專(zhuān)利名稱(chēng)：電壓控制型聲表面波振蕩器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
,
本發(fā)明涉及振蕩器，并且尤其涉及一種電壓控制型聲表面波振蕩器
(vcso)。
背景技術(shù)：
高容量數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)依賴(lài)于信號(hào)轉(zhuǎn)發(fā)器和用于低誤碼率數(shù)據(jù)傳輸?shù)撵`敏 接收機(jī)。為了能夠解碼和/或純凈地轉(zhuǎn)發(fā)串行數(shù)據(jù)信號(hào)，上述網(wǎng)絡(luò)包括可以 產(chǎn)生與數(shù)據(jù)信號(hào)同頻同相的數(shù)據(jù)時(shí)序信號(hào)的部件。這種產(chǎn)生時(shí)序信號(hào)的步 驟被稱(chēng)為"時(shí)鐘恢復(fù)"。
數(shù)據(jù)時(shí)鐘恢復(fù)需要相對(duì)高純度的參考信號(hào)作為起始點(diǎn)用來(lái)匹配串行 數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)鐘速率，并且也需要用于頻率調(diào)整的電路系統(tǒng)。用于產(chǎn)生高純 度參考信號(hào)的技術(shù)的類(lèi)型、成本以及質(zhì)量根據(jù)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的種類(lèi)而改 變。對(duì)于固定的大規(guī)模安裝，"原子"時(shí)鐘可以作為參考信號(hào)的主要來(lái)源。 對(duì)于遠(yuǎn)程或可移動(dòng)系統(tǒng)，已經(jīng)釆用包括專(zhuān)用配置的石英諧振器在內(nèi)的部 件。隨著通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)朝著提供與局域網(wǎng)和計(jì)算機(jī)工作站更高帶寬互連的 方向發(fā)展，對(duì)提供更小且更廉價(jià)的時(shí)鐘恢復(fù)技術(shù)方案的需求也不斷增長(zhǎng)。
目前，對(duì)于更高頻率應(yīng)用的需求而言，例如，頻率大于300MHz,諸 如標(biāo)準(zhǔn)AT切石英晶體諧振器的較為傳統(tǒng)的諧振器技術(shù)已經(jīng)難以充分滿(mǎn)足 這種需求?；灸Ｊ?、直接坯料AT切(straightblankAT-cut)石英晶體的 公認(rèn)的頻率上限為大約70MHz。對(duì)于高于300MHz的頻率，則可使用聲表 面波(SAW)振蕩器。
在無(wú)線(xiàn)基站的應(yīng)用中，VCSO可用作數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的頻率源。
SAW振蕩器部件的封裝對(duì)于振蕩器的性能來(lái)說(shuō)十分關(guān)鍵。對(duì)于低成本 的SAW振蕩器存在著很大需求。相關(guān)市場(chǎng)支持更小的設(shè)計(jì)和消費(fèi)者層面 的價(jià)格。為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，針對(duì)電子部件的成本和尺寸提出了更嚴(yán)格的 要求。成本和尺寸限制均為晶體振蕩器設(shè)計(jì)中的重要因素。
由于甚至SAW諧振器的塵埃級(jí)污染都會(huì)影響其中心頻率，因此SAW振蕩器部件的封裝及處理均顯得十分重要。目前，大多數(shù)基于SAW的陶 瓷振蕩器模塊都是在潔凈室內(nèi)環(huán)境中進(jìn)行裝配的，包括采用如下步驟首 先，提供用于限定一個(gè)內(nèi)部腔室或空腔的多層共燒陶瓷模塊。隨后，在空 腔中添加銀膠，再將集成電路(IC)以乂相關(guān)芯片部件置于上述空腔中。 隨后使銀膠固化并且使得IC引線(xiàn)接合。顛外的銀膠分散在該腔室限定的 邊緣上，隨后將SAW晶體通過(guò)壁架放置在腔室中。固化銀膠，并且隨后 可選地有源調(diào)諧上述晶體。之后在腔室中創(chuàng)造惰性、無(wú)塵環(huán)境，并且在腔 室開(kāi)口上方焊接金屬蓋以便密封SAW晶體和其中的其它部件。
