相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年12月22日在美國專利商標局提交的非臨時申請no.14/579,651的優(yōu)先權和權益。該申請的全部內(nèi)容通過援引納入于此。

背景

領域

各特征涉及包括嵌入式細長電容器的基板。

背景技術：

圖1解說了包括管芯的集成封裝的配置。具體而言，圖1解說了包括封裝基板104和第一管芯106的集成封裝100。集成封裝100通過第一組焊球105耦合至印刷電路板(pcb)102。第一管芯106通過第二組焊球107耦合至封裝基板104。封裝基板104包括一個或多個介電層110和一組互連112(例如，跡線和通孔)。該組互連112被耦合至第一和第二組焊球105和107。電容器120耦合至pcb102。電容器120位于pcb102上靠近集成封裝100處。電容器120可以被用作功率分布網(wǎng)絡中的解耦電容器。

圖1中所示的集成封裝100和電容器120的一個缺點在于，其創(chuàng)建了具有對于移動計算設備的需要而言可能過大的形狀因子的集成器件。這可能導致過大和/或過厚的封裝。即，圖1中所示的集成封裝和電容器組合可能太厚和/或具有太大以至于不能滿足移動、可穿戴或便攜式計算設備的需要和/或要求的表面面積。例如，電容器120與集成封裝100呈橫向的布置造成了pcb102上可能太大而無法滿足移動、可穿戴或便攜式計算設備的需要的表面面積。

因此，存在對于包括利用較少空間同時提供更好電容能力的電容器的集成器件的需要。理想地，此類集成器件將具有較佳的形狀因子，同時滿足移動、可穿戴或便攜式計算設備的需要和/或要求。

概覽

本文的各種特征、裝置和方法描述了包括嵌入式細長電容器的基板。

第一示例提供了包括第一介電層和嵌入在該第一介電層中的電容器的基板。該電容器包括第一端子、第二端子、和第三端子，其中該第二端子橫向地位于該第一端子和該第三端子之間。該電容器還包括第二介電層，在該第二介電層中的第一金屬層，以及在該第二介電層中的第二金屬層。該第一金屬層耦合到該第一和第三端子。該第一金屬層、該第一端子和該第三端子被配置成提供用于第一信號的第一電路徑。該第二金屬層耦合至該第二端子。該第二金屬層和該第二端子被配置成提供用于第二信號的第二電路徑。

第二示例提供了一種用于制造基板的方法。該方法形成第一介電層。該方法在該第一介電層中提供了電容器。該提供電容器的方法包括提供第一端子、第二端子、第三端子、第二介電層、在該第二介電層中的第一金屬層、以及在該第二介電層中的第二金屬層，其中該第二端子橫向地位于該第一端子和該第三端子之間，該第一金屬層耦合到該第一和第三端子，該第一金屬層、該第一端子、和該第三端子被配置成提供用于第一信號的第一電路徑，該第二金屬層耦合到該第二端子，該第二金屬層和該第二端子被配置成提供用于第二信號的第二電路徑。

附圖

在結合附圖理解下面闡述的詳細描述時，各種特征、本質和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，同樣的參考特征貫穿始終作相應標識。

圖1解說了緊挨著電容器的集成器件封裝。

圖2解說了細長電容器的示例。

圖3解說了細長電容器的橫截面的剖面圖的示例

圖4解說了細長電容器的橫截面的平面圖的示例

圖5解說了細長電容器的另一橫截面的平面圖的示例。圖6解說了嵌入在基板中的細長電容器中的數(shù)數(shù)個電路徑的平面圖的示例。

圖7解說了不包括觸點端子的細長電容器的示例。

圖8解說了不包括觸點端子的細長電容器的橫截面的剖面圖的示例。

圖9解說了不包括觸點端子的細長電容器的橫截面的平面圖的示例。

圖10解說了不包括觸點端子的細長電容器的另一橫截面的平面圖的示例。

圖11解說了不包括觸點端子的細長電容器的橫截面的平面圖的示例。

圖12解說了不包括觸點端子的細長電容器的另一橫截面的平面圖的示例。

圖13解說了嵌入在基板中的細長電容器(不包括觸點端子)中的數(shù)個電路徑的剖面圖的示例。

圖14解說了嵌入在基板中的細長電容器的剖面圖的示例。

圖15解說了嵌入在基板中的細長電容器中的數(shù)個電路徑的剖面圖的示例。

圖16解說了嵌入在基板中的細長電容器(不包括觸點端子)的剖面圖的示例。

圖17解說了嵌入在基板中的細長電容器(不包括觸點端子)中的數(shù)個電路徑的平面圖的示例。

圖18解說了嵌入在耦合到數(shù)個管芯的基板中的細長電容器的平面圖的示例。

圖19解說了用于提供/制造細長電容器的示例性工序。

圖20解說了用于提供/制造細長電容器的方法的示例性流程圖。

圖21(包括圖21a-21c)解說了用于提供/制造包括嵌入式細長電容器的基板的示例性工序。

圖22解說用于提供/制造包括嵌入式細長電容器的基板的方法的示例性流程圖。

圖23解說了半加成圖案化(sap)工藝的示例。

圖24解說了半加成圖案化(sap)工藝的流程圖的示例。

圖25解說了鑲嵌工藝的示例。

圖26解說了鑲嵌工藝的流程圖的示例。

圖27解說了可集成本文所描述的集成器件、集成器件封裝、半導體器件、管芯、集成電路、基板、中介體和/或pcb的各種電子設備。

詳細描述

在以下描述中，給出了具體細節(jié)以提供對本公開的各方面的透徹理解。然而，本領域普通技術人員將理解，沒有這些具體細節(jié)也可實踐這些方面。例如，電路可用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細節(jié)中。在其他實例中，公知的電路、結構和技術可不被詳細示出以免模糊本公開的這些方面。

