專利名稱：壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電子設(shè)備等的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，在用于電子設(shè)備等的壓電振動(dòng)設(shè)備中進(jìn)行著超小型化以及薄型化。另外， 為了提高壓電振動(dòng)設(shè)備的生產(chǎn)效率，提出了如下的制作方法關(guān)于壓電振動(dòng)設(shè)備的結(jié)構(gòu)構(gòu)件，不是以單個(gè)(單片)的壓電振動(dòng)設(shè)備的結(jié)構(gòu)構(gòu)件的狀態(tài)來進(jìn)行處理，而是以多個(gè)壓電振動(dòng)設(shè)備的結(jié)構(gòu)構(gòu)件被一體成形了的晶片的狀態(tài)來進(jìn)行處理，通過以晶片狀態(tài)將多個(gè)結(jié)構(gòu)構(gòu)件粘在一起之后進(jìn)行分割，從而同時(shí)一并獲得多個(gè)壓電振動(dòng)設(shè)備(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-180169號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
專利文獻(xiàn)1所記載的振子(壓電振動(dòng)設(shè)備)為如下結(jié)構(gòu)在形成了激勵(lì)電極的晶體晶片的表背主面的各個(gè)中接合了 2個(gè)玻璃晶片。這樣，在晶片狀態(tài)下處理晶體晶片，在晶片狀態(tài)下處理成為蓋構(gòu)件的玻璃晶片，利用2個(gè)玻璃晶片將晶體晶片的激勵(lì)電極進(jìn)行氣密密封，從而能夠防止碎屑(Chipping)等的不合適來進(jìn)行處理。并且，與晶體晶片接合的2 個(gè)玻璃晶片的非接合面被切削而被薄層化。然而，在這種振子中，由于成為2個(gè)玻璃晶片的非接合面的主面被薄層化，因此制造工序會(huì)增加。與此相對(duì)，將形成了激勵(lì)電極的壓電振動(dòng)板在晶片狀態(tài)下形成，如果是在該晶片的上下接合了成為單片狀態(tài)的蓋構(gòu)件的玻璃晶片的結(jié)構(gòu)(制作方法)，就能夠防止碎屑等的不合適。然而，根據(jù)該結(jié)構(gòu)(制作方法)，成為蓋構(gòu)件的玻璃晶片的外形尺寸非常小，將用于連接到外部設(shè)備的外部端子形成到玻璃晶片變得越來越困難。本發(fā)明是鑒于上述點(diǎn)而完成的，目的在于對(duì)應(yīng)于厚度變薄而提供一種生產(chǎn)效率優(yōu)良的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法。為了達(dá)到上述目的，在本發(fā)明的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法中，所述壓電振動(dòng)設(shè)備設(shè)置有形成了激勵(lì)電極的壓電振動(dòng)板、和將所述激勵(lì)電極進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件以及下蓋構(gòu)件，所述壓電振動(dòng)板和所述上蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)板和所述下蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法具有晶片成形工序，準(zhǔn)備多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的厚片的晶片；接合工序，在所述晶片內(nèi)的下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面接合所述壓電振動(dòng)板，在所述壓電振動(dòng)板上接合所述上蓋構(gòu)件；薄片化工序，將所述晶片從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化；外部端子形成工序，在通過所述薄片化工序進(jìn)行了薄片化的所述晶片的另一主面，形成與所述激勵(lì)電極電連接的外部端子；以及分割工序， 通過將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。根據(jù)上述制造方法，能夠高效地制造具有形成了與外部設(shè)備連接的所述外部端子的所述下蓋構(gòu)件的所述壓電振動(dòng)設(shè)備。具體地說，由于多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的所述晶片形成得厚，因此能夠在所述晶片的機(jī)械強(qiáng)度良好的狀態(tài)下進(jìn)行向所述晶片的所述壓電振動(dòng)板的接合和所述上蓋構(gòu)件的接合。另外，在所述接合工序之后，通過從所述晶片的底面(所述另一主面?zhèn)?進(jìn)行薄片化，能夠同時(shí)一并調(diào)節(jié)所述下蓋構(gòu)件的厚度。并且，使所述外部端子一并形成到薄片化了的所述下蓋構(gòu)件之后，將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，因此能夠高效地得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。另外，為了達(dá)到上述目的，在本發(fā)明的其它的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法中，所述壓電振動(dòng)設(shè)備設(shè)置有形成了激勵(lì)電極的壓電振動(dòng)板、和將所述壓電振動(dòng)板進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件以及下蓋構(gòu)件，所述上蓋構(gòu)件和所述下蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法具有晶片成形工序，準(zhǔn)備多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的厚片的晶片； 接合工序，在所述晶片內(nèi)的下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面接合所述壓電振動(dòng)板，在所述下蓋構(gòu)件上接合所述上蓋構(gòu)件；薄片化工序，將所述晶片從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化；外部端子形成工序，在通過所述薄片化工序進(jìn)行了薄片化的所述晶片的另一主面，形成與所述激勵(lì)電極電連接的外部端子；以及分割工序，通過將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。根據(jù)上述制造方法，能夠高效地制造具有形成了與外部設(shè)備連接的所述外部端子的所述下蓋構(gòu)件的所述壓電振動(dòng)設(shè)備。具體地說，由于多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的所述晶片形成得厚，因此能夠在所述晶片的機(jī)械強(qiáng)度良好的狀態(tài)下進(jìn)行向所述晶片的所述壓電振動(dòng)板的接合和所述上蓋構(gòu)件的接合。另外，在所述接合工序之后，通過從所述晶片的底面(所述另一主面?zhèn)?進(jìn)行薄片化，能夠同時(shí)一并調(diào)節(jié)所述下蓋構(gòu)件的厚度。并且，在使所述外部端子一并形成到薄片化了的所述下蓋構(gòu)件之后，將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，因此能夠高效地得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。另外，根據(jù)這種制造方法，是所述壓電振動(dòng)板通過所述上蓋構(gòu)件和所述下蓋構(gòu)件而被氣密密封的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法，具有所述晶片成形工序、所述接合工序、所述薄片化工序、所述外部端子形成工序以及所述分割工序，因此通過對(duì)由晶片成形工序成形為箱狀體的所述晶片進(jìn)行所述薄片化工序，能夠抑制在所述晶片的成形時(shí)所受的所述晶片的基板彎曲的影響，能夠提高所述晶片的成形的加工精度。