專(zhuān)利名稱(chēng)：一種過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路[技術(shù)領(lǐng)域]本實(shí)用新型涉及一種電路，特別涉及一種過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路。 [背景技術(shù)]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的包括2個(gè)M0S管的一種橋式驅(qū)動(dòng)電路的原理衝，第一 M0S管Ml和第二 M0S管M2交替工作。當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)源Vgl為正時(shí)，第一 M0S管Ml 工作，此時(shí)第二信號(hào)源Vg2為負(fù)，第二M0S管M2不工作；當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)源Vgl為 負(fù)時(shí)，第一M0S管M1不工作，此時(shí)第二信號(hào)源Vg2為正，第二MOS管M2工作。但該橋式驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有相應(yīng)的保護(hù)電路，當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流現(xiàn)象時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路MOS 管就有可能被燒壞，致使電路無(wú)法正常工作， 一方面降低了工作效率，另一方面 也增加了系統(tǒng)的維護(hù)難度。[發(fā)明內(nèi)容]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種帶有過(guò)流自鎖保護(hù)功能的橋式驅(qū) 動(dòng)電路。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種過(guò)流自鎖橋式 驅(qū)動(dòng)電路，包括第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第一三極管Ql和第二三極管 Q2，第一信號(hào)源Vgl分別與隔離二極管Dl的陽(yáng)極和第一三極管Ql的基極連接， 隔離二極管Dl的陰極分別與第一 MOS管Ml的柵極和第一三極管Ql的發(fā)射極連 接，第一三極管Ql的集電極和第一 MOS管Ml的源極分別接第一信號(hào)源Vgl對(duì)應(yīng) 的地Gl;第二信號(hào)源Vg2分別與隔離二極管D2的陽(yáng)極和第二三極管Q2的基極連接， 隔離二極管D2的陰極分別與第二 MOS管M2的柵極和第二三極管Q2的發(fā)射極連
接，第二三極管Q2的集電極和第二 MOS管M2的源極分別接第二信號(hào)源Vg2對(duì) 應(yīng)的地G2，第二M0S管M2的漏極與第一M0S管M1的源極連接；還包括采樣電阻R6、晶閘管Sl和光耦Pl,采樣電阻R6連接在第二M0S管 M2的漏極和第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地G2之間，晶閘管Sl的控制極與第二 MOS 管M2的漏極連接，晶閘管Sl的陰極接第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地G2，晶閘管S1 的陽(yáng)極與隔離二極管D3的陰極連接，隔離二極管D3的陽(yáng)極與第二三極管Q2的 基極連接；開(kāi)關(guān)電源VCC與光耦Pl發(fā)射端發(fā)光二極管的陽(yáng)極連接，光耦Pl發(fā)射端發(fā)光 二極管的陰極與晶閘管Sl的陽(yáng)極連接，光耦Pl接收端的集電極與三極管Ql的 基極連接，光耦Pl接收端的發(fā)射極與第一三極管Ql的集電極連接。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R5，其一端與第二 MOS管M2的源極連接，另一端與晶閘管Sl的控制極連接。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括濾波電容C1，濾波電容C1連 接在晶閘管Sl的控制極和第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地G2之間。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R0，其連接在開(kāi)關(guān) 電源VCC和光耦P1發(fā)射端發(fā)光二極管的陽(yáng)極之間。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻Rl，其連接在第一 信號(hào)源Vgl和隔離二極管D1的陽(yáng)極之間。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R2，其連接在第一 信號(hào)源Vgl和第一三極管Ql的基極之間。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R3,其連接在第二 信號(hào)源Vg2和隔離二極管D2的陽(yáng)極之間。進(jìn)一步地，所述過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R4，其連接在第二 信號(hào)源Vg2和第二三極管Q2的基極之間。本實(shí)用新型的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，能檢測(cè)采樣電阻R6和第二 MOS管M2 的源極之間的電流，電路出現(xiàn)過(guò)流時(shí)，晶閘管S1導(dǎo)通，第二三極管Q2導(dǎo)通，這
