本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種開路保護(hù)方法，特別是涉及一種LED驅(qū)動(dòng)電路及其開路保護(hù)方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)被保護(hù)線路的電源電壓高于一定數(shù)值時(shí)，保護(hù)器切斷該線路；當(dāng)電源電壓恢復(fù)到正常范圍時(shí)，保護(hù)器自動(dòng)接通，此保護(hù)過程可稱為開路保護(hù)(overvoltage protection，OVP)。開路保護(hù)的目的是為了保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞。

通常情況下，一個(gè)簡(jiǎn)單的三端恒流器件只有3個(gè)引腳，輸入腳，電源腳，接地腳，沒有額外的引腳及元件可以精準(zhǔn)進(jìn)行輸出電壓保護(hù)，從而輸出必須用高壓電容來預(yù)防輸出開路時(shí)產(chǎn)生的高壓，因此成本比較高，占用體積比較大，實(shí)際應(yīng)用范圍比較有限，見圖1。

通常情況下，輸出電壓的檢測(cè)信號(hào)是通過電阻分壓采集得到的，然后利用檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行開路保護(hù)控制。但是，在一些浮地輸出的場(chǎng)合是無法直接進(jìn)行輸出分壓檢測(cè)的，例如：高端輸出的降壓結(jié)構(gòu)，見圖2所示。

在降壓結(jié)構(gòu)中有一些間接的對(duì)輸出電壓進(jìn)行開路保護(hù)的控制方法，但是精度比較差，例如：在臨界導(dǎo)通模式(BCM)中利用退磁時(shí)間T_OFF進(jìn)行設(shè)置，獲得開路保護(hù)電壓公式：

其中，I_PK表示晶體開關(guān)管關(guān)斷時(shí)電感L的峰值電流，L表示電感L的電感量；隨著輸出電壓的升高，退磁時(shí)間T_OFF會(huì)變短，直至觸發(fā)開路保護(hù)時(shí)間T_OVP。但是，由于V_OVP中包含了電感L的影響，而L量產(chǎn)的誤差在±20％左右，因此輸出電壓的變化也比較大，精度比較差。由于輸出濾波電容的耐壓值一般都是固定的幾個(gè)值，選擇比較少，在一些臨界的應(yīng)用中如果由于輸出電壓的誤差大導(dǎo)致輸出電容必須選用高規(guī)格的耐壓值，那么其成本和體積將會(huì)大大增加。

在現(xiàn)有的另一種應(yīng)用如圖3所示，在此類應(yīng)用中，由于引腳比較少，所以一般設(shè)計(jì)用固定的電感退磁時(shí)間T_OFF來設(shè)定V_OVP，此時(shí)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用更加受到限制。同時(shí)，在越來越多的應(yīng)用中，為了節(jié)省體積和成本，往往會(huì)將輸出電容去掉(譬如，圖3中去掉輸出電容C3)，此時(shí)利用電感退磁時(shí)間T_OFF時(shí)間進(jìn)行OVP保護(hù)已經(jīng)無法實(shí)現(xiàn)。在圖3中，如果去掉輸出電容C3，內(nèi)部開關(guān)SW開通時(shí)，由于沒有負(fù)載LED，只有放電電阻R2，因此電感L1的電流很 小，輸出電壓Vo就等于Vin，CS無法檢測(cè)到額定電流，因此SW會(huì)一直打開直到觸發(fā)Ton_max限制才關(guān)斷。關(guān)斷后電感L1開始放電，由于沒有輸出電容，放電電壓很快就降為零，相當(dāng)于輸出短路，就會(huì)很大，無法觸發(fā)OVP保護(hù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路及其開路保護(hù)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中開路保護(hù)電壓受電感的影響產(chǎn)生的問題，如輸出變化大，精度較差，且需要增加外圍元件、成本高的問題，以及去除輸出電容之后，現(xiàn)有的開路保護(hù)方法無法實(shí)現(xiàn)的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括：開路保護(hù)控制器，所述開路保護(hù)控制器包括控制芯片及采樣電阻；其中，

