數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及其源極驅(qū)動芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，用于一液晶顯示器的一源極驅(qū)動芯片中，包括有一輸出端，用來輸出一輸出電壓；多個接收端，用來接收多個伽瑪電壓；以及多個傳輸路徑，分別包括有多個第一型晶體管耦接于該多個接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)一數(shù)字選擇信號，輸出該多個伽瑪電壓當(dāng)中一者做為該輸出電壓；其中，接收該多個伽瑪電壓中最接近一中間電壓的一第一伽瑪電壓的一第一接收端所對應(yīng)的一第一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
【專利說明】數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及其源極驅(qū)動芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(digital to analog converter,DAC)及其源極驅(qū)動芯片，尤指一種可在多種產(chǎn)品應(yīng)用中實時輸出伽瑪電壓至顯示器以避免顯示異常的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及其源極驅(qū)動芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]一般來說，在液晶顯示器的源極驅(qū)動芯片中，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(digital toanalog converter, DAC)會根據(jù)一數(shù)字選擇信號，由多個伽瑪電壓選擇一適當(dāng)伽瑪電壓(Gamma voltage)輸出至輸出級，以正確驅(qū)動面板進(jìn)行灰階顯示。其中，為了避免一直使用同一極性電壓(如正極性或負(fù)極性)不斷地驅(qū)動液晶分子，而降低液晶分子對光線的偏振或折射效果，造成畫面顯示的質(zhì)量惡化，因此公知技術(shù)已公開將伽瑪電壓分為正極性伽瑪電壓與負(fù)極性伽瑪電壓，以反轉(zhuǎn)極性對液進(jìn)行驅(qū)動。
[0003]詳細(xì)來說，請參考圖1，圖1為伽瑪電壓的示意圖。如圖1所示，大于中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓為正極性伽瑪電壓，可將液晶分子驅(qū)動在正極性；而小于中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓為負(fù)極性伽瑪電壓，可將液晶分子驅(qū)動在負(fù)極性，即中間電壓VDDA/2為多個正伽瑪電壓與多個負(fù)伽瑪電壓的一中間值，其中不同數(shù)字選擇信號DSS可對應(yīng)不同大小的伽瑪電壓(即可造成不同程度的灰階)。
[0004]在此情況下，請參考圖2A，圖2A為一源極驅(qū)動芯片20的示意圖。如圖2A所示，一正伽瑪電壓產(chǎn)生器202可產(chǎn)生正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[n]予一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206，使其根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS選擇正極性伽瑪電壓VP [0]?VP [η]當(dāng)中一者作為一輸出電壓VOUTP予輸出緩沖器(buffer) 210或212，以驅(qū)動面板進(jìn)行灰階顯示；相似地，一負(fù)伽瑪電壓產(chǎn)生器204可產(chǎn)生負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]予一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208，使其根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS選擇負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]當(dāng)中一者作為一輸出電壓VOUTN予輸出緩沖器210或212，以驅(qū)動面板進(jìn)行灰階顯示。
[0005]在此結(jié)構(gòu)下，請參考圖2B及圖2C，圖2B及圖2C分別為圖2A中P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206及N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的部分電路示意圖。圖2B及圖2C僅繪示P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206及N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208中相關(guān)于正極性伽瑪電壓VP [0]?VP [η]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]中最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP[n-3]?VP[n]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[n-3]?VN[η]部分的電路以說明其結(jié)構(gòu)與操作，其中，負(fù)極性伽瑪電壓VN[η]與正極性伽瑪電壓VP [η]最接近中間電壓VDDA/2。
[0006]如圖2Β及圖2C所示，相較于其它數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器全部使用邏輯閘作為開關(guān)以選擇輸出輸出電壓V0UTP，源極驅(qū)動芯片20可利用兩傳輸路徑的極性差異，將P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206全部使用P型晶體管作為開關(guān)以選擇輸出輸出電壓V0UTP，而將N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208全部使用N型晶體管作為開關(guān)以選擇輸出輸出電壓V0UTN，以達(dá)到將數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206、208的面積減半的效果。