樣第二MOS管M2的柵極被鉗位在低電平，第二MOS管實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)；并且此時(shí) 光耦P1導(dǎo)通，第一三極管Q1導(dǎo)通，第一M0S管M1的柵極也被鉗位在低電平， 第一M0S管M1也實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)；所以本實(shí)用新型能很好的保護(hù)MOS管，實(shí)現(xiàn)電 路的過(guò)流自鎖保護(hù)功能。[
]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中橋式驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖。圖2是本實(shí)用新型過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖。[具體實(shí)施方式
]下面根據(jù)附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地闡述。本實(shí)用新型帶有自鎖保護(hù)電路，圖2是本實(shí)用新型的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路 的電路原理圖，該過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，包括第一M0S管M1、第二MOS管M2、 第一三極管Q1、第二三極管Q2、采樣電阻R6、晶闡管S1和光耦P1，第一信號(hào) 源Vgl通過(guò)限流電阻Rl連接到隔離二極管Dl的陽(yáng)極，第一信號(hào)源Vgl還通過(guò)限 流電阻R2連接到第一三極管Ql的基極，隔離二極管Dl的陰極分別與第一 MOS 管M1的柵極和第一三極管Q1的發(fā)射極連接，第一三極管Q1的集電極和第一MOS 管Ml的源極分別接第一信號(hào)源Vgl對(duì)應(yīng)的地Gl;第二信號(hào)源Vg2通過(guò)限流電阻R3連接到隔離二極管D2的陽(yáng)極，第二信號(hào)源 Vg2還通過(guò)限流電阻R4連接到第二三極管Q2的基極，隔離二極管D2的陰極分 別與第二 MOS管M2的柵極和第二三極管Q2的發(fā)射極連接，第二三極管Q2的集 電極接第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地G2，第二 MOS管M2的漏極與第一 MOS管Ml的 源極連接，第二 MOS管M2的源極通過(guò)采樣電阻R6接第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地 G2;晶闌管Sl的控制極通過(guò)限流電阻R5與第二 MOS管M2的漏極連接，晶閘管 Sl的陰極接第二信號(hào)源Vg2的地G2，濾波電容Cl連接在晶閘管Sl的控制極和 第二信號(hào)源Vg2的地G2之間，晶閘管S1的陽(yáng)極與隔離二極管D3的陰極連接， 隔離二極管D3的陽(yáng)極與第二三極管Q2的基極連接；開(kāi)關(guān)電源VCC通過(guò)限流電阻R0與光耦Pl發(fā)射端發(fā)光二極管的陽(yáng)極連接，光 耦Pl發(fā)射端發(fā)光二極管的陰極與晶閘管Sl的陽(yáng)極連接，光耦Pl接收端的集電 極與第一三極管Ql的基極連接，光耦Pl接收端的發(fā)射極與第一三極管Ql的集 電極連接。本實(shí)用新型的工作原理是兩個(gè)MOS管交替工作，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)源Vgl為正時(shí) (大于3V),其達(dá)到第一M0S管M1的工作電壓，第一M0S管M1工作，第一三極 管Q1截止，此時(shí)第二信號(hào)源Vg2為負(fù)，第二M0S管M2就不工作，第二三極管 Q2導(dǎo)通，此時(shí)第二M0S管M2通過(guò)第二三極管Q2和限流電阻R4放電；當(dāng)?shù)谝恍?號(hào)源Vgl為負(fù)時(shí)，第一 MOS管Ml不工作，第一三極管Ql導(dǎo)通，此時(shí)第一 MOS 管Ml就會(huì)通過(guò)第一三極管Ql和限流電阻R2放電，但此時(shí)第二信號(hào)源Vg2為正， 第二M0S管M2工作，第二三極管Q2截止。當(dāng)電路出現(xiàn)過(guò)流時(shí)，晶閘管S1導(dǎo)通，此時(shí)第二三極管Q2也導(dǎo)通，第二MOS 管M2的柵極的電位就被鉗位到低電平，使其電位達(dá)不到第二 MOS管的導(dǎo)通電壓， 此時(shí)第二MOS管就截止不工作，實(shí)現(xiàn)了自鎖保護(hù)；同時(shí)開(kāi)關(guān)電源VCC依次通過(guò)限 流電阻RO、光耦Pl和晶閘管Sl接第二信號(hào)源Vg2對(duì)應(yīng)的地G2，光耦P1導(dǎo)通， 此時(shí)第一三極管Ml也導(dǎo)通，這樣第一MOS管的柵極電位也被鉗位到低電平，第 一M0S管M1就截止工作，也實(shí)現(xiàn)了自鎖保護(hù)。如果需要重新啟動(dòng)該過(guò)流自鎖橋 式驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，通過(guò)開(kāi)關(guān)電源VCC就能實(shí)現(xiàn)電路的復(fù)位。