端子連接。

雙極晶體管350a(第3晶體管)中，向集電極提供電源電壓Vcc，基極與雙極晶體管330a的集電極連接，發(fā)射極與控制電路370a的輸入端子(電阻元件371a的第1端子)連接。另外，雙極晶體管350a的發(fā)射極經(jīng)由電阻元件320a及放大電路200A具備的電阻元件220a，與雙極晶體管240a的基極連接，提供偏置電流Ibias1。

接著，對(duì)控制電路370a進(jìn)行說明?？刂齐娐?70a(第4控制電路)具備電阻元件371a及開關(guān)元件372a。

電阻元件371a(第3電阻元件)中，第1端子與雙極晶體管350a的發(fā)射極連接，第2端子與開關(guān)元件372a的第1端子連接。

開關(guān)元件372a(第3開關(guān)元件)中，第1端子與電阻元件371a的第2端子連接，第2端子接地。

開關(guān)元件372a根據(jù)表示功率放大電路100A的功率模式的控制信號(hào)MODE，切換導(dǎo)通或斷開。具體地說，功率放大電路100A的功率模式為高功率模式時(shí)，開關(guān)元件372a為導(dǎo)通，進(jìn)行動(dòng)作使雙極晶體管350a的發(fā)射極和接地電連接。另一方面，功率放大電路100A的功率模式為低功率模式時(shí)，開關(guān)元件372a為斷開，進(jìn)行動(dòng)作使雙極晶體管350a的發(fā)射極和接地電切斷。

通過所述的結(jié)構(gòu)，功率放大電路100A以高功率模式工作時(shí)，從雙極晶體管350a的發(fā)射極經(jīng)由電阻元件371a，向接地流過電流。從而，高功率模式時(shí)，根據(jù)RF信號(hào)RFout1的振幅，在雙極晶體管240a的基極電流增加，在需要更多的偏置電流的情況下，能夠預(yù)先向雙極晶體管240a的基極分配流向電阻元件371a的電流。從而，高功率模式時(shí)，能夠降低由偏置電流的不足引起的增益特性的劣化。

另一方面，功率放大電路100A以低功率模式工作時(shí)，不從雙極晶體管350a的發(fā)射極向接地流過電流。這里，低功率模式時(shí)與高功率模式時(shí)比，需要的偏置電流的電流量少，因此，未預(yù)先向電阻元件371a流過電流對(duì)增益特性的影響小。從而，在低功率模式時(shí)通過使開關(guān)元件372a斷開，能夠降低電流的消耗。

接著，對(duì)偏置電路301A進(jìn)行說明。偏置電路301A(第1偏置電路)除了偏置電路300A的結(jié)構(gòu)(電阻元件310b、320b、雙極晶體管330b、340b、350b(第1晶體管)、電容器360b及控制電路370b)之外，還具備電阻元件320c及開關(guān)元件321。

控制電路370b(第1控制電路)具備電阻元件371b(第1電阻元件)及開關(guān)元件372b(第1開關(guān)元件)?？刂齐娐?70b的結(jié)構(gòu)與控制電路370a相同，因此省略詳細(xì)的說明。

電阻元件320c中，第1端子與開關(guān)元件321的第1端子連接，第2端子與電容器210c的第2端子及電阻元件220c的第1端子連接。

開關(guān)元件321中，第1端子與電阻元件320c的第1端子連接，第2端子與電阻元件320b的第1端子連接。

開關(guān)元件321根據(jù)控制信號(hào)MODE切換導(dǎo)通斷開，控制偏置電流Ibias3的導(dǎo)通斷開。具體地說，功率放大電路100A以高功率模式工作時(shí)，開關(guān)元件321為導(dǎo)通，偏置電流Ibias3提供至雙極晶體管240c的基極，雙極晶體管240c為導(dǎo)通。另一方面，功率放大電路100A以低功率模式工作時(shí)，開關(guān)元件321為截止，偏置電流Ibias3不提供至雙極晶體管240c的基極，雙極晶體管240c為截止。利用這樣的偏置電流的提供控制，在放大電路201A中，能夠進(jìn)行與功率模式相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)放大路徑的切換。

