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自動增益控制電路的制作方法

文檔序號:7539525閱讀:276來源:國知局
專利名稱:自動增益控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提供一種自動增益控制電路,尤指一種利用可變電流源來調(diào)整增 益的自動增益控制電路。
背景技術(shù)
在現(xiàn)代化的信息社會中,各種文件、數(shù)據(jù)、資料與影音信息都能以電子 信號的方式來加以處理或傳輸,因此可處理電子信號的信號處理電路也就成 為了現(xiàn)代化信息系統(tǒng)中極為重要的硬件基礎(chǔ)。在信息系統(tǒng)中,為了能有效地 處理電子信號,適當(dāng)?shù)鼐S持信號的大小幅度是關(guān)鍵要素之一,因此各種增益 放大電路也就應(yīng)運而生。增益放大電路可視為放大器,其功能在于將輸入信 號增益后輸出,并通過控制信號來調(diào)整其增益大小。其中,可變增益放大電 路可對電子信號的大小幅度進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整, 一般常會將可變增益放大電路設(shè)計為自動增益控制電路(Automatic-Gain Control, AGC),以自動地調(diào)節(jié)電 子信號的大小幅度。因為可變增益放大電路的增益可由控制信號的值來控制,其增益隨控制 信號變化的情形即為可變增益放大電路的可變增益特性。 一般來說,在設(shè)計/ 制造可變增益放大電路時,會希望其可變增益特性具有較寬的增益范圍、較 佳的受控特性(像是具有高線性程度),并可適當(dāng)?shù)氐挚挂蛑瞥袒蜻\作溫度變 異等外在因素所導(dǎo)致的特性漂移。具有較大增益范圍的可變增益放大電路能 夠大幅地改變其增益,故能適應(yīng)更多種不同幅度的電子信號,因而具有較高 的應(yīng)用價值??勺冊鲆娣糯箅娐返氖芸靥匦栽胶?,代表其增益變化的情形能 被更清楚明確地被掌控,也就能實現(xiàn)出較佳的可變增益特性。當(dāng)可變增益放 大電路可適當(dāng)?shù)氐挚怪瞥袒驕囟茸儺愃鶎?dǎo)致的特性漂移,其可變增益特性將 不會因這些不理想因素而大幅地變化,進(jìn)而影響系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。請參考圖l,圖1為先前技術(shù)中可變增益放大電路10的示意圖??勺冊?益放大電路10包含可變增益放大器(Variable-Gain Amplifier, VGA) 12、峰 值檢測電路(Peak-Detecting Circuit) 14、固定式充放電電路16、以及數(shù)字/才莫擬轉(zhuǎn)換器(Digita卜to-Analog Converter, DAC)18。可變增益方文大器12 于其輸入端接收輸入信號VIN,并依據(jù)增益控制信號V^來放大輸入信號VIN, 以于其輸出端產(chǎn)生相對應(yīng)的輸出信號V。UT。在可變增益放大電路10中,增益 控制信號VcTL是由峰值檢測電路14及固定式充放電電路16依據(jù)輸出信號V。UT 來產(chǎn)生,因此可通過反饋方式來進(jìn)行自動增益控制。在先前技術(shù)的可變增益放大電路10中,通過數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器18輸出不同的臨界信號vt,來產(chǎn)生不同的增益控制信號Vctl,因此能調(diào)整可變增益放大器12的增益。峰值檢測電路14包含正相差動比較器21、反相差動比較器22、 和或門(0R Gate)23。正相差動比較器21的正輸入端耦接于可變增益放大器 12以接收輸出信號V隨,而正相差動比較器21的負(fù)輸入端耦接于數(shù)字/模擬 轉(zhuǎn)換器18以接收臨界信號Vt,,正相差動比較器21可以利用差動方式來比較 輸出信號V。uT與臨界信號VT'的值,并于其輸出端產(chǎn)生相對應(yīng)的正相比較信號 V+。反相差動比較器22的正輸入端耦接于數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器18以接收臨界信 號Vt,,而反相差動比較器22的負(fù)輸入端耦接于可變增益放大器12以接收輸 出信號V。uT,反相差動比較器22可以利用差動方式來比較輸出信號V。ut的反相 與臨界信號Vr,的值,并于其輸出端產(chǎn)生相對應(yīng)的反相比較信號V-?;蜷T23 耦接于正相差動比較器21和反相差動比較器22的輸出端,可依據(jù)正相比較 信號V+及反相比較信號V-來產(chǎn)生相對應(yīng)的比較信號VCATE。