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低噪聲放大器及無線電通信系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:7512177閱讀:172來源:國知局
專利名稱:低噪聲放大器及無線電通信系統(tǒng)的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種放大輸入信號的低噪聲放大器及使用該低噪聲
放大器的無線電通信系統(tǒng)。
背景技術
近年來,隨著信息量的急劇增大,人們對交換或傳輸信息數據 時的大容量化及高速化的要求越來越強烈。為了應對這樣的要求,人們正 在以很快的速度進行關于無線電通信的技術開發(fā)。特別是無線電通信,出 于不需要電纜等布線等理由而普及的范圍逐漸擴大,該普及范圍包括辦公 室、家庭等等。尤其是能夠期待實現低功耗通信的超寬帶通信(以下,將 該超寬帶通信稱為UWB通信。在此,UWB是Ultra Wide Band (超寬 帶)的筒稱。)備受關注。 在UWB通信中使用的是利用1.5GHz以上或中心頻率的25% 以上的頻帶的超寬帶信號,有人提案過根據脈沖信號進行通信的脈沖無線 電方式(IR (Impulse Radio)方式)。利用IR方式時,不使用在通常的 通信時使用的連續(xù)信號,而用具有間歇性的脈沖信號進行通信。
作為UWB通信的用途,例如可以舉出傳感器網絡等。這樣的 應用程序被要求用電池等進行很長時間的動作,因而用于UWB通信的通 信系統(tǒng)需要低功耗化。
作為謀求低功耗化而構成的通信系統(tǒng)之一例,有下述通信系統(tǒng), 即在移動通信的發(fā)送電路中使用的功率放大器(amplifier)中,對放大 器的晶體管連接電阻元件及開關元件的串聯電路,來設為根據所發(fā)送的輸 出通過該開關元件切換電路電流值的通信系統(tǒng)(例如,參照專利文獻1)。 根據該通信系統(tǒng),能夠抑制發(fā)送電路在接收信號時的功耗。 專利文獻l:日本專利第3606366號公報 然而,因為在所述通信系統(tǒng)中,根據所發(fā)送的輸出控制發(fā)送電 路中的放大器的晶體管的導通和截止,所以在發(fā)送期間一直維持通常的功 耗量,不能期待在該期間內實現很低的功耗。就是說,在所述放大器中, 不能在輸入信號的期間內控制功耗,因而不能期待在該期間內實現很低的 功耗。

發(fā)明內容
本發(fā)明,正是為解決所述問題而研究開發(fā)出來的。其目的在于 當對如IR方式的通信中的脈沖信號那樣交替棑列有包含信息的數據期間 和不包含信息的數據空白期間的輸入信號進行放大時,連在輸入著信號的 期間內也控制功耗,來設為能夠實現很低的功耗。 為了解決所述課題,本發(fā)明的一個形態(tài)提供一種低噪聲放大器, 該低噪聲放大器用來對交替排列有包含信息的數據期間和不包含信息的數 據空白期間的輸入信號進行放大;該低噪聲放大器包括能夠切換功耗并 對所述輸入信號進行放大的放大電路,和切換所述放大電路的功耗,來在 所述數據空白期間內設定所述放大電路的功耗小予所述放大電路在所述數 據期間內的功耗的期間的控制電路。 一發(fā)明的效果一 根據本發(fā)明,當對如IR方式的通信中的脈沖信號那樣交替排 列有包含信息的數據期間和不包含信息的數據空白期間的輸入信號進行放 大時,連在輸入著信號的期間內也能夠控制功耗,因此能夠實現很低的功


圖1是顯示第一實施例所涉及的低噪聲放大器10的結構的方框圖。
圖2是RF輸入信號RFIN、控制信號及輸出信號RFOUT的時序圖。 圖3是顯示第二實施例所涉及的低噪聲放大器20的結構的方框圖。 圖4是顯示第二實施例的變形例所涉及的低噪聲放大器的結構的方框圖。
