專利名稱:功率放大器和使用了該功率放大器的mmic的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及利用放大用晶體管將輸入功率放大并輸出的功率放大器和使用了該功率放大器的匪IC。
背景技術(shù):
在專利文獻(xiàn)1中公開了如下的功率放大器在放大用晶體管的柵極端子和對(duì)該柵極端子供給柵極電壓的柵極電壓端子之間連接了柵極電壓抑制用電阻。[專利文獻(xiàn)1]日本特開2008-245081號(hào)公報(bào)。[專利文獻(xiàn)2]日本特開平1-49334號(hào)公報(bào)。[專利文獻(xiàn)3]日本特開2002-2377 號(hào)公報(bào)。在構(gòu)成功率放大器的放大用晶體管的柵極上交替地施加高功率和低功率。此處, 在施加在柵極上的功率從高功率轉(zhuǎn)移到了低功率的情況下,與該轉(zhuǎn)移對(duì)應(yīng)地放大用晶體管的漏極電流也減少。但是,在該轉(zhuǎn)移后的一定期間,存在漏極電流過(guò)度地驟減的情況(將該現(xiàn)象稱為漏極電流的驟減)。其結(jié)果是,存在引起功率放大器的增益的下降以及噪音指數(shù)的增加的情況。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而提出的,其目的在于提供一種如下的功率放大器和使用了該功率放大器的匪IC 能夠維持功率放大器的性能,并且,能夠?qū)κ┘釉跂艠O上的功率從高功率轉(zhuǎn)移到了低功率之后的漏極電流的驟減進(jìn)行抑制。本申請(qǐng)發(fā)明的功率放大器具有輸入端子;輸入匹配電路,與該輸入端子連接; 放大用晶體管,柵極與該輸入匹配電路連接;輸出匹配電路,與該放大用晶體管的漏極連接;輸出端子,與該輸出匹配電路連接;以及反轉(zhuǎn)微分電路(inverting differentiator circuit),將該輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將該輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn)。并且,以該反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與該柵極連接為特征。本申請(qǐng)發(fā)明的MMIC具有輸入端子;輸入匹配電路,與該輸入端子連接;放大用晶體管,柵極與該輸入匹配電路連接;反轉(zhuǎn)微分電路,將該輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將該輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn),并且具有檢波電路和邊緣檢測(cè)電路;第一基板,形成有該輸入匹配電路、該放大用晶體管以及該檢波電路;第二基板,形成有該邊緣檢測(cè)電路。并且,以該反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與該柵極連接為特征。本申請(qǐng)發(fā)明的MMIC具有輸入端子;輸入匹配電路,與該輸入端子連接;放大用晶體管,柵極與該輸入匹配電路連接;反轉(zhuǎn)微分電路,將該輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將該輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn),并且具有檢波電路和邊緣檢測(cè)電路;第一基板,形成有該輸入匹配電路以及該放大用晶體管;第二基板,形成有該檢波電路以及該邊緣檢測(cè)電路。并且,以該反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與該柵極連接為特征。根據(jù)本發(fā)明,能夠?qū)κ┘釉诜糯笥镁w管的柵極上的功率從高功率轉(zhuǎn)移到了低功率之后的漏極電流的驟減進(jìn)行抑制。
圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的圖。圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的各部分的波形的圖。圖3是示出比較例的功率放大器的圖。圖4是示出比較例的功率放大器的各部分的波形的圖。圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的第一變形例的圖。圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的第二變形例的圖。圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器的圖。圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器的變形例的圖。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器的另一變形例的圖。圖10是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的匪IC的圖。圖11是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的匪IC的變形例的圖。圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的MMIC的另一變形例的圖。圖13是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的MMIC的另一變形例的圖。圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的匪IC的圖。圖15是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的匪IC的變形例的圖。圖16是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的匪IC的變形例的圖。圖17是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的匪IC的變形例的圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明 Pi輸入端子
Ml輸入匹配電路 Tl放大用晶體管 M2輸出匹配電路 P2輸出端子 Kl檢波電路 El邊緣檢測(cè)電路。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式1
圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的圖。功率放大器10利用放大用晶體管Tl對(duì)從輸入端子Pl輸入的輸入功率進(jìn)行放大,并且從輸出端子P2進(jìn)行輸出。以下,對(duì)功率放大器10的詳細(xì)情況進(jìn)行說(shuō)明。功率放大器10具有放大用晶體管Tl。放大用晶體管Tl以半絕緣基板上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成。輸入匹配電路Ml與放大用晶體管Tl的柵極連接。輸入匹配電路Ml將輸入端子Pl和放大用晶體管Tl的柵極連接。檢波電路Kl與輸入匹配電路Ml連接。檢波電路Kl是如下電路對(duì)來(lái)自輸入端子 Pl的信號(hào)進(jìn)行檢波,將該信號(hào)反轉(zhuǎn)并進(jìn)行輸出。邊緣檢測(cè)電路El與檢波電路Kl的輸出連接。邊緣檢測(cè)電路El是以將檢波電路Kl的輸出進(jìn)行微分并輸出的方式構(gòu)成的微分電路。 該邊緣檢測(cè)電路El將電容和電阻組合而構(gòu)成。檢波電路Kl和邊緣檢測(cè)電路El統(tǒng)稱為反轉(zhuǎn)微分電路KEl。邊緣檢測(cè)電路El的輸出(反轉(zhuǎn)微分電路KEl的輸出)經(jīng)由柵極偏置電阻Rl以及輸入匹配電路Ml與放大用晶體管Tl的柵極連接。并且,DC切斷電容Cl的一端連接在柵極偏置電阻Rl和輸入匹配電路Ml之間。DC切斷電容Cl的另一端接地。此外,供給柵極電壓的柵極電壓端子Vl與邊緣檢測(cè)電路El連接。輸出匹配電路M2與放大用晶體管Tl的漏極連接。輸出匹配電路M2將放大用晶體管Tl的漏極和輸出端子P2連接。并且,供給漏極電壓的漏極電壓端子V2與輸出匹配電路M2連接。DC切斷電容C2的一端連接在漏極電壓端子V2和輸出匹配電路M2之間。DC 切斷電容C2的另一端接地。放大用晶體管Tl的源極接地。本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10具有上述的結(jié)構(gòu)。然后,參照?qǐng)D2對(duì)功率放大器10的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1 的功率放大器10的各部分的波形的圖。圖2的波形從上而下表示輸入端子Pl的輸入功率的波形、檢波電路Kl的輸出電壓的波形、邊緣檢測(cè)電路El的輸出電壓的波形、輸出端子P2 的輸出功率的波形以及放大用晶體管Tl的漏極電流的波形。首先,對(duì)輸入端子Pl施加穩(wěn)定狀態(tài)的功率(以后,稱為低功率),使功率放大器為穩(wěn)定狀態(tài)。然后,使施加在輸入端子Pi上的功率從低功率升高到預(yù)定的高功率。