[0007]詳細(xì)來說，晶體管的導(dǎo)通電阻值與其過驅(qū)電壓(overdrive voltage)成逆相關(guān)，當(dāng)過驅(qū)電壓上升，晶體管導(dǎo)通電阻下降，反之晶體管導(dǎo)通電阻上升，其中，過驅(qū)電壓值為晶體管閘源極電壓差與臨界電壓(threshold voltage)之間差值(即Vgs-Vt)。在此情況下,對全部使用P型晶體管作為開關(guān)的P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206而言，當(dāng)輸入伽瑪電壓值較高時，閘源極電壓差較大而過驅(qū)電壓上升使得導(dǎo)通電阻具有較低的電阻值，因此適用對正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[n]進(jìn)行選擇輸出(其愈來愈高于中間電壓VDDA/2);相似地，對全部使用N型晶體管作為開關(guān)的N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208而言，當(dāng)輸入伽瑪電壓值較低時，閘源極電壓差較大而過驅(qū)電壓上升使得導(dǎo)通電阻具有較低的電阻值，因此適用于對負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]進(jìn)行選擇輸出(其愈來愈低于中間電壓VDDA/2)。
[0008]另一方面，以P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206為例說明對伽瑪電壓進(jìn)行選擇輸出的操作，數(shù)字選擇信號 DSS 包括有選擇信號 SELB [n]、SEL [η]、SELB [n+1]、SEL [n+1]、SELB [n+2]，選擇信號SELB[n]可為二元數(shù)字碼而選擇信號SEL[n]為選擇信號SELB[n]的反相信號，其余可依此類推。在此情形下，選擇信號SELB[n]、SEL[η]可控制同時導(dǎo)通P型晶體管ΜΡ1、ΜΡ3或P型晶體管ΜΡ2、ΜΡ4，選擇信號SELB [n+1] ,SEL [n+1]可控制導(dǎo)通P型晶體管MP5或MP6，選擇信號SELB[n+2]可控制是否導(dǎo)通P型晶體管MP7(因還需與正極性伽瑪電壓VP[n_7]?VP[n-4]進(jìn)行選擇輸出)。在此情形下，通過數(shù)字選擇信號DSS中一連串二元數(shù)字碼選擇控制，可導(dǎo)通正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[n]當(dāng)中一者與輸出電壓VOUTP的傳輸路徑，以將其作為輸出電壓VOUTP輸出(如導(dǎo)通P型晶體管MP4、MP6、MP7及其后續(xù)P型晶體管以形成正極性伽瑪電壓VP[n]與輸出電壓VOUTP之間的一傳輸路徑P1)。
[0009]相似地，在N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208中，也可通過數(shù)字選擇信號DSS中一連串二元數(shù)字碼選擇控制，可導(dǎo)通負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]當(dāng)中一者與輸出電壓VOUTN的傳輸路徑，以將其作為輸出電壓VOUTN輸出(如導(dǎo)通N型晶體管MN4、MN6、麗7形成負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]與輸出電壓VOUTN之間的一傳輸路徑NI)。上述通過一連串二元數(shù)字碼進(jìn)行選擇輸出的操作為本領(lǐng)域具通常技術(shù)者所熟知。
[0010]然而，隨著分辨率的提升，傳輸路徑上的晶體管數(shù)目增加，使得傳輸路徑上的導(dǎo)通電阻也隨之增加，傳輸時間因此變長，因此在高畫面更新率等多種產(chǎn)品應(yīng)用時，無法實時傳輸數(shù)據(jù)，導(dǎo)致畫面的顯示異常。以N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208為例，當(dāng)傳輸路徑上的N型晶體管數(shù)目增多，且負(fù)極性伽瑪電壓增高而過驅(qū)電壓降低時(如最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]及其傳輸路徑NI)，此時單位N型晶體管的導(dǎo)通電阻增加，而傳輸路徑上的串聯(lián)導(dǎo)通電阻數(shù)目也增加，使得傳輸路徑上的時間常數(shù)增大，導(dǎo)致信號未能及時輸出。相似地，P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206中最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP [η]及其傳輸路徑Pl也有相同問題。有鑒于此，公知技術(shù)實有改進(jìn)的必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]因此，本發(fā)明的主要目的即在于提供一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及其源極驅(qū)動芯片，尤指一種可在多種產(chǎn)品應(yīng)用中實時輸出伽瑪電壓至顯示器以避免顯示異常的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及其源極驅(qū)動芯片。
[0012]本發(fā)明公開一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，用于一液晶顯示器的一源極驅(qū)動芯片中。該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器包括有一輸出端，用來輸出一輸出電壓；多個接收端，用來接收多個伽瑪電壓；以及多個傳輸路徑，分別包括有多個第一型晶體管耦接于該多個接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)一數(shù)字選擇信號，輸出該多個伽瑪電壓當(dāng)中一者做為該輸出電壓；其中，接收該多個伽瑪電壓中最接近一中間電壓的一第一伽瑪電壓的一第一接收端所對應(yīng)的一第一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
[0013]本發(fā)明還公開一種源極驅(qū)動芯片，用于一液晶顯示器中。該源極驅(qū)動芯片包括有至少一伽瑪電壓產(chǎn)生器，分別用來產(chǎn)生多個伽瑪電壓；至少一輸出緩沖器，分別用來以一輸出電壓進(jìn)行驅(qū)動；以及至少一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器。各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器包括有一輸出端，用來輸出該輸出電壓；多個接收端，用來接收該多個伽瑪電壓；以及多個傳輸路徑，分別包括有多個第一型晶體管耦接于該多個接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)一數(shù)字選擇信號，輸出該多個伽瑪電壓當(dāng)中一者做為該輸出電壓；其中，接收該多個伽瑪電壓中最接近一中間電壓的一第一伽瑪電壓的一第一接收端所對應(yīng)的一第一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