偏置電路301A的其他結(jié)構(gòu)與偏置電路300A相同，因此省略詳細(xì)的說明。

通過所述的結(jié)構(gòu)，偏置電路301A生成與偏置控制電壓Vb2相對(duì)應(yīng)的偏置電流Ibias2、Ibias3，提供至雙極晶體管240b、240c的基極。另外，與偏置電路300A中的控制電路370a同樣地，通過具備控制電路370b，能夠防止增益特性的劣化，并且減少消耗電流。

如上所述，功率放大電路100A通過具備偏置電路300A、301A，能夠防止增益特性的劣化，并且減少功率放大電路100A全體的消耗電流。

另外，功率放大電路100A中，放大電路200A、201A的各自的偏置電路300A、301A具備控制電路370a、370b來構(gòu)成，但也可以僅任一方的偏置電路具備控制電路來構(gòu)成。

圖3是表示功率放大電路100的構(gòu)成例(功率放大模塊100B)的圖。另外，對(duì)與功率放大電路100A相同的要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略說明。功率放大電路100B具備偏置電路301B，取代功率放大電路100A中的偏置電路301A。

偏置電路301B除了偏置電路301A的構(gòu)成之外，還具備雙極晶體管350c及控制電路380。

雙極晶體管350c(第2晶體管)中，向集電極提供電源電壓Vcc，基極與開關(guān)元件381的第1端子連接，發(fā)射極與控制電路370b的輸入端子(電阻元件371b的第1端子)連接。另外，雙極晶體管350c的發(fā)射極經(jīng)由電阻元件320b、320c及放大電路201A具備的電阻元件220b、220c，向雙極晶體管240b、240c的基極提供偏置電流(第2偏置電流)。

控制電路380(第2控制電路)具備開關(guān)元件381。

開關(guān)元件381中，第1端子與雙極晶體管350c的基極連接，第2端子與雙極晶體管350b的基極連接。

控制電路380中，通過根據(jù)控制信號(hào)MODE來切換開關(guān)元件381的導(dǎo)通斷開，能夠控制偏置電路301B提供的偏置電流的電流量。具體地說，功率放大電路100B的功率模式為高功率模式時(shí)，開關(guān)元件381導(dǎo)通，從而使雙極晶體管350c導(dǎo)通。由此，除了雙極晶體管350b之外，還從雙極晶體管350c的發(fā)射極提供電流，偏置電路301B提供的偏置電流的總量增加。另外，如上所述，開關(guān)元件321導(dǎo)通，從而使偏置電流Ibias3流過，驅(qū)動(dòng)雙極晶體管240c。另一方面，功率放大電路100B的功率模式為低功率模式時(shí)，開關(guān)元件381斷開，從而使雙極晶體管350c斷開。另外，如上所述，通過使開關(guān)元件321斷開，從而不流過偏置電流Ibias3，雙極晶體管240c不被驅(qū)動(dòng)。這樣，在高功率模式時(shí)需要較多偏置電流的情況下，能夠確保適當(dāng)?shù)碾娏髁俊?/p>

由此，功率放大電路100B與功率放大電路100A相比較，能夠調(diào)整功率放大器的振幅特性(AM-AM特性)、相位特性(AM-PM特性)、失真特性(相鄰信道泄漏功率比(ACLR)特性)。

另外，控制電路380中，示出了為了切換雙極晶體管350c的導(dǎo)通斷開，而控制雙極晶體管350c的柵極的連接的構(gòu)成，但也可以采用控制雙極晶體管350c的集電極或發(fā)射極的連接的構(gòu)成。

另外，功率放大電路100B中，偏置電路301B具備雙極晶體管350c及控制電路380來構(gòu)成，但也可以是僅偏置電路300A還具備雙極晶體管350c及控制電路380來構(gòu)成，還可以是偏置電路300A、301A均還具備雙極晶體管350c及控制電路380來構(gòu)成。