另外，在所述制造方法中，也可以在所述薄片化工序之前，從所述下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面?zhèn)?，形成填充了?dǎo)體的有底孔，在所述薄片化工序中，從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化直到所述有底孔露出為止，在所述外部端子形成工序中，以覆蓋所述有底孔的方式形成所述外部端子。特別是，也可以用水晶來形成所述壓電振動(dòng)板，用晶體或者玻璃來形成所述上蓋構(gòu)件以及所述下蓋構(gòu)件，在轉(zhuǎn)移到所述薄片化工序之前，從所述下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面?zhèn)?，形成填充了?dǎo)體的有底孔，在所述薄片化工序中，從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化直到所述有底孔露出為止，在所述外部端子形成工序中，以覆蓋所述有底孔的方式形成所述外部端子。根據(jù)這種制造方法，進(jìn)行薄片化的主要的對(duì)象材料為晶體或者玻璃等單一材料， 因此例如能夠容易地進(jìn)行基于濕蝕刻的薄片化，并且容易管理所述薄片化工序。另外，在所述制造方法中，也可以將在所述晶片成形工序中準(zhǔn)備的所述晶片的厚度設(shè)為預(yù)先設(shè)定的厚度，根據(jù)所述壓電振動(dòng)板的厚度，能夠改變在所述薄片化工序中進(jìn)行薄片化的所述晶片的厚度。具體地說，也可以是如下在所述晶片成形工序中準(zhǔn)備的所述晶片的厚度是固定的，根據(jù)所述壓電振動(dòng)板的厚度，能夠改變在所述薄片化工序中進(jìn)行薄片化的厚度。根據(jù)這種制造方法，例如在將AT切割晶體板用于所述壓電振動(dòng)板時(shí)，在振蕩頻率不同的所述壓電振動(dòng)設(shè)備中，容易將所述壓電振動(dòng)設(shè)備的整體高度設(shè)為同一尺寸。具體地說，在將AT切割晶體板用作所述壓電振動(dòng)板的情況下，由于AT切割晶體板的振蕩頻率與所述壓電振動(dòng)板的厚度成反比，因此振蕩頻率越低，所述壓電振動(dòng)板的厚度越厚。在是由2個(gè)所述上蓋構(gòu)件和所述下蓋構(gòu)件夾持所述壓電振動(dòng)板的結(jié)構(gòu)的所述壓電振動(dòng)設(shè)備的情況下，所述壓電振動(dòng)板的厚度根據(jù)振蕩頻率而發(fā)生變化，因此在將所述上蓋構(gòu)件以及所述下蓋構(gòu)件的與所述壓電振動(dòng)板的距離設(shè)為相同的情況下，導(dǎo)致所述壓電振動(dòng)設(shè)備的整體高度變化。然而，根據(jù)上述制造方法，以一定厚度來形成所述上蓋構(gòu)件，以比所需最大厚度更厚的狀態(tài)來形成所述下蓋構(gòu)件(所述晶片)，并根據(jù)振蕩頻率能夠改變對(duì)所述下蓋構(gòu)件進(jìn)行薄片化的量，從而能夠與振蕩頻率無關(guān)地將所述壓電振動(dòng)設(shè)備的整體高度統(tǒng)一為一定尺寸。即，由于能夠在初始狀態(tài)下將所述上蓋構(gòu)件以及所述下蓋構(gòu)件的厚度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，因此能夠降低制造成本。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)?yīng)于厚度變薄而提供一種生產(chǎn)效率優(yōu)良的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的晶體振子的截面示意圖。圖2是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖3是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖4是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖5是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖6是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖7是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖8是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖9是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖10是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖11是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖12是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖13是表示與本發(fā)明的第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖14是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖15是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖16是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖17是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖18是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖19是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖20是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖21是表示與本發(fā)明的第2實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖22是與本發(fā)明的第1實(shí)施方式以及第2實(shí)施方式有關(guān)的以晶體振子的低頻帶、 中頻帶、以及高頻帶為對(duì)象的結(jié)構(gòu)例。
圖23是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的晶體振子的截面示意圖。圖M是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖25是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖沈是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖27是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖觀是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖四是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖30是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖31是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖32是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。圖33是表示與本發(fā)明的第3實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子的制造方法的示意圖。附圖標(biāo)記說明1 晶體振子；2 晶體振動(dòng)板；20 振動(dòng)部；201 框架部的一個(gè)主面；202 框架部的另一主面；23 激勵(lì)電極；24 引出電極；25 第1接合電極；26 凸起部；27 薄片部；28 框架部；3 下蓋構(gòu)件；33 第2接合電極；4 上蓋構(gòu)件；5 接合材料；50 :Au鍍敷層；51 第1接合材料；52 第2接合材料；53 第3接合材料；54 第4接合材料。
