本發(fā)明涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種絕緣層上金屬線排版結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：
目前Display（顯示器）產(chǎn)品制造中一直往輕薄短小且高分辨率的方向作設(shè)計(jì)，所以在基板空間持續(xù)縮小，在像素及線路持續(xù)增加的狀況下，各類線距持續(xù)縮小，在金屬線線距的部分，線距越小電容偶和效應(yīng)越大，這將影響顯示器設(shè)計(jì)及質(zhì)量，且靜電破壞機(jī)率高，容易降低良率。所有非AA區(qū)（AA，ACTIVEAREA，有效顯示區(qū)），即外圍區(qū)域的金屬線（traceline）2都在同一平面1上，如圖1所示，相鄰兩金屬線線距為x，隨著金屬線2密度增加，即相鄰兩金屬線線距x越來越小，會(huì)帶來以下問題及風(fēng)險(xiǎn)：電容耦合效應(yīng)增加，從而造成部分顯示面的不良，如crosstalk（串音）；金屬線線距過小，靜電破壞機(jī)率增加，從而造成良率降低；金屬線線距過小，金屬線short（短路）不良的機(jī)率增加。中國(guó)專利（公開號(hào)：CN101808462A）公開了一種線路板及其制造方法。該線路板的制造方法，包括，形成至少一初始絕緣層于一基板上；接著，進(jìn)行一活化程序，以使初始絕緣層變成一活化絕緣層；活化絕緣層具有一表面以及一位于表面的活化區(qū)，并包括多顆觸媒顆粒；一些觸媒顆?；罨⒙懵队诨罨瘏^(qū)內(nèi)；接著，在活化區(qū)內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案層，而導(dǎo)電圖案層凸出于表面。該線路板是由上述線路板的制造方法所制造。中國(guó)專利（公開號(hào)：CN102364390A）公開了一種液晶顯示面板以及其形成方法。該液晶顯示面板包含多個(gè)像素、多行掃描線以及多列數(shù)據(jù)線，所述多行掃描線是以第一金屬層制成，每一像素包含多個(gè)子像素，每一子像素包含像素電極、薄膜晶體管和共通電極線。該共通電極線包含主支干區(qū)、第一屏蔽金屬區(qū)和第二屏蔽金屬區(qū)，所述第一屏蔽金屬區(qū)和所述第二屏蔽金屬區(qū)平行于所述多行掃描線且連接于所述主支干區(qū)，且所述多列數(shù)據(jù)線和所述共通電極線皆由所述第二金屬層構(gòu)成。因?yàn)閽呙杈€和共通電極線是由不同金屬層在不同蝕刻制程所形成，不僅掃描線和共通電極線之間的距離可以縮短，一部分做為屏蔽金屬區(qū)的共通電極線的寬度也可以適當(dāng)?shù)販p小，因此可以提高像素開口率。由此可見，上述兩個(gè)專利均未解決由于金屬線線距過小而帶來的電容偶和效應(yīng)增加，靜電破壞機(jī)率增加以及金屬線不良機(jī)率增加的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)上述存在的問題，本發(fā)明公開一種絕緣層上金屬線排版結(jié)構(gòu)及其制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中由于金屬線線距過小而帶來的電容偶和效應(yīng)增加，靜電破壞機(jī)率增加以及金屬線不良機(jī)率增加的問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種金屬線排版結(jié)構(gòu)，其中，包括：絕緣層；溝槽，數(shù)個(gè)所述溝槽并行排列的設(shè)置于所述絕緣層上，所述溝槽使所述絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同；以及，金屬線，所述金屬線設(shè)置于所述絕緣層的每個(gè)平面上。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)，其中，所述溝槽的截面為矩形，所述溝槽使所述絕緣層形成具有兩種不同高度的數(shù)個(gè)平面。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)，其中，所述溝槽的截面為T形，所述溝槽使所述絕緣層形成具有三種不同高度的數(shù)個(gè)平面。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)，其中，所述溝槽以相同間隔距離設(shè)置。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)，其中，所述絕緣層采用SiO2、SiNX或者有機(jī)光刻膠材料制成。一種端子部，應(yīng)用于顯示器中，其中，所述端子部的外圍區(qū)域包括上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)。一種金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，包括如下步驟：S1，提供一絕緣層；S2，在所述絕緣層上制作數(shù)個(gè)并行排列的溝槽，所述溝槽使所述絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同；S3，在所述絕緣層的每個(gè)平面上制作金屬線。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，將所述溝槽的截面制作為矩形，所述溝槽使所述絕緣層形成具有兩種不同高度的數(shù)個(gè)平面。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，在所述步驟S2中，將所述溝槽的截面制作為T形，所述溝槽使所述絕緣層形成具有三種不同高度的數(shù)個(gè)平面。