概覽

一些特征涉及包括核心層、第一介電層和嵌入在該第一介電層中的電容器的基板(例如，封裝基板、中介體)。第一介電層耦合到核心層。電容器包括第一端子、第二端子和第三端子。第二端子橫向地位于第一端子和第三端子之間。電容器還包括第二介電層、第一金屬層和第二金屬層。第一金屬層在第二介電層中。第一金屬層耦合到第一和第三端子。第一金屬層、第一端子和第三端子被配置成提供用于第一信號的第一電路徑。第二金屬層在第二介電層中。第二金屬層耦合至第二端子。第二金屬層和第二端子被配置成提供用于第二信號的第二電路徑。在一些實現(xiàn)中，電容器進一步包括第四端子、第五端子、第三金屬層和第四金屬層。第三金屬層在第二介電層中。第三金屬層耦合至第四端子。第四金屬層在第二介電層中。第四金屬層耦合至第五端子。第三和第四金屬層被配置成改變電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)。在一些實現(xiàn)中，第四和第五端子是虛設端子，該虛設端子被配置成與基板中的穿行信號無關。

在一些實現(xiàn)中，互連是器件(例如，集成器件、集成器件封裝、管芯)和/或基底(例如，封裝基板、印刷電路板、中介體)的允許或促成兩個點、元件和/或組件之間的電連接的元件或組件。在一些實現(xiàn)中，互連可包括跡線、通孔、焊盤、柱、重分布金屬層、和/或凸塊下金屬化(ubm)層。在一些實現(xiàn)中，互連是為信號(例如，數(shù)據(jù)信號、接地信號、功率信號)提供電路徑的導電材料。互連可包括一個以上的元件/組件。

示例性細長電容器

圖2解說了細長電容器200的示例。電容器200包括基底部分202、第一端子210、第二端子212、第三端子214、第四端子216和第五端子218?；撞糠?02包括一個或多個介電層和數(shù)個金屬層(例如，金屬極板，導電極板)。第一端子210、第二端子212、第三端子214、第四端子216和第五端子218是導電材料(例如，一個或多個金屬層)，其中每個端子耦合(例如，電耦合)到基底部分202中的一個或多個金屬層。在一些實現(xiàn)中，電容器200是細長多層陶瓷電容器(mlcc)。細長電容器是長度(l)大于電容器的寬度(w)和深度(d)的電容器。在一些實現(xiàn)中，電容器200嵌入在基板(諸如封裝基板和/或中介體)中。

圖3解說了圖2的電容器200的橫截面的剖面圖的示例。如圖3中所示，電容器200的基底部分202包括介電層320和數(shù)個金屬層(例如，第一組金屬層和第二組金屬層)。例如，基底部分202包括第一金屬層322和第二金屬層324。第一金屬層322(例如，第一金屬極板)是第一組金屬層的一部分，而第二金屬層324(例如，第二金屬極板)是第二組金屬層的一部分。雖然圖3解說了包括四個(4個)金屬層的基底部分202，但是不同的實現(xiàn)可以包括具有不同的配置的不同數(shù)目的金屬層和不同金屬層的組合。

第一組金屬層(例如，第一金屬層322)可以配置成電氣地提供用于第一信號(例如，接地參考、功率信號、i/o信號)的第一路徑。第二組金屬層(例如，第二金屬層324)可以配置成電氣地提供用于與第一信號不同的第二信號(例如，接地參考、功率信號、i/o信號)的第二路徑。在以下至少圖6中進一步描述了電容器200如何被配置成提供用于諸信號的電路徑的示例。

圖4解說了圖3的電容器200的橫截面aa的平面圖的示例。如圖4中所示，第一金屬層322被嵌入在介電層320中。第一金屬層322具有第一設計和第一形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第一組金屬層都具有相同的第一設計和第一形狀。第一金屬層322被耦合(例如，電耦合)到第二端子212和第四端子216。如圖4中進一步所示的，第一金屬層322不與第一端子210、第三端子214和第五端子218直接接觸(例如，免于直接接觸)。

圖5解說了圖3的電容器200的橫截面bb的平面圖的示例。如圖5中所示，第二金屬層324被嵌入在介電層320中。第二金屬層324具有第二設計和第二形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第二組金屬層都具有相同的第二設計和第二形狀。在一些實現(xiàn)中，第二設計和第二形狀與第一設計和第一形狀不同。第二金屬層324被耦合(例如，電耦合)到第一端子210、第三端子214和第五端子218。如圖4中進一步所示的，第二金屬層324不與第二端子212和第四端子216直接接觸(例如，免于直接接觸)。

圖2-5解說了包括5個端子的電容器。然而，不同的實現(xiàn)可以使用不同數(shù)目的端子(例如，3、4、6、7個端子，等等)。

圖6概念性地解說了一個或多個信號如何穿過電容器200。如圖6中所示，第一信號可以通過第二端子212和第四端子216進入。第一信號可以是一個或多個功率信號。第二信號可以通過第一端子210、第三端子214和第五端子218離開電容器200。第二信號可以是接地參考信號。第一信號和/或第二信號可以通過耦合到電容器200的端子的通孔(例如，基板中的通孔)進入或離開通過電容器200。在一些實現(xiàn)中，圖6中所示的點或圈表示基板(例如，封裝基板、中介體)中的通孔。在一些實現(xiàn)中，信號的極性可以被反轉。例如，第一信號可以是接地參考，而第二信號可以是一個或多個功率信號。同樣的，應當注意，替代功率信號，信號可以是輸入/輸出(i/o)信號。在以下至少圖14-15中進一步描述了基板中的電容器200如何被配置成提供用于諸信號的電路徑的示例。

包括兩個以上端子的電容器的一個優(yōu)點是其與雙端子電容器相比提供了較低的固有等效串聯(lián)電感(esl)。電容器的較低esl值的結果是更好的信號質量和性能，從而導致耦合到電容器的集成電路器件的更好的性能。此外，如將在以下至少圖10-12中進一步描述的，通過橫向地交替電容器上的端子的極性，在電容器和集成電路器件之間存在較低的互連電感，從而導致去往和來自集成電路器件的改進的信號質量和性能，以及集成器件封裝的功率遞送網(wǎng)絡(pdn)的總體改進。