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施方式下面，參照附圖來說明與本發(fā)明有關(guān)的第1實(shí)施方式。在第1實(shí)施方式中，以作為壓電振動(dòng)板而使用了晶體板的晶體振子為例來進(jìn)行說明。圖1是表示第1實(shí)施方式的沿著晶體振動(dòng)板2的長邊方向的晶體振子1的截面圖。 如圖1所示，與第1實(shí)施方式有關(guān)的晶體振子1的主要結(jié)構(gòu)構(gòu)件由以下部分構(gòu)成晶體振動(dòng)板2(本發(fā)明中所說的壓電振動(dòng)板)、將在該晶體振動(dòng)板2的一個(gè)主面21形成的激勵(lì)電極 23進(jìn)行氣密密封的下蓋構(gòu)件3、以及將在該晶體振動(dòng)板2的另一主面22形成的激勵(lì)電極23 進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件4。在晶體振子1中，晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3通過接合材料5而被接合，并且晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4通過接合材料5而被接合，從而構(gòu)成封裝11。下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4經(jīng)由晶體振動(dòng)板2而被接合，從而封裝11的內(nèi)部空間12形成兩處，在該封裝11的內(nèi)部空間12中形成于晶體振動(dòng)板2的兩個(gè)主面21、22的激勵(lì)電極23，在各自的內(nèi)部空間12 被氣密密封。下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4為大致相同形狀以及大致相同外形尺寸。另外，在下蓋構(gòu)件3中，在其底面(另一主面)37形成外部端子34，與外部端子34電連接的導(dǎo)通路徑(通路)35形成在其厚度方向上并貫通兩個(gè)主面31、37之間。下面，首先使用圖1來說明晶體振子1的主要結(jié)構(gòu)構(gòu)件，之后說明晶體振子1的制造方法。圖1所示的晶體振動(dòng)板2是以規(guī)定的角度所切出的AT切割晶體板。晶體振動(dòng)板 2具備形成激勵(lì)電極23的薄片區(qū)域的振動(dòng)部20、在振動(dòng)部20的一個(gè)主面21外周的一部分區(qū)域形成的凸起部沈、薄片部27、以及框架部觀，這些成形為一體。這里所說的框架部28環(huán)狀地包圍振動(dòng)部20，形成得比振動(dòng)部20厚。凸起部沈的上表面和框架部觀的一個(gè)主面201成形為位于大致同一平面上。另外，薄片部27形成在振動(dòng)部20和框架部觀之間， 形成得比振動(dòng)部20薄。晶體振動(dòng)板2 (振動(dòng)部20、凸緣(rim)部沈、薄片部27、框架部28)通過濕蝕刻而被成形，一對(duì)激勵(lì)電極23通過蒸鍍法而相對(duì)地形成在振動(dòng)部20的表背面(一個(gè)主面21和另一主面22)。在第1實(shí)施方式中，激勵(lì)電極23在振動(dòng)部20的表背主面(一個(gè)主面21和另一主面22)從下開始依次以Cr、Au的膜結(jié)構(gòu)而成膜。此外，激勵(lì)電極23的膜結(jié)構(gòu)不限于此，也可以是其它膜結(jié)構(gòu)。如圖1所示，從晶體振動(dòng)板2的表背的激勵(lì)電極23分別導(dǎo)出形成有引出電極24。 從另一主面22的激勵(lì)電極23引出的引出電極M將振動(dòng)部20在厚度方向上從另一主面22 貫穿到一個(gè)主面21而向一個(gè)主面21導(dǎo)出。并且，引出電極M以覆蓋凸起部26 (在圖1中位于左側(cè)的凸起部)的表面的方式被導(dǎo)出至凸起部沈的外側(cè)部分(外側(cè)面)。該引出電極 24中的形成在凸起部沈表面的導(dǎo)體部分成為第1接合電極25。另外，從一個(gè)主面21的激勵(lì)電極23引出的引出電極M以覆蓋凸起部26 (在圖1中位于右側(cè)的凸起部)的表面的方式被導(dǎo)出至凸起部沈的外側(cè)部分(外側(cè)面)。該引出電極M中的形成在凸起部沈表面的導(dǎo)體部分成為第1接合電極25。另外，在第1接合電極25的上部形成了 Au鍍敷層50 (參照圖7)。此外，在表示第1實(shí)施方式的附圖中，激勵(lì)電極23比引出電極M厚，但是激勵(lì)電極23和引出電極M的厚度不限于此，也可以將激勵(lì)電極23和引出電極M的厚度設(shè)為相同。如圖1所示，晶體振動(dòng)板2的兩個(gè)主面21、22已被鏡面加工，成形為平坦平滑面。 在晶體振動(dòng)板2中，框架部觀的兩個(gè)主面201、202被構(gòu)成為下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4的接合面，振動(dòng)部20被構(gòu)成為振動(dòng)區(qū)域。在框架部觀的一個(gè)主面201，形成有用于與下蓋構(gòu)件 3進(jìn)行接合的接合層即第1接合材料51 (參照圖7)。另外，在框架部觀的另一主面202，形成有用于與上蓋構(gòu)件4進(jìn)行接合的接合層即第2接合材料52 (參照圖7)。第1接合材料51 和第2接合材料52的形成寬度大致相同，第1接合材料51和第2接合材料52由同一膜結(jié)構(gòu)來構(gòu)成，這些第1接合材料51和第2接合材料52將多個(gè)金屬膜分別層疊在框架部觀的兩個(gè)主面201、202來構(gòu)成。在第1實(shí)施方式中，第1接合材料51以及第2接合材料52為如下結(jié)構(gòu)從最下層側(cè)起通過蒸鍍法來形成Cr層(省略圖示)和Au層(省略圖示)，并在其上通過電解鍍敷法而層疊了 Au鍍敷層(省略圖示)。下蓋構(gòu)件3在俯視時(shí)是矩形形狀的平板，使用了 Z板晶體。下蓋構(gòu)件3的外形尺寸在俯視時(shí)與晶體振動(dòng)板2的外形尺寸大致相同。下蓋構(gòu)件3在一個(gè)主面31的外周以及沿著外周的外周附近的區(qū)域中具有與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域。下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31為平坦平滑面(鏡面加工)。另外，在下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31形成有第2接合電極33 (參照圖7)。第2接合電極33形成為比下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31的與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域更靠內(nèi)側(cè)，經(jīng)由Au鍍敷層50而接合到第1接合電極25。該第2接合電極33是多個(gè)金屬膜層疊形成于接合區(qū)域而成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層 331，在其上層疊形成Au-Sn合金層332，進(jìn)一步在其上層疊形成了 Au薄鍍層(省略圖示) (參照圖7)?；蛘撸?接合電極33也可以從其下表面?zhèn)绕鹫翦冃纬蒀r層和Au層，并在其上依次層疊Sn鍍敷層和Au鍍敷層來形成。另外，也可以代替第2接合電極33的最下層的Cr層，而使用Mo層、W層、Ti層等。另外，在下蓋構(gòu)件3中使用了 Z板晶體，但是也可以使用其它晶體，另外也可以使用玻璃。在下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域中，形成有作為接合層的第3接合材料53(參照圖7)。具體地說，第3接合材料53是多個(gè)金屬膜層疊形成于接合區(qū)域而成，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層531(參照圖7)，在其上層疊形成Au-Sn 合金層532 (參照圖7)，進(jìn)一步在其上層疊形成了 Au薄鍍層(省略圖示)?；蛘撸?接合材料53也可以從其下表面?zhèn)绕鹫翦冃纬蒀r層和Au層，并在其上依次層疊Sn鍍敷層和Au 鍍敷層來形成。此外，第3接合材料53和第2接合電極33同時(shí)形成，第2接合電極33和第3接合材料53成為同一結(jié)構(gòu)。