技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于大功率層流電弧等離子體束發(fā)生器的密封結(jié)構(gòu)，涉及層流等離子發(fā)生器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括陰極保護罩冷卻密封結(jié)構(gòu)、進氣密封結(jié)構(gòu)和陽極冷卻密封結(jié)構(gòu)；所述陰極保護罩冷卻密封結(jié)構(gòu)包括陰極保護罩，所述進氣密封結(jié)構(gòu)包括進氣環(huán)、陰極連接柱和陽極固定座，所述陰極保護罩套在陰極連接柱上，且與陰極連接柱之間形成氣流通道，所述進氣環(huán)通過密封件套在陰極連接柱上，且外側(cè)設置在陽極固定座內(nèi)；所述進氣環(huán)、陽極固定座、密封件和陰極保護罩形成工作氣腔，本發(fā)明可以克服等離子體射流的湍動性，能夠產(chǎn)生出高溫區(qū)域長、能量衰減慢而分布均勻、噪音小、有利于電弧能量的有效利用和便于工藝控制的等離子體射流。

技術(shù)研發(fā)人員：何澤;黃佳華;李露;李向陽
受保護的技術(shù)使用者：成都真火科技有限公司
文檔號碼：201610859942
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.29
技術(shù)公布日：2017.01.04