由此,功率放大器10從穩(wěn)定狀態(tài)向高輸入狀態(tài)轉(zhuǎn)移(以后,將從穩(wěn)定狀態(tài)向高輸入狀態(tài)的轉(zhuǎn)移稱為第一轉(zhuǎn)移)。伴隨第一轉(zhuǎn)移,檢波電路Kl使輸入端子Pl的高功率反轉(zhuǎn),作為負(fù)電壓進(jìn)行檢波,輸出負(fù)電壓。并且,在邊緣檢測(cè)電路El中對(duì)上述的檢波電路Kl的輸出的微分波形進(jìn)行輸出。該微分波形如圖2的虛線的圓所示那樣向下凸。邊緣檢測(cè)電路El的輸出經(jīng)由柵極偏置電阻Rl以及輸入匹配電路Ml施加在放大用晶體管Tl的柵極上。這樣,在第一轉(zhuǎn)移之后的放大用晶體管Tl的柵極上,除了來(lái)自輸入端子Pl的高功率以外,以使該高功率減少的方式施加了邊緣檢測(cè)電路El的輸出功率。其結(jié)果是,第一轉(zhuǎn)移之后的柵極的功率被抑制,輸出端子P2的功率平緩地上升。接著,功率放大器10從高輸入狀態(tài)向穩(wěn)定狀態(tài)轉(zhuǎn)移(以后,將從高輸入狀態(tài)向穩(wěn)定狀態(tài)的轉(zhuǎn)移稱為第二轉(zhuǎn)移)。伴隨第二轉(zhuǎn)移,檢波電路Kl使輸入端子Pl的低功率反轉(zhuǎn), 作為正電壓進(jìn)行檢波,輸出正電壓。并且,在邊緣檢測(cè)電路El中,對(duì)上述的檢波電路Kl的輸出的微分波形進(jìn)行輸出。該微分波形如圖2的點(diǎn)劃線的圓所示那樣向上凸。邊緣檢測(cè)電路 El的輸出經(jīng)由柵極偏置電阻Rl以及輸入匹配電路Ml施加在放大用晶體管Tl的柵極上。這樣,在第二轉(zhuǎn)移之后的放大用晶體管Tl的柵極上,除了來(lái)自輸入端子Pl的低功率以外,以使該低功率增加的方式施加了邊緣檢測(cè)電路El的輸出功率。以下,為了使本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10的理解變得容易,對(duì)比較例進(jìn)行說(shuō)明。圖3是示出比較例的功率放大器的圖。比較例的功率放大器20從本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10中除去了檢波電路Kl和邊緣檢測(cè)電路El。即,功率放大器20僅將輸入端子Pl的輸入功率施加在放大用晶體管Tl的柵極上。圖4是示出比較例的功率放大器20的各部分的波形的圖。圖4的波形從上而下表示輸入端子Pl的輸入功率的波形、輸出端子P2的輸出功率的波形、放大用晶體管Tl的漏極電流的波形。在比較例的功率放大器20中,在第二轉(zhuǎn)移之后的一定期間產(chǎn)生漏極電流的驟減。漏極電流的驟減的原因如下由于高輸入狀態(tài)時(shí)的漏極電流增加以及向柵極施加高電壓,載流子被捕獲到放大用晶體管Tl的界面的陷阱能級(jí)。漏極電流驟減的期間持續(xù)一定期間,然后,恢復(fù)到穩(wěn)定動(dòng)作。將第二轉(zhuǎn)移后恢復(fù)到漏極電流穩(wěn)定了的值為止所需要的期間稱為恢復(fù)期間(在圖4中以期間T示出)。在比較例的功率放大器20中,由于產(chǎn)生該恢復(fù)期間,所以,功率放大器20的增益下降,噪音指數(shù)增加。但是,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10,在第二轉(zhuǎn)移之后,除了來(lái)自輸入端子Pl的低功率以外,能夠?qū)⑦吘墮z測(cè)電路El的輸出功率施加在柵極上。因此,在第二轉(zhuǎn)移之后,與比較例的情況相比,能夠施加較大的柵極電壓。因此,能夠抑制上述的漏極電流的驟減,在第二轉(zhuǎn)移之后能夠瞬時(shí)地開始穩(wěn)定動(dòng)作。并且,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10,在第一轉(zhuǎn)移時(shí),對(duì)柵極施加邊緣檢測(cè)電路El的輸出功率。第一轉(zhuǎn)移時(shí)的邊緣檢測(cè)電路El的輸出電壓減少高功率。因此,與比較例的情況相比,能夠降低第一轉(zhuǎn)移之后的柵極電壓,對(duì)于高功率能夠保護(hù)放大用晶體管Tl。這樣,本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10是對(duì)比較例的結(jié)構(gòu)添加了檢波電路Kl 和邊緣檢測(cè)電路El的簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),但是,能夠避免第一轉(zhuǎn)移之后的急劇的柵極電壓上升, 并且,能夠抑制第二轉(zhuǎn)移之后的漏極電流的驟減。此處,在第一轉(zhuǎn)移中,以限制一定以上的輸入功率為目的,考慮在輸入端子Pl的前級(jí)設(shè)置限制器(limiter),或者,以相同目的在輸入端子Pl的前級(jí)設(shè)置開關(guān)。