另外，第3接合材料53形成為其形成寬度與第1接合材料51的形成寬度大致相同。另外，在下蓋構(gòu)件3中形成有用于使晶體振動(dòng)板2的激勵(lì)電極 23與外部導(dǎo)通的通路35。經(jīng)由該通路35，電極圖案36從下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31的第2 接合電極33構(gòu)圖至下蓋構(gòu)件3的另一主面37的外部端子34。如圖1所示，上蓋構(gòu)件4在俯視時(shí)是矩形形狀的平板，與下蓋構(gòu)件3同樣地使用了 Z板晶體。上蓋構(gòu)件4的外形尺寸在俯視時(shí)與晶體振動(dòng)板2的外形尺寸大致相同。上蓋構(gòu)件4在一個(gè)主面41的外周及其附近的區(qū)域具有與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域。上蓋構(gòu)件4 的一個(gè)主面41為平坦平滑面(鏡面加工)。在上蓋構(gòu)件4的與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域中，形成有用于與晶體振動(dòng)板2進(jìn)行接合的接合層即第4接合材料M (參照圖8)。具體地說，第4接合材料M是多個(gè)金屬膜層疊形成于接合區(qū)域而成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層Ml (參照圖8)，在其上層疊形成Au-Sn合金層542 (參照圖8)，并在其上層疊形成了 Au薄鍍層(省略圖示)?；蛘?，第4接合材料M也可以從其下表面?zhèn)绕鹫翦冃纬蒀r層和Au層，并在其上依次層疊Sn鍍敷層和Au鍍敷層來形成。第4接合材料M形成為其形成寬度與第2接合材料52的形成寬度大致相同。在上述結(jié)構(gòu)的晶體振子1中，晶體振動(dòng)板2的接合面(框架部觀的一個(gè)主面201) 中的第1接合材料51的接合區(qū)域(密封路徑)、和下蓋構(gòu)件3的接合面中的第3接合材料 53的接合區(qū)域(密封路徑)具有相同的寬度。另外，晶體振動(dòng)板2的接合面(框架部觀的另一主面20 中的第2接合材料52的接合區(qū)域(密封路徑)、和上蓋構(gòu)件3的接合面中的第4接合材料M的接合區(qū)域(密封路徑)具有相同的寬度。以上是構(gòu)成晶體振子1的主要結(jié)構(gòu)構(gòu)件的說明。接著，使用圖2至圖13來說明第1實(shí)施方式中的晶體振子1的制造方法。首先，如圖2所示，準(zhǔn)備多個(gè)下蓋構(gòu)件3被一體成形的厚片的晶片30 (晶片成形工序)。此外，在圖2中為了便于說明，將上側(cè)的主面設(shè)為一個(gè)主面31，將下側(cè)的主面設(shè)為另一主面37。晶片30由Z板晶體構(gòu)成，一個(gè)主面31為平坦平滑面(鏡面加工)。接著，如圖3所示，在晶片30內(nèi)的各下蓋構(gòu)件3的形成區(qū)域(由圖3的“1區(qū)段” 示出的區(qū)域)的規(guī)定位置處，通過濕蝕刻來形成多個(gè)貫通孔350。并且，如圖4所示，向貫通孔350的內(nèi)部填充貫通導(dǎo)體351來形成通路35。在第 1實(shí)施方式中，通過蒸鍍法將成為種子層(Seed Layer)的Au層粘接到貫通孔350的內(nèi)壁面，之后通過電解鍍敷法來形成Au鍍敷層和Sn鍍敷層。之后，通過對(duì)這些金屬層進(jìn)行加熱熔融來實(shí)現(xiàn)一體化，在貫通孔350的內(nèi)部形成(填充)由Au-Sn合金構(gòu)成的貫通導(dǎo)體351。此外，貫通導(dǎo)體351向貫通孔350內(nèi)部的形成方法不限于上述的方法，例如也可以對(duì)種子層使用Au以外的金屬膜。另外，也可以從開始就使用Au-Sn合金。另外，貫通導(dǎo)體351除了 Au-Sn合金以外也可以使用Au-Ge合金、包含Cu的金屬材料(具體地說，作為種子層而形成 Ti-Cu濺射膜、并在其上形成了 Cu鍍敷膜的金屬材料等)。接著，如圖5所示，在晶片30的一個(gè)主面31側(cè)的各下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板2 的接合區(qū)域、以及晶體振動(dòng)板2的與第1接合電極25相對(duì)應(yīng)的位置處，首先形成Cr層(省略圖示)，并在該Cr層的上部形成Au層331、531。具體地說，通過蒸鍍法來形成Cr層和Au 層331、531。此外，在圖5中，用531來表示各下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板2的接合區(qū)域的 Au層，用331 (電極圖案)來表示晶體振動(dòng)板2的與第1接合電極25對(duì)應(yīng)的位置的Au層。 電極圖案36與通路35的上端連接而形成。接著，在晶片30的一個(gè)主面31形成的Au層531與電極圖案36的Au層331之上， 通過電解鍍敷法來形成由Au-Sn合金構(gòu)成的金屬層(參照圖6)。具體地說，在Au層531上形成Au-Sn合金層532，在電極圖案36的Au層331之上形成Au-Sn合金層332。并且，將極薄膜狀態(tài)的Au薄鍍層(省略圖示)層疊形成到Au-Sn合金層332、532的上層，利用Au 層531、Au-Sn合金層532以及Au薄鍍層來形成第3接合材料53，利用Au層331、Au-Sn合金層332以及Au薄鍍層來形成第2接合電極33 (參照圖7)。此外，由Au-Sn合金構(gòu)成的金屬層也可以是除了 Au-Sn合金以外依次層疊形成Sn鍍敷層和Au鍍敷層的結(jié)構(gòu)。在圖6所示的第3接合材料53以及第2接合電極33之上，通過圖像識(shí)別單元將單片狀態(tài)的多個(gè)晶體振動(dòng)板2、2…、2配置成使晶體振動(dòng)板2的一個(gè)主面21與下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31相對(duì)(參照圖7)。此時(shí)，將各下蓋構(gòu)件3的第3接合材料53、和在晶體振動(dòng)板 2的框架部觀的一個(gè)主面201形成的第1接合材料51配置于在俯視時(shí)大致一致的位置。 另外，將在下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31形成的第2接合電極33、和在晶體振動(dòng)板2的第1接合電極25形成的Au鍍敷層50配置于在俯視時(shí)大致一致的位置。在將晶體振動(dòng)板2配置于下蓋構(gòu)件3之后，在晶體振動(dòng)板2的框架部觀的另一主面202上，在通過圖像識(shí)別單元進(jìn)行了設(shè)定的位置處將單片狀態(tài)的上蓋構(gòu)件4配置成使上蓋構(gòu)件的一個(gè)主面41與晶體振動(dòng)板2的另一主面22相對(duì)(參照圖8)。此時(shí)，將在晶體振動(dòng)板2的框架部觀的另一主面202形成的第2接合材料52、和在上蓋構(gòu)件4的接合面(一個(gè)主面41)形成的第4接合材料M配置于在俯視時(shí)大致一致這樣的位置。在將晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4層疊到下蓋構(gòu)件3之后，通過使用了超聲波的接合，進(jìn)行這些下蓋構(gòu)件3、晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4的臨時(shí)接合。接著，將進(jìn)行了臨時(shí)接合的下蓋構(gòu)件3、晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4置于升溫至規(guī)定溫度的環(huán)境下，如圖9所示，通過使形成于各構(gòu)件的接合材料(第1接合材料51、第2 接合材料52、第3接合材料53、第4接合材料54)熔融來進(jìn)行永久接合(接合工序)。具體地說，通過接合第1接合材料51和第3接合材料53來構(gòu)成接合材料5，利用該接合材料5 來接合晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3。通過利用該接合材料5進(jìn)行的晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3的接合，對(duì)在晶體振動(dòng)板2的一個(gè)主面21形成的激勵(lì)電極23進(jìn)行氣密密封。