專利名稱：雙槽恒溫晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體振蕩器，尤其涉及一種體積小、低功耗、高穩(wěn)定的雙槽恒溫晶體振蕩器。
背景技術(shù)：
晶體振蕩器即石英晶體振蕩器，其是一種聞精度和聞穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器，為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。國際電工委員會(huì)(IEC)將石英晶體振蕩器分為4類:普通晶體振蕩(SPX0)，電壓控制式晶體振蕩器(VCX0)，溫度補(bǔ)償式晶體振蕩(TCX0)，恒溫控制式晶體振蕩(0CX0)。目前發(fā)展中的還有數(shù)字補(bǔ)償式晶體損振蕩(DCXO)微機(jī)補(bǔ)償晶體振蕩器(MCXO)等等。晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振(諧振)的英文名稱不同，無源晶振為crystal (晶體),而有源晶振則叫做oscillator (振蕩器)。無源晶振需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無法振蕩起來，所以“無源晶振”這個(gè)說法并不準(zhǔn)確；有源晶振是一個(gè)完整的諧振振蕩器。石英晶體振蕩器與石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的一種電子器件。石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC共同作用來工作的。振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器工作時(shí)一般需要提供3.3V電壓來維持工作。振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要技術(shù)參數(shù):諧振電阻(RR)，諧振器沒有電阻要求。目前，業(yè)內(nèi)常用的雙槽晶體振蕩器有以下兩種:一、雙密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器如圖1所示，此晶體振蕩器包括內(nèi)電路板10、外電路板20、晶體30、內(nèi)槽40、外槽50、內(nèi)加熱管60以及外加熱管70，外電路板20上設(shè)置外槽50，在外槽50外圍、外電路板20上設(shè)置外加熱管70，在外槽50內(nèi)且平行于外電路板20設(shè)置內(nèi)電路板10，內(nèi)電路板10采用引針與該外電路板20電連接，在內(nèi)電路板10遠(yuǎn)離外電路板20的一側(cè)設(shè)置內(nèi)槽40，在內(nèi)槽40外圍、內(nèi)電路板10上設(shè)置內(nèi)加熱管60，在內(nèi)槽40內(nèi)、內(nèi)電路板10上固定設(shè)置晶體30。此晶體振蕩器不僅體積大，其目前能加工的最小尺寸(長X寬X高)為50.8mmX 50.8mmX 16mm，其加熱面積也很大，因?yàn)榫w30與內(nèi)槽40以及外槽50之間還具較大的空間，使得內(nèi)加熱管60和外加熱管70在加熱過程中，熱量需要一定時(shí)間才能傳遞到晶體30上，由于整個(gè)晶體振蕩器的體積較大，熱量還容易散失，致使整個(gè)晶體振蕩器的功耗加大，即能源消耗量增大。二、單密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器如圖2所示，此晶體振蕩器包括內(nèi)電路板100、外電路板200、晶體300、加熱槽400、內(nèi)加熱管500以及外加熱管600，外電路板200上設(shè)置加熱槽400，在加熱槽400外圍、外電路板200上設(shè)置外加熱管600，在加熱槽400內(nèi)且平行于外電路板200設(shè)置內(nèi)電路板100，內(nèi)電路板100采用引針與該外電路板200電連接，在內(nèi)電路板100遠(yuǎn)離外電路板200的一側(cè)固定設(shè)置晶體300，在晶體300 —側(cè)、內(nèi)電路板100上設(shè)置內(nèi)加熱管500。此晶體振蕩器雖然比雙密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器的體積略小，但是其加熱面積也很大，因?yàn)榫w300的一側(cè)設(shè)置內(nèi)加熱管500，然后晶體300和內(nèi)加熱管500全部密封設(shè)置在加熱槽400內(nèi)，加熱槽400需要有較大的體積才能容納晶體300和內(nèi)加熱管500，而且內(nèi)加熱管500和外加熱管600在加熱過程中，熱量需要一定時(shí)間才能傳遞到晶體300上，由于整個(gè)晶體振蕩器的體積較大，熱量還容易散失，致使整個(gè)晶體振蕩器的功耗加大，即能源消耗量增大?？