但是,在設(shè)置了限制器或開關(guān)的情況下,導(dǎo)致包括功率放大器的接收系統(tǒng)的噪音指數(shù)的增加,接收靈敏度下降。此外,在限制器或開關(guān)中不能夠應(yīng)對(duì)第二轉(zhuǎn)移時(shí)的漏極電流的驟減的問(wèn)題。但是,本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10具有檢波電路Kl和邊緣檢測(cè)電路E1,所以,不需要在輸入端子的前級(jí)設(shè)置限制器或開關(guān)。因此,能夠維持接收系統(tǒng)的性能,并且,能夠得到前述的各效果。圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的第一變形例的圖。功率放大器30 在放大用晶體管Tl的后級(jí)具有放大用晶體管T2。并且,邊緣檢測(cè)電路El的輸出功率不僅施加在放大用晶體管Tl的柵極上,也施加在放大用晶體管T2的柵極上。由此,不僅對(duì)于放大用晶體管Tl,對(duì)于放大用晶體管T2也能夠得到避免漏極電流的驟減等的效果。并且,此處設(shè)置了兩個(gè)放大用晶體管,但是,能夠?qū)⑦吘墮z測(cè)電路的輸出連接到多個(gè)放大用晶體管的柵極,所以,不限定于此,也可以使用三個(gè)以上的放大用晶體管。圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器的第二變形例的圖。功率放大器40 在放大用晶體管Tl的后級(jí)具有放大用晶體管T2。該變形例的特征在于,具有多個(gè)放大用晶體管,按每個(gè)放大用晶體管設(shè)置了檢波電路和邊緣檢測(cè)電路。具體地說(shuō),為了使放大用晶體管Tl的柵極功率以上述的方式增減,設(shè)置有檢波電路Kl以及邊緣檢測(cè)電路E1。此外,為了使放大用晶體管T2的柵極功率以上述的方式增減,設(shè)置有檢波電路K2以及邊緣檢測(cè)電路 E2。檢波電路Kl以及K2和邊緣檢測(cè)電路El以及E2的功能與上述相同,所以省略。在做成具有多個(gè)放大用晶體管的結(jié)構(gòu)(以后,稱為多級(jí)結(jié)構(gòu))的情況下,根據(jù)輸入功率的水平(level),即使第一級(jí)(放大用晶體管Tl)是穩(wěn)定狀態(tài),也存在輸入了由第一級(jí)放大后的信號(hào)的后級(jí)(放大用晶體管!^)成為高輸入狀態(tài)的情況。這樣,存在即使對(duì)于動(dòng)作狀態(tài)不同的多個(gè)放大用晶體管的柵極共同地施加一個(gè)邊緣檢測(cè)電路的輸出功率也不能夠得到本發(fā)明的效果的情況。因此,如圖6所示的變形例那樣,對(duì)第一級(jí)(放大用晶體管Tl)和后級(jí)(放大用晶體管T2)使用單獨(dú)的檢波電路和邊緣檢測(cè)電路,由此,能夠?qū)蠹?jí)施加與后級(jí)的動(dòng)作狀態(tài)對(duì)應(yīng)的柵極電壓。并且,在本變形例中,說(shuō)明了放大用晶體管為兩級(jí)的情況,但是,只要是多級(jí)結(jié)構(gòu),則不特別限定。此外,在多級(jí)結(jié)構(gòu)的情況下,存在第一級(jí)始終為穩(wěn)定狀態(tài)而不成為高輸入狀態(tài)的情況。在該情況下,不需要對(duì)第一級(jí)設(shè)置檢波電路和邊緣檢測(cè)電路。在本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10的反轉(zhuǎn)微分電路KEl中,利用檢波電路Kl 將輸入端子Pl的信號(hào)進(jìn)行反轉(zhuǎn)之后,利用邊緣檢測(cè)電路El進(jìn)行微分。但是,反轉(zhuǎn)微分電路 KEl的結(jié)構(gòu)不限定于此。即,也可以調(diào)換檢波電路Kl和邊緣檢測(cè)電路E1,由此,以邊緣檢測(cè)電路El對(duì)輸入端子Pl的信號(hào)進(jìn)行微分之后以檢波電路Kl進(jìn)行反轉(zhuǎn)。在以下的本發(fā)明的實(shí)施方式中也同樣。實(shí)施方式2
圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器的圖。對(duì)于功率放大器50,以與本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。與邊緣檢測(cè)電路El連接的柵極電壓端子Vl接地。此外,電阻R3以及電容器C3 的一端與放大用晶體管Tl的源極連接,電阻R3的另一端以及電容器C3的另一端接地。在功率放大器50的穩(wěn)定狀態(tài)下,放大用晶體管Tl的柵極電壓被接地,成為0V,不需要從外部施加?xùn)艠O電壓。因此,能夠使功率放大器50小型且簡(jiǎn)單。此外,具有與實(shí)施方式1同樣的效果。圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器50的變形例的圖。圖8所示的功率放大器60具有放大用晶體管Tl以及T2。電阻R4以及電容器C4的一端與放大用晶體管T2的源極連接,電阻R4的另一端以及電容器C4的另一端接地。并且,以將一個(gè)邊緣檢測(cè)電路El的輸出功率施加在放大用晶體管Tl以及T2的柵極上的方式構(gòu)成。因此,使穩(wěn)定狀態(tài)下的柵極電壓為0V,由此,能夠使功率放大器小型且簡(jiǎn)單,并且,不僅對(duì)于放大用晶體管Tl,對(duì)于放大用晶體管T2也能夠得到避免漏極電流的驟減等的效果。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的功率放大器50的另一變形例的圖。圖9所示的功率放大器70對(duì)于第一級(jí)的放大用晶體管Tl具有檢波電路Kl以及邊緣檢測(cè)電路El,對(duì)于后級(jí)的放大用晶體管T2具有檢波電路K2以及邊緣檢測(cè)電路E2。這樣,按每個(gè)放大用晶體管使用單獨(dú)的檢波電路和邊緣檢測(cè)電路,由此,也能夠?qū)蠹?jí)施加與后級(jí)的動(dòng)作狀態(tài)對(duì)應(yīng)的柵極電壓。此外,至少能夠進(jìn)行與本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器同等的變形。實(shí)施方式3
圖10是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的MMIC80的圖。對(duì)于MMIC80,以與本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率放大器10的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。^ICSO具有形成有輸入端子P1、匹配電路M、放大用晶體管Tl以及T2、以及檢波電路Kl的第一基板Si。第一基板Sl由半絕緣基板形成。并且,具有形成有邊緣檢測(cè)電路 El的第二基板S2。當(dāng)這樣構(gòu)成MMIC時(shí),能夠從外部對(duì)邊緣檢測(cè)電路El的電容值以及電阻值進(jìn)行調(diào)整,所以,能夠變更時(shí)間常數(shù)。因此,利用放大用晶體管Tl的性能變動(dòng)等,在需要
7調(diào)整恢復(fù)期間的情況下等,能夠?qū)r(shí)間常數(shù)進(jìn)行調(diào)整以及最優(yōu)化。圖11是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的匪IC的變形例的圖。在MMIC90構(gòu)成多級(jí)放大用晶體管的情況下,引入了本發(fā)明的實(shí)施方式1的第一變形例的特征,并且,將邊緣檢測(cè)電路El形成在單獨(dú)的基板(第二基板S2)上。圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的MMIC的另一變形例的圖。在匪IC100構(gòu)成多級(jí)放大用晶體管的情況下,引入本發(fā)明的實(shí)施方式1的第二變形例的特征,并且,將邊緣檢測(cè)電路El以及E2形成在單獨(dú)的基板(第二基板S2和第3基板S3)上。圖13是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的匪IC的另一變形例的圖。在匪ICllO構(gòu)成多級(jí)放大用晶體管的情況下,引入本發(fā)明的實(shí)施方式2的特征,并且,將邊緣檢測(cè)電路El以及 E2形成在單獨(dú)的基板(第二基板S2和第3基板S3)上。這樣,可以在本發(fā)明的實(shí)施方式3 的MMIC中附加前述的實(shí)施方式1以及2的特征。實(shí)施方式4
圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的MMIC的圖。對(duì)于MMIC120,以與本發(fā)明的實(shí)施方式 3的MMIC80的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。MMIC120具有形成有檢波電路Kl以及邊緣檢測(cè)電路El的第二基板S4。S卩,在本發(fā)明的實(shí)施方式3的MMIC80中,僅將邊緣檢測(cè)電路El形成在單獨(dú)的基板上,但是,在本發(fā)明的實(shí)施方式4的MMIC120中,檢波電路Kl也形成在第二基板S4上。因此,能夠進(jìn)行與輸入功率對(duì)應(yīng)的檢波電壓的電平調(diào)整。由此,也能夠?qū)?yīng)輸入功率的水平(level)不同的系統(tǒng)。圖15、圖16以及圖17是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的匪IC的變形例的圖。圖15、 圖16以及圖17將前述的圖11、圖12以及13中的檢波電路形成在第一基板的外部的基板上。此外,能夠進(jìn)行與實(shí)施方式3相同程度的變形。
