專利名稱：晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路。
背景技術(shù)：


圖1所示為三相三組晶閘管串聯(lián)電路，也可以是多組晶閘管串聯(lián)電路或單相電 路。晶閘管Qll、Q12、Q13、Q14、Q15、Q16構(gòu)成A相調(diào)壓電路，晶閘管Q21、Q22、Q23、Q24、 Q25、Q26構(gòu)成B相調(diào)壓電路，晶閘管Q31、Q32、Q33、Q34、Q35、Q36構(gòu)成C相調(diào)壓電路。電阻 R11、R12、R13和電容C11、C12、C13、構(gòu)成A相均壓電路，電阻R21、R22、R23和電容C21、C22、 C23構(gòu)成B相均壓電路，電阻R31、R32、R23和電容C31、C32、C33構(gòu)成C相均壓電路。壓敏 電阻Dll為并聯(lián)在晶閘管Q11、Q12上，用于保護(hù)晶閘管Q11、Q12，也可用過壓保護(hù)板代替壓 敏電阻。同理D12、D13、D21、D22、D23、D31、D32、D33也是用于保護(hù)晶閘管，通過調(diào)節(jié)可控 硅的移相角來調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出接電阻負(fù)載，且假設(shè)串聯(lián)的可控硅同時導(dǎo)通同時關(guān)斷，其 輸出電壓、電流波形如圖2所示。從圖2可以看出晶閘管移相電路的輸出電壓、輸出電流均 存在大量諧波分量；圖3為當(dāng)連接電阻負(fù)載時不同導(dǎo)通角的基波和諧波分量，如圖3所示， 當(dāng)晶閘管移相電路連接電阻負(fù)載或電感負(fù)載時，晶閘管移相電路的基波和諧波分量大量存 在，說明晶閘管移相電路的基波和諧波分量也與負(fù)載類型有關(guān)。表1為典型晶閘管特性參數(shù)，從表中可以看出門極觸發(fā)電流是從40mA到300mA之 間，門極觸發(fā)電壓是0. 8V到3. OV之間，即使選用同一型號的晶閘管，其觸發(fā)條件也不能保 證完全一致，因此串聯(lián)可控硅完全同時導(dǎo)通是f不可能實現(xiàn)的。從表中還可以看出維持電 流是20mA到300mA之間，可見其完全同時關(guān)斷也是不可能實現(xiàn)的，由于串聯(lián)可控硅參數(shù)上 的差異，串聯(lián)可控硅開關(guān)不一致會進(jìn)一步增加串聯(lián)支路上的諧波電壓和諧波電流。晶閘管移相調(diào)壓產(chǎn)生的大量諧波成分一旦產(chǎn)生諧振，將會導(dǎo)致晶閘管局部過壓， 輕則導(dǎo)致可控硅損壞，重則影響電網(wǎng)及系統(tǒng)的安全。在工程實際應(yīng)用中也經(jīng)常發(fā)生晶閘管 過壓擊穿，壓敏電阻擊穿等故障現(xiàn)象。大多也是由于系統(tǒng)諧振造成晶閘管串聯(lián)回路過壓。從上述分析可知由于晶閘管串聯(lián)移相必定會產(chǎn)生一部分特定的諧波分量，該諧波 分量的存在嚴(yán)重影響了晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路的可靠性。以下為表1 典型晶閘管參數(shù)表。
權(quán)利要求1.晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路，用于串接在交流電源與負(fù)載之間，其包括至少2對串聯(lián)在一 起的反并聯(lián)晶閘管、與反并聯(lián)晶閘管相匹配聯(lián)接的均壓電路、與反并聯(lián)晶閘管相匹配聯(lián)接 的過壓保護(hù)電路，其特征在于所述晶閘管調(diào)壓電路中每對反并聯(lián)晶閘管兩端還并聯(lián)有諧 波抑制電路。
2.如權(quán)利要求1所述的晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路，其特征在于所述諧波抑制電路由一個 或多個共模或差模電抗器構(gòu)成，共?；虿钅ｋ娍蛊髀?lián)接在各對反并聯(lián)晶間管之間。
3.如權(quán)利要求1所述的晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路，其特征在于所述諧波抑制電路包括一 個或多個共?；虿钅ｋ娍蛊?、與共?；虿钅ｋ娍蛊鲗?yīng)數(shù)量的吸收電容，共?；虿钅ｋ娍?器與吸收電容串聯(lián)后跨接在各對反并聯(lián)晶閘管之間。
4.如權(quán)利要求1所述的晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路，其特征在于所述諧波抑制電路包括一 個或多個共?；虿钅ｋ娍蛊?、與共模或差模電抗器對應(yīng)數(shù)量的吸收電容及吸收電阻，吸收 電容與吸收電阻串聯(lián)或并聯(lián)后構(gòu)成LC電路，LC電路再與共?；虿钅ｋ娍蛊鞔?lián)后跨接在 各對反并聯(lián)晶閘管之間。
專利摘要本實用新型晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電路，用于聯(lián)接在交流電路中，其包括至少2對串聯(lián)在一起的反并聯(lián)晶閘管、與反并聯(lián)晶閘管相匹配聯(lián)接的均壓電路、與反并聯(lián)晶閘管相匹配聯(lián)接的過壓保護(hù)電路，其不同之處在于所述晶閘管調(diào)壓電路中每對反并聯(lián)晶閘管兩端還并聯(lián)有諧波抑制電路。本實用新型的有益效果在于1)完全避免了晶閘管串聯(lián)支路發(fā)生諧振的可能性，極大的保護(hù)了晶閘管及其相關(guān)器件。2)諧波抑制電路具有動態(tài)均壓功能，改善了晶閘管串聯(lián)電路的均壓性能。
文檔編號H02J3/01GK201878066SQ20102029987
公開日2011年6月22日 申請日期2010年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月20日
發(fā)明者寧國云, 李新洲, 毛康宇, 肖少兵 申請人:大禹電氣科技股份有限公司