圖4是表示功率放大電路100的構(gòu)成例(功率放大模塊100C)的圖。另外，對(duì)與功率放大電路100B相同的要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略說明。功率放大電路100C具備偏置電路301C，取代功率放大電路100B中的偏置電路301B。

偏置電路301C除了偏置電路301B的構(gòu)成之外，還具備控制電路390。

控制電路390(第3控制電路)具備電阻元件391及開關(guān)元件392。

電阻元件391(第2電阻元件)中，第1端子與開關(guān)元件392的第1端子連接，第2端子與電阻元件320b的第2端子連接。

開關(guān)元件392(第2開關(guān)元件)中，第1端子與電阻元件391的第1端子連接，第2端子與電阻元件320b的第1端子連接。

控制電路390中，通過根據(jù)從偏置電路301C的外部提供的偏置控制信號(hào)來切換開關(guān)元件392的導(dǎo)通斷開，能夠控制偏置電流Ibias2的電流量。具體地說，通過使開關(guān)元件392導(dǎo)通，降低合成了電阻元件320b及電阻元件391的電阻值。從而，偏置電流Ibias2的電流量增加，因此能夠提高輸出功率。另一方面，通過使開關(guān)元件392斷開，提高合成了電阻元件320b及電阻元件391的電阻值。由此，偏置電流Ibias2的電流量減少，因此能夠抑制多余的功率的消耗，提高功率效率。這樣，偏置電路301C中，通過具備控制電路390，使雙極晶體管240b的基極和雙極晶體管350b、350c的發(fā)射極之間的電阻值可變，可進(jìn)行放大電路201A的特性的調(diào)整。另外，這樣的特性的調(diào)整尤其在高功率模式時(shí)有效，但是在低功率模式時(shí)也可以進(jìn)行。

如上所述，功率放大電路100C與功率放大電路100B相比較，能夠進(jìn)行功率放大器的特性的調(diào)整。

另外，功率放大電路100C中，偏置電路301C具備控制電路390來構(gòu)成，但偏置電路301A也可以還具備控制電路390來構(gòu)成。另外，偏置電路300A還可以還具備控制電路390來構(gòu)成。

接著，參照?qǐng)D5～圖7，對(duì)功率放大電路100A中的消耗電流、增益特性及相鄰信道泄漏功率比(Adjacent Channel Leakage Ratio:ACLR)特性的模擬結(jié)果進(jìn)行說明。

圖5～圖7所示的曲線圖是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的功率放大電路100A中，使控制電路370a、370b具備的開關(guān)元件372a、372b均導(dǎo)通或斷開時(shí)的比較結(jié)果。圖5～圖7是電源電壓Vcc＝0.52V，RF信號(hào)RFin的頻率＝814MHz，溫度設(shè)為室溫，功率放大電路100A的功率模式設(shè)為低功率模式時(shí)的模擬結(jié)果。

圖5是表示功率放大電路100A中的低功率模式時(shí)的消耗電流的模擬結(jié)果的曲線圖。圖5所示曲線圖中，縱軸表示消耗電流(A)，橫軸表示輸出功率(dBm)。

如圖5所示，可知與開關(guān)元件372a、372b導(dǎo)通時(shí)相比，開關(guān)元件372a、372b斷開時(shí)，消耗電流降低。例如，輸出功率為0dBm時(shí)，消耗電流約降低2.6mA。

圖6是表示功率放大電路100A中的低功率模式時(shí)的增益特性的模擬結(jié)果的曲線圖。圖6所示曲線圖中，縱軸表示增益(dB)，橫軸表示輸出功率(dBm)。

如圖6所示，與開關(guān)元件372a、372b導(dǎo)通時(shí)相比，開關(guān)元件372a、372b斷開時(shí)雖然增益也增大1dB左右，但是，未發(fā)現(xiàn)增益的值隨著輸出電平的變化而變動(dòng)的劣化。即，可知具備控制電路370a、370b對(duì)增益特性(線性度)的影響小。

圖7是表示功率放大電路100A中的低功率模式時(shí)的ACLR特性的模擬結(jié)果的曲線圖。圖7所示的曲線圖中，縱軸表示ACLR(dBc)，橫軸表示輸出功率(dBm)。

