專利名稱：溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種用于便攜式通信設(shè)備等電子設(shè)備的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
背景技術(shù)：
以前，便攜式通信設(shè)備等電子設(shè)備中使用有溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
作為這樣現(xiàn)有的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，已知有一種下面的結(jié)構(gòu)，即例如圖21(a)、圖21(b)所示，在下面被覆多個(gè)外部端子22的平板狀基板21上面接合有容器體23，該容器體23的內(nèi)部收容有晶體振動(dòng)元件24、下面?zhèn)劝惭b有框狀基體27，同時(shí)在由上述框狀基體27的內(nèi)壁面和容器體23的下面包圍的空腔部25中配置有根據(jù)上述晶體振動(dòng)元件24的振動(dòng)來控制振蕩輸出的IC元件26，把這些IC元件26裝載到上述容器體23的下面。(例如，參照專利文獻(xiàn)1)還有，上述容器體23是用于在收容在其內(nèi)部的晶體振動(dòng)元件24與大氣隔絕進(jìn)行氣密密封的部件，通過在由電絕緣性材料構(gòu)成的基板的上面安裝密封圈31，在該密封圈31的內(nèi)側(cè)安裝晶體振動(dòng)元件24，并在上述密封圈31的上面用縫焊(電阻焊接)等方法接合金屬制的蓋體32，而氣密密封收容晶體振動(dòng)元件24的空間。
而且，這樣的容器體23的基板和上述的框狀基體21，一般，借助于玻璃-陶瓷等的陶瓷材料一體形成，其內(nèi)部和表面上形成布線導(dǎo)體，通過采用眾人皆知的陶瓷生片層疊法等制成。
而且，如圖22所示，在IC元件26的裝配區(qū)域，例如與IC元件26的各電極連接的多個(gè)電極墊28，例如象特開2001-291742號(hào)里記述的那樣，為2列，一列上配置5個(gè)電極墊，另一列上配置了6個(gè)電極墊。還有，圖22中的矩形的實(shí)線，表示IC元件26的裝配區(qū)域。
專利文獻(xiàn)1特開2000-278047號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2001-291742號(hào)公報(bào)(圖1，圖3，圖4)IC元件26采用有多個(gè)連接墊的倒裝片型IC元件26，在把這樣的倒裝片型IC元件26搭載到裝配用基體23的下面的情況下，在IC元件26的裝配區(qū)域電極墊28介由軟釬料等導(dǎo)電性接合構(gòu)件把IC元件26電氣·機(jī)械地連接到裝配用基體23，通過以與連接墊相對(duì)應(yīng)的電極墊接觸的方式，高溫加熱熔融軟釬料等導(dǎo)電性接合構(gòu)件，來實(shí)現(xiàn)連接。
但是，在上述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器上，其平面形狀小，為7mm×5mm、5mm×3mm，甚至為3mm×2mm，隨著強(qiáng)烈要求IC元件26的小型化。其結(jié)果，IC元件26的裝配區(qū)域縮小，各電極墊28的間隔也不得不變狹，接合可靠性降低，進(jìn)而，存在與電極墊28連接的圍繞布線導(dǎo)體29的自由度受到限制的問題。
而且，對(duì)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器而言，對(duì)應(yīng)晶體振動(dòng)元件24的固有溫度特性，為了通過IC元件26的振蕩控制來使振蕩輸出平坦化，在組裝IC元件26之前，需要預(yù)先測定晶體振動(dòng)元件24的固有溫度特性。隨著該電極墊的小型化，進(jìn)行這種測定也很困難，從而使生產(chǎn)性大大降低了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述課題提出來的，其目的在于提供一種能夠維持并提高IC元件的接合可靠性，而且可使振蕩器整體小型化的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
本發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，具有收容晶體振動(dòng)元件的容器體，接合在上述容器體的下面、而且在下面形成有表面裝配用外部端子的裝配用基體，和裝配在上述裝配用基體上、而且根據(jù)補(bǔ)償上述晶體振動(dòng)元件的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來控制振蕩輸出的IC元件，其特征是在上述裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域，多個(gè)電極墊被配置成m行×n列的行列狀，其中m、n是2以上自然數(shù)，該多個(gè)電極墊包括連接在上述晶體振動(dòng)元件上的多個(gè)晶體電極墊、連接在上述表面裝配用外部端子上的振蕩輸出電極墊、接地電極墊和電源電壓電極墊、以及連接在上述表面裝配用外部端子上的多個(gè)寫入控制用電極墊，并將設(shè)在上述IC元件的一主面上的多個(gè)連接墊電連接在相應(yīng)的上述電極墊上。。這里，所謂「表面裝配」就是在母板上用直接軟釬焊法等安裝晶體振蕩器等電子元件一面的方法。
而且，配置在上述裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域的多個(gè)電極墊中的至少1個(gè)是接合到上述IC元件的連接墊上的虛設(shè)電極墊。
而且，上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以一定間隔排列成一直線狀、而且全部的行和全部的列相垂直。
而且，上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間，設(shè)置有與配置在上述電極墊的正下方或正上方的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。
而且，上述m、n雙方均為3以上，而且，對(duì)經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體與上述布線導(dǎo)體連接的電極墊以該電極墊周圍包圍其他的電極墊的方式進(jìn)行配置。
而且，上述IC元件是在半導(dǎo)體元件的-主面上配置再布線層而構(gòu)成的，該再布線層用以使IC元件的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)。
而且，上述裝配用基體構(gòu)成平板狀，在上述容器體的下面設(shè)置有至少具有IC元件高度以上的厚度的隔離部。