[0014]在此配合下列圖示、實施例的詳細(xì)說明及權(quán)利要求書，將上述及本發(fā)明的其它目的與優(yōu)點詳述于后。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為伽瑪電壓的示意圖。
[0016]圖2A為一源極驅(qū)動芯片的不意圖。
[0017]圖2B及圖2C分別為圖2A中一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分電路示意圖。
[0018]圖3A及圖3B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中該P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及該N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分電路示意圖。
[0019]圖4A及圖4B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中該P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及該N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的另一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及另一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分電路示意圖。
[0020]圖5A及圖5B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中該P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及該N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的更一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及更一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分電路示意圖。
[0021]圖6為本發(fā)明實施例可取代圖2A中該P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分電路示意圖。
[0022]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0023]20源極驅(qū)動芯片
[0024]202正伽瑪電壓產(chǎn)生器
[0025]204負(fù)伽瑪電壓產(chǎn)生器
[0026]206、306、406、506、606 P 型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器
[0027]208、308、408、508N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器
[0028]210,212輸出緩沖器
[0029]VDDA/2中間電壓
[0030]DSS數(shù)字選擇信號
[0031]VP [O]~VP [η]正極性伽瑪電壓
[0032]VOUTP輸出電壓
[0033]VN[0]~VN[n]負(fù)極性伽瑪電壓[0034]VOUTN輸出電壓
[0035]SELB [η]、SEL [η]、SELB [n+1]、SEL [n+1]、選擇信號
[0036]SELB [n+2]、SEL [n+2]
[0037]MPl ~MP7JP4' ,MP6 ; , MP7 ;P 型晶體管 [0038]MNl ~MN7JN4' ,MN6 ;、MN7 'N 型晶體管
[0039]Pl~P5、NI~N4傳輸路徑
【具體實施方式】
[0040]請參考圖3A及圖3B，圖3A及圖3B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206及N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器306及一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器308的部分電路示意圖。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器306與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206部分相似，因此作用相似的組件及信號以相同符號表示。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器306與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206的主要差別在于接收正極性伽瑪電壓VP[0]~VP[n]中最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP[n](即正極性伽瑪電壓VP[O]~VP[n]中最小值)的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑P2在相同源閘極電壓差下相較正極性伽瑪電壓VP[0]~VP[n-l]所對應(yīng)的傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻；相似地，N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器308中接收負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]~VN[n]中最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN[n](即負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]~VN[n]中最大值)的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑N2在相同源閘極電壓差下相較負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]~VN[n-l]所對應(yīng)的傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
