專利名稱：基于低噪聲放大器的過失真方法和低噪聲放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及基于低噪聲放大器的過失真方 法和低噪聲放大器。
背景技術(shù)：
線性度是指輸出與輸入系統(tǒng)能否像理想系統(tǒng)那樣保持正常值比例關(guān)系(即線性 關(guān)系)的一種度量。對無線通信來說，較差的線性度會降低無線通信系統(tǒng)的頻譜利用率，并 使誤碼率惡化；為了達到較好的線性度，常常需要對無線通信系統(tǒng)中的設(shè)備進行線性度提 升，由于位于所述無線通信系統(tǒng)最前端的設(shè)備是低噪聲放大器，提高所述低噪聲放大器線 性度可大大降低所述系統(tǒng)后級其他模塊線性度的要求，并能降低整個芯片的功耗及芯片面 積，因此提高所述低噪聲放大器線性度成為提高整個系統(tǒng)線性度的較為理想的選擇。三階交調(diào)截取點IP3是衡量上述線性度或失真的重要指標，IP3值越高表示線性 度越好和更少的失真；其中與信號輸入相關(guān)的三階交調(diào)截取點以IIP3表示，所述IIP3可以
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+表示其中，g3稱為三階交調(diào)系數(shù)，Rs為系統(tǒng)輸入阻抗的實部，根據(jù)公
式所示，g3值越小，所述IIP3的值越大?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用過失真的方法提高所述低噪聲放大器的線性度應用較為廣泛， 如圖1所示，該方法將低噪聲放大器中的過失真M0S管MA1和MA2的柵極通過各自對應的 隔直電容C1和C2與主支路的輸入M0S管M1、M2柵極連接，所述MA1的漏極與所述Ml的漏 極連接，且所述MA2的漏極與所述M2的漏極連接，所述MA1和MA2的源級接地處理，該方法 實現(xiàn)了將過失真M0S管MA1、MA2提供給與主支路輸入M0S管M1、M2極性相反的三階交調(diào)系 數(shù)，所述過失真電路提供的三階交調(diào)系數(shù)的相移與主支路三階交調(diào)系數(shù)矢量相加后，達到 抵消三階交調(diào)系數(shù)的作用，從而提高所述低噪聲放大器的IIP3值。然而，以上現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下缺點雖然該方法一定程度上實現(xiàn)了提高低噪 聲放大器的線性度的要求，但因為其過失真M0S管MA1和MA2的柵極通過隔直電容C1和C2 直接連接至主支路輸入M0S管Ml、M2的柵極，增加了所述主支路輸入M0S管的柵源寄生電 容和柵漏寄生電容，且由于這些寄生電容對于放大器增益的干擾，降低了低噪聲放大器的 噪聲性能(信噪比SNR，放大器輸出電壓與同時輸出的噪聲電壓的比值)；同時，由于所述寄 生電容的實際存在，其給所述低噪聲放大器的片外阻抗匹配帶來了困難。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種基于低噪聲放大器的過失真方法和低噪聲放大器，以 減小在提高低噪聲放大器線性度的過失真方法中形成的寄生電容，從而在所述過失真方法 中保證了低噪聲放大器噪聲性能，且方便了低噪聲放大器的片外阻抗匹配?！N基于低噪聲放大器的過失真方法，包括將第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器的第一輸入管的漏極連接；將第二過失真場效應管的柵極通過第二隔直電容與所述低噪聲放大器的第二輸 入管的漏極連接。上述方法是將兩個過失真場效應管的柵極，分別通過隔直電容與各自對應的低噪 聲放大器輸入管的漏極連接，本發(fā)明的方法從矢量角度分析，產(chǎn)生了可與低噪聲放大器放 大電路的三階交調(diào)系數(shù)矢量抵消的三階交調(diào)系 數(shù)矢量，實現(xiàn)了通過過失真方式提高所述低 噪聲放大器線性度的目的，更重要的是該方法有效降低了過失真方法中在低噪聲放大器 輸入管上形成的柵源寄生電容和柵漏寄生電容，從而減小了寄生電容降低放大器增益的的 影響，保證了低噪聲放大器噪聲性能；同時，由于所述寄生電容的減少，其輸入阻抗的變化 不大，從而給所述低噪聲放大器片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。優(yōu)選地，所述方法還包括將所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場效應 管的漏極連接；將所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共柵場效應 管的漏極連接。上述方法中，將過失真場效應管漏極與所述低噪聲放大器的共源共柵場效應管的 漏極連接，由于所述共源共柵場效應管的隔離作用，其寄生電容可以忽略，因此進一步降低 了低噪聲放大器總體上的寄生電容的產(chǎn)生量。