包括等效串聯(lián)電阻(esr)控制的示例性細長電容器

在一些實現(xiàn)中，可以期望控制電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)值/屬性。電容器的esr屬性是重要的，因為其允許電容器幫助抑制集成器件封裝的功率遞送網(wǎng)絡(pdn)中可能存在的諧振。不同的pdn可以要求具有不同esr值的電容器來抑制pdn的諧振。

圖7-12解說了包括可配置esr值的細長電容器700的示例。電容器700包括基底部分702、第一端子710、第二端子712、第三端子714、第四端子716和第五端子718?；撞糠?02包括一個或多個介電層和數(shù)個金屬層(例如，金屬極板，導電極板)。第一端子710、第二端子712、第三端子714、第四端子716和第五端子718是導電材料(例如，一個或多個金屬層)，其中每個端子耦合(例如，電耦合)到基底部分702中的一個或多個金屬層。在一些實現(xiàn)中，外觀上，電容器700類似于圖2的電容器200。然而，在內(nèi)部(例如，在基底部分702內(nèi))，電容器700與電容器200不同。

在一些實現(xiàn)中，電容器700是細長多層陶瓷電容器(mlcc)。在一些實現(xiàn)中，電容器700嵌入在基板(諸如封裝基板和/或中介體)中。

圖8解說了圖7的電容器700的橫截面的剖面圖的示例。如圖8中所示，電容器700的基底部分702包括介電層720和數(shù)個金屬層(例如，第一組金屬層、第二組金屬層、第三組金屬層、第四組金屬層)。例如，基底部分702包括第一金屬層722、第二金屬層724、第三金屬層732和第四金屬層734。第一金屬層722(例如，第一金屬極板)是第一組金屬層的一部分，第二金屬層724(例如，第二金屬極板)是第二組金屬層的一部分，第三金屬層732(例如，第三金屬極板)是第三組金屬層的一部分，第四金屬層734(例如，第四金屬極板)是第四組金屬層的一部分。雖然圖8解說了包括六個(6個)金屬層的基底部分702，但是不同的實現(xiàn)可以包括具有不同的配置的不同數(shù)目的金屬層和/或不同金屬層的組合。

第一組金屬層(例如，第一金屬層722)可以配置成電氣地提供用于第一信號(例如，接地參考、功率信號、i/o信號)的第一路徑。第二組金屬層(例如，第二金屬層724)可以配置成電氣地提供用于與第一信號不同的第二信號(例如，接地參考、功率信號、i/o信號)的第二路徑。

圖9解說了圖8的電容器700的橫截面cc的平面圖的示例。如圖9中所示，第一金屬層722被嵌入在介電層720中。第一金屬層722具有第一設計和第一形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第一組金屬層都具有相同的第一設計和第一形狀。第一金屬層722被耦合(例如，電耦合)到第二端子712和第四端子716。如圖9中進一步所示的，第一金屬層722不與第一端子710、第三端子714和第五端子718直接接觸(例如，免于直接接觸)。

圖10解說了圖8的電容器700的橫截面dd的平面圖的示例。如圖10中所示，第二金屬層724被嵌入在介電層720中。第二金屬層724具有第二設計和第二形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第二組金屬層都具有相同的第二設計和第二形狀。在一些實現(xiàn)中，第二設計和第二形狀與第一設計和第一形狀不同。第二金屬層724耦合(例如，電耦合)到第三端子714。如圖10中進一步所示的，第二金屬層724不與第一端子710、第二端子712、第四端子716和第五端子718直接接觸(例如，免于直接接觸)。

第三金屬層732和第四金屬層734被配置成提供電容器中的電阻。在一些實現(xiàn)中，第三金屬層732和第四金屬層734提供電容器700的esr控制。由此，通過使用第三金屬層732和/或第四金屬層734的不同配置和/或組合，可以實現(xiàn)具有不同esr值和/或屬性的電容器。在以下至少圖13中進一步描述了電容器700如何被配置成提供用于諸信號的電路徑的示例。

圖11解說了圖7的電容器700的橫截面ee的平面圖的示例。如圖11中所示，第三金屬層732被嵌入在介電層730中。第三金屬層732具有第三設計和第三形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第三組金屬層都具有相同的第三設計和第三形狀。第三金屬層732任選地耦合至第三端子710。如圖11中進一步所示的，第三金屬層732不與第二端子712、第三端子714、第四端子716和第五端子718直接接觸(例如，免于直接接觸)。

圖12解說了圖7的電容器700的橫截面ff的平面圖的示例。如圖12中所示，第四金屬層734被嵌入在介電層730中。第四金屬層734具有第四設計和第四形狀。在一些實現(xiàn)中，所有的第四組金屬層都具有相同的第四設計和第四形狀。第四金屬層734任選地耦合至第五端子718。如圖12中進一步所示的，第四金屬層734不與第一端子710、第二端子712、第三端子714和第四端子716直接接觸(例如，免于直接接觸)。

圖7-12解說了包括5個端子(包括兩個虛設端子)的電容器。然而，不同的實現(xiàn)可以使用不同數(shù)目的端子(例如，3、4、6、7個端子，等等)。在一些實現(xiàn)中，可以有多于或少于兩個的虛設端子。

圖13概念性地解說了一個或多個信號可如何穿過電容器700。如圖13中所示，第一信號可以通過第二端子712和第四端子716進入。第一信號可以是一個或多個功率信號。第二信號可以通過第三端子離開電容器700。第二信號可以是接地參考信號。第一端子710和第五端子718是非接觸端子。即，當電容器700被嵌入在基板中時，第一端子710和第五端子718不與基板(例如，封裝基板、中介體)中的通孔和/或金屬層直接接觸。第一信號和/或第二信號可以通過耦合到電容器700的端子的通孔(例如，基板中的通孔)進入或離開通過電容器700。在一些實現(xiàn)中，圖13中所示的點或圈表示基板(例如，封裝基板、中介體)中的通孔。在一些實現(xiàn)中，信號的極性可以被反轉。例如，第一信號可以是接地參考，而第二信號可以是一個或多個功率信號。同樣的，應當注意，替代功率信號，信號可以是輸入/輸出(i/o)信號。在以下至少圖16-17中進一步描述了基板中的電容器700如何被配置成提供用于諸信號的電路徑的示例。