而且，在上述裝配用基體的上面形成收容IC元件的空腔，同時(shí)接合該裝配用基體空腔開口周圍的上面和上述容器體的下面。
而且，上述裝配用基體具有收容IC元件的空腔，同時(shí)上述裝配用基體，以上述空腔的開口周圍面作為下面，與上述容器體的下面進(jìn)行接合。
另外，本發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器是，形成有開口于裝配用基體的上面的空腔，同時(shí)在該空腔內(nèi)收容IC元件，該IC元件根據(jù)補(bǔ)償晶體振動(dòng)元件和該晶體振動(dòng)元件的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來控制規(guī)定振蕩輸出，并以上述裝配用基體的下面作為裝配面，其特征是在上述空腔底面的IC元件裝配區(qū)域，多個(gè)電極墊被配置成m行×n列的行列狀，其中m、n是2以上自然數(shù)，該多個(gè)電極墊包括連接在上述晶體振動(dòng)元件上的一對(duì)晶體電極墊、振蕩輸出電極墊、接地電極墊和電源電壓電極墊、以及溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)寫入用的寫入電極墊，并將設(shè)在上述IC元件的下面上的多個(gè)連接墊電連接在相應(yīng)的上述電極墊上。
而且，在上述空腔底面的IC元件裝配區(qū)域配置的多數(shù)電極墊中的至少1個(gè)是接合在上述IC元件的連接墊上的虛設(shè)電極墊。
而且，上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以一定間隔排列成一直線狀，而且全部的行和全部的列相垂直。
而且，上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間，設(shè)置有與配置在上述電極墊的正下方或正上方的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。
而且，上述m、n雙方均為3以上，而且，對(duì)經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體與上述布線導(dǎo)體連接的電極墊以該電極墊周圍包圍其他的電極墊的方式進(jìn)行配置。
而且，上述IC元件是在半導(dǎo)體元件的一主面上配置再布線層而構(gòu)成的，該再布線層用以使IC元件的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)。
采用本發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，在容器體的下面區(qū)域，至少配置有連接在至少上述晶體振動(dòng)元件上的多個(gè)，例如2個(gè)晶體電極墊、連接在表面裝配用外部端子上的振蕩輸出電極墊、接地電極墊、電源電壓電極墊、振蕩控制電極墊和至少2個(gè)寫入控制用電極墊。即，形成至少8個(gè)電極墊，而且，形成在縱橫方向，即，形成為m行×n列(m、n是2以上自然數(shù))的行列狀(矩陣狀)。然后，IC元件的連接墊，與該各電極墊對(duì)應(yīng)電連接。所以，將電極墊均勻分布地配置為3行3列以上的、3行4列等行列狀。
因此，因?yàn)槟軌蚴褂肐C元件裝配區(qū)域的大致全部區(qū)域來形成電極墊，所以即使IC元件小型化，也能提高IC元件裝配區(qū)域的電極墊的占有率，能防止容器體內(nèi)無用的空間、IC芯片裝配區(qū)域內(nèi)的靜區(qū)，能大大有助于溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化。
而且，在介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件把IC元件和電極墊接合的時(shí)候，因?yàn)榘呀雍喜糠址植嫉絀C元件的下面大致全區(qū)，所以能夠得到IC元件穩(wěn)定的接合。
與這樣的電極墊相對(duì)應(yīng)的IC元件是，在半導(dǎo)體元件的裝配面一體設(shè)置層疊布線基板(再布線層)，并用環(huán)氧等樹脂保護(hù)上述層疊布線基板(再布線層)的結(jié)構(gòu)，在這個(gè)層疊布線基板的裝配面，以與電極墊的配置相對(duì)應(yīng)的方式形成連接的連接墊。通過用這樣的IC元件，可以非常簡單地把IC元件組裝到上述的電極墊上，進(jìn)行電連接。
另外，在容器體的IC元件的裝配區(qū)域配置成m行×n列(m、n是2以上自然數(shù))的行列狀的多個(gè)電極墊中的、至少1個(gè)是被連接到IC元件的連接墊上的虛設(shè)電極墊。例如，如上述，通過最低數(shù)量的8個(gè)電極墊需要設(shè)置1個(gè)虛設(shè)電極墊的方式，可把電極墊排列成3×3標(biāo)準(zhǔn)行列狀。因此，這個(gè)虛設(shè)電極，采用與IC元件的完全無功能的連接墊相對(duì)應(yīng)的辦法，提高IC元件的接合強(qiáng)度，也可以不用現(xiàn)有廣泛使用的提高IC元件接合強(qiáng)度的填充補(bǔ)缺樹脂(underfill樹脂)。
而且，上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以一定間隔排列成一條直線狀，并且配置成，且全部的行和全部的列相正交。因此，IC元件的接合點(diǎn)沒有偏差，提高IC元件的接合可靠性，同時(shí)IC元件再布線層的設(shè)計(jì)變得非常簡單。
而且，上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間設(shè)置與在上述電極墊的正下方或正上方配置的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。即，因?yàn)槟軌驈碾姌O墊到裝配用基體的表面排除拉繞的布線導(dǎo)體，能防止露出的布線導(dǎo)體上附著異物引起的短路，而且，能防止從電極墊區(qū)域向?qū)щ娦越雍蠘?gòu)件的流出。由此，能夠得到高可靠性的IC元件接合。
而且，上述m、n的雙方為3以上，并且經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體將連接上述布線導(dǎo)體的電極墊，配置成其周圍包圍其他的電極墊的方式。因此，無需從行列狀配置的電極墊中的、位于內(nèi)部區(qū)域的電極墊，拉繞到裝配用基體的表面來形成布線導(dǎo)體，所以能防止電極墊間的短路。在這里，所謂被包圍配置的電極墊，是指具有行和列方向相鄰的3個(gè)或4個(gè)電極墊的電極墊。
而且，上述裝配用基體構(gòu)成為平板狀，在上述容器體的下面設(shè)有至少IC元件高度以上的厚度的隔離部。