上述特殊封裝和處理的需求不僅增加制造振蕩器部件的成本，而且限 制整體模塊尺寸的縮減。
因此長(zhǎng)期以來(lái)一直存在以更低成本大批量生產(chǎn)改進(jìn)的SAW振蕩器模 塊的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)特征是提供一種聲表面波振蕩器模塊，其尺寸大約為寬 5mm、 長(zhǎng)7mm、 高2.7mm。
所述振蕩器^^莫塊包括一個(gè)基底，所述基底具有一個(gè)頂面、 一個(gè)底面以 及一些外圍邊緣表面。在所述外圍邊緣表面中限定有多個(gè)城堡形凹槽。所
選的一些城堡形凹槽形成所述頂面與所述底面之間的電連接。在所述頂面 上安裝有多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)。 一部分導(dǎo)電焊盤(pán)可以連接到一部分城堡形凹槽。 在所述頂面上安裝振蕩電路，并且所述振蕩電路與所述導(dǎo)電焊盤(pán)相連接。 在所述頂面上安裝聲表面波器件，并且所述聲表面波器件與一部分所述導(dǎo) 電焊盤(pán)相連并與所述振蕩電路相耦合。 一個(gè)蓋具有至少一個(gè)接片。所述蓋 被安裝在所述基底的頂面上。所述接片適配地嵌入到所選的一個(gè)所述城堡 形凹槽之中，用來(lái)形成所述蓋與所述基底之間的電連接。


以下，通過(guò)結(jié)合附圖的描迷，可以更好地理解本發(fā)明的上述及其它特 征，其中
圖1為根據(jù)本發(fā)明的聲表面波振蕩器模塊的整體透視圖2為圖1的模塊去除蓋之后的透視圖3為圖1的模塊的印刷電路板的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖4為圖3的印刷電路板的仰視圖5為圖3和圖4印刷電路板各層的放大側(cè)面正視圖6為根據(jù)本發(fā)明的振蕩器電路的原理圖；以及
圖7為圖3和圖4印刷電路板的內(nèi)層的可選實(shí)施例的俯視圖8為振蕩器電路的可選實(shí)施例的原理圖；以及
圖9為圖8電路所用的印刷電路板的俯視圖。
值得注意的是本發(fā)明的附圖并未按比例繪制。附圖只是用于描述本發(fā) 明的典型實(shí)施例，而不應(yīng)該被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的范圍加以限定。本發(fā)明將 通過(guò)相應(yīng)說(shuō)明書(shū)以及權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行特定及詳細(xì)的描述。
具體實(shí)施方式
振蕩器模塊
參見(jiàn)圖1至圖5，其示出一種聲表面波振蕩器模塊10。振蕩器模塊10 包括基底12、蓋200、振蕩電路100以及聲表面波諧振器(SAW) 150, 如下面將要詳細(xì)描述的，聲表面波諧振器150與其它所選的芯片部件一起 被安裝在基底12的頂面14上。
通常呈矩形形狀的基底12具有頂面14、底面15(如圖4和圖5所示) 以及限定側(cè)面或邊緣17、 18、 19和20 (如圖2所示)的外圍邊緣16。優(yōu) 選地，基底12為傳統(tǒng)的印刷電路板(PCB)。在一個(gè)實(shí)施例中，基底12 包括三層堆疊的介電層22a、 22b、 22c以及大體上垂直穿過(guò)介電層延伸并 且分別處于頂面14與底面15之間的鍍層通孔24 (如圖5所示)?；?2 也可以具有四層銅或金屬層25a、 25b、 25c、 25d。層25b是位于介電層 22a和22b之間的夾層，層25c是位于介電層22b和22c之間的夾層，層 25a覆蓋介電層22a的外表面，而層25d則覆蓋介電層22c的外表面。
金屬層25a可以被制成圖案用來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的電連接。金屬層25b可以 為與接地端相連的接地層并且可以提供對(duì)電磁干擾的屏蔽。金屬層25c可 以被制成圖案用來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的電連接。金屬層25d可以與接地層一起制成 圖案。