v觀現(xiàn)有技術(shù)的雙槽恒溫晶體振蕩器，其存在共同的缺陷，即，體積大，加熱功率大，功耗大，穩(wěn)定速度慢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的，在于提供一種雙槽恒溫晶體振蕩器，其具有體積小，加熱面積小，加熱功率小，功耗小，穩(wěn)定速度快的優(yōu)點(diǎn)。為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種雙槽恒溫晶體振蕩器，包括外電路板、內(nèi)電路板、外加熱槽、外發(fā)熱器件以及晶體，所述外加熱槽設(shè)置于所述外電路板上，所述外加熱槽外圍、所述外電路板上設(shè)置所述外發(fā)熱器件，所述外加熱槽內(nèi)并平行于所述外電路板設(shè)置所述內(nèi)電路板，所述內(nèi)電路板通過引針與所述外電路板電連接，所述內(nèi)電路板遠(yuǎn)離所述外電路板的一側(cè)設(shè)置所述晶體，所述晶體外圍纏繞用于加熱所述晶體的發(fā)熱絲，所述纏繞的發(fā)熱絲內(nèi)部的空間與所述內(nèi)電路板形成容納所述晶體的內(nèi)加熱槽，所述纏繞的發(fā)熱絲形成內(nèi)發(fā)熱器件。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述晶體外圍至少纏繞一圈所述加熱絲。發(fā)熱絲的纏繞圈數(shù)越多，可以使晶體被加熱的速度越快，熱損耗越小，但是發(fā)熱絲的纏繞圈數(shù)也不是越多越好，要根據(jù)實(shí)際的晶體大小以及需要來確定其最佳的纏繞圈數(shù)。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述晶體外圍纏繞四圈所述加熱絲。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述晶體外圍至所述內(nèi)電路板邊緣的距離小于或者等于所述內(nèi)電路板的厚度的兩倍。采用此種設(shè)計(jì)是為了使內(nèi)電路板的尺寸盡可能的縮小到與晶體的尺寸相配合，并為縮小整個(gè)雙槽恒溫晶體振蕩器做準(zhǔn)備。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述內(nèi)電路板邊緣至所述外加熱槽內(nèi)壁的距離小于或者等于所述內(nèi)電路板的厚度。采用此種設(shè)計(jì)是為了使外加熱槽的尺寸盡可能的縮小到與內(nèi)電路板的尺寸相配合，也是為縮小整個(gè)雙槽恒溫晶體振蕩器做準(zhǔn)備。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述晶體為圓柱形、方形或者異形，對應(yīng)的所述內(nèi)電路板為圓形板、方形板或者異形板，所述外加熱槽為圓形槽、方形槽或者異形槽。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述外加熱槽采用金屬制成。優(yōu)選的，所述外加熱槽采用銅制成。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述外發(fā)熱器件為加熱管。作為雙槽恒溫晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述外發(fā)熱器件為MOS管、單三極管、達(dá)林頓管中的任意一種。其中，MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬一絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。MOS管與二極管和三極管不同，二極管只能通過正向電流，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的，MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的，容易驅(qū)動(dòng)，但是價(jià)格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應(yīng)管。單三極管即單極性三極管，其只有一種載流子導(dǎo)電(空穴或者電子)，它是一種電壓控制器件，即用輸入電壓控制輸出電流。單極性三極管(場效應(yīng)管)有兩種類型:第一種，結(jié)型場效應(yīng)管IFET ;第二種，絕緣柵場效應(yīng)管IGFET。