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表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備與流程

文檔序號:12308968閱讀:187來源:國知局
表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備與流程

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備。



背景技術(shù):

化學(xué)氣相沉積工藝是在半導(dǎo)體制造過程的一種常見工藝。例如在晶圓上進(jìn)行的外延層的制造中,通常是在一個單一的晶圓為基礎(chǔ)的反應(yīng)器中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積。

如圖1所示,在這一過程中,這個單一的晶圓2放置在基座1上,被鹵素?zé)?加熱到1100℃左右。考慮到晶圓2邊緣和中心之間的溫度差異會導(dǎo)致熱應(yīng)力引起的錯位(被稱為移線(slipline)),因此獲悉晶圓2內(nèi)的整體溫度分布是必不可少的,如此才有可能提供高品質(zhì)的外延層。通過測量溫度分布,以優(yōu)化加熱和冷卻功率,可以提高溫度的均勻性。

目前,有兩種方法來測量溫度的分布,分別是設(shè)置高溫計5和設(shè)置熱電耦4。高溫計5是一種遙感溫度計可以放在反應(yīng)腔中。然而,反應(yīng)腔中的沉積物(例如硅等)會影響高溫計5的精度。而對于設(shè)置熱電耦4,熱電耦4需要放置在不同的地方,實現(xiàn)直接熱接觸。在高溫過程中,需要用石英管進(jìn)行封裝,以避免在外延層中出現(xiàn)意外的金屬污染。因此,會受到空間和設(shè)計復(fù)雜程度的制約,這種方式在進(jìn)行整個晶圓2的溫度分布測量時,其精度是有限的。

近年來,業(yè)界將表面聲波器件運(yùn)用到反應(yīng)腔內(nèi)的溫度檢測,但是,一方面表面聲波器件的金屬會對晶圓產(chǎn)生污染;另一方面,反應(yīng)腔內(nèi)的產(chǎn)物也會對表面聲波器件的溫度探測產(chǎn)生影響,例如附著在聲波傳遞路徑上,會減弱聲波信號,嚴(yán)重時導(dǎo)致表面聲波器件失效。

因此,亟需一種新的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)對整個晶圓進(jìn)行溫度分布的檢測。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備,實現(xiàn)對整個晶圓進(jìn)行高精度的溫度檢測。

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明一實施例提供一種表面聲波器件的制造方法,包括:

提供一犧牲層;

在所述犧牲層上依次形成耐高溫壓電材料層和耐高溫金屬層;

光刻刻蝕所述耐高溫金屬層形成反射器和叉指電極;

在所述耐高溫壓電材料層上緊靠所述叉指電極兩側(cè)形成天線;

提供一襯底,并在所述襯底中形成一凹陷;

將所述襯底自凹陷周圍與所述耐高溫壓電材料層鍵合,所述反射器、叉指電極及天線被密封在所述凹陷中;

去除所述犧牲層。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述反射器位于所述叉指電極的對側(cè)。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述反射器為多個平行排布的金屬條。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述耐高溫壓電材料層的材料為氮化鋁,通過濺射工藝形成。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述耐高溫金屬層的材料為鉑,通過物理氣相沉積工藝形成。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述天線的材料為pt-10%rh/zro2。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,在所述耐高溫壓電材料層上緊靠所述叉指電極兩側(cè)形成天線包括:

在所述耐高溫壓電材料層上沉積光阻層,覆蓋所述反射器和叉指電極;

圖案化所述光阻層形成凹槽,暴露出部分耐高溫壓電材料層,所述凹槽緊靠所述叉指電極;

沉積天線材料層;

去除天線材料層位于所述凹槽之外的部分,去除光阻層。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述襯底為藍(lán)寶石襯底, 通過電感耦合等離子刻蝕工藝形成所述凹陷。

可選的,對于所述的表面聲波器件的制造方法,所述犧牲層的材料為硅,通過化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述犧牲層。

相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種表面聲波器件,包括:

一耐高溫壓電材料層和一襯底,所述襯底中具有一凹陷,所述襯底自凹陷周圍與所述耐高溫壓電材料層相鍵合;

密封在所述凹陷中且位于所述耐高溫壓電材料層上的反射器、叉指電極和天線,所述天線緊靠所述叉指電極兩側(cè)。

相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種溫度檢測設(shè)備,包括:

一基座;設(shè)置在所述基座外的多個表面聲波器件,所述表面聲波器件為上所述的表面聲波器件。

本發(fā)明提供的表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備,實現(xiàn)了表面聲波器件的密封式結(jié)構(gòu),避免了反應(yīng)腔內(nèi)的產(chǎn)物對表面聲波器件的干擾,能夠使得表面聲波器件得以正常運(yùn)作;此外,還將表面聲波器件與晶圓隔離,避免了晶圓在加工過程中受到表面聲波器件所具有的金屬的影響。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行晶圓溫度分布檢測的示意圖;

圖2為本發(fā)明實施例中提供的表面聲波器件的制造方法的流程圖;

圖3-圖16為本發(fā)明實施例中制造表面聲波器件的部分步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè)備進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

請參考圖2,本發(fā)明提供的表面聲波器件的制造方法,包括下列步驟:

步驟s11,提供一犧牲層;

步驟s12,在所述犧牲層上依次形成耐高溫壓電材料層和耐高溫金屬層;

步驟s13,光刻刻蝕所述耐高溫金屬層形成反射器和叉指電極;

步驟s14,在所述耐高溫壓電材料層上緊靠所述叉指電極兩側(cè)形成天線;