在一些實現(xiàn)中，電容器(例如，電容器200、電容器700)可以嵌入在基板(諸如封裝基板和/或中介體)中。

包括嵌入式細長電容器的示例性封裝

圖14解說了包括細長電容器200的基板1400的示例。基板1400可以包括封裝基板和/或中介體。電容器200包括基底部分202、第一端子210、第二端子212、第三端子214、第四端子216、第五端子218、一個或多個介電層和數(shù)個金屬層(例如，金屬極板、導電極板)，如先前在以上圖2-5中描述的。

第一管芯1401(例如，第一集成器件)和第二管芯1405(例如，第一集成器件)耦合到基板1400。第一管芯1401通過第一組柱1402和第一組焊球1404耦合到基板1400。第二管芯1405通過第二組柱1406和第二組焊球1408耦合到基板1400。在一些實現(xiàn)中，基板1400、第一管芯1401、第二管芯1405和電容器200可以形成集成器件封裝。

如圖14中所示，電容器200被嵌入在基板1400中?；?400包括核心層1420、第一介電層1422、第二介電層1424、第三介電層1426、第一阻焊層1430以及第二阻焊層1432。第一介電層1422、第二介電層1424和/或第三介電層1426可以是預浸層。在一些實現(xiàn)中，基板1400是無核的。即，在一些實現(xiàn)中，基板1400不包括核心層1420。在一些實現(xiàn)中，核心層1420可以用介電層(例如，預浸層)來代替。

基板1400還包括第一組通孔1440、第一組互連1442、第二組通孔1444、和第二組互連1446、第三組通孔1450、第三組互連1452、第四組通孔1454、和第四組互連1456、和第三組焊球1460。該組互連(例如，互連1442、1446、1452、1456的組)可包括跡線和焊盤。

電容器200位于核心層1420的腔體內(nèi)。電容器200由第一介電層1422來封裝。第一組通孔1440耦合到電容器200的端子(例如，端子210、212、214、216、218)。類似地，第三組通孔1450耦合到電容器200的端子(例如，端子210、212、214、216、218)。在一些實現(xiàn)中，第三組通孔1450耦合到諸端子，使得第三組通孔1450位于第一組通孔1440的反面。第一組通孔1440和第三組通孔1450被配置成提供去往/來自電容器200的第一電路徑和第二電路徑。以下在圖15中進一步描述第一和第二電路徑的示例。

如圖14中進一步所示，第一組通孔1440和第三組通孔1450位于第一介電層1422中。第一組通孔1440耦合至第一組互連1442。第一組互連1442耦合至第二組通孔1444。第二組通孔1444耦合到第二組互連1446。第二介電層1424封裝第一組互連1442。第二組通孔1444位于第二介電層1424中。第二組互連1446位于第二介電層1424上。第二組互連1446的一部分被第一阻焊層1430覆蓋。

第三組通孔1450耦合到第三組互連1452。第三組互連1452耦合到第四組通孔1454。第四組通孔1454耦合到第四組互連1456。第三介電層1426封裝第三組互連1452。第四組通孔1454位于第三介電層1426中。第四組互連1456位于第三介電層1426上。第四組互連1456的一部分被第二阻焊層1432覆蓋。

圖15解說了一個或多個信號可如何可以穿過嵌入在基板1400中的電容器200的示例。如圖15中所示，第一信號b1可以通過第二端子212進入，而第二信號b2可以通過第四端子216進入。第一和第二信號b1和b2可以是一個或多個功率信號。第一信號b1的一部分可以通過第一端子210和/或第三端子214離開電容器200。第二信號b2的一部分可以通過第三端子214和/或第五端子218離開電容器200。通過第一端子210離開的第三信號a1可以是接地參考信號。通過第五端子218離開的第四信號a2可以是接地參考信號。通過第三端子214離開的第五信號a12可以是接地參考信號。第三、第四和第五信號a1、a2和a12可以是相同的接地參考信號。

如圖15中進一步所示，第三信號b3可以通過第二端子212進入，而第四信號b4可以通過第四端子216進入。第三和第四信號b3和b4可以是一個或多個功率信號。第三信號b3的一部分可以通過第一端子210和/或第三端子214離開電容器200。第四信號b4的一部分可以通過第三端子214和/或第五端子218離開電容器200。通過第一端子210離開的第五信號a3可以是接地參考信號。通過第五端子218離開的第六信號a4可以是接地參考信號。通過第三端子214離開的第七信號a34可以是接地參考信號。第五、第六和第七信號a3、a4和a34可以是相同的接地參考信號。在一些實現(xiàn)中，信號的極性可以被反轉。

包括具有等效串聯(lián)電阻(esr)控制的細長電容器的示例性封裝

如上文所描述的，在一些實現(xiàn)中，可以期望控制電容器的等效串聯(lián)電阻(esr)值/屬性。電容器的esr屬性是重要的，因為其允許電容器幫助抑制集成器件封裝的功率遞送網(wǎng)絡(pdn)中可能存在的諧振。不同的pdn可以要求具有不同esr值的電容器來抑制pdn的諧振。

圖16解說了包括細長電容器700的基板1600的示例?；?600可以包括封裝基板和/或中介體。電容器700包括基底部分702、第一端子710、第二端子712、第三端子714、第四端子716、第五端子718、一個或多個介電層和數(shù)個金屬層(例如，金屬極板、導電極板)，如先前在以上圖7-12中描述的。