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述步驟S2具體包括如下步驟：S201，在所述絕緣層上旋涂光刻膠，間隔曝光所述光刻膠，對(duì)曝光后的光刻膠顯影，形成具有不同高度的第一光刻膠圖形；S202，以所述第一光刻膠圖形作為掩膜板蝕刻所述絕緣層，剝離光刻膠，在所述絕緣層上得到數(shù)個(gè)并行排列的溝槽，所述溝槽使所述絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，采用半色調(diào)光罩間隔曝光所述光刻膠。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述絕緣層采用SiO2或者SiNX材料制成。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述步驟S2具體包括如下步驟：S201’，間隔曝光所述絕緣層，對(duì)曝光后的絕緣層顯影，形成具有不同高度的第一光刻膠圖形；S202’，對(duì)所述第一光刻膠圖形進(jìn)行背烘，固化所述第一光刻膠圖形，在所述絕緣層上得到數(shù)個(gè)并行排列的溝槽，所述溝槽使所述絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，采用半色調(diào)光罩間隔曝光所述絕緣層。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述絕緣層采用有機(jī)光刻膠材料制成。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述步驟S3具體包括如下步驟：S301，在所述絕緣層的所有平面上淀積金屬層；S302，在所述金屬層上旋涂光刻膠，間隔曝光所述光刻膠，對(duì)曝光后的光刻膠顯影，在所述金屬層上對(duì)應(yīng)所述絕緣層的數(shù)個(gè)平面的位置分別形成第二光刻膠圖形；S303，以所述第二光刻膠圖形作為掩膜板蝕刻所述金屬層，剝離光刻膠，得到在所述絕緣層的每個(gè)平面上的金屬線。上述的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，采用半色調(diào)光罩間隔曝光所述光刻膠。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果：1、采用本發(fā)明實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，通過在絕緣層上形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，然后在這些平面上交替設(shè)置不同高度的金屬線形成的金屬線排版結(jié)構(gòu)，有效增加了相鄰兩金屬線線距，從而降低了電容偶和效應(yīng)造成的部分顯示面不良問題，同時(shí)能夠降低靜電破壞機(jī)率，提高產(chǎn)品良率，并降低金屬線短路不良的機(jī)率。2、采用本發(fā)明實(shí)施方式的制備方法，在顯示器陣列（Array）制程中，于絕緣層上使用半色調(diào)（Halftone）的方式使絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，然后將金屬線交替制作在這些平面上，以增加相鄰兩金屬線線距，使金屬線排版密度降低，從而增加外圍區(qū)域的設(shè)計(jì)空間，且工藝簡(jiǎn)單、成本低。具體附圖說明通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中金屬線排版結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明金屬線排版結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A-3E是本發(fā)明制作方法中步驟S2的工藝流程圖；圖4A-4F是本發(fā)明制作方法中步驟S3的工藝流程圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種金屬線排版結(jié)構(gòu)，參見圖2，包括：一絕緣層11；設(shè)置于絕緣層11上的數(shù)個(gè)并行排列的溝槽12，溝槽12使絕緣層11形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面111、121，平面可以為N個(gè)，N為自然數(shù)，如N=8、12、16等，且相鄰兩平面的高度不同，如圖2所示；其中，溝槽的截面為矩形或者T形，溝槽使絕緣層形成具有兩種或者三種不同高度的數(shù)個(gè)平面，根據(jù)不同的工藝需要以及絕緣層的厚度進(jìn)行選擇，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選為溝槽的截面為矩形，即絕緣層11的表面為方波狀；以及，設(shè)置于絕緣層11的每個(gè)平面上的金屬線13，且相鄰兩金屬線的高度不同，金屬線13在絕緣層11上形成能夠增加相鄰兩金屬線線距的具有不同高度的排版；即，本實(shí)施方式中相鄰兩金屬線線距為z，如圖2所示，x為分別位于溝槽底部121和的絕緣層表面111的相鄰兩金屬線之間的水平距離（該x同樣也是現(xiàn)有技術(shù)中處于同一平面上的相鄰兩金屬線線距），y為分別位于溝槽底部121和的絕緣層表面111的相鄰兩金屬線之間的垂直距離，由此可見，本實(shí)施方式中相鄰兩金屬線線距與現(xiàn)有技術(shù)相比明顯增加。其中，溝槽的排列可以根據(jù)工藝需要進(jìn)行設(shè)置。