基底12可以具有小于大約5mm寬并且7mm長(zhǎng)的尺寸。 基底12具有安裝在頂面14上的SAW連接焊盤(pán)34、集成電路連接焊 盤(pán)36以及其它連接焊盤(pán)38。更多細(xì)節(jié)如下面敘述，連接焊盤(pán)34、 36、 38
用于將電子部件的端子直接焊接連接至基底12的頂面14。在頂面14上安 裝有數(shù)條電路線(xiàn)路40。例如可通過(guò)銅層25a的金屬蝕刻(subtractive etching)工藝來(lái)形成這些連接焊盤(pán)以及電路線(xiàn)路。
鍍層通孔24在頂面14與底面15之間延伸，因而也穿過(guò)限定這些鍍 層通孔24的不同的金屬層以及介電層。鍍層通孔24用于實(shí)現(xiàn)頂面和底面 (即層25a、 25d)與中間內(nèi)金屬化層25b、 25c之間的電連接?？梢酝ㄟ^(guò) 在鍍層通孔24的內(nèi)表面上沉積一層銅材料的電鍍工藝或類(lèi)似工藝形成鍍 層通孔24。
城堡形凹槽26、 28位于外圍邊緣16上。城堡形凹槽26被限定在基 底12的側(cè)表面17、 18上，而城堡形凹槽28則被限定在在基底12的側(cè)表 面19、 20上。城堡形凹槽26通過(guò)一些金屬化半圓形凹槽來(lái)限定；這些金 屬化半圓形凹槽是已經(jīng)從相應(yīng)的側(cè)表面17、 18中切除部分，并且在基底 12的頂面14與底面15之間延伸。在所示實(shí)施例中，通過(guò)類(lèi)似于在制造工 藝中已經(jīng)切為兩半的通孔24的鍍層通孔來(lái)限定城堡形凹槽26。城堡形凹 槽26沿著每個(gè)側(cè)表面17、 18的長(zhǎng)度方向延伸并且相互間隔且平行。在所 示實(shí)施例中，每一個(gè)側(cè)表面17、 18均具有三個(gè)在其上限定的城堡形凹槽 26。
通過(guò)延伸或拉長(zhǎng)分別在基底側(cè)表面19、 20中切割形成的凹槽來(lái)限定 金屬化城堡形凹槽28。在特定實(shí)施例中，由在制造過(guò)程中通過(guò)切割成一半 的金屬通槽來(lái)形成城堡形凹槽28。
在相應(yīng)城堡形凹槽26、 28的外表面上均通過(guò)電鍍工藝或類(lèi)似工藝涂 覆一層銅，并且使其具有導(dǎo)電性。城堡形凹槽26、 28、特別是其上涂復(fù)覆 的銅實(shí)現(xiàn)基底12的頂面14與底面15之間的電路徑。城堡形凹槽28可接 地。銅涂覆層圍繞著城堡形凹槽26的每一個(gè)的頂層邊緣及底層邊緣延伸， 以便在基底12的頂面14上限定出銅或類(lèi)似導(dǎo)電材料26a的大體上呈弓形 的帶或焊盤(pán)，并且使此弓形帶或焊盤(pán)環(huán)繞每個(gè)城堡形凹槽26的頂層邊緣。 在底面15上形成相似的弓形帶或焊盤(pán)26b，其環(huán)繞每個(gè)相應(yīng)城堡形凹槽 26的底層邊緣。
此外，每個(gè)城堡形凹槽28限定在基底12的頂面14上形成的銅或類(lèi) 似導(dǎo)電材料的帶或焊盤(pán)28a,并且此帶或焊盤(pán)28a環(huán)繞每個(gè)城堡形凹槽28 的頂層外圍邊緣。此外，每個(gè)城堡形凹槽28限定在基底12的底面15上 形成的銅或類(lèi)似導(dǎo)電材料的帶或焊盤(pán)28b，并且此帶或焊盤(pán)28b環(huán)繞每個(gè)城堡形凹槽28的底層外圍邊緣。
利用電路線(xiàn)40實(shí)現(xiàn)連接焊盤(pán)34、 36、 38、城堡形凹槽26以及鍍層通 孔24相互之間的各種電連接。也可根據(jù)電路設(shè)計(jì)需要，部分電路線(xiàn)和導(dǎo) 電焊盤(pán)可以與部分城堡形凹槽26實(shí)現(xiàn)電連接。參見(jiàn)圖2,利用傳統(tǒng)的的焊 接SMT組裝工藝，在基底12的頂面14上安裝用于形成振蕩電路100的 多個(gè)電子預(yù)封裝部件。上述電子部件均具有端子T。通過(guò)將電子部件的相 應(yīng)端子T分別焊接至頂面14上的連接焊盤(pán)34、 36、 38,電子部件被直接 安裝到基底12的頂面上。如圖2所示，電容C1、 C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8,電阻R1、 R2、 R3、 R4,電感L1， 二極管Dl以及SAW諧振器 150均被安裝到頂面14上。集成電路U1也被安裝到頂面14上。SAW諧 振器150的高度將決定整個(gè)模塊10的最大高度，而在本實(shí)施例中模塊10 的最大高度為2.7mm。