而且，在上述裝配用基體的上面形成收容IC元件的空腔，同時(shí)將該裝配用基體的空腔開口周圍的上面和上述容器體的下面接合起來。
而且，上述裝配用基體是形成收容IC元件的空腔，上述裝配用基體，把該組裝用基板的空腔開口周圍表面作為下面，與上述容器體的下面接合起來。
而且，采用本發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，形成有在裝配用基體的上面開口的空腔，同時(shí)在該空腔內(nèi)收容根據(jù)補(bǔ)償晶體振動(dòng)元件和該晶體振動(dòng)元件的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來控制規(guī)定振蕩輸出的IC元件，并以上述裝配用基體的下面為裝配面，在上述空腔底面的IC元件裝配區(qū)域，形成至少8個(gè)電極墊，而且，形成m行×n列(m、n是2以上自然數(shù))的行列狀。然后，IC元件的連接墊，與該各電極墊相對(duì)應(yīng)電連接起來。所以，將電極墊配置為3行3列以上的、3行4列等行列狀。
由此，由于能用IC元件裝配區(qū)域的大致全區(qū)形成電極墊，所以即使IC元件小型化，也能提高電極墊對(duì)IC裝配區(qū)域的占有率，能防止容器體的無用空間，防止IC芯片裝配區(qū)域內(nèi)的靜區(qū)，大大有助于對(duì)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化。
而且，在介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件把IC元件和電極墊頂點(diǎn)接合時(shí)，可將接合部分分布到IC元件的下面大致全區(qū)，因而能得到IC元件的穩(wěn)定的接合。
與這樣的電極墊相對(duì)應(yīng)的IC元件是，在半導(dǎo)體元件的裝配面配置層疊布線基板(再布線層)，并用環(huán)氧樹脂等樹脂保護(hù)上述層疊布線基板(再布線層)的結(jié)構(gòu)，在該層疊布線基板的裝配面形成連接墊，并使其與電極墊的配置相對(duì)應(yīng)。通過用這樣的IC元件，能夠非常簡單在上述的電極墊上裝載IC元件，進(jìn)行電連接。
而且，在裝配用基體空腔底面的IC元件裝配區(qū)域按m行×n列(m、n是2以上自然數(shù)) 的行列狀配置的多個(gè)電極墊包括連接在IC元件上的虛設(shè)電極墊。例如，如上述那樣，通過作最低數(shù)量為8個(gè)電極墊需要設(shè)置1個(gè)虛設(shè)電極墊，可把電極墊排列成3×3標(biāo)準(zhǔn)行列狀。由此，該虛設(shè)電極，采用與IC元件的完全無功能的連接墊相對(duì)應(yīng)的辦法，提高IC元件的接合強(qiáng)度，也可以不用現(xiàn)有廣泛使用的提高IC元件接合強(qiáng)度的填充補(bǔ)缺樹脂。能夠適當(dāng)?shù)胤乐挂蚴褂迷撎畛溲a(bǔ)缺樹脂發(fā)生的表面氣體而給晶體振動(dòng)元件的不良影響。
而且，上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以一定間隔排列成一直線狀，并且配置成全部的行和全部的列相正交。因此，IC元件的接合點(diǎn)沒有偏差，提高IC元件的接合可靠性，同時(shí)IC元件再布線層的設(shè)計(jì)變得非常簡單。
而且，上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間設(shè)有與上述電極墊的正下面或正上方配置的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。即，因?yàn)榕懦藦碾姌O墊到裝配用基體的表面拉繞的布線導(dǎo)體，能防止露出的布線導(dǎo)體上附著異物引起的短路，而且，能防止從電極墊區(qū)向?qū)щ娦越雍蠘?gòu)件的流出。由此，能夠得到高可靠性的IC元件接合。
而且，上述m、n的雙方均為3以上，并且配置經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體連接上述布線導(dǎo)體的電極墊，使之周圍包圍其他的電極墊。因此，不需要從行列狀配置的電極墊中的、位于內(nèi)部區(qū)域的電極墊，拉繞到裝配用基體的表面形成布線導(dǎo)體，所以能防止電極墊間的短路。這里，被包圍配置的所謂電極墊，是指有行和列方向相鄰的3個(gè)或4個(gè)電極墊的電極墊。
因此，本發(fā)明中，即使與溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化相對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)IC元件的小型化，也一邊維持提高IC元件的接合可靠性，一邊大大能有助于振蕩器整體的小型化。


圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的立體圖。
圖2是圖1溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的剖視圖。
圖3(a)為從上方看構(gòu)成圖1的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的裝配用基體的俯視圖，圖3(b)和(c)表示裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域的電極墊的其他排列方式的俯視圖。
圖4是表示構(gòu)成裝配用基體的層疊基板內(nèi)部的布線導(dǎo)體和通孔導(dǎo)體的俯視圖。
圖5是從下邊看構(gòu)成圖1的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的裝配用基體的透視狀態(tài)的俯視圖。
圖6是表示用于圖1的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的IC元件的圖，圖6(a)是剖視圖，圖6(b)是從下邊看到的俯視圖。
圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的分解剖視圖，表示晶體電極墊的連接結(jié)構(gòu)。
圖8是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器另一的分解剖視圖，表示從電極墊到外部端子的連接結(jié)構(gòu)。
圖9是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器其他的分解剖視圖，表示寫入控制用電極墊的導(dǎo)出結(jié)構(gòu)。
圖10是表示本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的圖，圖10(a)為立體圖，圖10(b)為剖視圖。
