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基座、石英晶體諧振器及加工工藝的制作方法

文檔序號:7518412閱讀:368來源:國知局
專利名稱:基座、石英晶體諧振器及加工工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基座、石英晶體諧振器及加工工藝,屬于諧振器結(jié)構(gòu)及加工工藝 技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的石英晶體諧振器的絕緣子內(nèi)嵌,石英晶體諧振器兩電極在回流焊時可能會 發(fā)生錫短路,并且會發(fā)生石英晶體諧振器兩電極與底板、外殼易短路,目前,表面貼裝型SMD 產(chǎn)品采用陶瓷材料作為絕緣體,只能采用平行封焊形式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述已有技術(shù)存在的不足之處,提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計合理, 能夠有效防止石英晶體諧振器兩電極在回流焊時錫短路,防止石英晶體諧振器兩電極與底 板、外殼短路的基座、石英晶體諧振器及加工工藝。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的基座,其特殊之處在于包括鏡像設(shè)計的U型第一電極2和U型第二電極3、底板9 與絕緣子,U型第一電極2和U型第二電極3之間以及U型第一電極2和U型第二電極3外 側(cè)與底板9之間分別填充絕緣子,絕緣子外露于石英晶體諧振器外;所述底板9通過第一絕緣子10與U型第一電極2絕緣連接,U型第一電極2通過 第二絕緣子1與U型第二電極3絕緣連接,U型第二電極3通過第三絕緣子11與底板9絕 緣連接,第一絕緣子10、第二絕緣子1、第三絕緣子11均外露于石英晶體諧振器外;所述U型第一電極2和U型第二電極3采用可伐合金制成,U型第一電極2和U型 第二電極3采用腐蝕方法或直接成型方法形成;所述底板9的上表面設(shè)有凸椽12,以適用于石英晶體諧振器的外殼8封裝。上述基座的加工工藝,其特殊之處在于包括以下兩種工藝流程1、采用玻璃材料加陶瓷材料直接成型絕緣體,然后向絕緣體內(nèi)插入兩個L型電 極,再將兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極2和U型第二電極3,然后在 絕緣體的兩側(cè)分別燒結(jié)底板9 ;2、首先做成金屬腔體,然后向腔體內(nèi)放入用于制造絕緣子的玻璃材料,然后向玻 璃材料中插入兩個L型電極,再將兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極2 和U型第二電極3,燒結(jié)成型;在金屬腔體兩側(cè)的底板9位置處、U型第一電極2和U型第二電極3的外圍涂敷保 護層,然后腐蝕,使絕緣子外露,形成裸露的第一絕緣子10、第二絕緣子1、第三絕緣子11, 金屬腔體涂敷保護層處未被腐蝕,形成兩側(cè)的底板9,裸露的絕緣子將兩側(cè)的底板9與U型 第一電極2和U型第二電極3之間分別隔斷,防止發(fā)生錫短路。采用上述基座的石英晶體諧振器,其特殊之處在于包括基座與外殼8,外殼8底部 通過底板9上表面所設(shè)凸椽12與基座封裝,基座的U型第一電極2和U型第二電極3的上方分別連接第一簧片4、第二簧片5,第一簧片4、第二簧片5的上表面通過導(dǎo)電膠6連接晶 片7。上述石英晶體諧振器的加工工藝,特殊之處在于包括以下工藝流程1、在上述制作的基座的U型第一電極2和U型第二電極3的上表面分別點焊第一 簧片4、第二簧片5,在第一簧片4、第二簧片5的上方放置晶片7,然后在晶片7的兩側(cè)點膠, 通過導(dǎo)電膠6使晶片7與第一簧片4、第二簧片5相固定;2、采用平行封焊或者電阻焊將外殼8壓封于底板9上。本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計合理,絕緣子外露能有效防止石英晶體諧振器兩電極在回流焊時 發(fā)生錫短路,并且能防止石英晶體諧振器兩電極與底板、外殼短路,電極采用可伐合金制 成,壓封形式仍可采用電阻焊形式,同時可通過改變底板結(jié)構(gòu)采用平行封焊,有效的提高了 密封性。


