高速高精度源極跟隨電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種高速高精度源極跟隨電路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源極連接直流電源VAA，柵極連接輸入電壓VIN，漏極連接輸出端；所述第二PMOS管2的源極與直流電源VAA連接，柵極與輸入電壓VIN連接，漏極連接輸出端；所述第一PMOS源極上并聯(lián)有輸出電壓VOUT。這種高速高精度源極跟隨電路使PMOS管的輸出阻抗對低頻電壓的影響變小，低頻電壓增益變大，線性度好。
【專利說明】 高速高精度源極跟隨電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種源極跟隨電路，尤其涉及一種高速高精度源極跟隨電路。
【背景技術(shù)】
[0002]緩沖電路一般是指需要驅(qū)動大的負(fù)載的時候，往往用一個緩沖電路來驅(qū)動。該電路將輸入信號的波形傳遞到輸出上，并輸出足夠的電流來驅(qū)動輸出點的電容和電阻負(fù)載。衡量緩沖的性能指標(biāo)主要有帶寬、線性度、低頻電壓增益，輸出電壓和輸入電壓越接近越好，期望增益為I。而源極跟隨電路已被廣泛的運用到緩沖中。
[0003]如附圖1所示一種現(xiàn)有的源極跟隨電路，其主要缺點是，低頻增益為0.8-0.9左右，對高精度的緩沖不適用，輸入到輸出有直流電壓降，線性度比較差，并且依賴于輸入電壓和電壓空間。
[0004]為了解決直流壓降的問題，可以使用兩級源級跟隨電路如附圖2和附圖3所示，但是這種情況下的低頻增益為兩級的低頻增益的乘積，只有0.7左右。
[0005]當(dāng)工藝提供兩種不同的閾值電壓的MOS管時，可以使用附圖4所示電路提高增益。Ml為閾值電壓較高的MOS管，M2為閾值電壓較低的MOS管。Ml和M2的閾值電壓差為Ml的源漏級電壓。由于M1，M2的閾值電壓差為基本不隨輸入電壓變化，Ml的源漏級電壓也基本不隨輸入電壓變化，導(dǎo)致Ml管的輸出阻抗對低頻電壓的影響變小，低頻電壓增益變大。主要缺點是工藝需要兩種不同的閾值電壓，且這種工藝比較昂貴。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種能夠使低頻電壓增益變大的高速高精度源極跟隨電路。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種高速高精度源極跟隨電路，包括第一 PMOS管和第二 PMOS管，所述第一 PMOS管的源極連接直流電源VAA，柵極連接輸入電壓VIN，漏極連接輸出端；所述第二 PMOS管2的源極與直流電源VAA連接，柵極與輸入電壓VIN連接，漏極連接輸出端。
[0008]優(yōu)選的，所述第一 PMOS源極上并聯(lián)有輸出電壓V0UT。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益之處是:這種高速高精度源極跟隨電路使PMOS管的輸出阻抗對低頻電壓的影響變小，低頻電壓增益變大，線性度好。
[0010]【專利附圖】
【附圖說明】:
[0011]下面結(jié)合附圖對本實用新型進(jìn)一步說明。
[0012]圖1是已有的源級跟隨電路結(jié)構(gòu)不意圖；
[0013]圖2、圖3是已有的兩級源級跟隨電路結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]圖4是采用兩種閾值電壓的源級跟隨電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5是本實用新型高速高精度源極跟隨電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中:1、第一PMOS 管；2、第二 PMOS 管。[0017]【具體實施方式】:
[0018]下面結(jié)合附圖及【具體實施方式】對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)描述:
[0019]圖5所示一種高速高精度源極跟隨電路，包括第一PMOS管I和第二PMOS管2，所述第一 PMOS管I的源極連接直流電源VAA，且源極上還并聯(lián)有輸出電壓V0UT，所述第一 PMOS管I柵極連接輸入電壓VIN，漏極連接輸出端；所述第二 PMOS管2的源極與直流電源VAA連接，柵極與輸入電壓VIN連接，漏極連接輸出端。
[0020]這種高速高精度源極跟隨電路使第一 PMOS管I的源漏級電壓差約為第一 PMOS管I的閾值電壓加上第二PMOS管2的閾值電壓，基本和輸入電壓無關(guān)，輸出阻抗對低頻電壓的影響變小，低頻電壓增益變大，線性度好。
[0021]需要強調(diào)的是:以上僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高速高精度源極跟隨電路，其特征在于:包括第一 PMOS管(I)和第二 PMOS管(2)，所述第一 PMOS管(I)的源極連接直流電源(VAA)，柵極連接輸入電壓(VIN)，漏極連接輸出端；所述第二 PMOS管(2)的源極與直流電源(VAA)連接，柵極與輸入電壓(VIN)連接，漏極連接輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速高精度源極跟隨電路，其特征在于:所述第一PMOS管(I)源極上并聯(lián)有輸出電壓(V0UT)。
【文檔編號】H03K19/094GK203406848SQ201320529298
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】劉雄 申請人:蘇州蘇爾達(dá)信息科技有限公司