圖11是表示本發(fā)明再一實(shí)施例的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器圖，圖11(a)為立體圖，圖11(b)為剖視圖。
圖12是表示本發(fā)明又一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的立體圖。
圖13是圖12的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器剖視圖。
圖14(a)是從上方看構(gòu)成圖12的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的裝配用基體的俯視圖，圖14(b)和圖14(c)是表示裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域的電極墊的其他排列方式的俯視圖。
圖15是表示構(gòu)成圖12的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的裝配用基體內(nèi)部的布線導(dǎo)體和通孔導(dǎo)體的俯視圖。
圖16是從下邊看圖12的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器俯視圖。
圖17是表示用于圖12的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的IC元件圖，圖17(a)為剖視圖，圖17(b)為從下邊看到的俯視圖。
圖18是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的剖視圖，表示晶體電極墊的連接結(jié)構(gòu)。
圖19是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的其他的剖視圖。
圖20是本發(fā)明另一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的其他的剖視圖。
圖21是表示現(xiàn)有溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的圖，圖21(a)為剖視圖，圖21(b)為從下邊看到的俯視圖。
圖22是表示現(xiàn)有溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的IC元件裝配區(qū)域的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，按照附圖，詳細(xì)說明與本發(fā)明第1項(xiàng)發(fā)明對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的立體圖，圖2是圖1溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的剖視圖。
這些圖中所示的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，具有在內(nèi)部收容了晶體振動(dòng)元件5的容器體1下面接合的結(jié)構(gòu)，該平板狀裝配用基體6安裝有IC元件7。
上述容器體1，包括例如，由玻璃-陶瓷，氧化鋁陶瓷等的陶瓷材料構(gòu)成的層疊基板2，由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金、磷青銅等金屬構(gòu)成的密封圈3，以及由與密封圈3同樣的金屬構(gòu)成和蓋體4；通過在上述層疊基板2的上面安裝密封圈3、并在其上面載置·固定蓋體4而構(gòu)成容器體1，位于密封圈3的內(nèi)側(cè)的層疊基板2上面裝配晶體振動(dòng)元件5。
上述容器體1具有由層疊基板2的上面、密封圈3內(nèi)面和蓋體4的下面包圍成的空間，該空間內(nèi)收容晶體振動(dòng)元件5并進(jìn)行氣密密封。在層疊基板2上面形成與晶體振動(dòng)元件5的振動(dòng)電極連接的一對(duì)裝載墊8a、8b(8b在圖中未示出)。
而且，上述層疊基板2，如圖2所示，其下面一側(cè)有腿2c、2d的。該腿2c、2d，由與層疊基板2同質(zhì)的材料形成，在腿2c、2d的下面形成多個(gè)容器體側(cè)接合電極13。
而且，在含有腿2c、2d的層疊基板2內(nèi)部有第1通孔導(dǎo)體9a、第5通孔導(dǎo)體9f和布線導(dǎo)體9b。
還有，上述容器體1的層疊基板2，在由玻璃-陶瓷等的陶瓷材料構(gòu)成的情況下，例如，在陶瓷材料粉末中添加適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑等混合得到陶瓷生片，在該陶瓷生片的表面等上按規(guī)定圖案印刷·涂布成為裝載墊8a、8b和布線導(dǎo)體9b的導(dǎo)體膏，同時(shí)形成成為第1通孔導(dǎo)體9a、第5通孔導(dǎo)體9f的導(dǎo)體，再將其層疊多片、加壓成形之后，通過高溫?zé)Y(jié)而制成。
還有上述容器體1的密封圈3和蓋體4是采用公知的現(xiàn)有金屬加工法，通過將42合金等金屬成形為規(guī)定形狀而制成的，把得到的密封圈3釬焊到在層疊基板2上面預(yù)先覆蓋的導(dǎo)體層上，接著，用導(dǎo)電性接合構(gòu)件16把晶體振動(dòng)元件5組裝·固定到層疊基板2的上面以后，對(duì)晶體振動(dòng)元件5的初始頻率進(jìn)行調(diào)整之后，通過在規(guī)定氣氛下利用公知的現(xiàn)有電阻焊接等方法把上述的蓋體4接合到密封圈3的上面而組裝成容器體1。這樣用電阻焊接法接合密封圈3和蓋體4的場合，在密封圈3、蓋體4的表面預(yù)先被覆Ni鍍層和Au鍍層等。
而且，收容于容器體1內(nèi)部的晶體振動(dòng)元件5，在以規(guī)定的晶軸切割得到的晶體片的兩個(gè)主面上被覆形成一對(duì)振動(dòng)電極而構(gòu)成，該晶體振動(dòng)元件5以規(guī)定的頻率產(chǎn)生振蕩。晶體振動(dòng)元件5，介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件16把一對(duì)振動(dòng)電極電連接到層疊基板2上面的裝載墊8a、8b(作為整體使用標(biāo)號(hào)8)上，從而搭載到層疊基板2的上面，由此同時(shí)進(jìn)行晶體振動(dòng)元件5和容器體1的電連接和機(jī)械連接。
在這里，將容器體1的金屬制蓋體4，介由容器體1的層疊基板2、裝配用基體6的各電極、布線導(dǎo)體，連接到后述的接地端子用的外部端子14上，使用時(shí)，通過蓋體4接地，賦予屏蔽功能，能夠保護(hù)晶體振動(dòng)元件5和后述的IC元件7，不受到來自外部的不需要的電磁噪聲的影響。