圖1 本發(fā)明一種石英晶體諧振器的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2 第一簧片4、第二簧片5結(jié)構(gòu)示意圖;圖3 第一簧片4、第二簧片5加工方法示意圖。圖中1、第二絕緣子,2、U型第一電極,3、U型第二電極,4、第一簧片,5、第二簧片, 6、導(dǎo)電膠,7、晶片,8、外殼,9、底板,10、第一絕緣子,11、第三絕緣子,12、凸椽。
具體實施例方式以下參考附圖給出本發(fā)明具體實施方式
,用來對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。實施例1本實施例的基座,包括鏡像設(shè)計的U型第一電極2和U型第二電極3、底板9與絕 緣子,U型第一電極2和U型第二電極3之間以及U型第一電極2和U型第二電極3外側(cè) 與底板9之間分別填充絕緣子,通過絕緣子10、1、11相互絕緣并與底板9絕緣,底板9的上 表面設(shè)有適用于石英晶體諧振器外殼8封裝的凸椽12,底板9通過第一絕緣子10與U型 第一電極2絕緣連接,U型第一電極2通過第二絕緣子1與U型第二電極3絕緣連接,U型 第二電極3通過第三絕緣子11與底板9絕緣連接,第一絕緣子10、第二絕緣子1、第三絕緣 子11外露于石英晶體諧振器外;U型第一電極2、U型第二電極3采用可伐合金制成,采用 直接成型方法形成。基座的加工工藝包括以下工藝流程采用玻璃材料加陶瓷材料直接成型絕緣體,然后向絕緣體內(nèi)插入兩個L型電極, 再將兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極2和U型第二電極3,然后在絕 緣體的兩側(cè)分別燒結(jié)底板9;石英晶體諧振器,見圖1,包括基座與外殼8,外殼8底部通過底板9上表面所設(shè)凸 椽12與基座封裝,基座的U型第一電極2和U型第二電極3的上方分別連接第一簧片4、第 二簧片5,第一簧片4、第二簧片5的上表面通過導(dǎo)電膠6連接晶片7。上述第一簧片4、第二簧片5見圖2,包括一對對稱的設(shè)有低臺面21的簧片,低臺 面21的上表面一側(cè)為凸起的高平臺22,高平臺22的上表面為粗糙處理的點膠面23,低臺面21設(shè)有用于與下部引線相點焊的點焊點24。上述第一簧片4、第二簧片5加工方法,見圖3,包括以下步驟1、對長方體簧片的一側(cè)進(jìn)行沖壓,形成一邊凸起、一邊下凹的L型臺階,L型臺階 的下凹側(cè)構(gòu)成一個下臺面,L型臺階的凸起側(cè)、即未進(jìn)行沖壓一側(cè)構(gòu)成一個上臺面,即簧片 的高平臺22 ;2、將上述沖壓形成的L型臺階下臺面的外側(cè)溢出部分C-l、C-2、C_3裁掉,即形成 簧片的低臺面21。石英晶體諧振器的加工工藝,包括以下工藝流程1、在上述制作的基座的U型第一電極2和U型第二電極3的上表面分別點焊第一 簧片4、第二簧片5,在第一簧片4、第二簧片5的上方放置晶片7,然后在晶片7的兩側(cè)點膠, 通過導(dǎo)電膠6使晶片7與第一簧片4、第二簧片5相固定;2、采用平行封焊或者電阻焊將外殼8壓封于底板9上。實施例2與實施例1的區(qū)別在于U型第一電極2、U型第二電極3采用腐蝕方法形成?;募庸すに嚢ㄒ韵鹿に嚵鞒淌紫茸龀山饘偾惑w,然后向腔體內(nèi)放入用于制造絕緣子的玻璃材料,然后向玻璃 材料中插入兩個L型電極,再將兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極2和 U型第二電極3,燒結(jié)成型;然后在金屬腔體兩側(cè)的底板9位置處、U型第一電極2和U型第二電極3的外圍 涂敷保護層,然后腐蝕,使絕緣子外露,形成裸露的第一絕緣子10、第二絕緣子1、第三絕緣 子11,金屬腔體涂敷保護層形成兩側(cè)的底板9,裸露的絕緣子將兩側(cè)的底板9、U型第一電極 2和U型第二電極3之間分別隔斷,防止發(fā)生錫短路。由于目前SMD石英諧振器產(chǎn)品有兩種類型,一種是金屬封裝,此產(chǎn)品基座供應(yīng)幾 乎被日本壟斷,導(dǎo)致成本高且供應(yīng)不穩(wěn)定,另一種是膠封裝產(chǎn)品,雖然是成熟技術(shù),但由于 膠需要高溫(390° )融化,在質(zhì)量信賴性上較金屬封裝差,并且供應(yīng)也幾乎被日本壟斷;此 專利產(chǎn)品結(jié)合了 HC-49S支架制作工藝,外形上用U型電極替代引線,所有原材料及加工國 內(nèi)均能完成,從而使成本降低。上述實施例結(jié)構(gòu)設(shè)計合理,能夠有效降低晶體的整體高度,實現(xiàn)晶體的小型化。絕 緣子外露能有效防止石英晶體諧振器兩電極在回流焊時錫短路,并且能防止石英晶體諧振 器兩電極與底板、外殼短路,電極采用可伐合金制成,基座采用腐蝕方法或直接成型方法所 形成,壓封形式仍可采用電阻焊形式,同時可通過改變底板結(jié)構(gòu)采用平行封焊,有效的提高 了密封性。