另外，與該晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3的接合同時(shí)地，將第2接合電極33、和晶體振動(dòng)板2的第1接合電極25經(jīng)由Au鍍敷層50而電力機(jī)械地進(jìn)行接合。另外，與第1接合材料51和第3接合材料53的接合同時(shí)地，通過將第2接合材料52和第4接合材料M進(jìn)行加熱熔融接合來構(gòu)成接合材料5，并利用該接合材料5來接合晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4。通過利用該接合材料5進(jìn)行的晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4的接合，對(duì)在晶體振動(dòng)板2的另一主面22形成的激勵(lì)電極23進(jìn)行氣密密封。另外，與接合材料5的生成同時(shí)地，晶體振動(dòng)板2的Au鍍敷層 50和下蓋構(gòu)件3的第2接合電極33被接合，如圖9所示那樣生成合金。在該圖9中，下蓋構(gòu)件3的第2接合電極33全部被合金化，但是不限于此，也可以是第2接合電極33的一部分被合金化。此外，在第1實(shí)施方式中，在真空環(huán)境下進(jìn)行下蓋構(gòu)件3、晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4的臨時(shí)接合以及永久接合。然而，不限于此，也可以在氮等惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行下蓋構(gòu)件3、晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4的臨時(shí)接合以及永久接合。通過上述永久接合而成為如下狀態(tài)在晶片30的一個(gè)主面31接合了多個(gè)上蓋構(gòu)件4以及晶體振動(dòng)板2。在該狀態(tài)下，填充蠟(Wax)使得填埋相鄰的一組上蓋構(gòu)件3和晶體振動(dòng)板2的間隙(省略圖示)。之后，在多個(gè)上蓋構(gòu)件3的上表面粘貼晶片狀的玻璃板(省略圖示)而作為保護(hù)材料。此時(shí)，玻璃板的大小成為與晶片30的大小大致相同。接著，如圖10所示，從另一主面37側(cè)將由晶片狀的玻璃板和蠟所保護(hù)的晶片30 進(jìn)行薄片化(薄片化工序)。此時(shí)，要薄片化的厚度為直至圖9中示出的虛線的線為止。在第1實(shí)施方式中，通過機(jī)械磨削來進(jìn)行晶片30的薄片化。然而，不限于此，也可以通過化工機(jī)械研磨來進(jìn)行晶片30的薄片化。并且，如圖11所示，通過蒸鍍法而在薄片化了的狀態(tài)的晶片30的另一主面37側(cè)形成外部端子34 (外部端子形成工序)。外部端子34的膜結(jié)構(gòu)為在晶體上依次層疊了 Cr 層、Au層的狀態(tài)。如圖11所示，外部端子34形成為在通路35的下端部分(晶片30的另一主面37)中進(jìn)行連接。在外部端子形成工序之后，除掉所述玻璃板和蠟。之后，如圖12所示，在鄰接的晶體振子1之間的大致中央的位置(由圖12的虛線所示的線)處切斷晶片30。具體地說，以由圖12的虛線所示的線為基準(zhǔn)，通過切割而橫縱地切斷晶片30，從而如圖13所示，能夠同時(shí)一并得到多個(gè)晶體振子1、1、…、1 (分割工序)。根據(jù)上述制造方法，能夠高效地制造晶體振子1，其中，該晶體振子1具有形成了與外部設(shè)備連接的外部端子34的下蓋構(gòu)件3。具體地說，由于多個(gè)下蓋構(gòu)件3被一體成形的晶片30形成得厚，因此在接合工序之后，通過從晶片30的底面(另一主面37側(cè))進(jìn)行薄片化，能夠同時(shí)一并調(diào)節(jié)下蓋構(gòu)件3的厚度。并且，由于在薄片化了的下蓋構(gòu)件3上一并形成了外部端子34之后，將鄰接的晶體振子1之間進(jìn)行切斷，因此能夠高效地得到多個(gè)晶體振子1。此外，在第1實(shí)施方式中，晶體振動(dòng)板2是在振動(dòng)部20的外周形成了凸起部沈的反向臺(tái)面形狀，成為在振動(dòng)部20和凸起部沈的外側(cè)形成了薄片部27的構(gòu)造。然而，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以是如下形狀不形成薄片部27，將框架部觀的內(nèi)側(cè)設(shè)為平板，并部分地設(shè)置了貫通孔。另外，在第1實(shí)施方式中，使用Cr、Au以及Sn來作為接合材料5，但是不限于此， 例如也可以由Cr、Au以及Ge來構(gòu)成接合材料5。另外，也可以在晶體振動(dòng)板2上形成Au 和Sn等的鍍敷層疊膜、Au-Sn等的鍍敷合金層，在下蓋構(gòu)件3、上蓋構(gòu)件4上形成Au鍍敷層 (單一金屬元素的鍍敷層)。而且，在第1實(shí)施方式中，使用晶體來作為2個(gè)封裝基材的材料，但是除了晶體以外也可以使用硼硅酸玻璃等的玻璃、藍(lán)寶石。
第2實(shí)施方式以下示出與本發(fā)明有關(guān)的第2實(shí)施方式。在第2實(shí)施方式中，與上述第1實(shí)施方式同樣地，以使用晶體振動(dòng)板作為壓電振動(dòng)板的晶體振子為例來進(jìn)行說明。因此，在第2實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)件附加相同編號(hào)，省略其一部分說明。另外， 關(guān)于第2實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中的與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)具有相同的效果。以下，以與第 1實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心來說明第2實(shí)施方式。首先，準(zhǔn)備多個(gè)下蓋構(gòu)件3被一體成形的厚片的晶片30(晶片成形工序)。晶片 30由Z板晶體構(gòu)成，一個(gè)主面31為平坦平滑面(鏡面加工)(參照圖2)。并且，如圖14所示，對(duì)于該圖2所示的晶片，在晶片30內(nèi)的各下蓋構(gòu)件3的形成區(qū)域(以圖14的“1區(qū)段”表示的區(qū)域)的規(guī)定位置處，通過濕蝕刻來形成多個(gè)有底孔352。 有底孔352是通過濕蝕刻而形成的。在形成了有底孔352之后，如圖15所示，在有底孔352的內(nèi)部形成導(dǎo)體353。這里所說的導(dǎo)體353由與第1實(shí)施方式中敘述的貫通導(dǎo)體351相同的材料所構(gòu)成。接著，如圖16所示，在晶片30的一個(gè)主面31側(cè)的各下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板2 的接合區(qū)域、以及晶體振動(dòng)板2的與第1接合電極25對(duì)應(yīng)的位置處，從下起按照Cr層、Au 層的順序，形成金屬膜(省略圖示)。具體地說，通過蒸鍍法來形成Cr層(省略圖示)和 Au 層 331、531。并且，以與第1實(shí)施方式相同的次序，在Au層531以及電極圖案36 (Au層331) 的上部通過電解鍍敷法而一并形成Au-Sn合金層(參照圖6的符號(hào)332、532)，并進(jìn)一步在 Au-Sn合金層332，532的上部層疊形成極薄膜狀態(tài)的Au薄鍍層(省略圖示)。在下蓋構(gòu)件 3中通過Au層531、Au-Sn合金層532以及Au薄鍍層來形成第3接合材料53，并進(jìn)一步通過Au層331、Au-Sn合金層332以及Au薄鍍層來形成第2接合電極33。在通過如以上那樣的制造方法所形成的晶片30的一個(gè)主面31的多個(gè)的各下蓋構(gòu)件3的形成區(qū)域中，通過與第1實(shí)施方式相同的次序，利用圖像識(shí)別單元將單片狀態(tài)的多個(gè)晶體振動(dòng)板2進(jìn)行定位載置。并且，將定位載置了的多個(gè)晶體振動(dòng)板2臨時(shí)接合到晶片30。 在臨時(shí)接合的晶體振動(dòng)板2的框架部觀的另一主面202中，通過圖像識(shí)別單元將單片狀態(tài)的多個(gè)上蓋構(gòu)件4進(jìn)行定位載置，臨時(shí)接合晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4。