固定式充放電電路16包含電容C、固定式充電電流源Ip、固定式放電電 流源IN、充電開關(guān)SW"以及放電開關(guān)SW^充電開關(guān)SWp可為P型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管(p-type Metal Oxide Semiconductor Transistor, PM0S)開關(guān) SWP,而放電開關(guān)SWw可為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(N-type Metal Oxide Semiconductor Transistor, NM0S)開關(guān)SWw。充電開關(guān)SWp和i文電開關(guān)SWN的 柵極耦接于或門23,當(dāng)比較信號VcATE為高電位時,充電開關(guān)SWp呈關(guān)閉(斷路), 放電開關(guān)SWN呈開啟(短路),此時固定式充放電電路16會通過固定式放電電 流源lN和放電開關(guān)SWw來對電容C放電;當(dāng)比較信號V,為低電位時,充電開 關(guān)SWp呈開啟,放電開關(guān)SWw呈關(guān)閉,此時固定式充放電電路16會通過固定 式充電電流源Ip和充電開關(guān)SWp來對電容C充電。在先前技術(shù)的可變增益放 大電路10中,固定式充電電流源Ip和固定式放電電流源Iw是提供固定值的 充電和^t電電 流。請參考圖2,圖2為先前技術(shù)的可變增益放大電路10運作時的信號圖。在圖2中,輸出信號V。ut的波形由弦波來表示,其振幅為VM,而中心電平為 VREF。橫軸代表時間,在圖2中以一周期(0~271)來作說明。當(dāng)輸出信號V0UT 的絕對值小于臨界信號VT的絕對值時,此時固定式充放電電路16會執(zhí)行充電操作,例如在o至e、(丌-e)至(tt+e)及(27i-e)至2丌的區(qū)間內(nèi)(由圖2弦波中的斜線區(qū)域來表示);當(dāng)輸出信號V,的絕對值大于臨界信號Vt,的絕 對值時,此時固定式充放電電路16會執(zhí)行放電操作,例如在6至(tt-6)及(tt + e)至(2 7t-e)的區(qū)間內(nèi)(由圖2弦波中的空白區(qū)域來表示)。e的值相關(guān)于臨界信號VT,的電平,臨界信號V/的絕對值越大,固定式充放電電路16 的充電時間Tp(T產(chǎn)4 6)越長;臨界信號VT的絕對值越小,固定式充放電電路 16的放電時間1\0>2丌-46)越長。當(dāng)可變增益放大電路10執(zhí)行充電和放電操作時,充電電荷Qp和放電電荷 QN可分別由下列公式來表示QN=INTN=IN(2 71—4 6)當(dāng)可變增益放大電路10穩(wěn)定時,充電電荷Qp和放電電荷Qw會達(dá)到平衡, 亦即QP=QN;iN/iP=2e/u-2e)以N來表示1〃Ip的值,6的值則可由下列公式來表示此外,輸出信號Vw的振幅VM與臨界信號VT,有著下列關(guān)系 VMsin6=VT,因此,VM=VT, /sin6=VT, /sin(亍 + l)為了使可變增益放大電路10具較佳的受控特性, 一般會希望臨界信號 VT,的值近于輸出信號V。uT的目標(biāo)振幅VM,如此通過調(diào)整臨界信號VT,的值即可改變輸出信號V(m的值。因此,臨界信號Vt,的絕對值需趨近于目標(biāo)振幅VM的絕對值,意即e的值需趨近于Tr/2,而N的值則是越大越好。在先前技 術(shù)的可變增益放大電路10中, 一般會將N值設(shè)為固定值(例如N-10),通過 調(diào)整臨界信號VT,的值來改變輸出信號V。uT的目標(biāo)振幅VM,而可變增益放大電 路10亦可具有較佳的受控特性。在先前技術(shù)的可變增益放大電路IO中,由于臨界信號VT,的值近于輸出 信號V。ut的目標(biāo)振幅VM,需要使用具高運算速度的正相差動比較器21和反相 差動比較器22,才能準(zhǔn)確地判斷輸出信號V。uT臨界信號V之間的大小,以 使可變增益放大電路10能正確地在充電與放電之間作切換。此外,先前技術(shù) 的可變增益放大電路10亦需使用數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器18來提供不同的臨界信號 Vt,,數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器18會占據(jù)電路空間,且會消耗能量。