[0041]在此情形下，雖然正極性伽瑪電壓VP[n]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]相較于其它正極性伽瑪電壓VP[0]~VP[n-l]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]~VN[n_l]所造成源閘極電壓差較小，但由于正極性伽瑪電壓VP[n]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]所對應(yīng)的傳輸路徑P2在相同源閘極電壓差下相較正極性伽瑪電壓VP[0]~VP[n-l]及負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]~VN[n-l]所對應(yīng)的傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻，因此即使在高畫面更新率等多種產(chǎn)品應(yīng)用時，仍可如其它傳輸路徑正常傳輸數(shù)據(jù)。如此一來，本發(fā)明可利用降低最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑的導(dǎo)通電阻，以實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。
[0042]詳細(xì)來說，在P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器306中，傳輸路徑P2所包括的P型晶體管MP4丨,MP6 ;、MP7丨在相同源閘極電壓差下相較P型晶體管MPl~MP3、MP5及其它P型晶體管具有較低導(dǎo)通電阻，因此傳輸路徑P2在相同源閘極電壓差下相較其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。其中，P型晶體管MPV ,MP6 ; ,MP7 ;相較P型晶體管MPl~MP3、MP5及其它P型晶體管具有較低臨界電壓值(threshold voltage)、較薄氧化層或較大移動率。在此情形下，由于導(dǎo)通電阻值與其過驅(qū)電壓(overdrive voltage)成逆相關(guān),且過驅(qū)電壓值為晶體管閘源極電壓差與臨界電壓之間差值(即Vgs-Vt)，而P型晶體管MP4 '、MP6'、MP7丨具有較低臨界電壓值而具有較大過驅(qū)電壓值，因此具有較低導(dǎo)通電阻，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。
[0043]相似地，在N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器308中，傳輸路徑N2所包括的N型晶體管MN4 ’、MN6'、麗7'也具有較低導(dǎo)通電阻，因此傳輸路徑N2在相同源閘極電壓差下相較其它傳輸路徑也具有較低導(dǎo)通電阻，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。如此一來，本發(fā)明可利用降低最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上晶體管的導(dǎo)通電阻，以降低最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑的導(dǎo)通電阻，進(jìn)而實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。
[0044]值得注意的是，本發(fā)明的主要精神在于利用降低最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑的導(dǎo)通電阻，以實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可據(jù)以進(jìn)行修飾或變化，而不限于此。舉例來說，上述實施例中晶體管都繪示金氧半(Metal oxide semiconductor, MOS)晶體管,但也可為其它類型的晶體管；此外，上述實施例繪示最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上所有晶體管都具有較低導(dǎo)通電阻，但在其它實施例中，最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上晶體管僅需至少一者具有較低導(dǎo)通電阻，即可達(dá)到較其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的；再者，除了降低傳輸路徑上晶體管的導(dǎo)通電阻外，也可利用其它方式降低最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑的導(dǎo)通電阻。
[0045]舉例來說，請參考圖4A及圖4B，圖4A及圖4B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206及N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的另一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406及另一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器408的部分電路示意圖。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206部分相似，因此作用相似的組件及信號以相同符號表示。
[0046]如圖4A所示，在本實施例中，P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206的主要差別在于，在P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406接收正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[n]中最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP [η]的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑Ρ3中，傳輸路徑Ρ3所包括的P型晶體管MP4、ΜΡ6、ΜΡ7分別并聯(lián)N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7形成傳輸閘，N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7可根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS (其分別受與P型晶體管MP4、ΜΡ6、ΜΡ7的選擇信號反相的選擇信號控制)，輸出正極性伽瑪電壓VP[n]做為輸出電壓V0UTP，因此可利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑P3的等效導(dǎo)通電阻降低，達(dá)到降低時間常數(shù)的目的，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP [η]。
