具有高電源噪聲抑制的放大器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)了一種具有高電源抑制的放大器。在一示例性實(shí)現(xiàn)中，一種放大器包括：第一級(jí)，其被配置成接收要放大的信號(hào)；第二級(jí)，其包括耦合到第一級(jí)的輸入晶體管且還包括至少一個(gè)附加晶體管；以及電壓調(diào)節(jié)器，其被配置成接收第一供電電壓并生成經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓，第一供電電壓耦合到該至少一個(gè)附加晶體管，經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓耦合到第一級(jí)且耦合到第二級(jí)的輸入晶體管以改善設(shè)備的電源噪聲抑制。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有高電源噪聲抑制的放大器
[0001]優(yōu)先權(quán)要求
[0002]本專(zhuān)利申請(qǐng)要求于2011年6月29日提交且被轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)受讓人并因而被明確援引納入于此的題為 “Amplifier with High Power Supply Rejection Ratio (PSRR)(具有高電源抑制比(PSRR)的放大器)”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第61/502，752號(hào)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益。
[0003]背景
[0004]領(lǐng)域
[0005]本申請(qǐng)一般涉及放大器的工作和設(shè)計(jì)，更具體而言涉及改善放大器的電源噪聲抑制。
[0006]背景
[0007]對(duì)于正在驅(qū)動(dòng)負(fù)載的運(yùn)算放大器而言,G/Η類(lèi)功率放大器會(huì)產(chǎn)生大的供電波動(dòng)。這導(dǎo)致總諧波失真(THD)劣化，除非該運(yùn)算放大器以大電源抑制比(PSRR)為特征。遺憾的是，常規(guī)放大器可能不具有足夠大的PSRR。
[0008]因此期望具有電源噪聲抑制有改善的放大器。
[0009]附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明
[0010]通過(guò)結(jié)合附圖參照以下描述，本文所描述的以上方面將變得更易于明白，附圖中:
[0011]圖1示出常規(guī)放大器，其解說(shuō)電源噪聲如何耦合到該放大器的輸出中；
[0012]圖2示出具有改善的電源噪聲抑制的示例性放大器；
[0013]圖3示出用在各種示例性實(shí)施例中的示例性低壓差電壓調(diào)節(jié)器；
[0014]圖4示出解說(shuō)示例性實(shí)施例所提供的電源噪聲抑制的改善的示例性圖表；以及
[0015]圖5示出被配置用于實(shí)現(xiàn)改善的電源噪聲抑制的示例性放大器設(shè)備。
[0016]詳細(xì)描述
[0017]下面結(jié)合附圖闡述的詳細(xì)描述旨在作為對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述，而非旨在代表可在其中實(shí)踐本發(fā)明的僅有實(shí)施例。貫穿本描述使用的術(shù)語(yǔ)“示例性”意指“用作示例、實(shí)例或解說(shuō)”，并且不應(yīng)一定解釋成優(yōu)于或勝于其它示例性實(shí)施例。本詳細(xì)描述包括具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的透徹理解。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是，沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)踐本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在一些實(shí)例中，公知的結(jié)構(gòu)和器件以框圖形式示出以免湮沒(méi)本文中給出的示例性實(shí)施例的新穎性。
[0018]圖1示出常規(guī)放大器100，其解說(shuō)了電源噪聲如何耦合到該放大器的輸出中。放大器100包括第一級(jí)102，該第一級(jí)102耦合到第二級(jí)104，該第二級(jí)104耦合到產(chǎn)生放大器輸出信號(hào)(Vout)的輸出級(jí)106。第一級(jí)102接收用于放大的輸入信號(hào)并且包括增益塊Gml和電容器Ce。第二級(jí)104包括晶體管M1-M6，并且輸出級(jí)106包括晶體管T1-T2。塊β是被認(rèn)為在所標(biāo)識(shí)的放大器各級(jí)之外的反饋因子。晶體管Μ4、Μ5和Μ6在它們的柵極端分別接收偏置信號(hào)VB4、Vb5和VB6。
[0019]負(fù)供電電壓(Vneg)稱(chēng)合到所有各級(jí)。遺憾的是，Vneg供電的PSRR受限于放大器100的帶寬。例如，在某些情況下，晶體管Ml的柵極被強(qiáng)制為Vneg供電電平。由此，根據(jù)下式(I), Vneg向Vout的稱(chēng)合約等于第一級(jí)增益的倒數(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 第一級(jí)，其被配置成接收要放大的信號(hào)； 第二級(jí)，其包括耦合到所述第一級(jí)的輸入晶體管，且還包括至少一個(gè)附加晶體管；以及 電壓調(diào)節(jié)器，其被配置成接收第一供電電壓并生成經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓，所述第一供電電壓耦合到所述至少一個(gè)附加晶體管，所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓耦合到所述第一級(jí)且耦合到所述第二級(jí)的所述輸入晶體管以改善所述設(shè)備的電源噪聲抑制。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，還包括耦合到所述第一供電電壓的輸出級(jí)。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓耦合到所述第二級(jí)的所述輸入晶體管的源極端。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一級(jí)包括耦合到電容器的增益塊。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述電壓調(diào)節(jié)器包括低壓差電壓調(diào)節(jié)器。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一供電電壓和所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓包括負(fù)供電電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述電壓調(diào)節(jié)器提供改善所述設(shè)備的電源噪聲抑制的電源噪聲抑制特性(LDO_PSR)。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備的電源噪聲抑制改善了(1/LD0_PSR)倍。
9.一種設(shè)備,包括: 用于提供被配置成接收要放大的信號(hào)的第一級(jí)的裝置； 用于提供耦合到所述第一級(jí)的第二級(jí)的裝置；以及 用于從第一供電電壓生成經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓的裝置，所述第一供電電壓耦合到所述第二級(jí)且所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓耦合到所述第一級(jí)和所述第二級(jí)以改善所述設(shè)備的電源噪聲抑制。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，還包括用于提供耦合到所述第一供電電壓的輸出級(jí)的裝置。
11.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于生成的裝置包括低壓差電壓調(diào)節(jié)器。
12.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一供電電壓和所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓包括負(fù)供電電壓。
13.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于生成的裝置提供改善所述設(shè)備的電源噪聲抑制的電源噪聲抑制特性。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備的電源噪聲抑制改善的倍數(shù)等于所述用于生成的裝置的所述電源噪聲抑制特性的倒數(shù)。
15.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述經(jīng)調(diào)節(jié)的供電電壓耦合到所述第二級(jí)的輸入晶體管的源極端。
【文檔編號(hào)】H03F1/30GK103597740SQ201280027510
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月29日
【發(fā)明者】V·翰納瑟卡蘭 申請(qǐng)人:高通股份有限公司