優(yōu)選地，所述第一過失真場效應管的源極與所述第二過失真場效應管的源極接 地。優(yōu)選地，所述低噪聲放大器具體為共源共柵差分低噪聲放大器，所述第一輸入管 與所述第二輸入管具體為輸入M0S管。優(yōu)選地，所述過失真場效應管具體為過失真M0S管。優(yōu)選地，所述過失真M0S管工作于弱反型區(qū)，所述第一輸入管與所述第二輸入管 工作于飽和區(qū)。作為優(yōu)選，所述第一輸入管與所述第二輸入管工作在飽和區(qū)，以獲得較優(yōu)的特征 頻率和跨導而實現(xiàn)較優(yōu)的噪聲性能；作為優(yōu)選，所述過失真M0S管工作于弱反型區(qū)，所消耗的電流少，減少了功能損
^^ o優(yōu)選地，所述共源共柵場效應管具體為共源共柵M0S管。一種低噪聲放大器，包括第一過失真場效應管、第二過失真場效應管、第一隔直電容和第二隔直電容，其 中所述第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器的第一 輸入管的漏極連接；所述第二過失真場效應管的柵極通過第二隔直電容與所述低噪聲放大器的第二 輸入管的漏極連接。本發(fā)明中的低噪聲放大器中包含了與輸入管相接的過失真場效應管(具體為過 失真M0S管)，第一過失真場效應管與第二過失真場效應管分別通過各自對應的隔直電容，與低噪聲放大器的第一輸入管與第二輸入管的漏極連接，該連接方式及構(gòu)造不僅從過失真 方法角度提高低噪聲放大器的線性度，更重要的是該連接方式實現(xiàn)了降低輸入管的寄生電 容的目的，且給所述低噪聲放大器的片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。優(yōu)選地，所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場 效應管的漏極連接；所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共柵場效應管 的漏極連接；所述第一過失真場效應管的源極與所述第二過失真場效應管的源極接地。優(yōu)選地，所述第一共源共柵場效應管的漏極與所述第二共源共柵場效應管的漏極 交叉耦合連接，所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共柵場效 應管的漏極連接；所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場 效應管的漏極連接。從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例將兩個過失真場效應管的柵極，分別 通過一個隔直電容與各自對應的低噪聲放大器輸入管的漏極連接，本發(fā)明的方法從矢量角 度分析，產(chǎn)生了可與低噪聲放大器的放大電路的三階交調(diào)系數(shù)矢量抵消的三階交調(diào)系數(shù)矢 量，實現(xiàn)了通過過失真方式提高所述低噪聲放大器線性度的目的，更重要的是該方法有效 降低了過失真方法中在低噪聲放大器輸入管上形成的柵源寄生電容和柵漏寄生電容，從而 減小了寄生電容降低放大器增益的的影響，保證了低噪聲放大器噪聲性能；同時，由于所述 寄生電容的減少，其輸入阻抗的變化不大，從而給所述低噪聲放大器片外匹配電路的阻抗 匹配帶來方便；另外，將過失真場效應管漏極與所述低噪聲放大器的共源共柵場效應管的 漏極連接，由于所述共源共柵場效應管的隔離作用，其寄生電容可以忽略，因此進一步降低 了低噪聲放大器總體上的寄生電容的產(chǎn)生量。本發(fā)明還公開了一種低噪聲放大器，低噪聲 放大器中包含了與輸入管相接的過失真場效應管(具體為過失真M0S管)，第一過失真場效 應管與第二過失真場效應管分別通過一個隔直電容，與所述低噪聲放大器的第一輸入管與 第二輸入管的漏極連接，該連接方式及構(gòu)造不僅從過失真方法角度提高低噪聲放大器的線 性度，更重要的是該構(gòu)造減小了寄生電容降低放大器增益的的影響，保證了低噪聲放大器 噪聲性能，且給所述低噪聲放大器的片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種低噪聲放大器結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例公開的一種基于低噪聲放大器的過失真方法流程圖；圖2b為本發(fā)明實施例公開的一種基于低噪聲放大器的過失真方法三階交調(diào)系數(shù) 曲線示意圖；圖3為本發(fā)明又一實施例公開的一種基于低噪聲放大器的過失真方法流程圖；圖4a為本發(fā)明實施例公開的一種低噪聲放大器結(jié)構(gòu)示意圖4b為本發(fā)明又一實施例公開的一種低噪聲放大器結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為了引用和清楚起見，下文中使用的技術(shù)名詞、簡寫或縮寫總結(jié)如下M0S 管金屬(metal) -氧化物(oxide) -半導體(semiconductor)場效應管；IP3 :Third-order Intercept Point，三階交調(diào)截取點，一個在射頻或微波多載波 通訊系統(tǒng)中衡量線性度或失真的重要指標。