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種自動增益控制電路,其包含可變增益放大器,用來接收 輸入信號,并依據(jù)增益因子控制信號來調(diào)整該輸入信號以產(chǎn)生相對應(yīng)的輸出 信號;峰值檢測電路,耦接于該可變增益放大器,用來依據(jù)參考信號和該輸 出信號產(chǎn)生比較信號;以及可調(diào)整式充放電電路,該可調(diào)整式充放電電路的 輸入端耦接于該峰值檢測電路,該可調(diào)整式充放電電路的輸出端耦接于該可 變增益放大器,用來依據(jù)該比較信號輸出充電電流或放電電流以產(chǎn)生該增益 因子控制信號,其中該充電電流和該放電電流的比值為可調(diào)整。


圖1為先前技術(shù)中可變增益放大電路的示意圖。圖2為圖1的可變增益放大電路運作時的信號圖。圖3為本發(fā)明第一實施例中可變增益放大電路的示意圖。圖4為圖3的可變增益放大電路運作時的信號圖。圖5為本發(fā)明第二實施例中可變增益放大電路的示意圖。圖6為本發(fā)明第三實施例中可變增益放大電路的示意圖。[主要元件標(biāo)號說明] 12、 32 可變增益放大器 16 固定式充放電電路 21、 41 正相差動比較器 23 或門 C 電容Ip固定式充電電流源 IN固定式放電電流源 SWp 充電開關(guān)14、 34 峰值檢測電路 18、 19 數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器22、 42 反相差動比較器 43 運算邏輯單元38 濾波器1/ 可變式充電電流源 IN' 可變式放電電流源 SWN 放電開關(guān)36、 56、 66 可調(diào)整式充放電電路 10、 30、 50、 60 可變增益放大電路具體實施方式
請參考圖3,圖3為本發(fā)明第一實施例中可變增益放大電路30的示意圖。 可變增益放大電路30包含可變增益放大器32、峰值檢測電路34、可調(diào)整式 充放電電路36、以及濾波器38??勺冊鲆娣糯笃?2于其輸入端接收輸入信 號Vw,并依據(jù)增益控制信號V^來調(diào)整輸入信號VIN,以于其輸出端產(chǎn)生相對 應(yīng)的輸出信號V。UT。濾波器38耦接于可變增益放大電路32及峰值檢測電路 34之間,其作用在于移除可變增益放大器32的偏移電壓進(jìn)而重新定義輸出 信號V。uT的操作電壓點。在可變增益放大電路30中,增益控制信號V^是由 峰值檢測電路34及可調(diào)整式充放電電路36依據(jù)輸出信號V。uT來產(chǎn)生,因此可 通過反饋方式來進(jìn)行自動增益控制。在本發(fā)明的可變增益放大電路30中,通過可調(diào)整式充放電電路36來產(chǎn) 生不同的增益控制信號Vm,因此能調(diào)整可變增益放大器32的增益。峰值檢 測電路34包含正相差動比較器41、反相差動比較器42、和運算邏輯單元43。 正相差動比較器41的正輸入端耦接于可變增益放大器32以接收輸出信號 V。uT,而正相差動比較器21的負(fù)輸入端可接收固定值的第一參考信號VT1,正 相差動比較器41可以利用差動方式來比較輸出信號V,與第一參考信號VT1 的值,并于其輸出端產(chǎn)生相對應(yīng)的正相比較信號V"反相差動比較器42的正 輸入端可接收固定值的第二參考信號VT2,而反相差動比較器42的負(fù)輸入端 耦接于可變增益放大器32以接收輸出信號VWT,反相差動比較器42可以利用 差動方式來比較輸出信號V。ut與第二參考信號VT2,并于其輸出端產(chǎn)生相對應(yīng)
的反相比較信號V-。運算邏輯單元43可為或門,耦接于正相差動比較器41 和反相差動比較器42的輸出端,并可依據(jù)正相比較信號V+及反相比較信號 V,來產(chǎn)生相對應(yīng)的比較信號VCATE??烧{(diào)整式充放電電路36包含電容C、固定式充電電流源Ip、可變式放電 電流源V、充電開關(guān)SWp、以及方文電開關(guān)SWN。充電開關(guān)SWp可為PM0S開關(guān), 而放電開關(guān)SWw可為NMOS開關(guān)。充電開關(guān)SWp和放電開關(guān)SWN的柵極耦接于運 算邏輯單元43,當(dāng)比較信號V,為高電位時,充電開關(guān)SWp呈關(guān)閉(斷路), NMOS開關(guān)SWw呈開啟(短路),此時可調(diào)整式充放電電路36會通過可變式放電 電流源V和放電開關(guān)SWN來對電容C放電;當(dāng)比較信號V匿為低電位時,充 電開關(guān)SWp呈開啟,放電開關(guān)SWw呈關(guān)閉,此時可調(diào)整式充放電電路36會通 過固定式充電電流源Ip和充電開關(guān)SWp來對電容C充電。