所述控制芯片包括功率開關(guān)腳SW、電流采樣端CS、芯片供電模塊、過壓保護(hù)模塊、控制模塊及晶體開關(guān)管；

所述功率開關(guān)腳SW與所述芯片供電模塊電連接，通過所述芯片供電模塊為所述控制芯片內(nèi)部供電并產(chǎn)生閾值電壓；

所述采樣電阻一端與所述電流采樣端CS電連接，另一端接地；

所述過壓保護(hù)模塊與所述控制模塊、所述晶體開關(guān)管及所述電流采樣端CS電連接，適于設(shè)定預(yù)定時(shí)間T_d，并將所述預(yù)定時(shí)間T_d時(shí)間內(nèi)采集的所述采樣電壓與閾值電壓V_th進(jìn)行比對(duì)，并將比對(duì)結(jié)果反饋至所述控制模塊；

所述控制模塊與所述芯片供電模塊、所述過壓保護(hù)模塊及所述晶體開關(guān)管電連接，適于根據(jù)所述過壓保護(hù)模塊反饋的比對(duì)結(jié)果控制所述晶體開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述過壓保護(hù)模塊包括時(shí)間設(shè)定單元及第一運(yùn)算放大器：

所述時(shí)間設(shè)定單元與所述控制模塊、所述晶體開關(guān)管及所述第一運(yùn)算放大器的輸出端電連接，所述晶體開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，所述時(shí)間設(shè)定單元開始計(jì)時(shí)；

所述第一運(yùn)算放大器的第一輸入端與所述電流采樣端CS電連接，所述第一運(yùn)算放大器的第二輸入端與所述芯片供電模塊電連接，適于將電流采樣端CS在所述預(yù)定時(shí)間T_d時(shí)間內(nèi)采集的所述采樣電壓與閾值電壓V_th進(jìn)行比對(duì)。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述晶體開關(guān)管的柵極與所述時(shí)間設(shè)定單元電連接，所述晶體開關(guān)管的源極與所述電流采樣端CS相連接，所述晶體開關(guān)管的漏極與 所述功率開關(guān)腳SW相連接。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓未達(dá)到閾值電壓V_th，所述控制模塊關(guān)斷所述晶體開關(guān)管。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述開路保護(hù)控制器包括第一電容，所述第一電容的一端與所述芯片供電模塊電連接，另一端接地。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述控制芯片還包括第二運(yùn)算放大器，所述第二運(yùn)算放大器的第一輸入端與所述電流采樣端CS電連接，第二輸入端與所述芯片供電模塊電連接，適于對(duì)所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行恒流控制。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括電壓輸入模塊及負(fù)載電路；所述負(fù)載電路的輸入端與所述電壓輸入模塊電連接，所述負(fù)載電路的輸出端與所述功率開關(guān)腳SW電連接。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述電壓輸入模塊包括交流電源、整流器及第二電容；所述整流器的一端與所述交流電源電連接，所述整流器的另一端與所述第二電容的一端電連接，所述電容的另一端接地。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的一種優(yōu)選方案，所述負(fù)載電路為降壓式變換電路、線性驅(qū)動(dòng)或隔離反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路。

本發(fā)明還提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法，適用于無輸出電容的LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括晶體開關(guān)管及采樣電阻，所述LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法包括：

1)所述晶體開關(guān)管導(dǎo)通的同時(shí)，采集所述采樣電阻的采樣電壓；

2)將所述采樣電壓與閾值電壓V_th比對(duì)，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓未達(dá)到閾值電壓V_th，則關(guān)斷所述晶體開關(guān)管；

3)關(guān)斷所述晶體開關(guān)管SW的同時(shí)，啟動(dòng)所述LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，步驟2)與步驟3)之間還包括重復(fù)至少一次如下步驟：

21)再次導(dǎo)通所述晶體開關(guān)管，重新計(jì)時(shí)并重新采集所述采樣電阻的采樣電壓；

22)將所述采樣電壓與閾值電壓V_th比對(duì)，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓仍未達(dá)到閾值電壓V_th，再次關(guān)斷所述晶體開關(guān)管。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，所述預(yù)定時(shí)間T_d滿足如下關(guān)系式：

T_Blank<T_d<<T_{on_max}

其中，T_Blank為采樣點(diǎn)檢測(cè)的消隱時(shí)間，T_{on_max}為所述晶體開關(guān)管導(dǎo)通的最大時(shí)間。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，所述閾值電壓V_th滿足如下關(guān)系式：

其中，V_ref為采樣點(diǎn)觸發(fā)所述晶體開關(guān)管關(guān)斷的電壓。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，所述LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法還包括：所述開路保護(hù)的時(shí)間為T_{OVP_set}，啟動(dòng)所述開路保護(hù)的時(shí)間T_{OVP_set}之后，再次導(dǎo)通所述晶體開關(guān)管。