權(quán)利要求
1.一種功率放大器,其特征在于,具有 輸入端子;輸入匹配電路,與所述輸入端子連接; 放大用晶體管,柵極與所述輸入匹配電路連接; 輸出匹配電路,與所述放大用晶體管的漏極連接; 輸出端子,與所述輸出匹配電路連接;以及反轉(zhuǎn)微分電路,將所述輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將所述輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn),所述反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與所述柵極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于, 具有多個(gè)所述放大用晶體管,所述反轉(zhuǎn)微分電路的輸出連接到所述多個(gè)放大用晶體管的柵極。
3.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于, 具有多個(gè)所述放大用晶體管,按每個(gè)所述放大用晶體管具有所述反轉(zhuǎn)微分電路。
4.如權(quán)利要求1所述的功率放大器,其特征在于,具有 柵極電壓端子,與所述反轉(zhuǎn)微分電路連接;電阻,一端與所述放大用晶體管的源極連接;以及電容器,一端與所述放大用晶體管的源極連接, 所述柵極電壓端子接地,所述電阻的另一端以及所述電容器的另一端接地。
5.一種匪IC,其特征在于,具有 輸入端子;輸入匹配電路,與所述輸入端子連接; 放大用晶體管,柵極與所述輸入匹配電路連接;反轉(zhuǎn)微分電路,將所述輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將所述輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn),并且具有檢波電路和邊緣檢測(cè)電路;第一基板,形成有所述輸入匹配電路、所述放大用晶體管以及所述檢波電路;以及第二基板,形成有所述邊緣檢測(cè)電路, 所述反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與所述柵極連接。
6.一種匪IC,其特征在于,具有 輸入端子;輸入匹配電路,與所述輸入端子連接; 放大用晶體管,柵極與所述輸入匹配電路連接;反轉(zhuǎn)微分電路,將所述輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將所述輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn),并且具有檢波電路和邊緣檢測(cè)電路;第一基板,形成有所述輸入匹配電路以及所述放大用晶體管;以及第二基板,形成有所述檢波電路以及所述邊緣檢測(cè)電路, 所述反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與所述柵極連接。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種功率放大器和使用了該功率放大器的MMIC,能夠?qū)κ┘釉诜糯笥镁w管的柵極上的功率從高功率轉(zhuǎn)移到了低功率之后的漏極電流的驟減進(jìn)行抑制。本申請(qǐng)發(fā)明的功率放大器具有輸入端子;輸入匹配電路,與該輸入端子連接;放大用晶體管,柵極與該輸入匹配電路連接;輸出匹配電路,與該放大用晶體管的漏極連接;輸出端子,與該輸出匹配電路連接;反轉(zhuǎn)微分電路,將該輸入端子的信號(hào)反轉(zhuǎn)之后進(jìn)行微分或者將該輸入端子的信號(hào)微分之后進(jìn)行反轉(zhuǎn)。并且,以該反轉(zhuǎn)微分電路的輸出與該柵極連接為特征。
文檔編號(hào)H03F3/20GK102480270SQ20111026015
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者塚原良洋 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社