技術特征：

1.一種用于振蕩器溫度補償的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

針對特定類型的至少一個振蕩器(10)，在集成電路(12)的溫度補償塊(14)中從至少兩個局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k中選擇局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k的步驟，所述集成電路(12)包括用于實現所述振蕩器(10)中的溫度補償的多個差分對，以及

用于在待使用的溫度范圍內校準所述溫度補償塊(14)的步驟。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括用于在待使用的所述溫度范圍內校準溫度誤差的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，從以下函數中選擇所述局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k：

-反正切函數其中，a₁和a₂是觀測參數并且該函數的拐點X_inf是

-函數其中，b₁和b₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-多項式函數其中，c₁和c₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-雙曲正切函數H(x)＝tanh(d₁+d₂x)，其中，d₁和d₂是觀測參數并且該函數的拐點是

4.一種用于振蕩器溫度補償的集成電路(12)，其特征在于，所述集成電路(12)包括：溫度補償塊(14)，所述溫度補償塊(14)具有針對特定類型的至少一個振蕩器(10)選擇的至少兩個局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k；內部溫度傳感器(11)和數據塊(13)，所述內部溫度傳感器(11)和所述數據塊(13)用于在待使用的溫度范圍內校準所述溫度補償塊(14)；以及多個差分對，用所述多個差分對來實現所述振蕩器(10)的所述溫度補償。

5.根據權利要求4所述的集成電路(12)，其特征在于，所述數據塊(13)包括用于在待使用的所述溫度范圍內校準溫度誤差的裝置。

6.根據權利要求4或5所述的集成電路(12)，其特征在于，所述局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k選自以下函數：

-反正切函數其中，a₁和a₂是觀測參數并且該函數的拐點X_inf是

-函數其中，b₁和b₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-多項式函數其中，c₁和c₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-雙曲正切函數H(x)＝tanh(d₁+d₂x)，其中，d₁和d₂是觀測參數并且該函數的拐點是

7.根據在前權利要求4至6中的任一項所述的集成電路(12)，其特征在于，所述集成電路(12)包括為了對溫度改變建模的目的而連接至所述溫度傳感器(11)的出口引腳TsOUT的外部電壓或電流源。

8.根據在前權利要求4至7中的任一項所述的集成電路(12)，其特征在于，所述差分對是電壓和/或電流控制的差分對。

9.根據權利要求4或5所述的集成電路(12)，其特征在于，所述局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k選自局部徑向補償基函數：

-其中，u是所述局部徑向基函數的最大點并且v是所述曲線圖的寬度。

10.一種包括集成電路(12)和振蕩器(10)的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述振蕩器(10)具有已知溫度補償函數并且所述振蕩器單元的集成電路(12)包括：

-溫度補償塊(14)，所述溫度補償塊(14)具有針對特定類型的至少一個振蕩器(10)選擇的至少兩個局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k，

-內部溫度傳感器(11)和數據塊(13)，所述內部溫度傳感器(11)和所述數據塊(13)用于在待使用的溫度范圍內校準所述溫度補償塊(14)，以及

-多個差分對，利用所述多個差分對實現所述振蕩器(10)的溫度補償。

11.根據權利要求10所述的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述數據塊(13)包括用于在待使用的所述溫度范圍內校準溫度誤差的裝置。

12.根據權利要求10或11所述的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k選自以下函數：

-反正切函數其中，a₁和a₂是觀測參數并且該函數的拐點X_inf是

-函數其中，b₁和b₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-多項式函數其中，c₁和c₂是觀測參數并且該函數的拐點是

-雙曲正切函數H(x)＝tanh(d₁+d₂x)，其中，d₁和d₂是觀測參數并且該函數的拐點是

13.根據權利要求10至12中的任一項所述的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述振蕩器（10）是以下中的一個：

-AT切割晶體，或者

-MEMS振蕩器。

14.根據權利要求10至13中的任一項所述的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述差分對是電壓和/或電流控制的差分對。

15.根據權利要求10或11所述的溫度補償振蕩器單元，其特征在于，所述局部補償基函數φ_j，j＝0，...，k選自局部徑向補償基函數：

-其中，u是所述局部徑向基函數的最大點并且V是所述曲線圖的寬度。