步驟s15,提供一襯底,并在所述襯底中形成一凹陷;

步驟s16,將所述襯底自凹陷周圍與所述耐高溫壓電材料層鍵合,所述反射器、叉指電極及天線被密封在所述凹陷中;

步驟s17,去除所述犧牲層。

為了更具體地闡述圖2的表面聲波器件的制造方法,請參照圖3至圖16,圖3-圖16為本發(fā)明實施例中制造表面聲波器件的部分步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖3所示,執(zhí)行步驟s11,提供一犧牲層10。例如,所述犧牲層10的材質(zhì)可以為硅,具體可以選擇常用的硅襯底。

接著,如圖4和圖5所示,執(zhí)行步驟s12,在所述犧牲層10上依次形成耐高溫壓電材料層11和耐高溫金屬層12。所述耐高溫壓電材料層11的材料可以為氮化鋁(aln),例如可以經(jīng)由濺射(sputter)工藝形成。所述耐高溫金屬層12的材料可以為金屬鉑(pt),例如可以經(jīng)由物理氣相沉積(pvd)工藝形成。

接著,如圖6-圖8(圖8為圖7的俯視圖)所示,執(zhí)行步驟s13,光刻刻蝕所述耐高溫金屬層12形成反射器121和叉指電極122。具體的,本步驟s13包括:在所述耐高溫金屬層12上旋涂光阻層13,并經(jīng)過光刻工藝獲得圖案化的光阻層,接著以此圖案化的光阻層為掩膜實現(xiàn)耐高溫金屬層12的刻蝕,將圖案轉(zhuǎn)移至所述耐高溫金屬層12中,暴露出部分耐高溫壓電材料層11,即形成所需的反射器121和叉指電極122。如圖8所示,所述反射器121位于所述叉指電極122的對側(cè),且所述反射器121為多個平行排布的金屬條??梢岳斫獾氖牵龇瓷淦?21和叉指電極122的具體結(jié)構(gòu)并不限于如圖8所示的情況,例如反射器121和叉指電極122的數(shù)量及排布方式,金屬條的數(shù)量,叉指的數(shù)量等,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以依據(jù)實際需求來靈活設(shè)計。

然后,如圖9-圖12(圖12為圖11的俯視圖)所示,執(zhí)行步驟s14,在所述耐高溫壓電材料層11上緊靠所述叉指電極122兩側(cè)形成天線16。具體的,本 步驟s14包括:首先,在所述耐高溫壓電材料層11上沉積光阻層14,覆蓋所述反射器121和叉指電極122;接著,圖案化所述光阻層14形成凹槽141,暴露出部分耐高溫壓電材料層11,所述凹槽141緊靠所述叉指電極122;然后,利用沉積工藝(例如pvd工藝)沉積天線材料層15,所述天線材料層15的材料為pt-10%rh/zro2,所述天線材料層15填充在所述凹槽141中,并相應(yīng)的存在在所述光阻層14上;最后,去除天線材料層15位于所述凹槽141之外的部分,去除光阻層14。由此,可參見圖12,在緊靠所述叉指電極122兩側(cè)形成天線16,所述天線16與所述叉指電極122相聯(lián)通。較佳的,在本發(fā)明實施例中,所述天線16位于所述叉指電極122的另一個對側(cè),即所述天線16與反射器121順次交替排布在所述叉指電極122的四周。

然后,如圖13所示,執(zhí)行步驟s15,提供一襯底17,并在所述襯底17中形成一凹陷18。優(yōu)選的,所述襯底17的材料為藍(lán)寶石襯底(pss),例如可以通過電感耦合等離子(icp)刻蝕工藝形成所述凹陷18。所述凹陷18的面積及深度以能夠?qū)⑺龇瓷淦?21、叉指電極122及天線16容納為宜。

之后,如圖14所示,執(zhí)行步驟s16,將所述襯底17自凹陷18周圍與所述耐高溫壓電材料層11鍵合,所述反射器121、叉指電極122及天線16被密封在所述凹陷18中。

最后,如圖15所示,執(zhí)行步驟s17,去除所述犧牲層10。例如可以通過化學(xué)機(jī)械研磨工藝(cmp)去除所述犧牲層。

由此,請進(jìn)一步參考圖15,本發(fā)明獲得一種表面聲波器件19,包括:

一耐高溫壓電材料層11和一襯底17,所述襯底17中具有一凹陷18,所述襯底17自凹陷18周圍與所述耐高溫壓電材料層11相鍵合;

密封在所述凹陷18中且位于所述耐高溫壓電材料層11上的反射器121、叉指電極122和天線16,所述天線16緊靠所述叉指電極122兩側(cè)。

進(jìn)一步的,請參考圖16,本發(fā)明還可以獲得一種溫度檢測設(shè)備,包括:

一基座20;設(shè)置在所述基座20外的多個表面聲波器件19,所述表面聲波器件19為上文中所述的表面聲波器件19。例如,所述表面聲波器件19可以設(shè)置在所述基座20的底部、側(cè)面等。由圖16可見,表面聲波器件19為密封式結(jié)構(gòu),就能夠避免與晶圓21之間的相互干擾。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的表面聲波器件及其制造方法、溫度檢測設(shè) 備,實現(xiàn)了表面聲波器件的密封式結(jié)構(gòu),避免了反應(yīng)腔內(nèi)的產(chǎn)物對表面聲波器件的干擾,能夠使得表面聲波器件得以正常運(yùn)作;此外,還將表面聲波器件與晶圓隔離,避免了晶圓在加工過程中受到表面聲波器件所具有的金屬的影響。

顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。

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