將臨時(shí)接合的晶片30、晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4置于升溫至規(guī)定溫度的環(huán)境下，如圖17所示，使在晶片 30、晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4所形成的第1接合材料51、第2接合材料52、第3接合材料53、以及第4接合材料M熔融而進(jìn)行永久接合(接合工序)。在接合工序中，如圖17所示，通過接合第1接合材料51和第3接合材料53來構(gòu)成接合材料5，利用該接合材料5來接合晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3。與該晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3的接合同時(shí)地，將第2接合電極33、和晶體振動(dòng)板2的第1接合電極25經(jīng)由Au鍍敷層50而電力機(jī)械地進(jìn)行接合。 另外，通過使第2接合材料52和第4接合材料M加熱熔融接合來構(gòu)成接合材料5，利用該接合材料5來接合晶體振動(dòng)板2和上蓋構(gòu)件4。通過接合工序的永久接合，成為在晶片30的一個(gè)主面31接合了許多上蓋構(gòu)件4 和晶體振動(dòng)板2的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，與第1實(shí)施方式同樣地，填充蠟使得填埋所鄰接的一組上蓋構(gòu)件3和晶體振動(dòng)板2的間隙(省略圖示)。之后，在多個(gè)上蓋構(gòu)件3的上表面粘貼晶片狀的玻璃板來作為保護(hù)材料。
接著，如圖18所示，將被晶片狀的玻璃板和蠟所保護(hù)的晶片30，從另一主面37側(cè)薄片化至圖17中示出的虛線的線為止(直到通路35露出為止進(jìn)行薄片化)。該薄片化工序之后的工序與第1實(shí)施方式相同。具體地說，如圖19所示，在薄片化了的另一主面37側(cè)通過蒸鍍法來形成由Cr和Au構(gòu)成的外部端子34 (外部端子形成工序)。并且，在外部端子形成工序之后，除掉所述玻璃板和蠟。之后，如圖20所示，在所鄰接的晶體振子1之間的大致中央的位置(由虛線示出的線)處通過切割來切斷晶片30。通過這樣進(jìn)行切斷，如圖21 所示，能夠同時(shí)一并得到多個(gè)晶體振子1、1、…、1 (分割工序)。如上述那樣，根據(jù)與第2實(shí)施方式有關(guān)的制造方法，由于要薄片化的主要的對(duì)象材料是由晶體構(gòu)成的單一的材料，因此例如能夠容易地進(jìn)行基于濕蝕刻的薄片化，并且容
易管理薄片化工序。另外，在上述第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式中，使用了在俯視時(shí)為矩形形狀且平板狀的2個(gè)蓋構(gòu)件(下蓋構(gòu)件3、上蓋構(gòu)件4)，但是不限于此，只要能夠利用2個(gè)蓋構(gòu)件將形成于晶體振動(dòng)板2的激勵(lì)電極23進(jìn)行氣密密封，就能夠任意地設(shè)定蓋構(gòu)件的形狀。例如也可以是如下方式在截面狀態(tài)下形成為凹狀的2個(gè)蓋構(gòu)件的凹部分以與晶體振動(dòng)板2相對(duì)的方式被氣密接合。另外，在上述第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式中，對(duì)晶片狀的下蓋構(gòu)件3 (晶片30) 配置了被單片化的晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4，但是不限于此，也可以使用晶片狀的晶體振動(dòng)板2以及上蓋構(gòu)件4。此外，根據(jù)第1實(shí)施方式以及第2實(shí)施方式，如圖22所示，也可以將在晶片成形工序中準(zhǔn)備的晶片(下蓋構(gòu)件幻的厚度設(shè)為預(yù)先設(shè)定的一定的厚度，并根據(jù)晶體振動(dòng)板2的厚度，來改變在薄片化工序中進(jìn)行薄片化的晶片的厚度。根據(jù)這種制造方法，例如將AT切割晶體板用于晶體振動(dòng)板2時(shí)，即使在振蕩頻率不同的晶體振子1中，也容易將晶體振子1 的整體高度設(shè)為同一尺寸。具體地說，AT切割晶體板的振蕩頻率與晶體振動(dòng)板2(特別是振動(dòng)部20)的厚度成反比，因此振蕩頻率越低，晶體振動(dòng)板2 (特別是振動(dòng)部20)的厚度越厚。在是由2個(gè)下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4夾持晶體振動(dòng)板2的構(gòu)造的晶體振子1的情況下，晶體振動(dòng)板2的厚度根據(jù)振蕩頻率而發(fā)生變化。因此，在將上蓋構(gòu)件4以及下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板2的距離設(shè)為相同的情況下，導(dǎo)致晶體振子1的整體高度發(fā)生變化。然而，根據(jù)上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式的制造方法，以一定厚度形成上蓋構(gòu)件4，以比所需最大厚度還厚的狀態(tài)形成下蓋構(gòu)件3 (晶片)，并能夠根據(jù)振蕩頻率來改變將下蓋構(gòu)件3進(jìn)行薄片化的量，從而能夠?qū)⒕w振子1的整體高度設(shè)為同一尺寸。例如，在圖22所示的三個(gè)晶體振子1中，左側(cè)的圖表示低頻帶，正中間的圖表示中頻帶，右側(cè)的圖表示高頻帶的晶體振子。在圖22所示的晶體振子1中，使用AT切割晶體振動(dòng)板來作為晶體振動(dòng)板2，由于其厚度與振蕩頻率成反比，因此從左側(cè)起朝向右側(cè)依次變薄。此外，上蓋構(gòu)件4的厚度與頻帶無關(guān)而成為固定。根據(jù)晶體振動(dòng)板2的厚度，下蓋構(gòu)件 3的厚度從左側(cè)起朝向右側(cè)依次變厚。這樣，與振蕩頻率無關(guān)地，能夠根據(jù)振蕩頻率來改變將下蓋構(gòu)件3進(jìn)行薄片化的量，從而能夠?qū)⒕w振子1的整體高度設(shè)為同一尺寸。因而，能夠?qū)⒕w振子1的結(jié)構(gòu)構(gòu)件的厚度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，能夠降低制造成本。另外，在上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式中，使用了在俯視時(shí)為矩形形狀且平板狀的2個(gè)蓋構(gòu)件(下蓋構(gòu)件3、上蓋構(gòu)件4)，但是不限于此，也可以由一個(gè)板狀的上蓋構(gòu)件 4、和箱狀體的下蓋構(gòu)件3來構(gòu)成封裝11，并在封裝11內(nèi)的下蓋構(gòu)件3上以氣密密封的狀態(tài)來配置晶體振動(dòng)板2。具體地說，也可以是圖23所示的晶體振子1。以下，作為第3實(shí)施方式而示出該圖23所示的晶體振子1。第3實(shí)施方式與本發(fā)明有關(guān)的第3實(shí)施方式不同于上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式，如圖23所示，是晶體振動(dòng)板2自身通過上蓋構(gòu)件4和下蓋構(gòu)件3而被氣密密封的實(shí)施方式。因此，在第3實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式相同名稱的結(jié)構(gòu)構(gòu)件附加相同編號(hào)， 并省略關(guān)于與第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)件、制造方法的一部分說明。另外， 第3實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中的與第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)、制造方法具有相同的效果。以下，以與第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心來說明第3實(shí)施方式。在第3實(shí)施方式的晶體振子1中，如圖23所示設(shè)置有由AT切割晶體構(gòu)成的晶體振動(dòng)板2、用于保持該晶體振動(dòng)板2并將晶體振動(dòng)板2進(jìn)行氣密密封的下蓋構(gòu)件3、以及用于將保持于下蓋構(gòu)件3的晶體振動(dòng)板2進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件4。