如圖7所示，與開關(guān)元件372a、372b導(dǎo)通時(shí)相比，將開關(guān)元件372a、372b斷開時(shí)也未發(fā)現(xiàn)ACLR特性有大的變化。即，可知具備控制電路370a、370b對(duì)ACLR特性的影響小。

根據(jù)以上的模擬結(jié)果可知，功率模式為低功率模式時(shí)，通過將開關(guān)元件372a、372b斷開，能夠?qū)?duì)增益特性及ACLR特性的影響抑制在較低水平，并且減少消耗電流。即，功率放大電路100A作為電路整體，能夠抑制增益的特性劣化并且降低消耗電流。

以上，說明了本發(fā)明的例示的實(shí)施方式。功率放大電路100A～100C中，通過在偏置電路具備控制電路370a、370b，在功率模式為高功率模式時(shí)，從雙極晶體管350a、350b的發(fā)射極向接地流過電流，在功率模式為低功率模式時(shí)，將雙極晶體管350a、350b的發(fā)射極和接地電切斷。從而，高功率模式時(shí)，確保必要量的偏置電流，抑制增益特性的劣化。另一方面，低功率模式時(shí)，能夠抑制對(duì)增益特性的影響，并且避免多余的電流消耗。從而，作為功率放大電路整體，能夠抑制增益特性劣化并且降低消耗電流。

另外，功率放大電路100B中，通過在偏置電路還具備雙極晶體管350c及控制電路380，能夠控制與控制信號(hào)MODE相對(duì)應(yīng)的偏置電流的電流量。從而，在高功率模式時(shí)需要較多偏置電流的情況下，能夠確保適當(dāng)?shù)碾娏髁?。從而，與功率放大電路100A相比，功率放大電路100B能夠進(jìn)行功率放大器的特性的調(diào)整。

另外，功率放大電路100C中，通過在偏置電路還具備控制電路390，能夠使雙極晶體管240b的基極和雙極晶體管350b、350c的發(fā)射極之間的電阻值可變。從而，能夠控制與偏置控制信號(hào)相對(duì)應(yīng)的偏置電流Ibias2的電流量。從而，與功率放大電路100B相比，功率放大電路100C能夠進(jìn)行功率放大器的特性的調(diào)整。

另外，功率放大電路100A～100C是包含二級(jí)放大電路的功率放大電路。通過分別對(duì)偏置電路300、301適用控制電路370a、370b，與僅適用任一方的情況相比，能夠提高消耗電流的降低效果。三級(jí)以上的結(jié)果也同樣。

另外，圖2～圖4所示的功率放大電路中，也可以采用N溝道MOSFET取代雙極晶體管。

以上說明的各實(shí)施例是為了使本發(fā)明容易理解，而不是限定本發(fā)明。本發(fā)明可以在不脫離其主旨的范圍進(jìn)行變更/改良，其等價(jià)物也包含在本發(fā)明內(nèi)。即，即使本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)各實(shí)施方式附加了適宜的設(shè)計(jì)變更的例子，只要具備本發(fā)明的特征，也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，各實(shí)施方式具備的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等不限于例示，能夠適宜變更。另外，各實(shí)施方式具備的各要素能夠在技術(shù)上可能地范圍內(nèi)組合，這些組合只要也包含本發(fā)明的特征，也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

標(biāo)號(hào)說明

100、100A、100B、100C 功率放大電路

200、200A、201、201A 放大電路

210a、210b、210c、360a、360b 電容器

220a、220b、220c、310a、310b、320a、320b、320c、371a、371b、391 電阻元件

230a、230b 電感器

240a、240b、240c、330a、330b、340a、340b、350a、350b、350c 雙極晶體管

300、300A、301、301A、301B、301C 偏置電路

321、372a、372b、381、392 開關(guān)元件

370a、370b、380、390 控制電路

400、401、402 匹配電路

MODE 控制信號(hào)

Vb1、Vb2 偏置控制電壓

Vcc 電源電壓