達(dá)林頓管是一重復(fù)合三極管，他將兩個(gè)三極管串聯(lián)，第一個(gè)管子的發(fā)射極接第2個(gè)管子的基極，所以達(dá)林頓管的放大倍數(shù)是兩個(gè)三極管放大倍數(shù)的乘積。所以它的特點(diǎn)是放大倍數(shù)非常高，達(dá)林頓管的作用一般是在高靈敏的放大電路中放大非常微小的信號(hào)。對比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果為:通過在晶體外圍纏繞發(fā)熱絲，不僅可以減少晶體和內(nèi)電路板在外加熱槽內(nèi)的占用面積，還能縮小整個(gè)雙槽晶體振蕩器的加熱面積，使加熱效率大大加快，進(jìn)一步的使裝置的穩(wěn)定速度也加快；將內(nèi)電路板的尺寸盡量縮小到與晶體的尺寸配合，以及將外加熱槽的尺寸縮小到與內(nèi)電路板的尺寸配合，是為了縮小外加熱槽與晶體之間的空間，進(jìn)一步的縮小整個(gè)雙槽恒溫晶體振蕩器的體積，并且晶體與外加熱槽之間的空間縮小，使得加熱面積縮小，散熱速度減慢，達(dá)到低功耗、高穩(wěn)定的目的。


圖1為現(xiàn)有的雙密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的單密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)施例所述的雙槽恒溫晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1 中:10、內(nèi)電路板；20、外電路板；30、晶體；40、內(nèi)槽；50、外槽；60、內(nèi)加熱管；70、外加熱管。圖2 中:100、內(nèi)電路板;200、外電路板;300、晶體;400、加熱槽;500、內(nèi)加熱管;600、外加熱管。圖3 中:1、內(nèi)電路板；2、外電路板；3、晶體；4、外加熱槽；5、外發(fā)熱器件；6、發(fā)熱絲。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式
來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖3所示，此實(shí)施例中的雙槽恒溫晶體振蕩器，包括外電路板2、內(nèi)電路板1、外加熱槽4、外發(fā)熱器件5以及晶體3，外加熱槽4設(shè)置于外電路板2上，外加熱槽4外圍、夕卜電路板2上設(shè)置外發(fā)熱器件5，外加熱槽4內(nèi)并平行于外電路板2設(shè)置內(nèi)電路板1，內(nèi)電路板I通過引針與外電路板2電連接，內(nèi)電路板I遠(yuǎn)離外電路板2的一側(cè)設(shè)置晶體3，晶體3外圍纏繞用于加熱晶體3的發(fā)熱絲6，纏繞的發(fā)熱絲6內(nèi)部的空間與內(nèi)電路板I形成容納晶體3的內(nèi)加熱槽，纏繞的發(fā)熱絲6形成內(nèi)發(fā)熱器件。在本實(shí)施例中，晶體3為圓柱形，對應(yīng)的內(nèi)電路板I為圓形板，外加熱槽4為圓形槽，并且在晶體3外圍纏繞有四圈加熱絲6。外加熱槽4采用金屬制成，在本實(shí)施例中，外加熱槽4可以選用銅制成。外發(fā)熱器件5選用MOS管。晶體3外圍至內(nèi)電路板I邊緣的距離等于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍，內(nèi)電路板I邊緣至外加熱槽4內(nèi)壁的距離等于內(nèi)電路板I的厚度，內(nèi)電路板I與外電路板2之間的距離等于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍。在本實(shí)施例中，此晶體振蕩器的加工尺寸(長X寬X高)為36mmX27mmX 13mm,其加工的尺寸小于目前常用的雙密閉金屬腔體型雙槽恒溫控制晶體振蕩器的最小加工尺寸，這樣不僅可以是晶體振蕩器的材料成本降低，還可以使得含有此晶體振蕩器的電器更加小型化、輕便化。當(dāng)然，晶體3外圍至內(nèi)電路板I邊緣的距離不限于上述實(shí)施例所述的等于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍，還可以小于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍。而內(nèi)電路板I邊緣至外加熱槽4內(nèi)壁的距離也不限于上述實(shí)施例所述的等于內(nèi)電路板I的厚度，還可以小于內(nèi)電路板I的厚度。