圖5是顯示第三實施例所涉及的低噪聲放大器30的結構的方框圖。 圖6是顯示第四實施例所涉及的低噪聲放大器40的結構的方框圖。 圖7是顯示通過模擬實驗得到的時間常數設定的效杲的圖。 圖8是顯示第五實施例所涉及的低噪聲放大器50的結構的方框圖。 圖9是顯示第六實施例所涉及的低噪聲放大器60的結構的方框圖。 圖IO是顯示第七實施例所涉及的低噪聲放大器70的結構的方框圖。 圖11是顯示第八實施例所涉及的低噪聲放大器80的結構的方框圖。 圖12是顯示第九實施例所涉及的低噪聲放大器90的結構的方框圖。 圖13是顯示第十實施例所涉及的低噪聲放大器IOO的結構的方框圖。 符號說明 IO —低噪聲放大器;ll一放大電路;12 —控制電路;20 —低噪 聲放大器;21 —源地柵地放大器;2la —柵極接地晶體管;21b —源極接地 晶體管;21c—源極接地晶體管;22—負載元件;23 —偏壓電路;24 —輸 入用電容器;30 —低噪聲放大器;31—電容附加電路;31a—電容器;40 一低噪聲放大器;41一電阻附加電路;41a—電阻器;50 —低噪聲放大器; 51 —電容附加電路;51a —MOS (金屬氧化物半導體)晶體管;51b —偏 壓電路;60 —低噪聲放大器;61—電容附加電路;70 —低噪聲放大器;71 —電阻附加電路;71a — MOS晶體管;71b —偏壓電路;80 —低噪聲放大 器;81—電阻附加電路;90 —低噪聲放大器;IOO —低噪聲放大器。
具體實施例方式下面,參照

本發(fā)明的實施例。補充說明一下,在下迷 各個實施例和變形例的說明中對功能與已說明過的結構因素相同的結構因 素附上相同的符號,來省略這些結構因素的說明。
〈發(fā)明的第一實施例〉
圖l,是顯示本發(fā)明的第一實施例所涉及的低噪聲放大器10的結構的 方框圖。低噪聲放大器10對在IR方式的UWB通信時使用的信號進行放 大。下面,將為了進行放大所輸入的信號稱為RF (radio frequency:無 線電頻率)輸入信號。
在IR方式的通信時所使用的信號,是具有間歇性的脈沖信號, 其中交替排列有包含信息(例如,0或1等數據)的期間(以下,將該期
間稱為數據期間)和不包含信息的數據空白期間。在數據期間,根據是否 存在脈沖信號來識別信息。 此外,數據期間和數據空白期間分別具有一定的寬度。就是說, 數據期間以規(guī)定的周期反復到來。如圖2所示,在本實施例中,數據期間 (在圖2的筒化模式的信號波形中,指存在脈沖信號的期間)以50ns的 周期反復到來。就是說,在該例子中,只要以50ns的周期監(jiān)測信號,檢 測是否存在脈沖信號,就能夠取得信息。
(低噪聲放大器10的結構)
如圖1所示,低噪聲放大器10包^"放大電路11和控制電路12。
放大電路11設為被提供電源電壓(VDD),對放大被輸入的 RF輸入信號(RFIN)而得到的信號(RFOUT)進行輸出。此外,放大 電路ll設為根據被輸入的控制信號切換進行(ON) /不進行(OFF) 放大動作,就是說切換功耗。具體而言,放大電路ll,在被輸入H (高) 電平的控制信號的期間處于接通狀態(tài),而在被輸入L(低)電平的控制信 號的期間處于關斷狀態(tài)。補充說明一下,放大電路11的方式不受到特別 的限制。例如,放大電路11也可以是差動放大電路,也可以是后述的源 地柵地放大器(cascode amplifier)。
控制電路12設為與數據期間的開始時刻同步,作為放大電 路11用控制信號輸出寬度在數據期間的寬度以上的脈沖信號。在本實施 例中,控制電路12作為控制信號輸出寬度為5ns的脈沖信號。