[0047]相似地，如圖4Β所示，N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器408與N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的主要差別在于在N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器408接收負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]中最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN[η]的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑Ν3中，傳輸路徑Ν3所包括的N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、ΜΝ7分別并聯(lián)P型晶體管MP4、ΜΡ6、ΜΡ7形成傳輸閘，P型晶體管ΜΡ4、ΜΡ6、ΜΡ7可根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS (其分別受與N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7的選擇信號反相的選擇信號控制)，輸出負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]做為輸出電壓V0UTN，因此可利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑N3的等效導(dǎo)通電阻降低，達(dá)到降低時間常數(shù)的目的，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN [η]。
[0048]值得注意的是，上述實施例繪示最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上所有晶體管都并聯(lián)相反類型的晶體管以形成傳輸閘，但在其它實施例中，最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上晶體管僅需至少一者并聯(lián)相反類型的晶體管以形成傳輸閘，即可達(dá)到較其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的。如此一來，本實施例可利用對最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓的傳輸路徑的晶體管并聯(lián)相反類型的晶體管以形成傳輸閘，以利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑的等效導(dǎo)通電阻降低，進(jìn)而實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。[0049]另一方面，請參考圖5A及圖5B，圖5A及圖5B為本發(fā)明實施例可取代圖2A中P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206及N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的更一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器506及更一 N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器508的部分電路示意圖。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器506與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206部分相似，因此作用相似的組件及信號以相同符號表示。
[0050]如圖5A所示，在本實施例中，P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器506與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206的主要差別在于，在P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406接收正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[n]中最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP[n]的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑P4中，傳輸路徑P4除了包括通過P型晶體管MP4、MP6、MP7以輸出輸出電壓VOUTP的路徑外，還另包括并聯(lián)在P型晶體管MP4、MP6、MP7的N型晶體管MN4、MN6、麗7耦接于該接收端與輸出電壓VOUTP之間，用來根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS (其分別受與P型晶體管MP4、MP6、MP7的選擇信號反相的選擇信號控制)，輸出正極性伽瑪電壓VP[n]做為輸出電壓V0UTP，因此可利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑P4的等效導(dǎo)通電阻降低，達(dá)到降低時間常數(shù)的目的，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP [η]。
[0051]相似地，如圖5Β所示，N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器508與N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器208的主要差別在于在N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器508接收負(fù)極性伽瑪電壓VN[0]?VN[n]中最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN[η]的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑Ν4中，傳輸路徑Ν4除了包括通過N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7以輸出輸出電壓VOUTP的路徑外，還另包括并聯(lián)于N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7的P型晶體管ΜΡ4、ΜΡ6、ΜΡ7耦接于該接收端與輸出電壓VOUTN之間，用來根據(jù)數(shù)字選擇信號DSS (其分別受與N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7的選擇信號反相的選擇信號控制)，輸出負(fù)極性伽瑪電壓VN[n]做為輸出電壓V0UTN，因此可利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑N4的等效導(dǎo)通電阻降低，達(dá)到降低時間常數(shù)的目的，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN[η]。