權(quán)利要求
1.基座,其特征在于包括鏡像設(shè)計的U型第一電極( 和U型第二電極(3)、底板(9) 與絕緣子,U型第一電極⑵和U型第二電極(3)之間以及U型第一電極⑵和U型第二 電極C3)外側(cè)與底板(9)之間分別填充絕緣子,絕緣子外露于石英晶體諧振器外。
2.按照權(quán)利要求1所述基座,其特征在于所述底板(9)通過第一絕緣子(10)與U型第一電極( 絕緣連接,U型第一電極(2) 通過第二絕緣子(1)與U型第二電極C3)絕緣連接,U型第二電極C3)通過第三絕緣子(11) 與底板(9)絕緣連接,第一絕緣子(10)、第二絕緣子(1)、第三絕緣子(11)均外露于石英晶 體諧振器外。
3.按照權(quán)利要求1所述基座,其特征在于所述U型第一電極( 和U型第二電極C3)采用可伐合金制成,U型第一電極( 和U 型第二電極C3)采用腐蝕方法或直接成型方法形成。
4.按照權(quán)利要求1所述的基座,其特征在于所述底板(9)的上表面設(shè)有適用于石英晶體諧振器的外殼(8)封裝的凸椽(12)。
5.權(quán)利要求1或2所述基座的加工工藝,其特征在于包括以下工藝流程采用玻璃材料加陶瓷材料直接成型絕緣體,然后向絕緣體內(nèi)插入兩個L型電極,再將 兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極( 和U型第二電極(3),然后在絕 緣體的兩側(cè)分別燒結(jié)底板(9)。
6.權(quán)利要求1或2所述基座的加工工藝,其特征在于包括以下工藝流程首先做成金屬腔體,然后向腔體內(nèi)放入用于制造絕緣子的玻璃材料,然后向玻璃材料 中插入兩個L型電極,再將兩個L型電極上部分別打彎,打完后形成U型第一電極( 和U 型第二電極(3),燒結(jié)成型;在金屬腔體兩側(cè)的底板(9)位置處、U型第一電極( 和U型第二電極(3)的外圍涂 敷保護層,然后腐蝕,使絕緣子外露,形成裸露的第一絕緣子(10)、第二絕緣子(1)、第三絕 緣子(11),金屬腔體涂敷保護層處形成兩側(cè)的底板(9),裸露的絕緣子將兩側(cè)的底板(9)、U 型第一電極⑵和U型第二電極(3)之間分別隔斷。
7.包含權(quán)利要求1或2所述基座的石英晶體諧振器,其特征在于包括基座與外殼(9),外殼(9)底部通過底板(9)上表面所設(shè)凸椽(1 與基座封裝,基 座的U型第一電極( 和U型第二電極(3)的上方分別連接第一簧片G)、第二簧片(5), 第一簧片G)、第二簧片(5)的上表面通過導(dǎo)電膠(6)連接晶片(7)。
8.權(quán)利要求7所述石英晶體諧振器的加工工藝,特征在于包括以下工藝流程(1)、在上述制作的基座的U型第一電極( 和U型第二電極(3)的上表面分別點焊第 一簧片G)、第二簧片(5),在第一簧片G)、第二簧片(5)的上方放置晶片(7),然后在晶片 (7)的兩側(cè)點膠,通過導(dǎo)電膠(6)使晶片(7)與第一簧片G)、第二簧片(5)相固定;O)、采用平行封焊或者電阻焊將外殼(8)壓封于底板(9)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基座、石英晶體諧振器及加工工藝,屬于諧振器結(jié)構(gòu)及加工工藝技術(shù)領(lǐng)域?;?,包括鏡像設(shè)計的U型第一電極和U型第二電極、底板與絕緣子,兩電極之間以及兩電極外側(cè)與底板之間分別填充絕緣子,絕緣子外露于石英晶體諧振器外。石英晶體諧振器包括基座與外殼,外殼底部通過底板上表面所設(shè)凸椽與基座封裝,基座兩電極上方分別連接第一簧片、第二簧片,兩簧片上表面通過導(dǎo)電膠連接晶片。本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計合理,絕緣子外露能有效防止石英晶體諧振器兩電極在回流焊時發(fā)生錫短路。
文檔編號H03H9/19GK102035495SQ20101054125
公開日2011年4月27日 申請日期2010年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月3日
發(fā)明者李衛(wèi)強, 李斌, 黃屹 申請人:李衛(wèi)強, 李斌, 黃屹
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