(低噪聲放大器10的動作)
如圖2所示的RF輸入信號一輸入到低噪聲放大器10中,控制電路 12就與數據期間的開始時刻同步,以50ns的周期向放大電路11輸出控 制信號。放大電路ll,根據控制電路12所輸出的控制信號在數據期間成 為接通狀態(tài)并進行放大動作,而在數據空白期間成為關斷狀態(tài)。其結果是, 如圖2所示,低噪聲放大器10的輸出信號呈放大數據期間的脈沖信號而 得到的信號波形(參照圖2的輸出波形(RFOUT))。
在此,將低噪聲放大器10的在放大電路11處于接通狀態(tài)時的 功耗假設為Il;將低噪聲放大器10的在放大電路11處于關斷狀態(tài)時的功
耗假設為12。這時,如圖2所示,低噪聲放大器IO的功耗根據是否進行 放大電路11的放大動作而切換為II或12,平均功耗量小于Il。
就是說,根據本實施例,因為能在被輸入KF輸入信號的期間 內控制功耗,所以能夠減低平均功耗量。
〈發(fā)明的第二實施例〉
圖3,是顯示本發(fā)明的第二實施例所涉及的低噪聲放大器20的結構的 方框圖。低噪聲放大器20顯示第一實施例的放大電路11部分的具體結構 例。
如圖3所示,低噪聲放大器20包括控制電路12、源地柵地放 大器21、負載元件22、偏壓電路23及輸入用電容器24。
源地柵地放大器21設為將被輸入的RF輸入信號(RFIN) 轉換成電流1言號而賴r出該電流信號。具體而言,源地柵地》i:大器21包才舌 柵極接地晶體管21a和源極接地晶體管21b。 柵極接地晶體管21a的源極與源極接地晶體管21b的漏極連 接;該柵極接地晶體管21a的漏極通過負載元件22與電源(VDD)連接。
漆極接地晶體管21b的源極已接地,RF輸入信號通過輸入用 電容器24輸入到該源極接地晶體管21b的柵極中。 負載元件22設為將源地柵地放大器21所輸出的電流信號轉 換成電壓信號(RFOUT)。
偏壓電路23設為將偏壓電壓提供給源極接地晶體管21b的 柵極,使得源極接地晶體管21b能夠進行放大動作。
輸入用電容器24設為從RF輸入信號中去除直流成分。
(低噪聲放大器20的動作)
在低噪聲放大器20中,控制電路12還是與數據期間的開始時刻同步, 以50ns的周期向源地柵地放大器21輸出控制信號。這樣,柵極接地晶體 管21a就在數據期間處于導通狀態(tài),而柵極接地晶體管21a在數據空白期 間處于截止狀態(tài)。就是說,源地柵地放大器21在數據期間成為動作狀態(tài) 并進行放大動作,而在數據空白期間成為非動作狀態(tài)。
因此,在低噪聲放大器20中,還是能夠在被輸入要放大的RF 輸入信號的期間內控制功耗,因而能夠減低平均功耗量。
而且,在本實施例中,能夠以很高的速度控制是否進行放大動 作。比如說,'若要對如所述源極接地晶體管21b那樣被輸入高頻信號(RF 輸入信號)的晶體管的柵極電位進行控制來控制該晶體管的導通和截止, 就有必要將開關元件(例如,MOS晶體管)通過電阻值很大的負載元件 連接在柵極上。這是因為有必要使高頻信號不傳給開關元件。若這樣將電 阻值很大的負載元件連接在源極接地晶體管21b上,就難以用開關元件以 很高的速度進行開關。因此,難以將控制被輸入高頻信號的晶體管的導通 和截止這一方式用于對高頻信號進行放大的低噪聲放大器。
與此相對,在本實施例中,通過不是被輸入高頻信號的晶體管 (源極接地晶體管21b)的、別的晶體管(柵極接地晶體管21a)控制是 否進行放大動作。就是說,因為柵極接地晶體管21a不被輸入高頻信號, 所以不需要將電阻值很大的負載元件連接在柵極上,能夠以很高的速度進 行開關。 如上所迷,在本實施例中,因為將被輸入高頻信號(RF輸入 信號)的晶體管和控制是否進行放大動作的晶體管設為不是同一的晶體管 的晶體管,所以能夠以很高的速度切換是否進行放大動作。因此,本實施 例例如對下述使用方法等很有用,即將本實施例用于IR方式通信用低 噪聲放大器,例如以10nsec等很高的速度進行間歇性動作。