綜上所述，本實(shí)用新型的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，能檢測(cè)采樣電阻R6和第 二M0S管M2的源極之間的電流，電路出現(xiàn)過(guò)流時(shí)，晶閘管S1導(dǎo)通，第二三極管 Q2導(dǎo)通，這樣第二 MOS管M2的柵極被鉗位在低電平，第二 MOS管實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù); 并且此時(shí)光耦P1導(dǎo)通，第一三極管Q1導(dǎo)通，第一M0S管M1的柵極也被鉗位在 低電平，第一 MOS管Ml也實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)；所以本實(shí)用新型能很好的保護(hù)MOS管， 實(shí)現(xiàn)電路的過(guò)流自鎖保護(hù)功能。
權(quán)利要求1、一種過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第一三極管(Q1)和第二三極管(Q2)，第一信號(hào)源(Vg1)分別與隔離二極管D1的陽(yáng)極和第一三極管(Q1)的基極連接，隔離二極管D1的陰極分別與第一MOS管(M1)的柵極和第一三極管(Q1)的發(fā)射極連接，第一三極管(Q1)的集電極和第一MOS管(M1)的源極分別接第一信號(hào)源(Vg1)對(duì)應(yīng)的地(G1)；第二信號(hào)源(Vg2)分別與隔離二極管D2的陽(yáng)極和第二三極管(Q2)的基極連接，隔離二極管D2的陰極分別與第二MOS管(M2)的柵極和第二三極管(Q2)的發(fā)射極連接，第二三極管(Q2)的集電極和第二MOS管(M2)的源極分別接第二信號(hào)源(Vg2)對(duì)應(yīng)的地(G2)，第二MOS管(M2)的漏極與第一MOS管(M1)的源極連接；其特征在于還包括采樣電阻R6、晶閘管(S1)和光耦(P1)，采樣電阻R6連接在第二MOS管(M2)的漏極和第二信號(hào)源(Vg2)對(duì)應(yīng)的地(G2)之間，晶閘管(S1)的控制極與第二MOS管(M2)的漏極連接，晶閘管(S1)的陰極接第二信號(hào)源(Vg2)對(duì)應(yīng)的地(G2)，晶閘管(S1)的陽(yáng)極與隔離二極管D3的陰極連接，隔離二極管D3的陽(yáng)極與第二三極管(Q2)的基極連接；開(kāi)關(guān)電源(VCC)與光耦(P1)發(fā)射端發(fā)光二極管連接，光耦(P1)發(fā)射端發(fā)光二極管的陰極與晶閘管(S1)的陽(yáng)極連接，光耦(P1)接收端的集電極與三極管(Q1)的基極連接，光耦(P1)接收端的發(fā)射極與第一三極管(Q1)的集電極連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R5，其一端與第二MOS管(M2)的源極連接，另一端與晶閘管(Sl)的 控制極連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括濾 波電容(Cl)，濾波電容(Cl)連接在晶閘管(Sl)的控制極和第二信號(hào)源(Vg2) 對(duì)應(yīng)的地(G2)之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R0，其連接在開(kāi)關(guān)電源(VCC)和光耦(Pl)發(fā)射端發(fā)光二極管的陽(yáng)極之 間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R1，其連接在第一信號(hào)源(Vgl)和隔離二極管D1的陽(yáng)極之間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R2，其連接在第一信號(hào)源(Vgl)和第一三極管(Ql)的基極之間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R3，其連接在第二信號(hào)源(Vg2)和隔離二極管D2的陽(yáng)極之間。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括限 流電阻R4，其連接在第二信號(hào)源(Vg2)和第二三極管(Q2)的基極之間。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種過(guò)流自鎖橋式驅(qū)動(dòng)電路，其包括第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)，還包括晶閘管(S1)、采樣電阻R6和光耦(P1)，開(kāi)關(guān)電源(VCC)與光耦(P1)發(fā)射端發(fā)光二極管連接，光耦(P1)發(fā)射端發(fā)光二極管的陰極與晶閘管(S1)的陽(yáng)極連接，光耦(P1)接收端的集電極與三極管(Q1)的基極連接，光耦(P1)接收端的發(fā)射極與第一三極管(Q1)的集電極連接。本實(shí)用新型能檢測(cè)采樣電阻R6和第二MOS管M2的源極之間的電流，電路出現(xiàn)過(guò)流時(shí)，第一MOS管(M1)和第二MOS管M2都會(huì)截止工作，實(shí)現(xiàn)了自鎖保護(hù)，所以本實(shí)用新型能很好的保護(hù)MOS管，實(shí)現(xiàn)電路的過(guò)流自鎖保護(hù)功能。
文檔編號(hào)H03K17/687GK201044436SQ20072012043
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月30日
發(fā)明者楊東平 申請(qǐng)人:深圳市麥格米特電氣技術(shù)有限公司