下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例公開了基于低噪聲放大器的過失真方法和低噪聲放大器，以減小在 提高低噪聲放大器線性度的過失真方法中形成的寄生電容，從而在所述過失真方法中保證 了低噪聲放大器噪聲性能，且方便了低噪聲放大器的片外阻抗匹配。圖2a示出了一種基于低噪聲放大器的過失真方法，包括步驟201 將第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器 的第一輸入管的漏極連接；步驟202 將第二過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器 的第二輸入管的漏極連接。結(jié)合圖2b的曲線，進行矢量角度的分析，該實施例中，低噪聲放大器具體為共源 共柵差分低噪聲放大器，其放大電路中的第一輸入管與第二輸入管工作在飽和區(qū)，以獲得 較優(yōu)的特征頻率和跨導，從而保證較優(yōu)的噪聲性能，對于輸入管為M0S管而言，其小信號輸 出電流可用冪函數(shù)展開id(Vgs) = gl\s+g2*Vgs2+g3*Vgs3 其中g(shù)l是小信號跨導，g2定義了二階交調(diào)非線性系數(shù)，g3定義了三階交調(diào)非線性 系數(shù)，更高階的交調(diào)系數(shù)則可以忽略。在完全對稱的情況下，g2將被抵銷，因而線性度主要 就由g3決定。在常見的偏置范圍內(nèi)，g3 < 0，本實施例中，所述過失真場效應管具體為過失 真M0S管，工作在弱反型區(qū)時，三階項系數(shù)g3為正值；從理論上討論對于無電感的低噪聲放大器，g3in(所述低噪聲放大器三階交調(diào) 系數(shù)曲線)和g3a(所述過失真場效應管的連接方式產(chǎn)生的三階交的調(diào)系數(shù)曲線)的相位 正好是相差180°的，由于總的三階交調(diào)系數(shù)g3是所述g3in和g3a的矢量之和，因此，調(diào)節(jié) 過失真M0S管的偏置電壓，使得二者大小相等，就能使g3 = g3in+g3a = 0，如圖2b，g3在 0. 5V 0. 6V區(qū)間為0，合理選擇過失真M0S管的尺寸和偏置電壓，可以使得總的g3 (g3in和 g3a的矢量和)為0，如圖2b中Vgs在0. 4V 0. 6V的區(qū)間所示，根據(jù)IIP3的計算公式
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D (Rs為系統(tǒng)輸入阻抗的實部)，故此時低噪聲放大器的IIP3為無窮大。 需要說明的是在本實施例中，合理的選取Cl，C2 = lOOfF和偏置電壓Vaux = 0. 37V，可以獲得21. 4dBv的IIP3，提高了 10dB以上。
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由上可以看出將兩個過失真場效應管的柵極，分別通過隔直電容與各自對應的低噪聲放大器輸入管的漏極連接，從矢量角度分析，產(chǎn)生了可與低噪聲放大器放大電路的 三階交調(diào)系數(shù)矢量抵消的三階交調(diào)系數(shù)矢量，實現(xiàn)了通過過失真方式提高所述低噪聲放大 器線性度的目的；由于過失真M0S管的柵極對應地連接在所述輸入M0S管的漏極，有效減少了所述 輸入M0S管的柵源寄生電容和柵漏寄生電容，也就是降低了由于這些寄生電容對于所述低 噪聲放大器的增益的干擾，從而保證了低噪聲放大器噪聲性能；同時，由于所述寄生電容的 減少，其輸入阻抗的變化不大，從而給所述低噪聲放大器片外匹配電路的阻抗匹配帶來方 便。圖3示出了又一種基于低噪聲放大器的過失真方法，包括步驟301 將第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器 的第一輸入管的漏極連接；步驟302 將第二過失真場效應管的柵極通過第二隔直電容與所述低噪聲放大器 的第二輸入管的漏極連接；步驟303 將所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共 柵場效應管的漏極連接；步驟304 將所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共 柵場效應管的漏極連接；步驟305 所述第一過失真場效應管的源極與所述第二過失真場效應管的源極接 地。需要說明的是，本實施例中所述低噪聲放大器具體為共源共柵差分低噪聲放大器，所述第一輸入管與所述第 二輸入管具體為輸入M0S管；所述過失真場效應管具體為過失真M0S管；所述過失真M0S管工作于弱反型區(qū)，所述第一輸入管與所述第二輸入管工作于飽 和區(qū)；所述共源共柵場效應管具體為共源共柵M0S管。