作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，所述預(yù)定時(shí)間T_d為μs數(shù)量級(jí)，所述開路保護(hù)時(shí)間T_{OVP_set}為數(shù)百ms數(shù)量級(jí)。

如上所述，本發(fā)明所述的LED驅(qū)動(dòng)電路及其開路保護(hù)方法，具有以下有益效果：

對(duì)于無輸出電容LED驅(qū)動(dòng)電路，可以有效地進(jìn)行開路保護(hù)，整個(gè)控制過程不受電感的影響，控制精度較高。

附圖說明

圖1至圖3顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的LED驅(qū)動(dòng)電路示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的流程示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路工作的時(shí)序圖。

元件標(biāo)號(hào)說明

1 控制芯片

11 芯片供電模塊

12 過壓保護(hù)模塊

121 時(shí)間設(shè)定單元

122 第一運(yùn)算放大器

13 控制模塊

14 第二運(yùn)算放大器

2 采樣電阻

3 電壓輸入模塊

31 交流電源

32 整流器

4 負(fù)載電路

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式或者組合加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱附圖4至圖6。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括：開路保護(hù)控制器，所述開路保護(hù)控制器包括控制芯片1及采樣電阻2；其中，

所述控制芯片1包括功率開關(guān)腳SW、電流采樣端CS、芯片供電模塊11、過壓保護(hù)模塊12、控制模塊13及晶體開關(guān)管Q；

所述功率開關(guān)腳SW與所述芯片供電模塊11電連接，適于通過所述芯片供電模塊11為所述控制芯片1內(nèi)部供電并產(chǎn)生閾值電壓V_th；

所述采樣電阻2一端與所述電流采樣端CS電連接，另一端接地，適于將所述電流采樣端CS采集的電流轉(zhuǎn)換為采樣電壓；

所述過壓保護(hù)模塊12與所述控制模塊13、所述晶體開關(guān)管Q及所述電流采樣端CS電連接，適于設(shè)定預(yù)定時(shí)間T_d，并將所述預(yù)定時(shí)間T_d時(shí)間內(nèi)采集的所述采樣電壓與閾值電壓V_th進(jìn)行比對(duì)，并將比對(duì)結(jié)果反饋至所述控制模塊13；

所述控制模塊13與所述芯片供電模塊11、所述過壓保護(hù)模塊12及所述晶體開關(guān)管Q電連接，適于根據(jù)所述過壓保護(hù)模塊12反饋的比對(duì)結(jié)果控制所述晶體開關(guān)管Q的導(dǎo)通與關(guān)斷。

作為示例，所述過壓保護(hù)模塊12包括時(shí)間設(shè)定單元121及第一運(yùn)算放大器122：所述時(shí)間設(shè)定單元121與所述控制模塊13、所述晶體開關(guān)管Q及所述第一運(yùn)算放大器122的輸出端電連接，所述晶體開關(guān)管Q導(dǎo)通時(shí)，所述時(shí)間設(shè)定單元121即開始計(jì)時(shí)；所述第一運(yùn)算放大器122包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端，其第一輸入端與所述電流采樣端CS電連接，第二輸入端與所述芯片供電模塊11電連接，適于將電流采樣端CS在所述預(yù)定時(shí)間T_d時(shí)間內(nèi)采集的所述采樣電壓與所述芯片供電模塊11產(chǎn)生的閾值電壓V_th進(jìn)行比對(duì)。

作為示例，所述晶體開關(guān)管Q可以為PMOS管或NMOS管，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述晶體開關(guān)管Q為NMOS管；NMOS管相較于PMOS管具有導(dǎo)通電阻小、成本低、容易制造的優(yōu)點(diǎn)。

作為示例，所述晶體開關(guān)管Q的柵極與所述時(shí)間設(shè)定單元121電連接，所述晶體開關(guān)管Q的源極與所述電流采樣端CS相連接，所述晶體開關(guān)管Q的漏極與所述功率開關(guān)腳SW相連接。

作為示例，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓未達(dá)到閾值電壓V_th所述控制模塊13關(guān)斷所述晶體開關(guān)管Q。