其次，裝配用基體6，例如，將由玻璃-陶瓷、氧化鋁陶瓷等的陶瓷材料構(gòu)成的基板6a、6b層疊而構(gòu)成，在裝配用基體6的內(nèi)部具有第1通孔導(dǎo)體9a、第5通孔導(dǎo)體9f和布線導(dǎo)體9b，及第4通孔導(dǎo)體9e、第2通孔導(dǎo)體9c、第3通孔導(dǎo)體9d和布線導(dǎo)體9b。
在由玻璃-陶瓷等的陶瓷材料形成該裝配用基體6的情況下，例如在由陶瓷材料粉末添加·混合適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑等得到陶瓷生片，在該陶瓷生片表面等以規(guī)定圖案印刷·涂布成為布線導(dǎo)體9b的導(dǎo)體膏，同時(shí)形成成為第4通孔導(dǎo)體9e、第2通孔導(dǎo)體9c，第3通孔導(dǎo)體9d的導(dǎo)體，并在多片層疊加壓成形之后，通過高溫?zé)Y(jié)制作。
而且，在裝配用基體6上面中央形成與在上述容器體1的腿2c、2d之間所配置的IC元件7的連接墊11連接的多個(gè)電極墊10。即，上述腿2c、2d起著確保在由此形成的容器體1的凹部底面和裝配用基體6的上面之間組裝IC元件7用的空間的隔離層作用。
在裝配用基體6的上面的裝配IC元件7的區(qū)域上，如圖3(a)所示，通過軟釬料等的導(dǎo)電性接合構(gòu)件17來連接到IC元件7的連接墊11上的2個(gè)晶體電極墊10d、10f，振蕩輸出電極墊10a，接地電極墊10h，電源電壓電極墊10c，振蕩控制電極墊10i和至少2個(gè)以上寫入控制用電極墊10b、10e、10g(作為整體使用標(biāo)號(hào)10)，配置成例如3行3列的行列狀。然后，在用軟釬料凸塊來連接IC元件7的連接墊11和該各電極墊10的情況下，連接墊11的電極形狀最好形成包含與其對(duì)應(yīng)的電極墊10的形狀、即，形成得大一些。這樣一來，即使在連接墊11形成軟釬料球，球也不落下，另外，即使IC元件或多或少有位置偏離，也可以避免與相鄰的導(dǎo)電性接合構(gòu)件17的短路。
在這里，在配置成縱橫方向、即配置成m行×n列(m、n是2以上自然數(shù))的行列狀的多個(gè)電極墊10中，按各自的行或列配置的電極墊10，不是象圖3(a)那樣的標(biāo)準(zhǔn)行列狀配置，而也可以象圖3(b)或圖3(c)那樣配置。即，在2個(gè)以上的電極墊10為直線狀配置的情況下，可以認(rèn)為是1行或是1列。例如在IC元件7的裝配區(qū)域，如圖3(b)所示地配置多個(gè)電極墊10的情況下，各電極墊10的排列成為3×2的行列狀配置，而且，如圖3(c)所示那樣的情況下，各電極墊10的排列成為3×4的行列狀配置。
還有，如上述一樣，由于溫度補(bǔ)償晶體振蕩動(dòng)作，假定需要8個(gè)電極墊的情況，為了把電極墊全體排列成3×3的行列狀，設(shè)置1個(gè)虛設(shè)電極墊。而且，通過增加寫入控制用電極墊10，電極墊總數(shù)增加時(shí)，也包含虛設(shè)電極墊，所以或排列為3×4的行列狀，或排列為4×4的行列狀排列，或者排列為4×5的行列狀。
而且，在裝配用基體6的內(nèi)部，如圖4所示，形成有布線導(dǎo)體9b、與布線導(dǎo)體9b連接并向裝配用基體6的下方延伸的第4通孔導(dǎo)體9e、從該布線導(dǎo)體9b向上方延伸的第2通孔導(dǎo)體9c和第3通孔導(dǎo)體9d。這些布線導(dǎo)體9b和第1～第3的通孔導(dǎo)體9a、9c、9d，按照一般裝配用基體6的制造方法來制成。
另一方面，在層疊基板2的內(nèi)部形成有布線導(dǎo)體9b、與布線導(dǎo)體9b連接并向?qū)盈B基板2的上方延長的第1通孔導(dǎo)體9a，從該布線導(dǎo)體9b向下方延伸的第5通孔導(dǎo)體9f。這些布線導(dǎo)體9b和第4～第5的通孔導(dǎo)體9e，9f，按照一般的層疊基板2的制造方法來制成。
第4通孔導(dǎo)體9e連接外部端子14和規(guī)定布線導(dǎo)體9b。
第5通孔導(dǎo)體9f連接層疊基板2下面的容器體側(cè)接合電極13和規(guī)定布線導(dǎo)體9b。
這里，第1通孔導(dǎo)體9a將連接位于層疊基板2上面的晶體振動(dòng)元件5的裝載墊8和規(guī)定布線導(dǎo)體9b連接起來。而且，同樣，連接成為接地電位的布線導(dǎo)體9和密封圈3。
第2通孔導(dǎo)體9c與裝配用基體6上面的各電極墊10和規(guī)定布線導(dǎo)體9b相連接。
而且，第3的通孔導(dǎo)體9d與裝配用基體6上面的裝配用基體側(cè)接合電極12和規(guī)定布線導(dǎo)體9b相連接。
所以，晶體電極墊10d、10f，如圖7分解圖那樣，介由第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d、裝配用基體側(cè)接合電極12、容器體側(cè)接合電極13、第5通孔導(dǎo)體9f、布線導(dǎo)體9b、第1通孔導(dǎo)體9a連接到晶體振動(dòng)元件5的裝載墊8上。而且，介由第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d連接到裝配用基體側(cè)接合電極12上。
而且，振蕩輸出電極墊10a，如圖8分解圖右側(cè)那樣，經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d連接到組裝用基板側(cè)接合電極12上。
接地電極墊10h，如圖8分解圖左側(cè)那樣，經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d連接到組裝用基板側(cè)接合電極12上。同時(shí)，該裝配用基體側(cè)接合電極12，經(jīng)過容器體側(cè)接合電極13、第5通孔導(dǎo)體9f、第1通孔導(dǎo)體9a連接到密封圈3上。
而且，電源電壓電極墊10c、振蕩控制電極墊10i，與振蕩輸出電極墊10a相同，經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d連接到裝配用基體側(cè)接合電極12上。
還有，寫入控制用電極墊10b、10e、10g，經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b、第3通孔導(dǎo)體9d連接到裝配用基體側(cè)接合電極12上。
而且，裝配用基體6，如圖5的下面圖所示，其上面形成電氣及/或機(jī)械地連接到與容器體1下面對(duì)應(yīng)的容器體側(cè)接合電極13上的多個(gè)裝配用基體側(cè)接合電極12(在附圖中，以虛線表示)。還有在裝配用基體6的下面的、裝配用基體6的下面四個(gè)角部分別設(shè)置4個(gè)外部端子14a～14d(振蕩輸出端子14a、接地端子14b、電源電壓端子14c、振蕩控制端子14d)，這些接合電極12和外部端子14介由在裝配用基體6的角部形成的導(dǎo)體膜等進(jìn)行電連接的。而且，外部端子14和接合電極12在厚度方向重疊的情況下，也可以借助于通孔導(dǎo)體9進(jìn)行連接。