作為優(yōu)選，可將所述第一共源共柵場效應管的漏極與所述第二共源共柵場效應管 的漏極交叉耦合連接，即所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共 源共柵場效應管的漏極連接；所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一 共源共柵場效應管的漏極連接，由于交叉耦合的連接方式能夠減少阻抗失配，因此，能進一 步地提高線性度。本實施例中，將過失真M0S管漏極與所述低噪聲放大器的共源共柵M0S管的漏極 連接，由于所述共源共柵M0S管的隔離作用，其寄生電容可以忽略，因此進一步降低了低噪 聲放大器總體上的寄生電容的產(chǎn)生量；且所述過失真M0S管的源極連接到地對寄生電容的 產(chǎn)生沒有影響。圖4a為本發(fā)明實施例公開的一種低噪聲放大器結(jié)構(gòu)，包括第一過失真場效應管 401、第二過失真場效應管402、第一隔直電容403和第二隔直電容404，圖中還示出了第一 輸入管405、第二輸入管406、第一共源共柵場效應管407和第二共源共柵場效應管408，其中所述第一過失真場效應管401的柵極通過第一隔直電容403與所述低噪聲放大器 的第一輸入管405的漏極連接；所述第一過失真場效應管401的漏極與所述低噪聲放大器 的第一共源共柵場效應管407的漏極連接；所述第二過失真場效應管402的柵極通過第二隔直電容404與所述低噪聲放大器 的第二輸入管406的漏極連接；所述第二過失真場效應管402的漏極與所述低噪聲放大器 的第二共源共柵場效應管408的漏極連接；需要說明的是，本實施例中所述低噪聲放大器具體為共源共柵差分低噪聲放大器，所述第一輸入管與所述第 二輸入管具體為輸入M0S管；所述過失真場效應管具體為過失真M0S管；所述共源共柵場效應管具體為共源共柵M0S管。本發(fā)明中的低噪聲放大器中包含了與輸入管相接的過失真場效應管(具體為過 失真M0S管)，第一過失真場效應管401與第二過失真場效應管402分別與低噪聲放大器的 第一輸入管405與第二輸入管406的漏極連接，該連接方式及構(gòu)造不僅從過失真方法角度 提高低噪聲放大器的線性度，更重要的是減小了寄生電容降低放大器增益的的影響，保證 了低噪聲放大器噪聲性能，且給所述低噪聲放大器的片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。作為優(yōu)選，如圖4b所示，可將所述第一共源共柵場效應管407的漏極與所述第二 共源共柵場效應管408的漏極交叉耦合連接，即所述第一過失真場效應管401的漏極與所 述低噪聲放大器的第二共源共柵場效應管408的漏極連接；所述第二過失真場效應管402 的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場效應管的漏極407連接，由于交叉耦合的連 接方式能夠減少失配，因此，能進一步地提高線性度。綜上所述本發(fā)明的實施例將兩個過失真場效應管的柵極，分別通過一個隔直電容與各自對 應的低噪聲放大器輸入管的漏極連接，本發(fā)明的方法從矢量角度分析，產(chǎn)生了可與低噪聲 放大器的放大電路的三階交調(diào)系數(shù)矢量抵消的三階交調(diào)系數(shù)矢量，實現(xiàn)了通過過失真方式 提高所述低噪聲放大器線性度的目的，更重要的是該方法有效降低了過失真方法中在低 噪聲放大器輸入管上形成的柵源寄生電容和柵漏寄生電容，從而減小了寄生電容降低放大 器增益的的影響，保證了低噪聲放大器噪聲性能；同時，由于所述寄生電容的減少，其輸入 阻抗的變化不大，從而給所述低噪聲放大器片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便；另外，將過 失真場效應管漏極與所述低噪聲放大器的共源共柵場效應管的漏極連接，由于所述共源共 柵場效應管的隔離作用，其寄生電容可以忽略，因此進一步降低了低噪聲放大器總體上的 寄生電容的產(chǎn)生量。本發(fā)明還公開了一種低噪聲放大器，低噪聲放大器中包含了與輸入管 相接的過失真場效應管(具體為過失真M0S管)，第一過失真場效應管與第二過失真場效 應管分別與通過一個隔直電容，與所述低噪聲放大器的第一輸入管與第二輸入管的漏極連 接，該連接方式及構(gòu)造不僅從過失真方法角度提高低噪聲放大器的線性度，更重要的是減 小了寄生電容降低放大器增益的的影響，保證了低噪聲放大器噪聲性能，且給所述低噪聲 放大器的片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置 而言，由于其與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說 明即可。