第一管芯1601(例如，第一集成器件)和第二管芯1605(例如，第一集成器件)耦合到基板1600。第一管芯1601通過第一組柱1602和第一組焊球1604耦合到基板1600。第二管芯1605通過第二組柱1606和第二組焊球1608耦合到基板1600。在一些實現(xiàn)中，基板1600、第一管芯1601、第二管芯1605和電容器700可以形成集成器件封裝。

如圖16中所示，電容器200被嵌入在基板1600中?；?600包括核心層1620、第一介電層1622、第二介電層1624、第三介電層1626、第一阻焊層1630以及第二阻焊層1632。第一介電層1622、第二介電層1624和/或第三介電層1626可以是預浸層。在一些實現(xiàn)中，基板1600是無核的。即，在一些實現(xiàn)中，基板1600不包括核心層1620。在一些實現(xiàn)中，核心層1620可以用介電層(例如，預浸層)來代替。

基板1600還包括第一組通孔1640、第一組互連1642、第二組通孔1644、和第二組互連1646、第三組通孔1650、第三組互連1652、第四組通孔1654、和第四組互連1656、和第三組焊球1660。該組互連(例如，互連1642、1646、1652、1656的組)可包括跡線和焊盤。

電容器700位于核心層1620的腔體內(nèi)。電容器700由第一介電層1622來封裝。第一組通孔1640耦合到電容器700的端子(例如，端子712、714、716)。類似地，第三組通孔1650耦合到電容器700的端子(例如，端子712、714、716)。應當注意，電容器700的第一端子710和第五端子718是非接觸端子。即，電容器700的第一端子710和第五端子718不與配置成提供用于信號的電路徑的互連(例如，通孔)直接接觸(例如，免于直接接觸)。在一些實現(xiàn)中，第一和第五端子710和718是虛設端子。在此類實例中，沒有信號(例如，功率信號、接地信號、i/o信號)穿過第一和第五端子710和718。

在一些實現(xiàn)中，第三組通孔1650耦合到諸端子，使得第三組通孔1650位于第一組通孔1640的反面。第一組通孔1640和第三組通孔1650被配置成提供去往/來自電容器700的第一電路徑和第二電路徑。以下在圖17中進一步描述的第一和第二電路徑的示例。

如圖16中進一步所示，第一組通孔1640和第三組通孔1650位于第一介電層1622中。第一組通孔1640耦合至第一組互連1642。第一組互連1642耦合至第二組通孔1644。第二組通孔1644耦合到第二組互連1646。第二介電層1624封裝第一組互連1642。第二組通孔1644位于第二介電層1624中。第二組互連1646位于第二介電層1624上。第二組互連1646的一部分被第一阻焊層1630覆蓋。

第三組通孔1650耦合到第三組互連1652。第三組互連1652耦合到第四組通孔1654。第四組通孔1654耦合到第四組互連1656。第三介電層1626封裝第三組互連1652。第四組通孔1654位于第三介電層1626中。第四組互連1656位于第三介電層1626上。第四組互連1656的一部分被第二阻焊層1632覆蓋。

圖17解說了一個或多個信號如何可以穿過嵌入在基板1600中的電容器700的示例。如圖17中所示，第一信號d1可以通過第二端子212進入，而第二信號d2可以通過第四端子216進入。第一和第二信號d1和d2可以是一個或多個功率信號。第一信號d1的至少一部分可以通過第三端子714離開電容器700。第二信號d2的至少一部分可以通過第三端子714離開電容器700。通過第三端子714離開的第三信號e12可以是接地參考信號。

如圖17中進一步所示，第三信號d3可以通過第二端子712進入，而第四信號d4可以通過第四端子716進入。第三和第四信號d3和d4可以是一個或多個功率信號。第三信號e34的至少一部分可以通過第三端子714離開電容器700。第四信號d4的至少一部分可以通過第三端子714離開電容器700。通過第三端子714離開的第五信號e34可以是接地參考信號。在一些實現(xiàn)中，信號的極性可以被反轉。

如圖17中所示，第一和第五端子710和718是虛設端子。在此類實例中，沒有信號(例如，功率信號、接地信號、i/o信號)穿過第一和第五端子710和718。

包括嵌入式細長電容器的示例性封裝

圖18解說了封裝基板1800的平面圖(例如，俯視圖)，其包括基板1802、數(shù)個管芯和數(shù)個嵌入式細長電容器?；?400可以包括封裝基板和/或中介體。

如圖18中所示，第一管芯1804、第二管芯1806、第三管芯1808和第四管芯1810被耦合到基板1802(例如，安裝在頂部)。第一電容器1820和第二電容器1822被嵌入在基板1802中。第一和第二電容器1820和1822可包括電容器200和/或700，如先前在上文描述的。

如圖18中進一步所示的，第一電容器1820嵌入在基板1802中，從而第一電容器1820沿第一管芯1804和第二管芯1806的第一側對齊。類似地，第二電容器1822被嵌入在基板1802中，從而第二電容器1822沿第三管芯1808和第四管芯1810的第二側對齊。

用于提供/制造細長電容器的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供/制造細長電容器包括數(shù)個工藝。圖19解說了用于提供/制造細長電容器的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖19的工序可被用來提供/制造圖2、7的電容器和/或本公開中的其他電容器。然而，出于簡化目的，圖19將在提供/制造圖7-12的電容器的上下文中描述。

應當注意，圖19的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供電容器的工序。在一些實現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

階段1解說了提供數(shù)個板(例如，板1900-1906)之后的狀態(tài)。一些板包括介電層(例如，陶瓷層)和金屬層。不同的板可包括具有不同圖案設計的金屬層。在一些實現(xiàn)中，使用絲網(wǎng)印刷工藝在介電層上形成金屬層。

階段2解說了數(shù)個板(例如，板1900-1906)被組合(例如，被層壓在一起)以形成基底部分1910之后的狀態(tài)?；撞糠?910包括介電層1912和數(shù)個金屬層(例如，數(shù)個金屬極板、數(shù)個導電層)。在一些實現(xiàn)中，介電層1912是板1900-1906的介電層中的一些或全部的組合。