此外,本實施例還能夠防止頻率特性由于輸入阻抗的偏差而惡 化。例如在通過控制電路12對被輸入RF輸入信號的源極接地晶體管21b 的導通和截止進行控制的情況下,因為控制電路12的阻抗影響到柵極接 地晶體管21b,所以有可能低噪聲放大器的輸入阻抗由予溫度或電壓的變 動而產生偏差,頻率特性惡化。 與此相對,在本實施例中,源地柵地放大器21的輸入阻抗由 于源極接地晶體管21b的寄生電容和跨導值而決定,因而不會受到控制電 路12控制導通和截止的影響。就是說,因為被輸入高頻信號的晶體管和 被控制是否進行放大動作的晶體管是不是同一的,所以能夠抑制信號的上 升時間的增長和頻率特性的由于寄生成分的增加而造成的惡化。
〈本發(fā)明的第二實施例的變形例〉
圖4,是顯示第二實施例的變形例所涉及的低噪聲放大器的結構的方 框圖。在該變形例中,還是包括控制電路12、源地柵地放大器22及偏壓 電路23。不過,在本變形例中,向設置作為源極接地晶體管21b的代替 物的源極接地晶體管21c的源極輸入RF輸入信號。在這樣向源極輸入RF 輸入信號(RFIN)的情況下,也能夠進行放大動作。
〈發(fā)明的第三實施例〉
圖5,是顯示本發(fā)明的第三實施例所涉及的低噪聲放大器30的結構的 方框圖。如該圖5所示,低噪聲放大器30是對低噪聲放大器20追加電容 附加電路31而構成的。
電容附加電路31具有電容器31a。電容器31a的一個端子連 接在柵極接地晶體管21a的柵極上;電容器31a的另一個端子已接地。
在本實施例中,因為如上所述設置有電容器31a,所以能夠改 善源地柵地ii大器21的高頻特性。
〈發(fā)明的第四實施例〉
圖6,是顯示本發(fā)明的第四實施例所涉及的低噪聲放大器40的結構的 方框圖。如該圖6所示,低噪聲放大器40是對低噪聲放大器30追加電阻 附加電路41而構成的。 電阻附加電路41介于柵極接地晶體管21a的柵極與控制電路 12之間。具體而言,電阻附加電路41具有電阻器41a。電阻器41a的一 個端子連接在柵極接地晶體管21a的柵極上;電阻器41a的另一個端子與 控制電路12的輸出端連接。 在本實施例中,能夠通過設置在源地柵地放大器21與控制電 路12之間的電容器31a及電阻器41a設定控制電路12與源地柵地放大 器21之間的時間常數。
具體而言,只要以符合下述關系式的方式設定電容器31a的電 容值《C)和電阻器41a的電阻值(R)就可以。
關系式Vo = ViX{l —exp[—t/ (CR)〗}
在此,Vo是所述柵極接地晶體管的柵極電位;Vi是所述控制電路所 輸出的輸出電位。此外,t是從所述控制電路輸出控制所述柵極接地晶體 管的柵極電位的信號時開始到Vo超過所述柵極接地晶體管的閾值電壓和 飽和漏極電壓相加而得到的電位為止所經過的時間。只要利用該關系式求
出電阻值和電容值的乘積,再考慮著半導體村底上的平面布置等設定C和 R的具體值就可以。在此,關系式中的R包含附加的電阻和所述控制電路
的輸出電阻。
圖7顯示通過模擬實驗得到的時間常數設定的效果。例如,在 第二實施例的低噪聲放大器20中,在控制信號上升后產生輸出信號 (RFOUT)中的噪聲。然而,在第四實施例的低噪聲放大器40中,幾乎 沒觀測到噪聲。 這時的電阻器41a的電阻值為200Q,電容器31a的電容值為 9pF。補充說明一下,還在所述電阻器41a的電阻值的±20%的范圍內進 行了關于電阻器41a的電阻值的模擬實驗,并且在所述電容器31a的電容 值的±10%的范圍內進行了關于電容器31a的電容值的模擬實驗,得到的 結果與上述模擬實驗的結果一樣。