蓋200具有頂面202以及側(cè)面或壁面204、 206。接片208分別從壁面 204、 206的相應(yīng)底部外圍邊緣向下延伸。平坦肩部210分別從相應(yīng)接片 208每側(cè)的每個(gè)壁面204、 206的底部邊緣向下延伸。肩部210比接片208 短，并且當(dāng)蓋200被放置到基底12之上時(shí)適配于擱放在基底12頂面14 上的相應(yīng)城堡形焊盤(pán)28a上。平坦肩部210支撐基底12上方的蓋200。
每個(gè)接片208均具有一個(gè)側(cè)面邊緣212。當(dāng)在基底12的頂部放置并安 裝蓋200以便實(shí)現(xiàn)蓋200與基底12之間的電連接時(shí)，接片208用于實(shí)現(xiàn) 這種關(guān)系每個(gè)接片208的內(nèi)表面均與對(duì)應(yīng)的城堡形凹槽28的外表面具 有摩擦接合的適配關(guān)系。以上述方式，蓋200可以祐:接地。當(dāng)在基底12 上方固定蓋200時(shí)，蓋200的每個(gè)側(cè)壁面204、 206的底部外圍邊緣上的 肩部210的存在，在蓋200與基底12之間產(chǎn)生間隙220。此外，每個(gè)接片 208還在其遠(yuǎn)端外圍邊緣限定出一個(gè)凹槽209。接片208的寬度小于城堡 形凹槽28的寬度，以便當(dāng)在基底12上方安裝蓋200時(shí)，在城堡形凹槽28 的邊緣與接片208之間限定出一個(gè)間隙。
利用如下步驟可以制造根據(jù)本發(fā)明的振蕩器模塊10:首先，提供一個(gè) 基底12,其上具有利用蝕刻工藝或類(lèi)似工藝形成的如圖3和圖4所示的電 路圖案。隨后在基底12頂面14的所選部分上絲網(wǎng)印刷焊料。然后，在基 底12的頂面14上方安放包括SAW諧振器150在內(nèi)的所有部件，緊接著， 在所有部件以及基底12上方安置蓋200以便形成如圖1所示的模塊。隨 后可回流焊接上述模塊并且可選地進(jìn)行無(wú)源激光修整。最后，測(cè)試上述模
塊。經(jīng)過(guò)上述步驟所獲得的才莫塊IO具有大約為5mm寬、7mm長(zhǎng)以及2.7mm 高的整體尺寸。
因此，本發(fā)明通過(guò)利用傳統(tǒng)的焊接SMT組裝工藝在PCB基底上實(shí)現(xiàn) 預(yù)封裝部件的安裝，解決了現(xiàn)有的基于陶瓷的VCSO模塊所存在的工藝過(guò) 程復(fù)雜的問(wèn)題。特別地，本發(fā)明的基于PCB基底的VCSO模塊無(wú)需在潔 凈室環(huán)境下進(jìn)行棵片、銀膠分散以及暴露晶體等工藝以及焊縫工藝。并且 本發(fā)明提供的模塊還在無(wú)需復(fù)雜工具的條件下具有"批"處理能力，這是 與陶資組裝工藝相比PCB所具有的主要優(yōu)點(diǎn)。
振蕩器電路
參見(jiàn)圖6。圖6示出了電壓控制型聲表面波振蕩器(VCSO)電路100 的電氣原理圖。VCSO電路100包括電壓控制型振蕩器電路120和聲表面 波諧振器件(SAW) 150。
電壓控制型振蕩器電路120可以包括集成電路U1。集成電路U1包括 振蕩器晶體管、放大器、信號(hào)調(diào)理器和LVPECL驅(qū)動(dòng)器。集成電路U1可 以是德州儀器公司的零件號(hào)為SN65LVP16DRFR的集成電路。集成電路 Ul為具有八個(gè)端子或焊盤(pán)的表面安裝型部件。集成電路U1具有端子T1、 T2、 T3、 T4、 T5、 T6、 T7、 T8。
端子T1與節(jié)點(diǎn)N6相連。端子T2與電容C5相連。端子T3與節(jié)點(diǎn) N9相連。端子T4與接地端相連。端子T5與節(jié)點(diǎn)N5相連。端子T6與節(jié) 點(diǎn)N8或電源端Vcc相連。端子T7與輸出端射頻(RF)輸出相連。端子 T8與反向RF輸出端相連。
