49s石英晶體諧振器的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開并提供了一種能降低激勵(lì)電平相關(guān)性、提高產(chǎn)品良品率和產(chǎn)品可靠性的49S石英晶體諧振器的制備方法。該方法包括以下步驟：a、通過研磨機(jī)對石英晶片進(jìn)行研磨；b、根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算出返回頻率，根據(jù)返回頻率得出合適的腐蝕頻率后，利用酸性溶液對研磨后的石英晶片進(jìn)行腐蝕；c、在低真空條件下，采用氮離子對石英晶片的進(jìn)行轟擊，清潔石英晶片的表面；d；通過石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來確定膜層厚度之后進(jìn)行鍍膜，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到規(guī)定范圍；e、將鍍膜后的石英晶片裝在基座上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠并高溫固化；f、使用干式清洗裝置對石英晶片上的異物進(jìn)行進(jìn)一步掃除。
【專利說明】49S石英晶體諧振器的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種49S石英晶體諧振器的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石英晶體諧振器又稱石英晶體，是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元件，其與半導(dǎo)體器件和阻容元件一起使用，構(gòu)成石英晶體振蕩器。石英晶體振蕩器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車等各類振蕩電路中，以及通訊系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。在集成電路板上經(jīng)常會(huì)用到49S石英晶體諧振器，這類石英晶體諧振器在不同的電激勵(lì)下，體現(xiàn)不同的電阻值，激勵(lì)電平相關(guān)性值偏高，則晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的，會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩、嚴(yán)重?zé)犷l漂、過應(yīng)力頻漂及電阻突變，當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服，工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定，造成在不同的電路使用環(huán)境下，不良率超lOOppm，這就存在著一定的不足之處。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能降低激勵(lì)電平相關(guān)性、提聞廣品良品率和廣品可罪性的49S石英晶體諧振器的制備方法。
[0004]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:本發(fā)明包括以下步驟:
a.通過研磨機(jī)對石英晶片進(jìn)行研磨；
b.根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算出返回頻率，根據(jù)返回頻率得出合適的腐蝕頻率后，利用酸性溶液對研磨后的石英晶片進(jìn)行腐蝕；
c.在低真空條件下，采用氮離子對石英晶片的表面進(jìn)行轟擊，清潔石英晶片的表面；
d.通過石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來確定膜層厚度之后進(jìn)行鍍膜，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到規(guī)定范圍；
e.將鍍膜后的石英晶片裝在基座上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠并高溫固化；
f.使用干式清洗裝置對石英晶片上的異物進(jìn)行進(jìn)一步掃除；
進(jìn)一步的，所述方法還包括:
g.采用氬離子轟擊晶體表面的電極，將多余的膜層材料打下來；
h.將基座與外殼放置在充滿氮?dú)獾沫h(huán)境中進(jìn)行封焊。
[0005]進(jìn)一步的，所述步驟h中的封焊方式為電阻焊或滾邊焊或玻璃焊。
[0006]進(jìn)一步的，所述步驟b與所述步驟c之間還可以用清水對腐蝕過的石英晶片進(jìn)行清洗并烘干。
[0007]進(jìn)一步的,所述步驟b中的返回頻率為Δ=2*ρ e* ζ e/p *Tf,式中；P e為電極金屬的密度、Ce單面電極的厚度、P為水晶的密度、Tf為腐蝕后石英片的厚度。
[0008]進(jìn)一步的，所述步驟b中的酸性溶液為HF溶液或NH4HF2溶液中的至少一種，所述酸性溶液的工作溫度為65°C。[0009]進(jìn)一步的,所述步驟c中的低真空條件是指Ipa?2pa。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明增加了晶片在鍍膜前的離子轟擊，去除水晶片表面的異物，改善銀層和水晶片的附著力，以及增加微調(diào)前的電清洗，去除鍍膜銀層和微調(diào)銀層之間的異物，減小水晶振動(dòng)是的能量損耗，降低晶體諧振器電阻值和DLD值，提高了產(chǎn)品良品率和產(chǎn)品可靠性，有很好的實(shí)際意義。
【具體實(shí)施方式】
[0011 ] 下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0012]本發(fā)明公開的49S石英晶體諧振器的制備方法包括以下步驟:
a.通過研磨機(jī)對石英晶片進(jìn)行研磨，部分產(chǎn)品還可進(jìn)行倒角處理；
b.根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算出返回頻率，返回頻率為Δ=2*ρe* ζ e/p *tF,式中，P e為電極金屬的密度、(e單面電極的厚度、P為水晶的密度、Tf為腐蝕后石英片的厚度，根據(jù)返回頻率得出合適的腐蝕頻率后，利用酸性溶液對研磨后的石英晶片進(jìn)行腐蝕，所述酸性溶液為HF溶液或NH4HF2溶液中的至少一種，所述酸性溶液的工作溫度為65°C，用清水對腐蝕過的石英晶片進(jìn)行清洗并烘干；
c.在lpa?2pa的低真空條件下，采用氮離子轟擊機(jī)對石英晶片的進(jìn)行轟擊，清潔石英晶片的表面，去除石英晶片表面的異物，改善銀層和水晶片的附著力；
d.通過石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來確定膜層厚度之后進(jìn)行鍍膜，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到規(guī)定范圍；
e.將鍍膜后的石英晶片裝在基座上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠并高溫固化；
f.使用干式清洗裝置對石英晶片上的異物進(jìn)行進(jìn)一步掃除；
g.采用氬離子轟擊機(jī)轟擊晶體表面的電極，將多余的膜層材料打下來；
h.將基座與外殼放置在充滿氮?dú)獾沫h(huán)境中進(jìn)行封焊，所述封焊方式可以是電阻焊或滾邊焊或玻璃焊。
[0013]本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于49S晶體諧振器的生產(chǎn)制造領(lǐng)域。
【權(quán)利要求】
1.一種49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:它包括以下步驟: 通過研磨機(jī)對石英晶片進(jìn)行研磨； 根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算出返回頻率，根據(jù)返回頻率得出合適的腐蝕頻率后，利用酸性溶液對研磨后的石英晶片進(jìn)行腐蝕； 在低真空條件下，采用氮離子對石英晶片的表面進(jìn)行轟擊，清潔石英晶片的表面； 通過石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來確定膜層厚度之后進(jìn)行鍍膜，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到規(guī)定范圍； 將鍍膜后的石英晶片裝在基座上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠并高溫固化； 使用干式清洗裝置對石英晶片上的異物進(jìn)行進(jìn)一步掃除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述方法還包括: 采用氬離子轟擊晶體表面的電極，將多余的膜層材料打下來； 將基座與外殼放置在充滿氮?dú)獾沫h(huán)境中進(jìn)行封焊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述步驟h中的封焊方式為電阻焊或滾邊焊或玻璃焊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述步驟b與所述步驟c之間還包括用清水對腐蝕過的石英晶片進(jìn)行清洗并烘干的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述步驟b中的返回頻率為Δ=2*ρ e* ζ e/p * Tf,式中；P e為電極金屬的密度、ζ e單面電極的厚度、P為水晶的密度、Tf為腐蝕后石英片的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述步驟b中的酸性溶液為HF溶液或NH4HF2溶液中的至少一種，所述酸性溶液的工作溫度為 65。。。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于:所述步驟c中的低真空條件是指lpa?2pa。
【文檔編號(hào)】H03H3/02GK103701424SQ201310721025
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】田峰 申請人:珠海東精大電子科技有限公司