階段3解說了在基底部分1910上形成數(shù)個端子(例如，端子1920、1922、1924、1926、1928)之后的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，鍍敷工藝被用于在基底部分1910上形成諸端子。在一些實現(xiàn)中，每個端子可包括一個或多個導電層(例如，一個或多個金屬層)。在一些實現(xiàn)中，第一端子1920和第五端子1928是虛設端子。端子(例如，端子1920、1922、1924、1926、1928)被圍繞基底部分1910的所有表面(例如，第一表面、第二表面)形成。然而，在一些實現(xiàn)中，端子可以僅在基底部分1910的一些表面上形成。

用于提供/制造細長電容器的示例性方法

圖20解說了用于提供/制造細長電容器的方法2000的示例性流程圖。在一些實現(xiàn)中，圖20的方法可被用來提供/制造圖2、7的細長電容器和/或本公開中描述的其他電容器。

應當注意，圖20的流程圖可以組合一個或多個步驟和/或工藝以簡化和/或闡明用于提供集成器件封裝的方法。在一些實現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

該方法提供(在2005)數(shù)個板(例如，板1900-1906)。一些板包括介電層(例如，陶瓷層)和金屬層。不同的板可包括具有不同圖案設計的金屬層。在一些實現(xiàn)中，使用絲網(wǎng)印刷工藝在介電層中形成金屬層。

該方法組合(在2010)這些板(例如，板1900-1906)來形成基底部分(例如，基底部分1910)。基底部分包括介電層和數(shù)個金屬層(例如，數(shù)個金屬極板、數(shù)個導電層)。在一些實現(xiàn)中，介電層是板1900-1906的介電層中的一些或全部的組合。

該方法在基底部分上形成(在2015)數(shù)個端子(例如，端子1920、1922、1924、1926、1928)。在一些實現(xiàn)中，鍍敷工藝被用于在基底部分上形成諸端子。在一些實現(xiàn)中，每個端子可包括一個或多個導電層(例如，一個或多個金屬層)。在一些實現(xiàn)中，第一端子和第五端子是虛設端子。這些端子圍繞該基底部分的所有表面形成。然而，在一些實現(xiàn)中，這些端子可以僅在基底部分的一些表面上形成。

用于提供/制造包括電容器的基板的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供/制造包括電容器的基板包括數(shù)個工藝。圖21(包括圖21a-21c)解說了用于提供/制造包括電容器的基板的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖21a-21c的工序可被用來提供/制造圖14、16的基板、和/或本公開中的其他基板。然而，出于簡化目的，圖21a-21c將在提供/制造圖14的基板的上下文中描述。

應當注意，圖21a-21c的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供基板的工序。在一些實現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

圖21a的階段1解說了在提供核心層2100之后的狀態(tài)。核心層2100可以是介電層和/或基板(例如，硅基板)。

階段2解說了腔體2101被形成在核心層2100中之后的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成空腔體2101。在一些實現(xiàn)中，腔體2101通過使用激光和/或光蝕刻工藝來形成。

階段3解說了核心層2100被耦合到載體2102之后的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，載體2102是基板。

階段4解說了電容器2104被放置在核心層2100的腔體2101中的載體2102上之后的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同電容器。在一些實現(xiàn)中，電容器2104與上文描述的電容器200或700相同或類似。

階段5解說了在核心層2100的第一表面(例如，頂面)和電容器2104上形成第一介電層2106之后的狀態(tài)。第一介電層2106填充腔體2101且封裝電容器2104。

階段6解說了移除載體2102，留下核心層2100、電容器2104和第一介電層2106之后的狀態(tài)。

圖21b的階段7解說了在核心層2100的第二表面(例如，底面)、第一介電層2106和電容器2104上形成第二介電層2108之后的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，第二介電層2108和第一介電層2106是相同的介電層。在一些實現(xiàn)中，介電層2106、2108和/或2110是可光刻介電層。

階段8解說了在介電層2110中形成第一腔體2111和第二腔體2113之后的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，介電層2110是第一介電層2106和第二介電層2108的組合。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成腔體2111和2113。

在一些實現(xiàn)中，腔體2111和2113通過使用激光和/或光蝕刻工藝來形成。腔體2111和2113形成在電容器2104的端子之上。

階段9解說了在介電層2110中/上形成第一組通孔2112、第一組互連2114(例如，跡線、焊盤)、第二組通孔2116、以及第二組互連2118(例如，跡線、焊盤)之后的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成互連和/或通孔。以下在圖23-26中進一步描述了形成互連(例如，通孔、跡線、焊盤)的各種示例。

階段10解說了形成第三介電層2120和第四介電層2122之后的狀態(tài)。第三介電層2120形成在第一組互連2114上方。第四介電層2122形成在第二組互連2118上方。

圖21c的階段11解說了在第三介電層2120中形成第三腔體2121，和在第四介電層2122中形成第四腔體2123之后的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成腔體2121和2123。在一些實現(xiàn)中，腔體2121和2123通過使用激光和/或光蝕刻工藝來形成。

階段12解說了在第三介電層中/上形成第三組通孔2132和第三組互連2134(例如，跡線、焊盤)，以及在第四介電層2122中/上形成第四組通孔2136和第四組互連2138(例如，跡線、焊盤)之后的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成互連和/或通孔。以下在圖23-26中進一步描述了形成互連(例如，通孔、跡線、焊盤)的各種示例。

階段13解說了形成第一阻焊層2140和第二阻焊層2142之后的狀態(tài)。如所示出的，第一阻焊層2140形成在第三介電層2120之上，且第二阻焊層2142形成在第四介電層2122之上。

用于提供/制造包括電容器的基板的示例性方法

圖22解說了用于提供/制造包括電容器的基板的方法2200的示例性流程圖。在一些實現(xiàn)中，圖22的方法可被用來提供/制造包括圖14、16的電容器的基板和/或本公開中的其他基板。

