本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，特別是涉及一種LED驅(qū)動(dòng)芯片、LED驅(qū)動(dòng)電路及LED燈具。

背景技術(shù)：

LED作為一第四代照明光源，具有顯著的節(jié)能和壽命優(yōu)勢(shì)。隨著社會(huì)的發(fā)展，日常生活中的照明能耗問題日益突出，因此，具有顯著節(jié)能優(yōu)勢(shì)的LED電源模組具越來越受人們的青睞。

LED燈具用驅(qū)動(dòng)是LED燈具工作關(guān)鍵，現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)IC模塊內(nèi)部封裝有一MOS管，為LED燈具提供了較為全面的過溫、過電流、過壓保護(hù)，能與匹配電流、功率的LED燈具提供較好的驅(qū)動(dòng)方案，這類IC模塊能為LED燈具廠提供了低成本的驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用廣泛。但現(xiàn)有技術(shù)的IC模塊因?yàn)镸OS管的參數(shù)固定，比如提供最高18W的驅(qū)動(dòng)，在LED燈具實(shí)際設(shè)計(jì)中，用這IC模塊無法提供高于18w的驅(qū)動(dòng)，從而限制了燈具功率的設(shè)計(jì)靈活性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)現(xiàn)狀，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種可擴(kuò)流的LED驅(qū)動(dòng)芯片，以靈活滿足不同功率LED驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)需要。

本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)問題在于，提供一種具有該LED驅(qū)動(dòng)芯片的LED驅(qū)動(dòng)電路和LED燈具。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的一種LED驅(qū)動(dòng)芯片，包括功率因素控制模塊、過電壓保護(hù)模塊、過電流保護(hù)模塊、過溫保護(hù)模塊、邏輯驅(qū)動(dòng)模塊和內(nèi)置MOS管，所述功率因素控制模塊、所述過電壓保護(hù)模塊、所述過電流保護(hù)模塊和所述過溫保護(hù)模塊的輸出端分別與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端連接，所述內(nèi)置MOS管的柵極與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端連接；所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括漏極端子腳、柵極端子腳及源極端子腳，所述柵極端子腳與所述 內(nèi)置MOS管的柵極連接，所述漏極端子腳與所述內(nèi)置MOS管的漏極連接，所述源極端子腳與所述內(nèi)置MOS管的源極連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括環(huán)路補(bǔ)償腳，所述環(huán)路補(bǔ)償腳與所述功率因素控制模塊的輸入端連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括溫度控制模塊，所述溫度控制模塊與所述功率因素控制模塊的輸入端連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括誤差放大模塊和電流傳感器模塊，所述誤差放大模塊的輸入端經(jīng)所述電流傳感器模塊與所述過電流保護(hù)模塊的輸入端和所述源極端子腳連接，所述誤差放大模塊的輸出端與所述環(huán)路補(bǔ)償腳相連。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括反饋信號(hào)腳，所述反饋信號(hào)腳與所述過電壓保護(hù)模塊的輸入端連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括零電流檢測模塊，所述零電流檢測模塊的輸入端與所述反饋信號(hào)腳連接，輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括芯片電源腳、欠壓閉鎖模塊和二極管，所述芯片電源腳與所述欠壓閉鎖模塊和所述二極管的負(fù)極連接。

本發(fā)明所提供的一種LED驅(qū)動(dòng)電路，包括上述的LED驅(qū)動(dòng)芯片。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述的LED驅(qū)動(dòng)電路還包括外置MOS管，所述外置MOS管的柵極與所述柵極端子腳連接，所述外置MOS管的漏極與所述漏極端子腳連接，所述外置MOS管的源極與所述源極端子腳連接。

本發(fā)明所提供的一種LED燈具，其特征在于，包括上述的LED驅(qū)動(dòng)電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的LED驅(qū)動(dòng)芯片，由于具有漏極端子腳、柵極端子腳及源極端子腳，且漏極端子腳、柵極端子腳及源極端子腳分別與所述內(nèi)置MOS管的柵極、漏極和源極連接，這樣可以根據(jù)不同功率LED驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)需要并聯(lián)所需的外置MOS管，到達(dá)對(duì)LED驅(qū)動(dòng)芯片擴(kuò)流的效果，從而燈具功率的設(shè)計(jì)不再受LED驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)電流的限制。

本發(fā)明附加技術(shù)特征所具有的有益效果將在本說明書具體實(shí)施方式部分進(jìn) 行說明。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的LED驅(qū)動(dòng)芯片的框架圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的LED驅(qū)動(dòng)芯片與外置MOS管的連接示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

COMP-環(huán)路補(bǔ)償腳；GND-接地腳；VCC-芯片電源腳；FB-反饋信號(hào)腳；D-內(nèi)置MOS管漏極腳；G-內(nèi)置MOS管柵極腳；CS-內(nèi)置MOS管源極腳；

100-LED驅(qū)動(dòng)芯片；101-邏輯驅(qū)動(dòng)模塊；102-內(nèi)置MOS管；103-欠壓閉鎖模塊；104-過電壓保護(hù)模塊；105-過溫保護(hù)模塊；106-過電流保護(hù)模塊；107-功率因素控制模塊；108-溫度控制模塊；109-電流傳感器模塊；110-誤差放大模塊；111-零電流檢測模塊；112-二極管；200-外置MOS管。

具體實(shí)施方式

下面參考附圖并結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，以下各實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