電阻R2接于節(jié)點(diǎn)N7和節(jié)點(diǎn)N9之間。電容C7接于節(jié)點(diǎn)N7和接地 端之間。電容C5接地。電容C3接于節(jié)點(diǎn)N5和接地端之間。電容C4接 于節(jié)點(diǎn)N4和節(jié)點(diǎn)N5之間。電感Ll和電容C2的并聯(lián)組合接于節(jié)點(diǎn)N3 與節(jié)點(diǎn)N4之間。優(yōu)選地，電源Vcc設(shè)定為3.3伏特。電容C6接于節(jié)點(diǎn) N6和接地端之間。SAW諧振器150可接于節(jié)點(diǎn)N2和節(jié)點(diǎn)N6之間 SAW 諧振器150可以是臺(tái)灣的TAI-SAW公司在市場(chǎng)上推出的與外界隔絕的密 封聲表面波諧振器。SAW諧振器150可在大于或者等于622.08MHz的標(biāo) 稱(chēng)頻率下產(chǎn)生諧振。SAW諧振器150也與接地端相連。在某些實(shí)施例中， 可選地，SAW諧振器150可與可變或可微調(diào)電感(未示出)相連?？梢愿?變可微調(diào)電感的感應(yīng)系數(shù)，使得能夠更精確地調(diào)諧振蕩器的運(yùn)行頻率。
變?nèi)荻O管Dl具有陽(yáng)極D1A以及陰極D1C。陰極D1C與節(jié)點(diǎn)N2 相連；陽(yáng)極D2A與節(jié)點(diǎn)N3相連。電阻R3接于節(jié)點(diǎn)N3和接地端之間
電阻Rl接于節(jié)點(diǎn)Nl和節(jié)點(diǎn)N2之間。電容Cl接于節(jié)點(diǎn)Nl和接地 端之間。節(jié)點(diǎn)N1與電壓控制端子相連。節(jié)點(diǎn)N9與使能端子相連。
變?nèi)荻O管Dl按照施加在電壓控制端子上的電壓成比例地改變電 容。以上述方式，可以通過(guò)改變電壓控制端子處電壓來(lái)控制振蕩器的運(yùn)行 頻率。
利用考畢茲(Colpitts)配置方式設(shè)置振蕩電路100。然而，本發(fā)明并未 以此為限。并且振蕩器可以包括但不限于諸如克拉普(Clapp)、德里斯科爾 (Driscoll)、巴特勒(Butler)、皮爾斯(Pierce)以及哈特利(Harley)振蕩器配置
的其它振蕩器配置。
本說(shuō)明書(shū)中所示的振蕩器采用的是SAW諧振器。但是，應(yīng)該理解為， 還可以使用其它類(lèi)型諧振器，包括但不限于石英晶體、薄膜體聲波諧振器 (FBAR)、鋰鈮酸鹽以及其它壓電材料的諧振器。
第一可選實(shí)施例
參見(jiàn)圖7。圖7為示出了基底12的可選金屬層50的示意圖。層50可 替代圖5中所示的層25c。中間層50具有頂面51。在頂面51上安裝有蜿 蜒的蛇形電路線(xiàn)路52。還可在頂面51上安裝其它的電路線(xiàn)路54。電路線(xiàn) 路54可通過(guò)適當(dāng)?shù)呐渲梅绞脚c鍍層通孔24相連，以便與振蕩器100相連 接。
電路線(xiàn)路52具有蛇形或環(huán)形形狀，并且電路線(xiàn)路52被設(shè)計(jì)為具有足 夠大的分布式自感應(yīng)從而代替如圖2所示且安裝在頂面15上的電感Ll。 電路線(xiàn)路52還可以適當(dāng)配置方式與鍍層通孔24相連以便代替分立電感 Ll。內(nèi)部電路線(xiàn)路52的使用使得模塊更加緊湊，并且降低了購(gòu)買(mǎi)外部電 感L1以及將其安裝到基底12的頂面14上的成本。
第二可選實(shí)施例
參見(jiàn)圖8。圖8示出了一種電壓控制型聲表面波振蕩器(VCSO)電 路300的可選實(shí)施例。VCSO電路300包括電壓控制型振蕩電路320和聲 表面波諧振器件(SAW) 150。
電壓控制型振蕩電路120可以包括集成電路U1。集成電路U1包括放 大器、信號(hào)調(diào)理器以及LVPECL驅(qū)動(dòng)器。集成電路U1可以是德克薩斯州
達(dá)拉斯的德州儀器公司生產(chǎn)的德州儀器零件號(hào)為SN65LVDS16的集成電 路。集成電路U1是一個(gè)具有九個(gè)端子或焊盤(pán)的表面安裝型器件，所具有 的九個(gè)端子為T(mén)1、 T2、 T3、 T4、 T5、 T6、 T7、 T8和T9。 '