[0052]傳輸路徑Ν4所包括的N型晶體管ΜΝ4、ΜΝ6、麗7分別并聯(lián)P型晶體管MP4 ;、ΜΡ6丨,ΜΡ7 ;(其分別受與N型晶體管ΜΝ4、麗6、麗7的選擇信號反相的選擇信號控制)形成傳輸閘，因此可利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑Ν3的等效導(dǎo)通電阻降低，達(dá)到降低時間常數(shù)的目的，而可實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的負(fù)極性伽瑪電壓VN [η]。
[0053]值得注意的是，上述實施例繪示最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上還包括并聯(lián)的相同數(shù)量相反類型的晶體管，但在其它實施例中，最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上僅需還包括并聯(lián)的至少一相反類型的晶體管，即可達(dá)到較其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的。如此一來，本實施例可利用最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓的傳輸路徑上所并聯(lián)的相反類型的晶體管，以利用并聯(lián)路徑使傳輸路徑的等效導(dǎo)通電阻降低，進(jìn)而實時傳輸最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。
[0054]再者，請參考圖6，圖6為本發(fā)明實施例可取代圖2Α中P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器206的一 P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器606的部分電路示意圖，P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器606為P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406的一變化實施例。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器506與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406部分相似，因此作用相似的組件及信號以相同符號表示。P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器606與P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器406的主要差別在于，在P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器606接收正極性伽瑪電壓VP[0]?VP[η]中次接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP[η_1]的一接收端所對應(yīng)的一傳輸路徑Ρ5中，P型晶體管MP3還并聯(lián)一 N型晶體管麗3。[0055]在此情形下，由于次接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓VP[n_l]也有可能因閘源極電壓差較小而無法實時輸出輸出電壓V0UTP，因此傳輸路徑P5除了與傳輸路徑P3重迭路徑上有并聯(lián)路徑以降低等效導(dǎo)通電阻，也可利用N型晶體管MN3并聯(lián)P型晶體管MP3所形成的傳輸閘的并聯(lián)路徑降低等效導(dǎo)通電阻。值得注意的是，上述實施例繪示最次近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上晶體管并聯(lián)相反類型的晶體管以形成傳輸閘，達(dá)到相較傳輸路徑P3外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的，但在其它實施例中，也可參考前述另兩種做法，利用降低次接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑上晶體管的導(dǎo)通電阻，或利用次接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓的傳輸路徑上所并聯(lián)的相反類型的晶體管，以達(dá)到相較傳輸路徑P3外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的。依此類推，可得到N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的作法。如此一來，本實施例可使次接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
[0056]更進(jìn)一步地，若正極性伽瑪電壓VP [O]?VP [η]中其它接近中間電壓VDDA/2的正極性伽瑪電壓也因閘源極電壓差較小而無法實時輸出輸出電壓V0UTP，也可以參考上述三種方法，使其所對應(yīng)的傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較最接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。值得注意的是，上述各實施例中三種方法是各別實施，但在其它實施例中，三種方法也可搭配實施以達(dá)成使傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻的目的。
[0057]在公知技術(shù)中，隨著分辨率的提升，傳輸路徑上的晶體管數(shù)目增加，使得傳輸路徑上的導(dǎo)通電阻也隨之增加，而數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器中接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓具有較小閘源極電壓差，因此單位晶體管的導(dǎo)通電阻較高，導(dǎo)致信號未能及時輸出。相較之下，本發(fā)明可利用降低接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓所對應(yīng)的傳輸路徑的導(dǎo)通電阻，以實時傳輸接近中間電壓VDDA/2的伽瑪電壓。
[0058]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，用于一液晶顯示器的一源極驅(qū)動芯片中，其特征在于，包括有: 一輸出端，用來輸出一輸出電壓； 多個接收端，用來接收多個伽瑪電壓；以及 多個傳輸路徑，分別包括有多個第一型晶體管耦接于該多個接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)一數(shù)字選擇信號，輸出該多個伽瑪電壓當(dāng)中一者做為該輸出電壓； 其中，接收該多個伽瑪電壓中最接近一中間電壓的一第一伽瑪電壓的一第一接收端所對應(yīng)的一第一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該多個伽瑪電壓為多個正伽瑪電壓，該多個第一型晶體管為多個P型晶體管，而該第一伽瑪電壓為該多個伽瑪電壓中最小值。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該多個伽瑪電壓為多個負(fù)伽瑪電壓，該多個第一型晶體管為多個N型晶體管，而該第一伽瑪電壓為該多個伽瑪電壓中最大值。