這里，容器體1下面的容器體側(cè)接合電極13和裝配用基體6上面的裝配用基體側(cè)接合電極12，一一對(duì)應(yīng)，它們之間介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件18牢固地接合在一起。本實(shí)施例中，在裝配用基體6上面每一側(cè)形成5個(gè)組裝用基板側(cè)接合電極12。在這些總計(jì)10個(gè)裝配用基體側(cè)接合電極12中，通過容器體1對(duì)應(yīng)10個(gè)容器體側(cè)接合電極13延出的只是與晶體電極墊10d、10f和寫入電極墊10b、10e、10g連接的裝配用基體側(cè)接合電極12，接地電極墊10h、電源電壓電極墊10c、振蕩控制電極墊10i、振蕩輸出電極墊10a不連接到組裝用基板側(cè)接合電極12上。還有，這些接地電極墊10h、電源電壓電極墊10c、振蕩控制電極墊10i、振蕩輸出電極墊10a，不經(jīng)過裝配用基體側(cè)接合電極12而經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b和第4通孔導(dǎo)體9e電連接到外部端子14上。
與晶體電極墊(晶體振動(dòng)元件5)連接的容器體側(cè)接合電極13，用作測定晶體振動(dòng)元件5氣密密封狀態(tài)的振蕩特性的測量用端子墊。而且，作為測定用端子墊，也可以將組裝IC元件7之前的晶體電極墊10d、10f形成得大些，而用它進(jìn)行測定。
而且，與寫入控制用電極墊相連接的容器體側(cè)接合電極13連接到寫入端子上，該寫入端子用于向設(shè)于振蕩器的側(cè)面的溫度補(bǔ)償電路寫入溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。例如，如圖9所示，利用容器體1的腿2c、2d和裝配用基體6的接合部分的凹陷，該凹部1a內(nèi)露出容器體側(cè)接合電極13的一部分，數(shù)據(jù)寫入裝置的探針接觸到這些寫入端子，能夠在IC元件7的溫度補(bǔ)償電路內(nèi)所設(shè)置的存儲(chǔ)器中寫入與晶體振動(dòng)元件5的溫度特性相對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。這個(gè)路徑是從容器體側(cè)接合電極13或從裝配用基體側(cè)接合電極12開始介由第3通孔導(dǎo)體9d、布線導(dǎo)體9b、第2通孔導(dǎo)體9c連接而成的。而且，也可以將這樣的寫入端子被配置在與容器體1的腿2c、2d等一體設(shè)置的外部的舍棄部上，并在溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的寫入結(jié)束之后，從容器體1的腿2c，2d等切除這個(gè)舍棄部。
上述4個(gè)外部端子14，使溫度補(bǔ)償晶體振蕩器和母板的規(guī)定電路布線電連接。如果將外部端子14中的、接地外部端子14b和振蕩輸出外部端子14a與電源電壓外部端子14c和振蕩控制外部端子14d離開配置的話，則能有效防止對(duì)振蕩輸出噪聲的干擾。
上述裝配用基體6的連接各電極墊10的IC元件7，如圖6(a)和圖6(b)所示采用構(gòu)成矩形狀的倒裝片型IC，該倒裝片型IC，在半導(dǎo)體元件7a的一主面上配置有再布線層7b，該再布線層7b用于使IC元件7的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)。在半導(dǎo)體元件7a上設(shè)置有檢測周圍溫度狀態(tài)的溫感元件、寫入補(bǔ)償晶體振動(dòng)元件5的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件、根據(jù)與周圍的溫度相對(duì)應(yīng)的規(guī)定溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來修正上述晶體振動(dòng)元件5的振蕩特性的溫度補(bǔ)償電路、以及連接在該溫度補(bǔ)償電路上并生成規(guī)定振蕩輸出的振蕩電路等。
而且，在半導(dǎo)體元件7a的裝配面一側(cè)形成有內(nèi)部連接電極7c。該內(nèi)部連接電極7c的排列，因?yàn)橐荛_半導(dǎo)體元件7a內(nèi)集成的各元件、各電路形成區(qū)形成，所以完全沒有規(guī)律性。
因此，在半導(dǎo)體元件7a的裝配面上形成有多個(gè)絕緣層7d、規(guī)定布線層(包括絕緣層厚度方向的通孔導(dǎo)體)7e和具有連接墊11的再布線層7b。因此，再布線層7b的裝配面上以使得無規(guī)律形成的內(nèi)部連接電極7c與電極墊10的形成位置相對(duì)應(yīng)的方式形成行列狀變換的連接墊11。而且，這些連接墊11是均勻分散到裝配面上形成的，在與電極墊10接合的時(shí)候，可均勻分散接合部分，能謀求接合強(qiáng)度的提高。
還有，為了提高IC元件7和電極墊10的接合強(qiáng)度，作為這種連接墊11，也可以形成不與內(nèi)部連接電極7c連接的虛設(shè)連接墊。
這樣的IC元件7，通過介由軟釬料和金凸塊等的導(dǎo)電性接合構(gòu)件17將設(shè)于其下表面的多個(gè)連接墊11電連接到裝配用基體6上表面的對(duì)應(yīng)的電極墊10上，而安裝在裝配用基體6的上表面。由此，IC元件7內(nèi)的規(guī)定元件、電路，經(jīng)過第2通孔導(dǎo)體9c、布線導(dǎo)體9b等而與晶體振動(dòng)元件5和裝配用基體6下表面的外部端子14等電連接一起。
如上所述，采用本發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，能夠分別呈縱橫行列狀形成晶體電極墊10d、10f，與外部端子14a、14b、14c、14d連接的振蕩輸出電極墊10a，接地電極墊10h，電源電壓電極墊10c，振蕩控制電極墊10i和至少2個(gè)寫入控制用電極墊10b、10e、10g。而且，IC元件7的連接墊11，對(duì)應(yīng)該各電極墊10形成，并進(jìn)行電連接。所以，將電極墊10呈行列狀均勻分布地配置在整個(gè)IC元件7裝配區(qū)域。
因此，即使IC元件7小型化，在IC元件7的裝配區(qū)域內(nèi)也能很有效地形成電極墊10，會(huì)提高占有率。即，能削減裝配用基體6的作為無用空間的IC元件7裝配區(qū)域內(nèi)的無用空間，能大大有助于溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化。
而且，在將IC元件7介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件17接合到電極墊10上時(shí)，因?yàn)榭蓪⒃摻雍喜糠志鶆蚍植嫉絀C元件7的裝配區(qū)域內(nèi)，所以能夠得到IC元件7的穩(wěn)定接合。