如上所述,根據本實施例,能夠減低在切換使源地柵地放大器 21動作與否(動作和非動作)時產生的開關噪聲。
〈發(fā)明的第五實施例〉
圖8,是顯示本發(fā)明的第五實施例所涉及的低噪聲放大器50的結構的 方框圖。如該圖8所示,低噪聲放大器50是用電容附加電路51置換低噪 聲放大器30的電容附加電路31而構成的。 具體而言,電容附加電路51包括MOS晶體管51a和偏壓電路 51b。
MOS晶體管51a的柵極連接在柵極接地晶體管21a的柵極上,
MOS晶體管51a的源極、漏極及背柵(back gate)互相連接起來。
偏壓電路51b設為根據來自低噪聲放大器50的外部的控制
對MOS晶體管51a的源極、漏極及背柵的電位進行控制。
由于所述結枸,電容附加電路51起到電容可變的電容器的作
用。因此,根據本實施例,因為能夠調整對柵極接地晶體管2la附加的電
容,所以能將源地柵地放大器21的高頻特性最佳化。
補充說明一下,也可以使用二極管來代替MOS晶體管51a。 〈發(fā)明的第六實施例〉
圖9,是顯示本發(fā)明的第六實施例所涉及的低噪聲放大器60的結構的
方框圖。如該圖9所示,低噪聲放大器60是用電容附加電路61置換低噪 聲放大器30的電容附加電路31而構成的。 具體而言,電容附加電路61包括多個電容器31a(在圖9的例 子中,包括兩個電容器31a)。各個電容器31a構成為能夠根據來自低 噪聲放大器60的外部的控制切換讓柵極接地晶體管21a的柵極接地與否。
因此,在本實施例中還是能夠調整對柵極接地晶體管21a附加 的電容,因而能將源地柵地放大器21的高頻特性最佳化。
而且,根據本實施例,若適當地設定電容器31a的電容,就能 夠在與低噪聲放大器50相比更大的范圍內調整電容。因此,本實施例在 下述情況下很有用,即使用溫度的變動范圍較大等要在較大的范圍內變 更源地柵地放大器21的高頻特性的情況等等。
〈發(fā)明的第七實施例〉
圖10,是顯示本發(fā)明的第七實施例所涉及的低噪聲放大器70的結構 的方框圖。如該圖10所示,低噪聲放大器70是用電阻附加電路71置換 低噪聲放大器40的電阻附加電路41而構成的。 具體而言,電阻附加電路71包括MOS晶體管71a和偏壓電路 71b。
MOS晶體管71a的源極連接在控制電路12的輸出端,MOS 晶體管71a的漏極連接在柵極接地晶體管21a的柵極上。
偏壓電路71b設為根據來自低噪聲放大器70的外部的控制 對MOS晶體管71a的柵極的電位進行控制。
于是,MOS晶體管71a起到電阻值根據偏壓電路71b所施加 的電壓而變化的負載元件的作用。因此,根據本實施例,能夠調整控制電 路12與源地柵地放大器21之間的時間常數。因此,能夠更高效地減低在 切換源地柵地放大器21的動作和非動作時產生的開關噪聲。
〈發(fā)明的第八實施例〉
圖11,是顯示本發(fā)明的第八實施例所涉及的低噪聲放大器80的結構 的方框圖。如該圖ll所示,低噪聲放大器80是用電阻附加電路81置換 低噪聲放大器40的電阻附加電路41而構成的。
電阻附加電路81包括多個電阻器41a (在圖11的例子中,有
兩個電阻器41a)。各個電阻器41a構成為能夠根據來自低噪聲放大器 80的外部的控制切換是否讓控制電路12及柵極接地晶體管21a的柵極連 接起來。 因此,在本實施例中,還是能夠調整控制電路12與源地柵地 放大器21之間的時間常數。
而且,在本實施例中,若適當地設定電阻器41a的電阻值,就 能夠在與低噪聲放大器70相比更大的范圍內調整電阻值。因此,本實施 例在下述情況下很有用,即使用溫度的變動范圍較大等要在較大的范圍 內變更時間常數的精況等等。