4.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該中間電壓為多個正伽瑪電壓與多個負(fù)伽瑪電壓的一中間值。
5.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的第一多個第一型晶體管中至少一者在相同源閘極電壓差下相較其它第一型晶體管具有較低導(dǎo)通電阻。
6.如權(quán)利要求5所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的該第一多個第一型晶體管中該至少一者相較該其它第一型晶體管具有較低臨界電壓值、較薄氧化層或較大移動率。
7.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的第一多個第一型晶體管中至少一者分別并聯(lián)至少一第二型晶體管，用來根據(jù)該數(shù)字選擇信號，輸出該第一伽瑪電壓做為該輸出電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一傳輸路徑還包括并聯(lián)于第一多個第一型晶體管的至少一第二型晶體管耦接于該第一接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)該數(shù)字選擇信號，輸出該第一伽瑪電壓做為該輸出電壓。
9.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，接收該多個伽瑪電壓中次接近該中間電壓的一第二伽瑪電壓的一第二接收端所對應(yīng)的一第二傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中該第一傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
10.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，其特征在于，接收該多個伽瑪電壓中至少一該中間電壓的一至少一伽瑪電壓的一至少一接收端所對應(yīng)的至少一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中該第一傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
11.一種源極驅(qū)動芯片，用于一液晶顯示器中，其特征在于，包括有: 至少一伽瑪電壓產(chǎn)生器，分別用來產(chǎn)生多個伽瑪電壓； 至少一輸出緩沖器，分別用來以一輸出電壓進(jìn)行驅(qū)動；以及 至少一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器包括有:一輸出端，用來輸出該輸出電壓； 多個接收端，用來接收該多個伽瑪電壓；以及 多個傳輸路徑，分別包括有多個第一型晶體管耦接于該多個接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)一數(shù)字選擇信號，輸出該多個伽瑪電壓當(dāng)中一者做為該輸出電壓； 其中，接收該多個伽瑪電壓中最接近一中間電壓的一第一伽瑪電壓的一第一接收端所對應(yīng)的一第一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
12.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器為P型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，該多個伽瑪電壓為多個正伽瑪電壓，該多個第一型晶體管為多個P型晶體管，而該第一伽瑪電壓為該多個伽瑪電壓中最小值。
13.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器為N型數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，該多個伽瑪電壓為多個負(fù)伽瑪電壓，該多個第一型晶體管為多個N型晶體管，而該第一伽瑪電壓為該多個伽瑪電壓中最大值。
14.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該中間電壓為多個正伽瑪電壓與多個負(fù)伽瑪電壓的一中間值。
15.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的第一多個第一型晶體管中至少一者在相同源閘極電壓差下相較其它第一型晶體管具有較低導(dǎo)通電阻。
16.如權(quán)利要求15所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的該第一多個第一型晶體管中該至少一者相較該其它第一型晶體管具有較低臨界電壓值、較薄氧化層或較大移動率。
17.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該第一傳輸路徑所包括的第一多個第一型晶體管中至少一者分別并聯(lián)至少一第二型晶體管，用來根據(jù)該數(shù)字選擇信號，輸出該第一伽瑪電壓做為該輸出電壓。
18.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，該第一傳輸路徑還包括并聯(lián)于第一多個第一型晶體管的至少一第二型晶體管耦接于該第一接收端與該輸出端之間，用來根據(jù)該數(shù)字選擇信號，輸出該第一伽瑪電壓做為該輸出電壓。
19.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，接收該多個伽瑪電壓中次接近該中間電壓的一第二伽瑪電壓的一第二接收端所對應(yīng)的一第二傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中該第一傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
20.如權(quán)利要求11所述的源極驅(qū)動芯片，其特征在于，接收該多個伽瑪電壓中至少一該中間電壓的一至少一伽瑪電壓的一至少一接收端所對應(yīng)的至少一傳輸路徑在相同源閘極電壓差下相較多個傳輸路徑中該第一傳輸路徑外其它傳輸路徑具有較低導(dǎo)通電阻。
【文檔編號】H03M1/66GK103546156SQ201210237393
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】程智修, 黃如琳, 洪邦楨 申請人:聯(lián)詠科技股份有限公司