同樣，內(nèi)電路板I與外電路板2之間的距離也不限于上述實(shí)施例所述的等于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍，還可以小于內(nèi)電路板I的厚度的兩倍。晶體3不限于上述實(shí)施例所述的圓柱形，還可以為方形或者異形。對應(yīng)的內(nèi)電路板也不限于上述實(shí)施例所述的圓形板，還可以為方形板或者異形板。外加熱槽也不限于上述實(shí)施例所述的圓形槽，還可以為方形槽或者異形槽。外加熱槽不限于采用上述實(shí)施例所述的銅制成，還可以采用不銹鋼等金屬材料制成。外發(fā)熱器件不限于采用上述實(shí)施例所述的MOS管，還可以采用單三極管或者達(dá)林頓管。以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。基于此處的解釋，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它具體實(shí)施方式
，這些方式都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙槽恒溫晶體振蕩器，包括外電路板、內(nèi)電路板、外加熱槽、外發(fā)熱器件以及晶體，所述外加熱槽設(shè)置于所述外電路板上，所述外加熱槽外圍、所述外電路板上設(shè)置所述外發(fā)熱器件，所述外加熱槽內(nèi)并平行于所述外電路板設(shè)置所述內(nèi)電路板，所述內(nèi)電路板通過引針與所述外電路板電連接，所述內(nèi)電路板遠(yuǎn)離所述外電路板的一側(cè)設(shè)置所述晶體，其特征在于，所述晶體外圍纏繞用于加熱所述晶體的發(fā)熱絲，所述纏繞的發(fā)熱絲內(nèi)部的空間與所述內(nèi)電路板形成容納所述晶體的內(nèi)加熱槽，所述纏繞的發(fā)熱絲形成內(nèi)發(fā)熱器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體外圍至少纏繞一圈所述加熱絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體外圍纏繞四圈所述加熱絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體外圍至所述內(nèi)電路板邊緣的距離小于或者等于所述內(nèi)電路板的厚度的兩倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述內(nèi)電路板邊緣至所述外加熱槽內(nèi)壁的距離小于或者等于所述內(nèi)電路板的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體為圓柱形、方形或者異形，對應(yīng)的所述內(nèi)電路板為圓形板、方形板或者異形板，所述外加熱槽為圓形槽、方形槽或者異形槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述外加熱槽采用金屬制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述外發(fā)熱器件為加熱管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙槽恒溫晶體振蕩器，其特征在于，所述外發(fā)熱器件為MOS管、單三極管、達(dá)林頓管中的任意一種。
全文摘要
本發(fā)明公開一種雙槽恒溫晶體振蕩器，包括外電路板、內(nèi)電路板、外加熱槽、外發(fā)熱器件以及晶體，所述外加熱槽設(shè)置于所述外電路板上，所述外加熱槽外圍、所述外電路板上設(shè)置所述外發(fā)熱器件，所述外加熱槽內(nèi)并平行于所述外電路板設(shè)置所述內(nèi)電路板，所述內(nèi)電路板通過引針與所述外電路板電連接，所述內(nèi)電路板遠(yuǎn)離所述外電路板的一側(cè)設(shè)置所述晶體，所述晶體外圍纏繞發(fā)熱絲，纏繞的發(fā)熱絲內(nèi)部空間與內(nèi)電路板形成容納晶體的內(nèi)加熱槽，纏繞的發(fā)熱絲形成內(nèi)發(fā)熱器件。通過在晶體外圍纏繞發(fā)熱絲，不僅可以減少晶體和內(nèi)電路板在外加熱槽內(nèi)的占用面積，還能縮小整個(gè)晶體振蕩器的加熱面積，使加熱效率大大提高，進(jìn)一步的使裝置的穩(wěn)定速度也加快。
文檔編號(hào)H03B5/32GK103117704SQ20131001826
公開日2013年5月22日 申請日期2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月17日
發(fā)明者王義峰, 劉朝勝 申請人:廣東大普通信技術(shù)有限公司