在本發(fā)明的可變增 益放大電路30中,固定式充電電流源Ip和可變式放電電流源IN,所提供充電 和放電電流之間的比值為可調(diào)整。請參考圖4,圖4為本發(fā)明的可變增益放大電路30運作時的信號圖。在 圖4中,輸出信號V。ut的波形由弦波來表示,其振幅為VM,而中心電平為V廳。 橫軸代表時間,在圖4中以一周期(0-27T)來作說明。在圖4的實施例中, 假設(shè)第一參考信號Vn與第二參考信號Vr2的值皆設(shè)為固定的臨界信號VT,當(dāng) 輸出信號V。uT的絕對值小于臨界信號VT的絕對值時,此時可調(diào)整式充放電電路36會執(zhí)行充電操作,例如在o至e、 (7T-e)至(7r + e)及(2丌-e)至2丌的區(qū)間(由圖4弦波中的斜線區(qū)域來表示);當(dāng)輸出信號V。uT的絕對值大于臨界 信號VT的絕對值時,此時充放電電路36會執(zhí)行放電操作,例如在6至(丌-6)及(丌+ 6)至(2丌-e)的區(qū)間(由圖4弦波中的空白區(qū)域來表示)。6的值 相關(guān)于臨界信號Vi的電平,臨界信號Vr的絕對值越大,可調(diào)整式充放電電路 36的充電時間Tp(T產(chǎn)4 6)越長;臨界信號、的絕對值越小,可調(diào)整式充放電 電路36的放電時間TN (Tn=2 tt -4 6 )越長。當(dāng)可變增益放大電路30執(zhí)行充電和放電操作時,充電電荷Qp和放電電荷 Qx可分別由下列公式來表示QN=INTN=IN(2 7T—4e)當(dāng)可變增益放大電路30穩(wěn)定時,充電電荷Qp和放電電荷QN會達(dá)到平衡, 亦即<formula>formula see original document page 11</formula>
以N,來表示V /Ip的值,6的值則可由下列公式來表示此外,輸出信號V酣的振幅VM與臨界信號Vr有下列關(guān)系 VMsin6=VT因此,VM=VT/sine=VT/sin(5X^T)在本發(fā)明第一實施例的可變增益放大電路30中,臨界信號Vr的值為固定,且不需要逼近于輸出信號V。ut的目標(biāo)振幅VM,并可通過調(diào)整N,的值來改變可變增益放大器32的增益。因此,本發(fā)明僅需使用具低/中運算速度的正相差 動比較器41和反相差動比較器42,即能準(zhǔn)確地判斷輸出信號V麗與臨界信號 VT之間的大小,以使可變增益放大電路30能正確地在充電與放電之間作切換, 因此能節(jié)省差動比較器的成本。此外,本發(fā)明的可變增益放大電路30不需使 用數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器來提供不同的臨界信號,而是提供固定值的第一及第二參 考信號Vn和VT2 (第一及第二參考信號l和Vt2可同時設(shè)為固定的臨界信號VT), 因此能節(jié)省電路空間并降低能量消耗。請參考圖5,圖5為本發(fā)明第二實施例中可變增益放大電路50的示意圖。 可變增益放大電路50包含可變增益放大器32、峰值檢測電路34、可調(diào)整式 充放電電路56、以及濾波器38。在本發(fā)明第二實施例中,可調(diào)整式充放電電 路56包含電容C、可變式充電電流源V、固定式放電電流源IN、充電開關(guān) SWp、以及放電開關(guān)SWN。同樣以N,來表示IN/IP,的值,并假設(shè)第一參考信 號Vn與第二參考信號VT2的值皆設(shè)為固定的臨界信號VT,輸出信號V。ut的振幅 VM與臨界信號VT亦有下列關(guān)系 VM=VT/sin6=VT/sin(5X^T)因此本發(fā)明第二實施例的可變增益放大電路50亦可通過調(diào)整N,的值來 改變可變增益放大器32的增益。僅需使用具低/中運算速度的正相差動比較 器41和反相差動比較器42,可變增益放大電路50即能準(zhǔn)確地判斷輸出信號 V。uT與臨界信號Vr之間的大小,以正確地在充電與放電之間作切換,因此能節(jié) 省差動比較器的成本。此外,本發(fā)明第二實施例的可變增益放大電路50亦不 需使用數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器來提供不同的臨界信號,而是提供固定值的第一及第二參考信號K和Vt2(第一及第二參考信號Vn和Vn可同時設(shè)為固定的臨界信號Vt),因此能節(jié)省電路空間并降低能量消耗。請參考圖6,圖6為本發(fā)明第三實施例中可變增益放大電路60的示意圖。 可變增益放大電路60包含可變增益放大器32、峰值檢測電路34、可調(diào)整式 充放電電路66、以及濾波器38。