專利名稱：66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，該系統(tǒng)應(yīng)用于電力、冶金和所有使用光控晶閘管作為核心器件的其它領(lǐng)域，可用于66kV及以上電壓等級的光控晶閘管的 SV⑶裝置中。
背景技術(shù)：
晶閘管是目前應(yīng)用最為廣泛的閥元件，通過控制晶閘管的觸發(fā)角可以對阻抗進行連續(xù)調(diào)節(jié)，可以增強系統(tǒng)輸電能力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、阻尼功率振蕩和抑制次同步振蕩等功能。晶閘管閥體通常要承受高電壓和大電流，需采用多個晶閘管的串并聯(lián)來實現(xiàn)。目前，常見的SVC補償裝置采用一般的電控晶閘管，采用的觸發(fā)方式是電磁觸發(fā)或者光電觸發(fā)，電磁觸發(fā)方式的SVC是將脈沖電纜接入一次側(cè)的電磁脈沖盒中，通過控制脈沖電纜中的脈沖信號使脈沖盒產(chǎn)生感應(yīng)電流來觸發(fā)晶閘管；光電觸發(fā)方式的SVC是將觸發(fā)信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?，通過光纖傳送到一次側(cè)閥組上的高電位觸發(fā)板中，高電位觸發(fā)板將光信號轉(zhuǎn)為電信號用以觸發(fā)晶閘管。電磁觸發(fā)的SVC由于高壓側(cè)與低壓側(cè)僅僅依靠脈沖電纜的絕緣外皮隔離，使得此類裝置只應(yīng)用于較低電壓等級的電網(wǎng)中，通常不超過35KV。光電觸發(fā)的SVC很好的實現(xiàn)了高低壓的光電隔離，但由于高電位觸發(fā)板較為復(fù)雜，降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有的技術(shù)問題，本實用新型的目的是提供一種66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用光控晶閘管，使晶閘管門極和觸發(fā)電路用光信號傳輸，容易絕緣，這樣可以提高設(shè)備的應(yīng)用電壓等級，并可抑制噪聲影響，可以提高SVC的應(yīng)用電壓等級，并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，包括控制柜和功率柜，所述的功率柜由三相功率單元組成，每相功率單元包含一個觸發(fā)箱和兩個閥組單元，其特征在于，所述的控制柜通過脈沖觸發(fā)光纖、回饋脈沖光纖和電源線分別與相應(yīng)的觸發(fā)箱相連接，觸發(fā)箱經(jīng)過光控晶間管觸發(fā)光纖，觸發(fā)閥組單元中的光控晶閘管，閥組單元中光控晶閘管的擊穿狀態(tài)通過擊穿檢測光纖反饋給控制柜。所述的功率單元中的觸發(fā)箱位于兩個閥組單元的下方中間位置，使觸發(fā)箱與閥組單元距離較近，使得觸發(fā)光纖大大縮短，閥組單元為雙體立式結(jié)構(gòu)，由左右兩個閥單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是1)選擇光控晶閘管來構(gòu)建閥組，光控晶閘管是通過光照射使硅結(jié)晶內(nèi)產(chǎn)生載流子而使之導(dǎo)通的元件，同時內(nèi)部含有BOD裝置，對其起到了很好的過壓保護作用，防止晶閘管過壓擊穿。它和一般的電控晶閘管比較，其優(yōu)點光控晶閘管門極連接有激光光纖，通過激光
3照射來使晶閘管觸發(fā)，容易絕緣，這樣可以提高設(shè)備的應(yīng)用電壓等級，并可抑制噪聲影響， 較比電控晶閘管省略了較為復(fù)雜的高電位觸發(fā)板，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。2)在每相的兩個閥組單元中間，設(shè)置一個觸發(fā)箱，使控制柜到閥體的光纖由一百多根減少到幾根，這樣給系統(tǒng)的安裝帶來了很大的方便，大大降低了成本，簡化了結(jié)構(gòu)；通過在閥體增設(shè)光控晶間管脈沖觸發(fā)分配裝置，使觸發(fā)光纖從原來不定長改為定長，而且較短，便于安裝和維護。3)選擇光控晶閘管來構(gòu)建閥組后，閥組單元中的組件減少了，因此采用雙體立式結(jié)構(gòu)，由左右兩個閥單元構(gòu)成單相閥組，閥組結(jié)構(gòu)緊湊，布局更加合理，外觀簡潔精美；減小了閥組的占地面積，提高了 SVC閥組的美觀性、可靠性。