應當注意，圖22的流程圖可以組合一個或多個步驟和/或過程以簡化和/或闡明用于提供基板的方法。在一些實現(xiàn)中，可以改變或修改各工藝的次序。

該方法提供(在2205)包括腔體的核心層。核心層可以是介電層和/或基板(例如，硅基板)。在一些實現(xiàn)中，提供包括腔體的核心層包括形成核心層、在核心層中形成腔體、以及將該核心層耦合到載體。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成腔體。在一些實現(xiàn)中，腔體通過使用激光和/或光蝕刻工藝來形成。

該方法在核心層的腔體中放置(在2210)電容器。不同實現(xiàn)可使用不同電容器。在一些實現(xiàn)中，電容器與上文描述的電容器200或700相同或類似。

該方法形成(在2215)封裝電容器的第一介電層。在一些實現(xiàn)中，第一介電層可包括數(shù)個介電層。

該方法在第一介電層中形成(在2220)數(shù)個互連和/或通孔。該通孔耦合到電容器中的端子。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成互連和/或通孔。以下在圖23-26中進一步描述了形成互連(例如，通孔、跡線、焊盤)的各種示例。

該方法形成(在2225)第二介電層和第三介電層。該第二介電層形成在該第一介電層的第一表面上。該第三介電層形成在該第一介電層的第二表面上。

該方法在第二和第三介電層中形成(在2230)數(shù)個互連和/或通孔。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成互連和/或通孔。以下在圖23-26中進一步描述了形成互連(例如，通孔、跡線、焊盤)的各種示例。

該方法(在2235)在第二介電層上形成第一阻焊層，以及在第三介電層上形成第二阻焊層。

示例性半加成圖案化(sap)工藝

在本公開中描述了各種互連(例如，跡線、通孔、焊盤)。這些互連可被形成在集成器件封裝的封裝基板和/或重分布部分中。在一些實現(xiàn)中，這些互連可包括一個或多個金屬層。例如，在一些實現(xiàn)中，這些互連可包括第一金屬晶種層和第二金屬層?？墒褂貌煌兎蠊に噥硖峁?例如，形成)這些金屬層。以下是具有晶種層的互連(例如，跡線、通孔、焊盤)的詳細示例以及可如何使用不同鍍敷工藝來形成這些互連。

不同實現(xiàn)可使用不同工藝來形成和/或制造金屬層(例如，互連、重分布層、凸塊下金屬化層、突起)。在一些實現(xiàn)中，這些工藝包括半加成圖案化(sap)工藝和鑲嵌工藝。這些各種不同工藝在下文進一步描述。

圖23解說了用于使用半加成圖案化(sap)工藝來形成互連以在一個或多個介電層中提供和/或形成互連的工序。如圖23中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)介電層2302之后的集成器件(例如，基板)的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，階段1解說了介電層2302包括第一金屬層2304。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層2304是晶種層。在一些實現(xiàn)中，可在提供(例如，接收或形成)介電層2302之后在介電層2302上提供(例如，形成)第一金屬層2304。階段1解說了在介電層2302的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層2304。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層2304是通過使用沉積工藝(例如，pvd、cvd、鍍敷工藝)來提供的。

階段2解說了在第一金屬層2304上選擇性地提供(例如，形成)光致抗蝕層2306(例如，光顯影抗蝕層)之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地提供光致抗蝕層2306包括在第一金屬層2304上提供光致抗蝕層2306并且通過顯影(例如，使用顯影工藝)來選擇性地移除光致抗蝕層2306的諸部分。階段2解說了提供光致抗蝕層2306，使得腔體2308被形成。

階段3解說了在腔體2318中形成第二金屬層2310之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，在第一金屬層2304的暴露部分之上形成第二金屬層2310。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層2310是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在移除光致抗蝕層2306之后的集成器件的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來移除光致抗蝕層2306。

階段5解說了在選擇性地移除第一金屬層2304的一些部分之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，移除第一金屬層2304中未被第二金屬層2310覆蓋的一個或多個部分。如階段5所示，剩余第一金屬層2304和第二金屬層2310可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連2312(例如，跡線、通孔、焊盤)。在一些實現(xiàn)中，移除第一金屬層2304，以使得位于第二金屬層2310下方的第一金屬層2304的尺寸(例如，長度、寬度)小于第二金屬層2310的尺寸(例如，長度、寬度)，這可導致底切，如圖23的階段5所示。在一些實現(xiàn)中，上述過程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個或多個介電層中的若干互連。

圖24解說了用于使用(sap)工藝以在一個或多個介電層中提供和/或形成互連的方法的流程圖。該方法(在2405)提供介電層(例如，介電層2302)。在一些實現(xiàn)中，提供介電層包括形成介電層。在一些實現(xiàn)中，提供介電層包括形成第一金屬層(例如，第一金屬層2304)。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實現(xiàn)中，可在提供(例如，接收或形成)介電層之后在介電層上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層是通過使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(pvd)或鍍敷工藝)來提供的。

該方法(在2410)在第一金屬層上選擇性地提供光致抗蝕層(例如，光顯影抗蝕層2306)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地提供抗蝕層包括在第一金屬層上提供第一抗蝕層并且選擇性地移除該抗蝕層的一些部分(這提供了一個或多個腔體)。

該方法隨后(在2415)在光致抗蝕層的腔體中提供第二金屬層(例如，第二金屬層2310)。在一些實現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分之上形成第二金屬層。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

該方法進一步(在2420)移除抗蝕層。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來移除抗蝕層。該方法還(在2425)選擇性地移除第一金屬層的一些部分。在一些實現(xiàn)中，移除第一金屬層中未被第二金屬層覆蓋的一個或多個部分。在一些實現(xiàn)中，任何剩余第一金屬層和第二金屬層可形成和/或限定集成器件和/或基板中的一個或多個互連(例如，跡線、通孔、焊盤)。在一些實現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個或多個介電層中提供和/或形成若干互連。