在本發(fā)明第三實施例中,可調(diào)整式充放電電 路66包含電容C、可變式充電電流源V、可變式放電電流源V、充電開關(guān) SWp、以及放電開關(guān)SWn。同樣以N,來表示1/ /V的值,并假設(shè)第一參考 信號l與第二參考信號1的值皆設(shè)為固定的臨界信號Vt,輸出信號V。ut的振 幅Vm與臨界信號VT亦有下列關(guān)系VM=VT/sine=VT/sin(IX^")因此本發(fā)明第三實施例的可變增益放大電路60亦可通過調(diào)整N,的值來 改變可變增益放大器32的增益。僅需使用具低/中運算速度的正相差動比較 器41和反相差動比較器42,可變增益放大電路60即能準(zhǔn)確地判斷輸出信號 V。uT與臨界信號Vt之同的大小,以正確地在充電與放電之間作切換,因此能節(jié) 省差動比較器的成本。此外,本發(fā)明第三實施例的可變增益放大電路60亦不 需使用數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器來提供不同的臨界信號,而是提供固定值的第一及第二參考信號Vt,和Vt2(第一及第二參考信號Vn和VT2可同時設(shè)為固定的臨界信號Vt),因此能節(jié)省電路空間并降低能量消耗。本發(fā)明的可變增益放大電路使用可變電流源來調(diào)整充電或放電電流的大 小,進(jìn)而調(diào)整可變增益放大器的增益值。由于僅需使用具低/中運算速度的差 動比較器,因此能節(jié)省差動比較器的成本。此外,本發(fā)明亦不需使用數(shù)字/ 模擬轉(zhuǎn)換器來提供不同的臨界信號,而是提供固定值的臨界信號,因此能節(jié)省電路空間并降低能量消耗。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均 等變化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種自動增益控制電路,其包含可變增益放大器,用來接收輸入信號,并依據(jù)增益因子控制信號來調(diào)整該輸入信號以產(chǎn)生相對應(yīng)的輸出信號;峰值檢測電路,耦接于該可變增益放大器,用來依據(jù)參考信號和該輸出信號產(chǎn)生比較信號;以及可調(diào)整式充放電電路,該可調(diào)整式充放電電路的輸入端耦接于該峰值檢測電路,該可調(diào)整式充放電電路的輸出端耦接于該可變增益放大器,用來依據(jù)該比較信號輸出充電電流或放電電流以產(chǎn)生該增益因子控制信號,其中該充電電流和該放電電流的比值為可調(diào)整。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的自動增益控制電路,其中該可調(diào)整式充放電電 路包含可變式充電電流源,用來提供可變充電電流; 固定式放電電流源,用來提供固定放電電流;第一開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該可變式充電電流源和該可調(diào)整 式充》文電電路的輸出端之間的電流流通路徑;以及第二開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該固定式放電電流源和該可調(diào)整 式充放電電路的輸出端之間的電流流通路徑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的自動增益控制電路,其還包含電容,耦接于該可調(diào)整式充放電電路的輸出端,用來依據(jù)該可變充電電 流及該固定放電電流來產(chǎn)生該增益因子控制信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的自動增益控制電路,其中該第一開關(guān)為P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管開關(guān),而該第二開關(guān)為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 開關(guān)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的自動增益控制電路,其中該可調(diào)整式充放電電 路包含固定式充電電流源,用來提供固定充電電流; 可變式放電電流源,用來提供可變放電電流;第 一開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該固定式充電電流源和該可調(diào)整 式充放電電路的輸出端之間的電流流通路徑;以及 第二開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該可變式放電電流源和該可調(diào)整 式充放電電路的輸出端之間的電流流通路徑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的自動增益控制電路,其還包含電容,耦接于該可調(diào)整式充放電電路的輸出端,用來依據(jù)該固定充電電 流及該可變放電電流來產(chǎn)生該增益因子控制信號。