IC元件7是在半導(dǎo)體元件7a的一主面上配置再布線層7b的結(jié)構(gòu)，該再布線層7b用于使IC元件7的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)，能夠把連接墊11簡單可靠地與電極墊10電連接。
而且，在電極墊10上形成與IC元件7連接的虛設(shè)電極墊也無妨。例如，通過最低數(shù)量的8個(gè)電極墊需要設(shè)置1個(gè)虛設(shè)電極墊的方式，能夠把電極墊排列成3×3的標(biāo)準(zhǔn)行列狀。因此，這個(gè)虛設(shè)電極，由于與IC元件7的完全沒有功能的連接墊11相對(duì)應(yīng)，從而提高了IC元件7的接合強(qiáng)度，也可以無需目前廣泛被使用的提高IC元件接合強(qiáng)度的填充補(bǔ)缺樹脂。
而且，如圖3(a)的虛線所示，多個(gè)電極墊10，在行方向和列方向以一定間隔排列成一直線狀，并且配置成使其全部的行和全部的列相垂直。因此，與IC元件7的接合點(diǎn)不存在偏差，提高IC元件7的接合可靠性，并且，IC元件7的再布線層7b設(shè)計(jì)將變得非常簡單。
而且，裝配用基體6內(nèi)部的第2通孔導(dǎo)體9c，因?yàn)橹苯舆B接在電極墊10上，所以可以減少從電極墊10引回到裝配用基體6上面的布線導(dǎo)體，可減少異物附著于布線導(dǎo)體而發(fā)生引起的短路的現(xiàn)象，同時(shí)提高環(huán)繞布線導(dǎo)體的設(shè)計(jì)自由度。還有，不需要把全部電極墊以第2通孔導(dǎo)體9c連接。這是考慮到裝配用基體6的強(qiáng)度，對(duì)于例如縱橫排列的電極墊10中的、配置在最外周的電極墊，例如，晶體電極墊10d、10f，即使在裝配用基體6的上面環(huán)繞也無妨。如果這樣，實(shí)質(zhì)上可增大晶體電極墊10d、10f的形狀，所以作為用于測定晶體振動(dòng)元件5的初始特性的端子墊是適合的。
而且，介由第2通孔導(dǎo)體9c連接布線導(dǎo)體9b的電極墊10是呈行列狀配置的電極墊10中的、周圍包圍著其他的電極墊10配置的電極墊10e。因此，從位于內(nèi)部區(qū)域的電極墊10上無需在裝配用基體6的上面環(huán)繞形成布線導(dǎo)體，因而能防止電極墊間的短路。
而且，在裝配用基體6的上面形成不與上述外部端子14導(dǎo)通的裝配用基體側(cè)接合電極12，在上述層疊基板2下面，與上述裝配用基體側(cè)接合電極12相對(duì)應(yīng)形成容器體側(cè)接合電極13，介由導(dǎo)電性接合構(gòu)件18來接合上述容器體側(cè)接合電極13和上述裝配用基體側(cè)接合電極13。通過這些結(jié)構(gòu)，容器體側(cè)接合電極13無論有無電功能，均能在其間形成機(jī)械接合，因此，也能夠提高容器體1和裝配用基體6的機(jī)械的接合強(qiáng)度。
而且，上述振蕩輸出電極墊10a、接地電極墊10h、振蕩控制墊10i和電源電壓電極墊10c，介由上述布線導(dǎo)體9b連接到上述外部端子14上。因此，能謀求裝配用基體6下面的各外部端子14配置的最佳化，能夠大大有助于溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化。
因此，本發(fā)明中，與溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的小型化相對(duì)應(yīng)，即使IC元件7小型化，也能一邊維持并提高IC元件7的接合可靠性，一邊與振蕩器整體的小型化充分對(duì)應(yīng)。
還有，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可能有各種的變更，改良等。
例如上述的實(shí)施例中，雖然介由密封圈3使容器體1的蓋體4接合到層疊基板2上，但是取而代之，也可以在層疊基板2的上面形成接合用的金屬圖案，并雙面焊接蓋體4到該金屬圖案上。
另外，在上述的實(shí)施例中，雖然在容器體1的層疊基板2上面直接安裝密封圈3，但是取而代之，也可以在層疊基板2的上面一體安裝由與基板2同材質(zhì)的陶瓷材料等構(gòu)成的框體后，再在該框體的上面安裝密封圈3。
進(jìn)而，在上述的實(shí)施例中，雖然通過將蓋體4焊接到容器體1的本體上來接合蓋體4，但是取而代之，也可以介由Au-Sn等的軟釬料把蓋體4與容器體1的本體接合。
另外，上述的實(shí)施例中，雖然在容器體1的下面安裝一對(duì)腿2c、2d來形成，但是取而代之，也可以把各腿2c、2d各自分開為2個(gè)而得到的4條腿安裝在容器體1的下面，或者，腿2c、2d當(dāng)中只把一條腿一分為二得到的3條腿安裝在容器體1的下面。
進(jìn)而，在上述的實(shí)施例中，在由裝配用基體6上面和容器體1下面的接合形成的空間中，雖然只配置IC元件7，但是也可以配置與電源電壓的布線導(dǎo)體和地電位之間、或振蕩輸出的布線導(dǎo)體和地電位之間連接的電容器等電子零部件。
其次，對(duì)于本發(fā)明其他實(shí)施例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，如圖10(a)、圖10(b)所示，在裝配用基體6的上面形成收容IC元件的空腔，同時(shí)將該裝配用基體6的空腔開口周圍的上面和容器1的下面接合起來。這個(gè)裝配用基體6是在層疊的基板6a、6b上形成大致矩形狀的部件。
而且，以由腿6c、6d在上述裝配用基體6的上面與上述容器體1下面之間形成的空間配置IC元件7的方式，如圖3(a)所示，通過在裝配用基體6的上面形成各電極墊10，來形成本實(shí)施例的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
在構(gòu)成這樣的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的情況下，也和前面說過的圖1
而且，對(duì)于本發(fā)明的再一實(shí)施例進(jìn)行說明。本實(shí)施例中，如圖11(a)、圖11(b)所示，上述裝配用基體6與容器體1的下面接合，同時(shí)在裝配用基體6的下面形成收容IC元件的空腔。該裝配用基體6是在層疊后的基板6a、6b上形成大致矩形狀的腿6c、6d的部件，所謂容器體1，通過容器體1下面與裝配用基體6的基板6a、6b側(cè)面的接合來進(jìn)行安裝。
在構(gòu)成這樣的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的情況下，也和前面說過的圖1