此外，晶體振動(dòng)板2也可以使用音叉型晶體振動(dòng)板等其它壓電振動(dòng)板。在該晶體振子1中，由下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4構(gòu)成封裝11，下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4通過接合材料5而接合，形成了氣密密封的一個(gè)內(nèi)部空間12。在該內(nèi)部空間12中，晶體振動(dòng)板2使用導(dǎo)電性凸塊(bump) 6通過FCB方法(Flip Chip Bonding 倒裝焊接)電力機(jī)械地被超聲波接合到下蓋構(gòu)件3。接著，使用圖23來說明該晶體振子1的各結(jié)構(gòu)。下蓋構(gòu)件3由透過性材料的包含Si和添加劑的硼硅酸玻璃構(gòu)成，成形為箱狀體， 該箱狀體由底部381、和沿著下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31的主面外周而從底部381向上方延伸出的壁部382構(gòu)成。下蓋構(gòu)件3是利用光刻法對(duì)在俯視時(shí)為矩形形狀的長方體的一張板進(jìn)行蝕刻而成形的。下蓋構(gòu)件3的壁部382的頂面是與上蓋構(gòu)件4的接合面，在該接合面設(shè)置有用于與上蓋構(gòu)件4進(jìn)行接合的第3接合材料53 (參照圖觀)。第3接合材料53是多個(gè)金屬膜層疊形成于接合區(qū)域而成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層(省略圖示)，并在其上層疊形成有Au薄鍍層(省略圖示)。在下蓋構(gòu)件3中形成有被底部381和壁部382所包圍的空腔383，該空腔383形成為在俯視時(shí)為大致矩形形狀。另外，在下蓋構(gòu)件3的框體背面(另一主面37)的四角形成有堞形部(CaStellati0n)384。這些堞形部384形成在框體側(cè)面，沿著下蓋構(gòu)件3的另一主面37的四角而形成。堞形部384的壁面成形為曲面。另外，在下蓋構(gòu)件3中，形成有與晶體振動(dòng)板2的激勵(lì)電極23的各自電力機(jī)械地接合的第2接合電極33 (參照圖28)、與外部設(shè)備電連接的外部端子34、以及將第2接合電極33和外部端子34進(jìn)行連接的電極圖案36。通過這些第2接合電極33、外部端子34以及電極圖案36來構(gòu)成下蓋構(gòu)件3的電極。這里所說的第2接合電極33是與第3接合材料 53同時(shí)形成的，并由相同的材料構(gòu)成。另外，在下蓋構(gòu)件3中，形成有用于使晶體振動(dòng)板2的激勵(lì)電極23從空腔383內(nèi)朝向空腔383外導(dǎo)通的通路35。經(jīng)由該通路35，電極圖案36從下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31的第2接合電極33構(gòu)圖至另一主面37的外部端子34。上蓋構(gòu)件4由透過性材料的包含Si和添加劑的硼硅酸玻璃構(gòu)成，成形于在俯視時(shí)為矩形形狀的長方體的一張板。在該上蓋構(gòu)件4中，在下表面設(shè)置有與蓋進(jìn)行接合的第 4接合材料54(參照圖30)。第4接合材料M是多個(gè)金屬膜層疊形成于接合區(qū)域而成的， 從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層Ml，在其上層疊形成Au-Sn合金層
參照圖30)，進(jìn)一步在其上層疊形成了 Au薄鍍層(省略圖示)。晶體振動(dòng)板2由AT切割晶體片的基板構(gòu)成，其外形是在俯視時(shí)為大致矩形形狀的 (表背主面21、22形成為大致矩形形狀)一張板的長方體。在該晶體振動(dòng)板2中，形成有激勵(lì)電極23和引出電極24。激勵(lì)電極23被引出電極M引出，在引出電極23的第1接合電極25上形成有成為導(dǎo)電性凸塊6的Au鍍敷層和 Au-Sn合金層。在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振子1中，下蓋構(gòu)件3和晶體振動(dòng)板2經(jīng)由導(dǎo)電性凸塊 6通過FCB法而電力機(jī)械地被超聲波接合。通過該接合，晶體振動(dòng)板2的激勵(lì)電極23經(jīng)由引出電極M的第1接合電極25、導(dǎo)電性凸塊6而電力機(jī)械地被接合到下蓋構(gòu)件3的第2接合電極33，在下蓋構(gòu)件3中搭載晶體振動(dòng)板2。并且，上蓋構(gòu)件4經(jīng)由第3接合材料53和第4接合材料M通過加熱熔融而被接合到搭載了晶體振動(dòng)板2的下蓋構(gòu)件3，制造出將晶體振動(dòng)板2進(jìn)行了氣密密封的晶體振子1。以上是構(gòu)成晶體振子1的主要結(jié)構(gòu)構(gòu)件的說明。接著，使用圖M至33來說明第3實(shí)施方式中的晶體振子1的制造方法。首先，如圖M所示，準(zhǔn)備多個(gè)下蓋構(gòu)件3被一體成形的厚片的晶片30(晶片成形工序)。接著，如圖25所示，通過光刻法而在晶片30的一個(gè)主面31形成各下蓋構(gòu)件3的空腔383的外形，在晶片30的另一主面37形成各下蓋構(gòu)件3的堞形部384的外形。接著，如圖沈所示，在晶片30內(nèi)的各下蓋構(gòu)件3的形成區(qū)域(由圖沈的“1區(qū)段” 表示的區(qū)域)的規(guī)定位置處，通過濕蝕刻來形成多個(gè)貫通孔350。并且，如圖27所示，在貫通孔350的內(nèi)部填充貫通導(dǎo)體351來形成通路35。接著，如圖28所示，在晶片30的一個(gè)主面31側(cè)的各下蓋構(gòu)件3的與晶體振動(dòng)板 2的接合區(qū)域、以及晶體振動(dòng)板2的與第1接合電極25對(duì)應(yīng)的位置處，形成Cr層(省略圖示)，并在該Cr層的上部形成Au層，在Au層上層疊形成極薄膜狀態(tài)的Au薄鍍層(省略圖示)，由Cr層、Au層以及Au薄鍍層形成第3接合材料53。Au薄鍍層在向Au層上形成時(shí)也同時(shí)形成在第2接合電極33上。在圖觀所示的第2接合電極33之上，通過圖像識(shí)別單元將單片狀態(tài)的多個(gè)晶體振動(dòng)板2、2…、2配置成使晶體振動(dòng)板2的一個(gè)主面21與下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31相對(duì) (參照圖29)。此外，由于在晶體振動(dòng)板2中形成有導(dǎo)電性凸塊6，因此將在下蓋構(gòu)件3的一個(gè)主面31形成的第2接合電極33、和在晶體振動(dòng)板2的第1接合電極25上形成的導(dǎo)電性凸塊6配置于在俯視時(shí)大致一致的位置。在該定位之后，在使超聲波喇叭接觸到晶體振動(dòng)板2的狀態(tài)下一邊進(jìn)行加壓一邊施加超聲波。由此，將晶體振動(dòng)板2的第1接合電極25接合到下蓋構(gòu)件3的第2接合電極33 (接合工序之一)。在將晶體振動(dòng)板2電力機(jī)械地接合到晶片30(下蓋構(gòu)件幻之后，在晶片30上，在利用圖像識(shí)別單元進(jìn)行了設(shè)定的位置處，將單片狀態(tài)的上蓋構(gòu)件4配置成使上蓋構(gòu)件的一個(gè)主面41與晶片30的一個(gè)主面31相對(duì)(參照圖30)。此時(shí)，將在晶片30的一個(gè)主面形成的第3接合材料53、和在上蓋構(gòu)件4的接合面(一個(gè)主面41)形成的第4接合材料M配置于在俯視時(shí)大致一致的位置。在將上蓋構(gòu)件4層疊到下蓋構(gòu)件3之后，通過使用了超聲波的接合，進(jìn)行下蓋構(gòu)件 3和上蓋構(gòu)件4的臨時(shí)接合(接合工序之一)。接著，將進(jìn)行了臨時(shí)接合的下蓋構(gòu)件3和上蓋構(gòu)件4置于升溫至規(guī)定溫度的環(huán)境下，通過使形成于各構(gòu)件的接合材料(第3接合材料53、第4接合材料54)熔融來進(jìn)行永久接合(接合工序之一)。具體地說，通過接合第3接合材料53和第4接合材料M來構(gòu)成接合材料5，并利用該接合材料5來接合晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3。