圖1為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中的LED驅(qū)動(dòng)芯片的框架圖，如圖1所示，LED驅(qū)動(dòng)芯片包括功率因素控制模塊107、過電壓保護(hù)模塊104、過電流保護(hù)模塊106、過溫保護(hù)模塊105、邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101、內(nèi)置MOS管102、環(huán)路補(bǔ)償腳COMP、接地腳GNP、芯片電源腳VCC、反饋信號(hào)腳FB、漏極端子腳D、柵極端子腳G及源極端子腳CS。

其中，所述環(huán)路補(bǔ)償腳COMP與所述功率因素控制模塊107的輸入端相連，所述功率因素控制模塊107的輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101的輸出端相連。環(huán)路補(bǔ)償腳COMP可以外接補(bǔ)償元件，用于做環(huán)路的補(bǔ)償。所述功率因素控制模塊107用于實(shí)現(xiàn)固定導(dǎo)通時(shí)間及優(yōu)異線性電壓調(diào)整率，用于保證LED輸出的功率因素符合國家電網(wǎng)大于0.9的規(guī)范要求。較優(yōu)地，所述功率因素控制模塊107的輸入端同時(shí)還與溫度控制模塊108連接，溫度控制模塊108具有過熱調(diào)節(jié)功能，在IC過熱時(shí)逐漸減少輸出電流，從而控制輸出功率和溫升，使電源溫度 保持在正常設(shè)定值內(nèi)，比如過熱溫度控制點(diǎn)設(shè)為150℃。

所述反饋信號(hào)腳FB的輸入端與所述過電壓保護(hù)模塊104的輸入端連接，所述過電壓保護(hù)模塊104的輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101的輸出端相連。所述反饋信號(hào)腳FB外接外接輔助線組反饋端，用于檢測閾值電壓合控制導(dǎo)通時(shí)間。所述過電壓保護(hù)模塊104用于將FB端采樣信號(hào)進(jìn)行放大處理。較優(yōu)地，還包括零電流檢測模塊111，所述零電流檢測模塊111的輸入端與所述反饋信號(hào)腳FB連接，輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101的輸入端連接。所述零電流檢測模塊111用于電壓相位檢測。

所述過電流保護(hù)模塊106的輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101的輸出端相連。所述過電流保護(hù)模塊106用于電流采樣、檢測，當(dāng)輸出短路或電感飽和是，控制和保護(hù)功率元件。

所述過溫保護(hù)模塊105的輸出端與所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101的輸入端連接，所述過溫保護(hù)模塊105用于過溫保護(hù)。

所述邏輯驅(qū)動(dòng)模塊101用于將功率因素控制模塊107、過電壓保護(hù)模塊104、過電流保護(hù)模塊106、過溫保護(hù)模塊105輸入的信號(hào)分別進(jìn)行邏輯判斷，并輸出控制信號(hào)控制內(nèi)置MOS管102，MOS管102為電流型開關(guān)器件，主要用于電流放大輸出控制。

所述柵極端子腳G與所述內(nèi)置MOS管102的柵極連接，所述漏極端子腳D與所述內(nèi)置MOS管102的漏極連接，所述源極端子腳CS與所述內(nèi)置MOS管102的源極連接。所述漏極端子腳D和所述源極端子腳CS可以直接與LED光源模塊連接，也可以與外置的MOS管連接。

較優(yōu)地，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括誤差放大模塊110和電流傳感器模塊109，所述誤差放大模塊110的輸出端與所述環(huán)路補(bǔ)償腳COMP相連，輸入端經(jīng)所述電流傳感器模塊109與所述過電流保護(hù)模塊106的輸入端和所述源極端子腳CS連接。這樣環(huán)路補(bǔ)償腳COMP同時(shí)是芯片內(nèi)部的誤差變壓器的輸出。誤差放大模塊110用于環(huán)路補(bǔ)償點(diǎn)信號(hào)放大，電流傳感器模塊109用于采集電流信號(hào)的放大。

較優(yōu)地，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片還包括欠壓閉鎖模塊103和二極管，欠壓閉鎖 模塊103和二極管的負(fù)極與芯片電源腳VCC連接。欠壓閉鎖模塊103用于IC供電管理，電源啟動(dòng)時(shí)，電壓控制輸出在8-20V之間。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的LED驅(qū)動(dòng)芯片與外置MOS管的連接示意圖。如圖2所示，當(dāng)需要擴(kuò)流時(shí)，可以根據(jù)所需并聯(lián)所需的外置MOS管200，所述外置MOS管200的柵極與所述柵極端子腳G連接，所述外置MOS管200的漏極與所述漏極端子腳D連接，所述外置MOS管200的源極與所述源極端子腳CS連接。由此可見，通過采用本發(fā)明實(shí)施例的LED驅(qū)動(dòng)芯片，可以根據(jù)不同功率LED驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)需要并聯(lián)所需的外置MOS管，到達(dá)對(duì)LED驅(qū)動(dòng)芯片擴(kuò)流的效果，從而燈具功率的設(shè)計(jì)不再受LED驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)電流的限制。

本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，提供一種LED驅(qū)動(dòng)電路，其包括上述的LED驅(qū)動(dòng)芯片。較優(yōu)地，LED驅(qū)動(dòng)電路還包括外置MOS管200，所述外置MOS管200的柵極與所述柵極端子腳G連接，所述外置MOS管200的漏極與所述漏極端子腳D連接，所述外置MOS管200的源極與所述源極端子腳CS連接。

本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，提供一種LED燈具，包括所述的LED驅(qū)動(dòng)電路。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。