端子Tl與電源端Vcc相連。可設(shè)定電源端子Vcc為3.3伏特。端子 T2與節(jié)點(diǎn)N10相連。端子T3與節(jié)點(diǎn)Nil相連。端子T4與節(jié)點(diǎn)N12或4妾 地端相連。端子T5與節(jié)點(diǎn)N13相連。端子T6與反向RF輸出端相連。端 子T7與RF輸出端相連。端子T8與電源端Vcc相連。端子T9與節(jié)點(diǎn)N12 或接地端相連。
電阻R6接于節(jié)點(diǎn)N13和接地端之間。電容C3接于節(jié)點(diǎn)Nil和接地 端之間。電阻R5接于節(jié)點(diǎn)11和節(jié)點(diǎn)IO之間。電容C2接于節(jié)點(diǎn)9和節(jié)點(diǎn) 10之間。電感L2接于節(jié)點(diǎn)N9和電源端Vcc之間。
晶體管Q2具有基極Q2B、集電極Q2C和發(fā)射極Q2E。發(fā)射極Q2E 與電源端Vcc相連。集電極Q2C與節(jié)點(diǎn)N13相連。基極Q2B與使能喊相 連。
振蕩器晶體管Ql具有基極Q1B、集電極Q1C以及發(fā)射極Q1E。發(fā)射 極Q1E與節(jié)點(diǎn)N8相連。集電極Q1C與節(jié)點(diǎn)N9相連。基極Q1B與節(jié)點(diǎn) N6相連。
電容C4接于節(jié)點(diǎn)N6和節(jié)點(diǎn)N7之間。電容C5接于節(jié)點(diǎn)N7和接地 端之間。電阻R3接于節(jié)點(diǎn)N8和4妄地端之間。電阻Rl接于節(jié)點(diǎn)N5和接 地端之間。電阻R2接于節(jié)點(diǎn)N4和電源端Vcc之間。電容C6接于電源端 Vcc和4妄i也端之間。
SAW諧振器150可分別與節(jié)點(diǎn)N3、節(jié)點(diǎn)N4以及接地端相連。SAW 諧振器150可為市場(chǎng)上由臺(tái)灣TAI-SAW公司生產(chǎn)的密封的聲表面波諧振 器。SAW諧振器150可在大于或者等于622.08MHz的標(biāo)稱(chēng)頻率下產(chǎn)生諧 振。SAW諧振器150還與接地端相連。
變?nèi)荻O管Dl具有陽(yáng)極D1A以及陰極D1C。陰極D1C與節(jié)點(diǎn)N2 相連。陽(yáng)極D1A與接地端相連。電容C7接于節(jié)點(diǎn)N3和接地端之間。電 感L3接于節(jié)點(diǎn)N2和節(jié)點(diǎn)N3之間。電阻R4接于節(jié)點(diǎn)N2和節(jié)點(diǎn)Nl之間。 電容Cl接于節(jié)點(diǎn)Nl和沖妄地端之間。節(jié)點(diǎn)Nl與電壓控制端相連。
變?nèi)荻O管Dl隨施加在電源控制端上的電壓成比例改變電容。以此 種方式，可以通過(guò)改變電壓控制端的電壓來(lái)控制振蕩器的運(yùn)行頻率。
利用考畢茲配置方式設(shè)置振蕩電路300。然而，本發(fā)明并未以此為，P艮。并且振蕩器可以包括但不限于諸如克拉普、德里斯科爾、巴特勒、皮爾斯 以及哈特利振蕩器配置的其它振蕩器配置。
電路300中所示的振蕩器采用的是SAW諧振器。但是，應(yīng)該理解為， 還可以使用其它類(lèi)型諧振器，包括但不限于石英晶體、薄膜體聲波諧振器 (FBAR)、鋰鈮酸鹽以及其它壓電材料的諧振器。
再參見(jiàn)圖8。圖8示出包含振蕩器300的物理部件的基底或印刷電路 板12。印刷電路板12具有頂面14、外圍環(huán)形邊緣16以及鍍層通孔24。
城堡形凹槽26、 28位于外圍環(huán)形邊緣16上。在基底12的外圍邊緣 16中限定城堡形凹槽26、 28。上述城堡形凹槽已經(jīng)結(jié)合圖1至圖5進(jìn)行 了描述。城堡形凹槽26具有導(dǎo)電帶26a。
基底12具有安裝在頂面14上的SAW連接焊盤(pán)34、集成電路連接焊 盤(pán)36以及其它連接焊盤(pán)38。連接焊盤(pán)34、 36、 38用于將電路300的電子 器件端子直接焊接到基底12的頂面14上。在頂面14上安裝有多條^路 線(xiàn)路40,并且用于實(shí)現(xiàn)電子器件、鍍層通孔以及城堡形凹槽之間的電連接。
圖9中的基底12可與如上所述的圖1中的蓋200相裝配。為了封裝 振蕩器300,蓋接片208壓接嵌入城堡形凹槽28中，并且提供蓋與基底之 間的電連接。這一電連接允許上述蓋接地。