通過利用該接合材料5 進(jìn)行的晶體振動(dòng)板2和下蓋構(gòu)件3的接合，將形成了激勵(lì)電極23的晶體振動(dòng)板2自身進(jìn)行氣密密封。通過上述永久接合，成為在晶片30的一個(gè)主面31接合了許多上蓋構(gòu)件4的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，填充蠟使得填埋所鄰接的一組上蓋構(gòu)件3和晶體振動(dòng)板2的間隙(省略圖示)。之后，在多個(gè)上蓋構(gòu)件3的上表面粘貼晶片狀的玻璃板(省略圖示)來作為保護(hù)材料。此時(shí)，玻璃板的大小與晶片30的大小大致相同。接著，如圖31所示，將被晶片狀的玻璃板和蠟所保護(hù)的晶片30從另一主面37側(cè)進(jìn)行薄片化(薄片化工序)。此時(shí)，要薄片化的厚度為直至圖30中所示的虛線的線為止。 在第3實(shí)施方式中，通過機(jī)械磨削來進(jìn)行晶片30的薄片化。然而，不限于此，也可以通過化工機(jī)械研磨來進(jìn)行晶片30的薄片化。并且，如圖32所示，在薄片化了的狀態(tài)的晶片30的另一主面37側(cè)，通過蒸鍍法而形成外部端子34 (外部端子形成工序)。外部端子34的膜結(jié)構(gòu)成為在晶體上依次層疊了 Cr層、Au層的狀態(tài)。如圖32所示，外部端子34形成為與通路35的下端部分(晶片30的另一主面37)連接，引出形成至堞形部384。在外部端子形成工序之后，除掉所述的玻璃板和蠟。之后，如圖32所示，在鄰接的晶體振子1間的大致中央的位置(由圖32的虛線表示的線)處切斷晶片30。具體地說，以由圖32的虛線表示的線為基準(zhǔn)，通過切割而橫縱地切斷晶片30，從而如圖33所示，能夠同時(shí)一并得到多個(gè)晶體振子1、1、…、1 (分割工序)。根據(jù)該第3實(shí)施方式，由于具有晶片成形工序、接合工序、薄片化工序、外部端子形成工序以及分割工序，因此具有與上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式相同的效果，而且通過對(duì)由晶片成形工序成形為箱狀體的晶片30進(jìn)行薄片化工序，能夠抑制在晶片30的成形時(shí)所受的晶片30的基板彎曲的影響，能夠提高晶片30的成形的加工精度。在上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式、以及第3實(shí)施方式中，以表面安裝型晶體振子為例，但是也能夠應(yīng)用于在晶體濾波器、集成電路等電子部件中安裝了晶體振子的晶體振動(dòng)器等、電子設(shè)備等中所使用的其它表面安裝型的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法中。本發(fā)明不超出其精神或者主要的特征而能夠以其它各種方式來實(shí)施。因此，上述的實(shí)施方式在所有的點(diǎn)中只不過是例示，不應(yīng)限定地進(jìn)行解釋。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求書來示出，不被說明書文本所約束。而且，屬于權(quán)利要求書的均等范圍內(nèi)的變形、變更全部都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
另外，本申請要求基于2009年1月7日在日本提出申請的日本特愿2009-001796 號(hào)的優(yōu)先權(quán)。通過在這里說明，將其全部的內(nèi)容引入本申請中。產(chǎn)、丨k卜.的可利用件適合壓電振動(dòng)設(shè)備的量產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法，其中，所述壓電振動(dòng)設(shè)備設(shè)置有形成了激勵(lì)電極的壓電振動(dòng)板、和將所述激勵(lì)電極進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件以及下蓋構(gòu)件，所述壓電振動(dòng)板和所述上蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)板和所述下蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法具有晶片成形工序，準(zhǔn)備多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的厚片的晶片； 接合工序，在所述晶片內(nèi)的下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面接合所述壓電振動(dòng)板，在所述壓電振動(dòng)板上接合所述上蓋構(gòu)件；薄片化工序，將所述晶片從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化； 外部端子形成工序，在通過所述薄片化工序進(jìn)行了薄片化的所述晶片的另一主面，形成與所述激勵(lì)電極電連接的外部端子；以及分割工序，通過將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。
2.一種壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法，其中，所述壓電振動(dòng)設(shè)備設(shè)置有形成了激勵(lì)電極的壓電振動(dòng)板、和將所述壓電振動(dòng)板進(jìn)行氣密密封的上蓋構(gòu)件以及下蓋構(gòu)件，所述上蓋構(gòu)件和所述下蓋構(gòu)件經(jīng)由接合材料而被接合，所述壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法具有晶片成形工序，準(zhǔn)備多個(gè)所述下蓋構(gòu)件被一體成形的厚片的晶片； 接合工序，在所述晶片內(nèi)的下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面接合所述壓電振動(dòng)板，在所述下蓋構(gòu)件上接合所述上蓋構(gòu)件；薄片化工序，將所述晶片從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化； 外部端子形成工序，在通過所述薄片化工序進(jìn)行了薄片化的所述晶片的另一主面，形成與所述激勵(lì)電極電連接的外部端子；以及分割工序，通過將所鄰接的所述壓電振動(dòng)設(shè)備間進(jìn)行切斷，得到多個(gè)所述壓電振動(dòng)設(shè)備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法，其特征在于， 在所述薄片化工序之前，從所述下蓋構(gòu)件的一個(gè)主面?zhèn)刃纬商畛淞藢?dǎo)體的有底孔， 在所述薄片化工序中，從所述晶片的另一主面?zhèn)冗M(jìn)行薄片化直到所述有底孔露出為止，在所述外部端子形成工序中，以覆蓋所述有底孔的方式形成所述外部端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法，其特征在于， 將在所述晶片成形工序中準(zhǔn)備的所述晶片的厚度設(shè)為預(yù)先設(shè)定的厚度，根據(jù)所述壓電振動(dòng)板的厚度，能夠改變在所述薄片化工序中進(jìn)行薄片化的所述晶片的厚度。
全文摘要
本發(fā)明的壓電振動(dòng)設(shè)備的制造方法具有以下的工序。即，具有晶片成形工序，準(zhǔn)備多個(gè)下蓋構(gòu)件(3)被一體成形的厚片的晶片(30)；接合工序，在晶片(30)的一個(gè)主面(31)經(jīng)由接合材料(5)來接合晶體振動(dòng)板(2、2、…、2)，在該晶體振動(dòng)板上經(jīng)由接合材料(5)來接合上蓋構(gòu)件(4、4、…、4)；薄片化工序，將晶片(30)從該晶片的另一主面(37)進(jìn)行薄片化；外部端子形成工序，在進(jìn)行了薄片化的晶片的另一主面形成外部端子；和分割工序，通過將所鄰接的晶體振子間進(jìn)行切斷，得到多個(gè)晶體振子。
文檔編號(hào)H03H3/02GK102273071SQ201080004013
公開日2011年12月7日 申請日期2010年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月7日
發(fā)明者佐藤俊介, 幸田直樹 申請人:株式會(huì)社大真空