作為示例，所述開路保護(hù)控制器還包括第一電容C1，所述第一電容C1一端與所述芯片供電模塊11電連接，另一端接地。由于所述晶體開關(guān)管Q在開通期間，功率開關(guān)腳SW變?yōu)榈碗娖?，此時(shí)所述芯片供電模塊11無法給所述控制芯片1內(nèi)部供電，所述控制芯片1由所述第一電容C1進(jìn)行供電，由于所述晶體開關(guān)管Q的打開與關(guān)斷是個(gè)高頻信號(hào)，在此期間所述第一電容C1上的電壓變化很小，因此作為參考的虛擬地仍然有很高的精度。

作為示例，所述控制芯片1還包括第二運(yùn)算放大器14，所述第二運(yùn)算放大器14包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端，其第一輸入端與所述電流采樣端CS電連接，第二輸入端與所述芯片供電模塊11電連接，適于對(duì)所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行恒流控制。

作為示例，所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括電壓輸入模塊3及負(fù)載電路4；所述負(fù)載電路4的輸入端與所述電壓輸入模塊3電連接，所述負(fù)載電路4的輸出端與所述功率開關(guān)腳SW電連接。

作為示例，所述電壓輸入模塊3包括交流電源31、整流器32及第二電容C2；所述整流器32與所述交流電源31電連接，所述第二電容C2一端與所述整流器32電連接，另一端接地。

作為示例，所述交流電源31輸出的電壓為正弦電壓，所述交流電源31連接于所述整流器32，所述整流器32包括并聯(lián)的兩組二極管組，各二極管組包括串聯(lián)的兩個(gè)二極管。所述電壓輸入模塊3的輸出電壓為正弦電壓整流后的整流電壓，即為正弦電壓的絕對(duì)值。

作為示例，所述負(fù)載電路4可以為降壓式變換電路，也可以為拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路，如線性驅(qū)動(dòng)電路或隔離反激電路等。圖4為所述負(fù)載電路4為降壓式變換電路作為示例，所述降壓式變換電路包括LED、電阻R、電感L及續(xù)流二極管D；所述LED及電阻R2并聯(lián)形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述并聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述電感L串聯(lián)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)的一端與所述電壓輸入模塊3相連接，另一端與所述功率開關(guān)腳SW相連接；所述續(xù)流二極管D一端與所述電壓輸入模塊3相連接，另一端與所述功率開關(guān)腳SW相連接。

請(qǐng)結(jié)合圖4參閱圖5至圖6，本實(shí)施例還提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法，適用于如圖4所示的無輸出電容的LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法包括：

1)所述晶體開關(guān)管SW導(dǎo)通的同時(shí)，采集所述采樣電阻R1的采樣電壓；

2)將所述采樣電壓與閾值電壓V_th比對(duì)，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓未達(dá)到閾值電壓V_th，則關(guān)斷所述晶體開關(guān)管SW；

3)關(guān)斷所述晶體開關(guān)管SW的同時(shí)，啟動(dòng)所述LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)。

作為示例，在無輸出電容的LED驅(qū)動(dòng)電路中，在開路保護(hù)時(shí)為了減少LED負(fù)載接觸高壓的時(shí)間，不再利用T_OFF做開路檢測(cè)，而是利用采樣點(diǎn)CS的采樣電壓，即采樣電阻R1的采樣電壓做檢測(cè)。由于輸出沒有電容存在，當(dāng)內(nèi)部晶體開關(guān)管SW打開時(shí)，電感L1的電流只能通過放電電阻R2提供，由于R2的阻值很大，因此L1的電流很小，當(dāng)晶體開關(guān)管SW導(dǎo)通內(nèi)部設(shè)定的T_d時(shí)間內(nèi)采樣電壓仍無法達(dá)到指定的閾值電壓V_th值，就可以認(rèn)為系統(tǒng)已經(jīng)處于開路狀態(tài)，內(nèi)部晶體開關(guān)管SW關(guān)斷，并進(jìn)入開路保護(hù)的狀態(tài)。

作為示例，為了避免系統(tǒng)某些干擾導(dǎo)致誤觸發(fā)，所述晶體開關(guān)管SW可以再開通1～n個(gè)周期，以確認(rèn)系統(tǒng)確實(shí)進(jìn)入了開路的狀態(tài)。即在步驟2)與步驟3)之間還包括至少一個(gè)如下周期：

21)所述晶體開關(guān)管SW關(guān)斷一定時(shí)間后，再次導(dǎo)通所述晶體開關(guān)管SW，重新計(jì)時(shí)并重新采集所述采樣電阻R1的采樣電壓；