示例性鑲嵌工藝

圖25解說了用于使用鑲嵌工藝來形成互連以在介電層中提供和/或形成互連的工序。如圖25中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)介電層2502之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，介電層2502是無機層(例如，無機膜)。

階段2解說了在介電層2502中形成腔體2504之后的集成器件的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在介電層2502中提供腔體2504。

階段3解說了在介電層2502上提供第一金屬層2506之后的集成器件的狀態(tài)。如階段3所示，在介電層2502的第一表面上提供第一金屬層2506。在介電層2502上提供第一金屬層2506，以使得第一金屬層2506采取介電層2502的輪廓，包括腔體2504的輪廓在內(nèi)。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層2506是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層2506是通過使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(pvd)、化學氣相沉積(cvd)、或鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在腔體2504中和介電層2502的表面形成第二金屬層2508之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，在第一金屬層2506的暴露部分之上形成第二金屬層2508。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層2508是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段5解說了在移除第二金屬層2508的一些部分和第一金屬層2506的一些部分之后的集成器件的狀態(tài)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來移除第二金屬層2508和第一金屬層2506。在一些實現(xiàn)中，化學機械拋光(cmp)工藝被用來移除第二金屬層2508的一些部分和第一金屬層2506的一些部分。如階段5所示，剩余第一金屬層2506和第二金屬層2508可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連2512(例如，跡線、通孔、焊盤)。如階段5所示，以在第二金屬層2510的基底部分和(諸)側面部分上形成第一金屬層2506的方式來形成互連2512。在一些實現(xiàn)中，腔體2504可包括兩層電介質的溝槽和/或孔洞的組合，以使得通孔和互連(例如，金屬跡線)可以在單個沉積步驟中被形成。在一些實現(xiàn)中，上述過程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個或多個介電層中的若干互連。

圖26解說了用于使用鑲嵌工藝來形成互連以在介電層中提供和/或形成互連的方法2600的流程圖。該方法(在2605)提供介電層(例如，介電層2502)。在一些實現(xiàn)中，提供介電層包括形成介電層。在一些實現(xiàn)中，提供介電層包括從供應器接收介電層。在一些實現(xiàn)中，介電層是無機層(例如，無機膜)。

該方法(在2610)在介電層中形成至少一個腔體(例如，腔體2504)。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來在介電層中提供腔體。

該方法(在2615)在介電層上提供第一金屬層(例如，第一金屬層2506)。在一些實現(xiàn)中，在介電層的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實現(xiàn)中，在介電層上提供第一金屬層，以使得第一金屬層采取介電層的輪廓，包括腔體的輪廓在內(nèi)。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層2506是通過使用沉積工藝(例如，pvd、cvd或鍍敷工藝)來提供的。

該方法(在2620)在腔體中和介電層的表面提供第二金屬層(例如，第二金屬層2508)。在一些實現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分之上形成第二金屬層。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層與第一金屬層類似或相同。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層不同于第一金屬層。

該方法隨后(在2625)移除第二金屬層的一些部分和第一金屬層的一些部分。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來移除第二金屬層和第一金屬層。在一些實現(xiàn)中，化學機械拋光(cmp)工藝被用來移除第二金屬層的一些部分和第一金屬層的一些部分。在一些實現(xiàn)中，剩余第一金屬層和第二金屬層可形成和/或限定互連(例如，互連2512)。在一些實現(xiàn)中，互連可包括集成器件和/或基板中的至少跡線、通孔、和/或焊盤中的一者。在一些實現(xiàn)中，以在第二金屬層的基底部分和(諸)側面部分上形成第一金屬層的方式來形成互連。在一些實現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個或多個介電層中提供和/或形成若干互連。

示例性電子設備

圖27解說了可集成有前述集成器件、半導體器件、集成電路、管芯、中介體、封裝或層疊封裝(pop)中的任意者的各種電子設備。例如，移動電話2702、膝上型計算機2704、以及固定位置終端2706可包括如本文所描述的集成器件2700。集成器件2700可以是例如本文所描述的集成電路、管芯、封裝或層疊封裝中的任意者。圖27中所例示出的設備2702、2704、2706僅是示例性的。其它電子設備也能以集成器件2700為其特征，此類電子設備包括但不限于移動設備、手持式個人通信系統(tǒng)(pcs)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)字助理)、啟用全球定位系統(tǒng)(gps)的設備、導航設備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取設備)、通信設備、智能電話、平板計算機或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它設備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21a-21c、22、23、24、25、26和/或27中解說的組件、步驟、特征和/或功能之中的一者或多者可以被重新編排和/或組合成單個組件、步驟、特征或功能，或實施在若干組件、步驟、或功能中。也可添加額外的元件、組件、步驟、和/或功能而不會脫離本公開。還應注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21a-21c、22、23、24、25、26和/或27及其相應描述不限于管芯和/或ic。在一些實現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21a-21c、22、23、24、25、26和/或27及其相應描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯、管芯封裝、集成電路(ic)、集成器件封裝、晶片、半導體器件、層疊封裝、和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點或操作模式。術語“耦合”在本文中用于指兩個對象之間的直接或間接耦合。例如，如果對象a物理地接觸對象b，且對象b接觸對象c，則對象a和c可仍被認為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

一‘組’對象和/或元件可包括一個或多個該對象和/或元件。例如，一組通孔可包括一個或多個通孔。類似地，一組金屬層可包括一個或多個金屬層。一組互連可包括一個或多個互連。

還應注意，這些實施例可作為被描繪為流程圖、流圖、結構圖、或框圖的過程來被描述。盡管流程圖可把各操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可以被重新安排。過程在其操作完成時終止。

本文所描述的本公開的各種特征可被實現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會脫離本公開。應當注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應被解釋成限定本公開。對本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導可以現(xiàn)成地應用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對于本領域技術人員將是顯而易見的。