雖然特別結(jié)合一些實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，然而本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)形 式和細(xì)節(jié)進(jìn)行改變。所描述的實(shí)施例在各個(gè)方面均應(yīng)該看成是示意性的而 非是限制型的。因此，本發(fā)明保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)而非前述 的說(shuō)明書(shū)來(lái)確定。與權(quán)利要求的意思和范圍等同的所有改變和變化均畢包 含權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器模塊，包括基底，所述基底具有頂面、底面以及外圍邊緣；多個(gè)城堡形凹槽，其位于所述外圍邊緣，所述城堡形凹槽形成所述頂面與所述底面之間的電連接；至少一個(gè)金屬化槽，其位于所述外圍邊緣上；至少一個(gè)連接焊盤(pán)，其安裝于所述頂面上并且與至少一個(gè)所述城堡形凹槽連接；振蕩電路，其安裝于所述頂面上并且與至少一個(gè)所述連接焊盤(pán)相連；聲表面波器件，其安裝于所述頂面上，與至少一個(gè)所述連接焊盤(pán)相連，并且耦合到所述振蕩電路；以及蓋，所述蓋具有至少一個(gè)接片，所述蓋安裝在所述基底的頂面上方，所述接片用于嵌入到所述金屬化槽之中，所述接片與所述金屬化槽形成所述蓋與所述金屬化槽之間的電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器模塊，其中所述基底具有通過(guò)電路 線(xiàn)路形成的電感。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器模塊，其中所述基底具有至少一層 位于所述頂面與所述底面之間的內(nèi)層，并且在所述內(nèi)層上形成有電路線(xiàn) 路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器模塊，其中所述電路線(xiàn)路位于所述 聲表面波器件之下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器模塊，其中在所述基底的所述頂面 上安裝有電感。 '
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器模塊，其中所述聲表面波器件包含 在密封模塊之內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器模塊，其中所述基底為印刷電路板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器模塊，其中所述模塊具有小于大約 5mm寬、7mm長(zhǎng)以及2.7mm高的尺寸。
9. 一種振蕩器模塊，包括印刷電路板，其具有頂面、底面以及外圍邊緣；多個(gè)導(dǎo)電城堡形凹槽，其位于所述外圍邊緣，所述城堡形凹槽形成了 所述頂面與所述底面之間的電連接；至少一個(gè)金屬化槽，其位于所述外圍邊緣；多個(gè)連接焊盤(pán)，其安裝在所述頂面上，至少一個(gè)所述連接焊盤(pán)與至少一個(gè)所述i成堡形凹槽相連；振蕩電路，其安裝在所述連接焊盤(pán)的一個(gè)第一部分； '聲表面波器件，其安裝在所述連接焊盤(pán)的一個(gè)第二部分；蓋，其具有至少一個(gè)接片，所述蓋封裝有所述振蕩電路和所述表面聲波器件；以及所述接片與所述金屬化槽相接合。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述印刷電路板具有至 少一層位于所述頂面與所述底面之間的內(nèi)層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的振蕩器模塊，其中在所述內(nèi)層上具有電 路線(xiàn)路，所述電路線(xiàn)^各限定一個(gè)電感。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述蓋具有至少一個(gè)適 配安放于所述頂面上的肩部，并且限定所述印刷電路板與所述蓋之間的間 隙。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述接片具有至少一個(gè) 可與所述金屬化槽摩擦接合的側(cè)面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的振蕩器模塊，其中所述電路線(xiàn)路位于所 述聲表面波器件之下。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中在所述頂面上安裝有一 個(gè)電感。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述蓋與所述頂面之間 由間隙隔開(kāi)。 ，
17. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述振蕩器具有小于 5mm寬、7mm長(zhǎng)以及2.7mm高的尺寸。
18. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器模塊，其中所述振蕩器為電壓控制 型聲表面波振蕩器。
19. 一種振蕩器模塊，包括印刷電路板基底，具有在其中頂面上安裝的包括聲表面波諧振器的多 個(gè)電子器件；以及蓋，其固定在所述基底以及所述多個(gè)器件的上方，以便限定具有大約5mm寬、7mm長(zhǎng)且2.7mm高的整體尺寸的振蕩器模塊。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的振蕩器模塊，其中所述印刷電路板基底 的頂面限定所述多個(gè)電子器件所用的多個(gè)連接焊盤(pán)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的振蕩器模塊，其中所述印刷電路板包括頂 面、底面以及外圍側(cè)面，所述外圍側(cè)面具有多個(gè)在所述外圍側(cè)面上限定的 并且在其頂面與底面之間延伸的城堡形凹槽。 '
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的振蕩器模塊，其中所述蓋包括側(cè)壁以及 至少兩個(gè)從相對(duì)的側(cè)壁向下的接片，所述接片可分別適配地嵌入在所述基 底中限定的兩個(gè)城堡形凹槽中。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的振蕩器模塊，其中所述印刷電路板基底 包括多層金屬層和介電材料層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的振蕩器模塊，其中所述印刷電路板基底 的金屬材料的一個(gè)內(nèi)層具有限定至少一條電路線(xiàn)路的頂面，所述至少一條 電路線(xiàn)3各限定一個(gè)電感。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的振蕩器模塊，其中所述聲表面波諧振器 與外界隔絕密封。 .
26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的振蕩器模塊，其中所述蓋包括側(cè)壁，所 述側(cè)壁限定帶有其上形成的肩部的底面外圍邊緣，使得在所述蓋固定在所 述印刷電路板基底上方時(shí)，在所述印刷電路板基底與所述蓋之間限定出間 隙。
全文摘要
一種聲表面波振蕩器模塊，其包括具有頂面、底面和外部邊緣側(cè)面的基底。多個(gè)城堡形凹槽位于其中所述外部邊緣側(cè)面。所述城堡形凹槽形成所述基底的頂面與底面之間的電連接。導(dǎo)電焊盤(pán)被安裝在所述頂面上并且適合于連接至所述城堡形凹槽。在所述頂面上安裝有振蕩電路和聲表面波器件，并且所述振蕩電路和表面聲波器件與所述連接焊盤(pán)相連。蓋安裝在所述基底的上方，并且所述蓋具有至少一個(gè)接片，所述接片分別用于嵌入到所述城堡形凹槽之中。所述帶有蓋的模塊具有大約5mm寬、7mm長(zhǎng)以及2.7mm高的整體尺寸。
文檔編號(hào)H03B5/32GK101194418SQ200680020325
公開(kāi)日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2006年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月8日
發(fā)明者R·雅各布森, T·克內(nèi)克特 申請(qǐng)人:Cts公司