22)將所述采樣電壓與閾值電壓V_th比對(duì)，若在預(yù)定時(shí)間T_d內(nèi)所述采樣電壓仍未達(dá)到閾值電壓V_th，再次關(guān)斷所述晶體開關(guān)管SW。

作為示例，進(jìn)入開路保護(hù)狀態(tài)后，控制器會(huì)開始一個(gè)計(jì)時(shí)狀態(tài)，當(dāng)晶體開關(guān)管SW關(guān)斷T_{OVP_set}時(shí)間后系統(tǒng)再次開始工作，進(jìn)入下一次的循環(huán)工作周期。

作為示例，為了保護(hù)LED，作為本發(fā)明的LED驅(qū)動(dòng)電路的開路保護(hù)方法的一種優(yōu)選方案，所述預(yù)定時(shí)間T_d滿足如下關(guān)系式：

T_Blank<T_d<<T_{on_max}

其中，T_Blank為采樣點(diǎn)檢測(cè)的消隱時(shí)間，T_{on_max}為所述晶體開關(guān)管導(dǎo)通的最大時(shí)間。在T_d時(shí)間內(nèi)，由于電感L1和LED負(fù)載寄生電容的作用，輸出能量受到限制，LED負(fù)載即使短時(shí)間接觸高壓也不至于損壞。

作為示例，為了保護(hù)LED，所述閾值電壓V_th滿足如下關(guān)系式：

其中，V_ref為采樣點(diǎn)觸發(fā)所述晶體開關(guān)管關(guān)斷的電壓，這樣可以確保在任意正常的工作狀 態(tài)都不會(huì)觸發(fā)開路保護(hù)。

所述LED驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖如圖6所示，由圖6可知，在t1～t7時(shí)刻，系統(tǒng)處于正常工作狀態(tài)，晶體開關(guān)管CS電壓達(dá)到V_ref觸發(fā)晶體開關(guān)管SW關(guān)斷。其中t2與t5時(shí)刻，晶體開關(guān)管SW已開通T_d時(shí)間，但在該時(shí)間內(nèi)，采樣點(diǎn)CS的采樣電壓大于閾值電壓V_th，不會(huì)觸發(fā)過電壓保護(hù)。

在t7時(shí)刻，系統(tǒng)處于開路狀態(tài)，經(jīng)過T_d時(shí)間到t8時(shí)刻，采樣點(diǎn)CS的采樣電壓沒有達(dá)到V_th閾值，因此控制器觸發(fā)開路保護(hù)狀態(tài)，為了避免誤觸發(fā)，控制器可以再工作1～n個(gè)周期(t9～t10時(shí)刻)，然后SW關(guān)斷T_{OVP_set}時(shí)間，直到t12時(shí)刻再次打開工作，進(jìn)入下一個(gè)循環(huán)。

在整個(gè)保護(hù)周期內(nèi)，LED負(fù)載接觸高壓的時(shí)間幾率為由于T_d很小，一般設(shè)置為μs數(shù)量級(jí)，T_{OVP_set}可以設(shè)置為數(shù)百ms數(shù)量級(jí)，因此LED負(fù)載被高壓打壞的幾率就非常小。

本實(shí)施例，對(duì)于無輸出電容LED驅(qū)動(dòng)電路，可以有效地進(jìn)行開路保護(hù)，整個(gè)控制過程不受電感的影響，控制精度較高；通過增設(shè)開路保護(hù)時(shí)間T_{OVP_set}，使得輸出電壓很低，對(duì)輸出電容或LED的沖擊非常??；通過設(shè)定開路保護(hù)電壓作為輔助保護(hù)措施，使得開路保護(hù)的控制精度更高。

綜上所述，本發(fā)明提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路及其開路保護(hù)方法，對(duì)于無輸出電容LED驅(qū)動(dòng)電路，可以有效地進(jìn)行開路保護(hù)，整個(gè)控制過程不受電感的影響，控制精度較高；對(duì)于有輸出電容LED驅(qū)動(dòng)電路，仍可以采用現(xiàn)有的外圍器件電感L來設(shè)定開路保護(hù)電壓，通過增設(shè)開路保護(hù)時(shí)間T_{OVP_set}，使得輸出電壓很低，對(duì)輸出電容或LED的沖擊非常小。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。