專業(yè)人員還可以進一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元 及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結(jié)合來實現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和 軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些 功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應用和設(shè)計約束條件。專業(yè) 技術(shù)人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應 認為超出本發(fā)明的范圍。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一 致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
一種基于低噪聲放大器的過失真方法，其特征在于，包括將第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器的第一輸入管的漏極連接；將第二過失真場效應管的柵極通過第二隔直電容與所述低噪聲放大器的第二輸入管的漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過失真方法，其特征在于，還包括將所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場效應管的 漏極連接；將所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共柵場效應管的 漏極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過失真方法，其特征在于，所述第一過失真場效應管的源極 與所述第二過失真場效應管的源極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過失真方法，其特征在于，所述低噪聲放大器具體為共源共 柵差分低噪聲放大器，所述第一輸入管與所述第二輸入管具體為輸入M0S管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的過失真方法，其特征在于，所述過失真場效應管具體為過失 真M0S管。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過失真方法，其特征在于，所述過失真M0S管工作于弱反型 區(qū)，所述第一輸入管與所述第二輸入管工作于飽和區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過失真方法，其特征在于，所述共源共柵場效應管具體為共 源共柵M0S管。
8.一種低噪聲放大器，其特征在于，包括第一過失真場效應管、第二過失真場效應管、第一隔直電容和第二隔直電容，其中所述第一過失真場效應管的柵極通過第一隔直電容與所述低噪聲放大器的第一輸入 管的漏極連接；所述第二過失真場效應管的柵極通過第二隔直電容與所述低噪聲放大器的第二輸入 管的漏極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第一共源共柵場效應管的漏 極連接；所述第二過失真場效應管的漏極與所述低噪聲放大器的第二共源共柵場效應管的漏 極連接；所述第一過失真場效應管的源極與所述第二過失真場效應管的源極接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一共源共柵場效應管的 漏極與所述第二共源共柵場效應管的漏極交叉耦合連接。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種基于低噪聲放大器的過失真方法和低噪聲放大器，本發(fā)明的方法是將兩個過失真場效應管的柵極，分別通過隔直電容與各自對應的低噪聲放大器輸入管的漏極連接，從矢量角度分析，產(chǎn)生了可與低噪聲放大器的放大電路的三階交調(diào)系數(shù)矢量抵消的三階交調(diào)系數(shù)矢量，實現(xiàn)了通過過失真方式提高所述低噪聲放大器線性度的目的，更重要的是該方法有效降低了過失真方法中在低噪聲放大器輸入管上形成的柵源寄生電容和柵漏寄生電容，從而減小了寄生電容降低放大器增益的的影響，保證了低噪聲放大器噪聲性能；同時，由于所述寄生電容的減少，其輸入阻抗的變化不大，從而給所述低噪聲放大器片外匹配電路的阻抗匹配帶來方便。
文檔編號H03F1/32GK101834566SQ20101018666
公開日2010年9月15日 申請日期2010年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
發(fā)明者黃沫 申請人:廣州市廣晟微電子有限公司