圖1是本實用新型的原理框圖；圖2是本實用新型的功率單元的結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實用新型的閥組單元中晶閘管單元工作原理。
具體實施方式
見圖l，66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，包括控制柜和功率柜，所述的功率柜由三相功率單元組成，每相功率單元包含一個觸發(fā)箱和兩個閥組單元，其特征在于，所述的控制柜通過脈沖觸發(fā)光纖、回饋脈沖光纖和電源線分別與相應(yīng)的觸發(fā)箱相連接，觸發(fā)箱經(jīng)過光控晶閘管觸發(fā)光纖，觸發(fā)閥組單元中的光控晶閘管，閥組單元中光控晶閘管的擊穿狀態(tài)通過擊穿檢測光纖反饋給控制柜。見圖2，所述的功率單元中的觸發(fā)箱3位于閥組單元1、閥組單元2之間位置的底座上，使觸發(fā)箱2與閥組單元1、閥組單元2之間距離較近，使得觸發(fā)光纖大大縮短，閥組單元1和閥組單元2為雙體立式結(jié)構(gòu)，串聯(lián)后構(gòu)成單相閥組，使閥組結(jié)構(gòu)緊湊，布局更加合理， 外觀簡潔精美。見圖3，所述的閥組單元中將數(shù)個晶閘管單元串聯(lián)組成晶閘管反并聯(lián)組件，將組件再串聯(lián)組成晶閘管閥臂。特點是可全周期導(dǎo)通，適用于高電壓設(shè)備，并聯(lián)擊穿回報回路及阻容保護回路，使之電路可靠工作。每個晶閘管單元的工作原理如下每個晶閘管單元的每兩只晶閘管Vl和V2反并聯(lián)，晶閘管Vl的門極Gl與來自觸發(fā)箱正觸發(fā)信號連接，晶閘管V2的門極G2與來自觸發(fā)箱負觸發(fā)信號連接，在每個晶閘管反并聯(lián)的兩端并聯(lián)兩個支路一個為擊穿回報板，另一個為由電阻R1、電阻R2、電容Cl串聯(lián)組成的阻容保護支路；擊穿回報板并聯(lián)在晶閘管兩端，通過限流電阻IRl和1R2 了，連接到擊穿回報板上，通過擊穿回報板的檢測擊穿信號，經(jīng)擊穿回報板上的HTl反饋到控制柜；阻容保護支路也并聯(lián)在晶閘管的兩端。
權(quán)利要求1.66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，包括控制柜和功率柜，所述的功率柜由三相功率單元組成，每相功率單元包含一個觸發(fā)箱和兩個閥組單元，其特征在于，所述的控制柜通過脈沖觸發(fā)光纖、回饋脈沖光纖和電源線分別與相應(yīng)的觸發(fā)箱相連接，觸發(fā)箱經(jīng)過光控晶間管觸發(fā)光纖，觸發(fā)閥組單元中的光控晶閘管，閥組單元中光控晶閘管的擊穿狀態(tài)通過擊穿檢測光纖反饋給控制柜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，其特征在于，所述的功率單元中的觸發(fā)箱位于兩個閥組單元的下方中間位置，閥組單元為雙體立式結(jié)構(gòu)，由左右兩個閥組單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組。
專利摘要本實用新型涉及一種66kV光控晶閘管SVC系統(tǒng)，包括控制柜和功率柜，所述的功率柜由三相功率單元組成，每相功率單元包含一個觸發(fā)箱和兩個閥組單元，其特征在于，所述的控制柜通過脈沖觸發(fā)光纖、回饋脈沖光纖和電源線分別與相應(yīng)的觸發(fā)箱相連接，觸發(fā)箱經(jīng)過光控晶閘管觸發(fā)光纖，觸發(fā)閥組單元中的光控晶閘管，閥組單元中光控晶閘管的擊穿狀態(tài)通過擊穿檢測光纖反饋給控制柜；功率單元中的觸發(fā)箱位于兩個閥組單元的下方中間位置，閥組單元為雙體立式結(jié)構(gòu)，兩個閥單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組。本系統(tǒng)采用光控晶閘管，提高設(shè)備的應(yīng)用電壓等級，并可抑制噪聲影響，可以提高SVC的應(yīng)用電壓等級，并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
文檔編號H03K19/14GK202094870SQ201120209638
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月20日
發(fā)明者劉國恩, 司明起, 孫洪新, 穆景龍 申請人:榮信電力電子股份有限公司, 遼寧省電力有限公司撫順供電公司