例如，溝槽以相同間隔距離設(shè)置，這樣就使后續(xù)工藝中設(shè)置的金屬線之間的密度相同，即相鄰兩金屬線具有相同的線距，從而優(yōu)化了絕緣層表面的設(shè)計(jì)空間，使金屬線排版更均勻，提高了產(chǎn)品良率。另外，絕緣層采用SiO2、SiNx或者有機(jī)光刻膠材料制成，其中，SiNX如SiN、SiN2等；具體可以根據(jù)工藝的需要具體選擇絕緣層的材料。采用本發(fā)明實(shí)施方式的金屬線排版結(jié)構(gòu)，通過在絕緣層上形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，然后在這些平面上交替設(shè)置不同高度的金屬線形成的金屬線排版結(jié)構(gòu)，有效增加了相鄰兩金屬線線距，從而降低了電容偶和效應(yīng)造成的部分顯示面不良問題，同時(shí)能夠降低靜電破壞機(jī)率，提高產(chǎn)品良率，并降低金屬線短路不良的機(jī)率。本發(fā)明的第一實(shí)施方式還涉及一種金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟：S1，提供一絕緣層；S2，在絕緣層上制作數(shù)個(gè)并行排列的溝槽，溝槽使絕緣層上形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同；S3，在絕緣層的每個(gè)平面上均制作一條金屬線；每條金屬線均沿著形成該金屬線的平面的中心位置延伸形成于這個(gè)平面上，這樣制作得到的金屬線能夠優(yōu)化絕緣層上的空間設(shè)計(jì)，使絕緣層的布局更合理；另外，相鄰兩金屬線的高度不同，金屬線在絕緣層上形成能夠增加相鄰兩金屬線線距的具有不同高度的排版。在步驟S2中，以溝槽的截面為矩形為例，具體工藝流程如圖3A-3E，包括如下步驟：S201，在絕緣層11上旋涂光刻膠20，間隔曝光光刻膠20，對(duì)曝光后的光刻膠顯影，形成具有不同高度的第一光刻膠圖形201；S202，以第一光刻膠圖形201作為掩膜板蝕刻絕緣層11，剝離光刻膠，在絕緣層11上得到數(shù)個(gè)并行排列的溝槽12，溝槽12使絕緣層形11成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面111、121，且相鄰兩平面的高度不同。其中，采用半色調(diào)光罩30間隔曝光光刻膠，半色調(diào)光罩為具有間隔分布的透光區(qū)域和不透光區(qū)域的光罩，根據(jù)后續(xù)工藝所需的溝槽的位置，對(duì)光刻膠對(duì)應(yīng)溝槽的部位間隔曝光。此外，絕緣層采用SiO2或者SiNx材料制成。在步驟S3中，具體工藝流程如圖4A-4F，包括如下步驟：步驟S301，在絕緣層11的數(shù)個(gè)平面上淀積金屬層40；步驟S302，在金屬層40上旋涂光刻膠50，間隔曝光光刻膠50，對(duì)曝光后的光刻膠顯影，在金屬層40上對(duì)應(yīng)絕緣層的數(shù)個(gè)平面的位置分別形成第二光刻膠圖形501；步驟S303，以第二光刻膠圖形501作為掩膜板蝕刻金屬層40，剝離光刻膠，得到在絕緣層的數(shù)個(gè)平面上的金屬線13；其中，相鄰兩金屬線的高度不同，金屬線13在絕緣層11上形成能夠增加相鄰兩金屬線線距的具有不同高度的排版。其中，采用半色調(diào)光罩60間隔曝光光刻膠，半色調(diào)光罩為具有間隔分布的透光區(qū)域和不透光區(qū)域的光罩，根據(jù)后續(xù)工藝所需的金屬線的位置，對(duì)光刻膠對(duì)應(yīng)金屬線的部位間隔曝光。采用本發(fā)明實(shí)施方式的金屬線排版結(jié)構(gòu)的制備方法，于絕緣層上使用半色調(diào)的方式使絕緣層表面形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，然后將金屬線交替制作在這些平面上，以增加相鄰兩金屬線線距。本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及一種金屬線排版結(jié)構(gòu)的制作方法，本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式大致相同，具體區(qū)別在，步驟S2的具體步驟有所不同，具體為：步驟S201’，間隔曝光絕緣層，對(duì)曝光后的絕緣層顯影，形成具有不同高度的第一光刻膠圖形；步驟S202’，對(duì)第一光刻膠圖形進(jìn)行背烘，固化第一光刻膠圖形，在絕緣層上得到數(shù)個(gè)并行排列的溝槽，溝槽使絕緣層形成具有不同高度的數(shù)個(gè)平面，且相鄰兩平面的高度不同。其中，采用半色調(diào)光罩間隔曝光絕緣層，絕緣層采用有機(jī)光刻膠材料制成，半色調(diào)光罩為具有間隔分布的透光區(qū)域和不透光區(qū)域的光罩，根據(jù)后續(xù)工藝所需的溝槽的位置，對(duì)絕緣層對(duì)應(yīng)溝槽的部位間隔曝光。本實(shí)施方式直接采用有機(jī)光刻膠材料涂布一定厚度形成絕緣層，進(jìn)而省略了采用其他材料作為絕緣層，再采用光刻膠，后續(xù)還要?jiǎng)冸x光刻膠的過程，節(jié)約了成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及一種端子部，應(yīng)用于顯示器中，該端子部的外圍區(qū)域包括上述第一實(shí)施方式中的金屬線排版結(jié)構(gòu)。采用本實(shí)施方式的端子部，應(yīng)用于顯示器陣列制程中，使端子部外圍區(qū)域的金屬線排版密度降低，從而增加外圍區(qū)域的設(shè)計(jì)空間，且工藝簡(jiǎn)單、成本低。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。