〈發(fā)明的第九實施例〉
圖12,是顯示本發(fā)明的第九實施例所涉及的低噪聲放大器90的結構 的方框圖。如該圖12所示,低噪聲放大器90是用電容附加電路51及電 容附加電路61置換低噪聲放大器70的電容附加電路31而構成的。因此, 根據本實施例,例如選出電容器31a的值而構成電容附加電路61,來將 電容附加電路61設為能在很大的范圍內變更電容,就能夠設為這樣的, 即由電容附加電路61在很大的范圍內調整電容,由電容附加電路51對 電容值進行精細的調整。就是說,本實施例能夠以范圍很大且精度很高的 方式調整時間常數。
〈發(fā)明的第十實施例〉
圖13,是顯示本發(fā)明的第十實施例所涉及的低噪聲放大器100的結 構的方框圖。如該圖13所示,低噪聲放大器100是用電阻附加電路81置 換低噪聲放大器90的電阻附加電路71而構成的。因此,根據本實施例, 還是能夠更為適當地調整控制電路12與源地柵地放大器21之間的時間常 數。 補充說明一下,在第三實施例到第十實施例的各個低噪聲放大 器中,RF輸入信號(RFIN)都輸入給源極接地晶體管21b的柵極。不過, 在這些實施例的低噪聲放大器中也可以設為使RF輸入信號輸入給源極 接地晶體管21c的源極,如第二實施例的變形例所示。
此外,也可以在邏輯上可接受的范圍內以各種各樣的方式組合 起來使用各個實施例所述的結構因素。比如說,若對第七實施例的低噪聲
放大器70配合第八實施例的電阻附加電路81,就能夠以范圍很大且精度 很高的方式調整電阻值。就是說,能夠以范圍很大且精度很高的方式調整 時間常數。
此外,不一定需要在整個數據空白期間一直關斷放大電路11 (或讓源地柵地放大器21不動作)。就是說,即使在數據空白期間內的一 部分期間將放大電路11控制成關斷狀態(tài)(或將源地柵地放大器21控制成 非動作狀態(tài)),也能夠減低平均功耗量。 此外,也可以對三個以上的晶體管進行源地柵地連接(cascode connection)來構成源地柵地放大器21。在這種情況下,只要被輸入高頻 信號的晶體管和被控制是否進行放大動作的晶體管不是同 一 的,就能夠以 很高的速度控制是否進行放大動作,并能夠防止頻率特性由于輸入阻抗的 1廟差而惡i'"b。
此外,IR方式的通信時的脈沖信號是能用于所述各個實施例的 信號的一例,本發(fā)明不被限于該例子。只要是交替排列有包含信息的數據 期間和不包含信息的數據空白期間的輸入信號,就能夠采用本發(fā)明。 —工業(yè)實用性一 在對如IR方式的通信中的脈沖信號那樣交替排列有包含信息 的數據期間和不包含信息的數據空白期間的輸入信號進行放大時,本發(fā)明 所涉及的低噪聲放大器連在輸入著信號的期間內也能夠控制功耗,因而所 述低噪聲放大器具有能夠實現很低的功耗這一 效果,作為放大所述輸入信 號的低噪聲放大器或使用該低噪聲放大器的無線電通信系統(tǒng)等很有用。
權利要求
1.一種低噪聲放大器,用來對交替排列有包含信息的數據期間和不包含信息的數據空白期間的輸入信號進行放大,其特征在于所述低噪聲放大器包括放大電路,能夠切換功耗,對所述輸入信號進行放大,和控制電路,切換所述放大電路的功耗,來在所述數據空白期間內設定所述放大電路的功耗小于所述放大電路在所述數據期間內的功耗的期間。
2. 根據權利要求1所述的低噪聲放大器,其特征在于 所述放大電路是源地柵地放大器,該源地柵地放大器具有已進行源地柵地連接的柵極接地晶體管和被輸入所述輸入信號的晶體管,將所述輸入 信號轉換成電流信號;所述控制電路構成為控制所述柵極接地晶體管的柵極電位,來切換 所述放大電路的功耗。
3. 根據權利要求2所述的低噪聲放大器,其特征在于所述低噪聲放大器還包括附加用來使所述柵極接地晶體管的柵極接地 的電容的電容附加電路。
4. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器,其特征在于所述低噪聲放大器還包括電阻附加電路,該電阻附加電路介于所述柵 極接地晶體管的柵極與所述控制電路之間,附加用來設定所述控制電路與 所述放大電路之間的時間常數的電阻。
5. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器,其特征在于 所述電容附加電路是電容可變的電容元件。
6. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器,其特征在于 所述電容附加電路包括多個能夠切換讓所述柵極接地晶體管的柵極接地與否的電容器。
7. 根據權利要求4所述的低噪聲放大器,其特征在于 所述電阻附加電路是電阻值可變的負載元件。
8. 根據權利要求4所述的低噪聲放大器,其特征在于 所迷電阻附加電路包括多個能夠切換是否讓所述控制電路及所述柵極 接地晶體管的柵極連接起來的負載元件。
9. 根據權利要求2所迷的低噪聲放大器,其特征在于 所迷低噪聲放大器還包括第 一 電容附加電路及第二電容附加電路,附加用來讓所述柵極接地晶 體管的柵極接地的電容,以及電阻附加電路,介于所述柵極接地晶體管的柵極與所述控制電路之間,附加用來設定所述控制電路與所述放大電路之間的時間常數的電阻;所迷第一電容附加電路是電容可變的電容元件; 所迷第二電容附加電路包括多個能夠切換讓所述柵極接地晶體管的柵極接地與否的電容器。
10. 根據權利要求3所述的低噪聲放大器,其特征在于 所迷低噪聲放大器還包括第一電阻附加電路及第二電阻附加電路,該第 一 電阻附加電路及該第二電阻附加電路介于所述柵極接地晶體管的柵極與所述控制電路之間,附加用來設定所述控制電路與所述放大電路之間的時間常數的電阻;所述第一 電阻附加電路是電阻值可變的負載元件;所述第二電阻附加電路包括多個能夠切換是否讓所述控制電路及所述柵極接地晶體管的柵極連接起來的負載元件。
11. 根據權利要求4所述的低噪聲放大器,其特征在于所述電阻附加電路所附加的電阻的值R和所述電容附加電路所附加的 電容的值C是符合關系式Vo=Vix{l — exp[—t/ (CR) ]}的值,Vo是 所述柵極接地晶體管的柵極電位,Vi是所述控制電路所輸出的輸出電位, t是從所述控制電路輸出控制所述柵極接地晶體管的柵極電位的信號時開 始到Vo超過所述柵極接地晶體管的閾值電壓和飽和漏極電壓相加而得到 的電位為止所經過的時間,關系式中的R包含附加的電阻和所述控制電路 的輸出電阻。
12. —種無線電通信系統(tǒng),是根據脈沖信號進行通信的脈沖無線電方 式的無線電通信系統(tǒng),其特征在于所述無線電通信系統(tǒng)包括權利要求1所述的低噪聲放大器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低噪聲放大器及無線電通信系統(tǒng)。將放大被輸入的信號的放大電路(11)構成為能夠切換功耗。用控制電路(12)切換放大電路(11)的功耗,來在數據空白期間內設定放大電路(11)的功耗小于放大電路(11)在數據期間內的功耗的期間。
文檔編號H03F1/02GK101356724SQ200780001309
公開日2009年1月28日 申請日期2007年4月18日 優(yōu)先權日2006年9月20日
發(fā)明者中塚淳二, 木村博, 渡邊學 申請人:松下電器產業(yè)株式會社
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