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的自動增益控制電路,其中該第一開關(guān)為P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管開關(guān),而該第二開關(guān)為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 開關(guān)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動增益控制電路,其中該可調(diào)整式充放電電 路包含可變式充電電流源,用來提供可變充電電流; 可變式放電電流源,用來提供可變放電電流;第一開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該可變式充電電流源和該可調(diào)整 式充放電電路的輸出端之間的電流流通路徑;以及第二開關(guān),用來依據(jù)該比較信號來控制該可變式放電電流源和該可調(diào)整 式充放電電路的輸出端之間的電流流通路徑。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的自動增益控制電路,其還包含電容,耦接于該可調(diào)整式充放電電路的輸出端,用來依據(jù)該可變充電電 流及該可變放電電流來產(chǎn)生該增益因子控制信號。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的自動增益控制電路,其中該第一開關(guān)為P型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管開關(guān),而該第二開關(guān)為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管開關(guān)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動增益控制電路,其中該峰值檢測電路包含正相差動比較器,耦接于該可變增益放大器,用來以差動方式比較第一 參考信號和該輸出信號,并產(chǎn)生相對應(yīng)的正相比較信號;反相差動比較器,耦接于該可變增益放大器,用來以差動方式比較第二 參考信號和該輸出信號,并產(chǎn)生相對應(yīng)的反相比較信號;以及運算邏輯單元,耦接于該正相差動比較器、該反相差動比較器和該可調(diào) 式充放電電路,用來依據(jù)該正相比較信號和該反相比較信號來產(chǎn)生該比較信 號。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的自動增益控制電路,其中該運算邏輯單元為 或門。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的自動增益控制電路,其中該第一參考信號和 該第二參考信號為相同。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動增益控制電路,其還包含濾波器,耦接 于該可變增益放大器和該峰值檢測電路之間。
全文摘要
自動增益控制電路包含可變增益放大器、峰值檢測電路、以及可調(diào)整式充放電電路??勺冊鲆娣糯笃鹘邮蛰斎胄盘?,并依據(jù)增益因子控制信號來調(diào)整輸入信號以產(chǎn)生相對應(yīng)的輸出信號。峰值檢測電路耦接于可變增益放大器,用來依據(jù)參考信號和輸出信號產(chǎn)生比較信號??烧{(diào)整式充放電電路耦接于峰值檢測電路和可變增益放大器,用來依據(jù)比較信號輸出充電電流或放電電流以產(chǎn)生增益因子控制信號,其中充電電流和放電電流的比值為可調(diào)整。
文檔編號H03G3/20GK101154930SQ20061015931
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月27日
發(fā)明者許哲維, 謝義濱, 陳信光 申請人:普誠科技股份有限公司
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