其次，按照?qǐng)D12、圖13，詳細(xì)說明與本發(fā)明第10項(xiàng)發(fā)明相應(yīng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。還有，對(duì)與上述第1項(xiàng)發(fā)明相應(yīng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器同樣的構(gòu)成就省略說明，而僅僅說明不同點(diǎn)。
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，如圖12和圖13那樣構(gòu)成。
這些圖中所示的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器1具有，在空腔部安裝了IC元件7的裝配用基體6的上面接合晶體振動(dòng)元件5接合。
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器1，例如，由裝配用基體6、密封圈3、蓋體4構(gòu)成，該裝配用基體6通過對(duì)由玻璃-陶瓷、氧化鋁陶瓷等的陶瓷材料構(gòu)成的平板狀基板6a、6b以及框狀基體6c進(jìn)行層疊而構(gòu)成，密封圈3由42合金或科瓦鐵鎳鈷合金、磷青銅等金屬構(gòu)成，蓋體4由與密封圈3同樣的金屬構(gòu)成；通過在上述裝配用基體6的上面安裝密封圈3，并其上面裝載固定蓋體4而構(gòu)成溫度補(bǔ)償晶體振蕩器1，在上述裝配用基體6的空腔內(nèi)安裝IC元件7，并在裝配用基體6的上面組裝晶體振動(dòng)元件5且使其位于密封圈3內(nèi)側(cè)?？驙罨w6c的上面形成與晶體振動(dòng)元件5的振動(dòng)電極連接的一對(duì)裝載墊8a，8b(8b在圖中未示出)。
而且，在平板狀基板6b的上面中央的裝配IC元件7的區(qū)域，如圖14(a)、圖14(b)、圖14(c)所示，將介由軟釬料等導(dǎo)電性接合構(gòu)件17連接在IC元件7的連接墊11上的、一對(duì)晶體電極墊10d、10f、振蕩輸出電極墊10a、接地電極墊10h、電源電壓電極墊10c、振蕩控制電極墊10i以及至少2個(gè)以上溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)寫入用的寫入電極墊10b、10e、10g(作為整體使用標(biāo)號(hào)10)配置成例如3行3列的行列狀。
在構(gòu)成這樣的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的情況下，也與前面說過的本發(fā)明的第1項(xiàng)發(fā)明的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器有同樣的效果。
權(quán)利要求
1.一種溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，具有收容晶體振動(dòng)元件的容器體，接合在上述容器體的下面、且在下面形成有表面裝配用外部端子的裝配用基體，和裝配在上述裝配用基體上、而且根據(jù)補(bǔ)償上述晶體振動(dòng)元件的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來控制振蕩輸出的IC元件，其特征是在上述裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域，多個(gè)電極墊被配置成m行×n列的行列狀，其中m、n是2以上自然數(shù)，該多個(gè)電極墊包括連接在上述晶體振動(dòng)元件上的多個(gè)晶體電極墊、連接在上述表面裝配用外部端子上的振蕩輸出電極墊、接地電極墊和電源電壓電極墊、以及連接在上述表面裝配用外部端子上的多個(gè)寫入控制用電極墊，并將設(shè)在上述IC元件的一主面上的多個(gè)連接墊電連接在相應(yīng)的上述電極墊上。
2.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是配置在上述裝配用基體的IC元件裝配區(qū)域的多個(gè)電極墊中的至少1個(gè)是接合到上述IC元件的連接墊上的虛設(shè)電極墊。
3.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以一定間隔排列成一直線狀、而且全部的行和全部的列相正交。
4.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間，設(shè)置有與配置在上述電極墊的正下方或正上方的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。
5.如權(quán)利要求4所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述m、n雙方均為3以上，而且，對(duì)經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體與上述布線導(dǎo)體連接的電極墊以該電極墊周圍包圍其他的電極墊的方式進(jìn)行配置。
6.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述IC元件是在半導(dǎo)體元件的一主面上配置再布線層而構(gòu)成的，該再布線層用以使IC元件的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)。
7.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述裝配用基體構(gòu)成平板狀，在上述容器體的下面設(shè)置有至少具有IC元件高度以上的厚度的隔離部。
8.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是在上述裝配用基體的上面形成有收容IC元件的空腔，同時(shí)接合該裝配用基體空腔開口周圍的上面和上述容器體的下面。
9.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述裝配用基體具有收容IC元件的空腔，同時(shí)上述裝配用基體，以上述空腔的開口周圍面作為下面，接合在上述容器體的下面。
10.一種溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，形成有開口于裝配用基體的上面的空腔，同時(shí)在該空腔內(nèi)收容IC元件，該IC元件根據(jù)補(bǔ)償晶體振動(dòng)元件和該晶體振動(dòng)元件的溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)來控制規(guī)定振蕩輸出，并以上述裝配用基體的下面作為裝配面，其特征是在上述空腔底面的IC元件裝配區(qū)域，多個(gè)電極墊被配置成m行×n列的行列狀，其中m、n是2以上自然數(shù)，該多個(gè)電極墊包括連接在上述晶體振動(dòng)元件上的一對(duì)晶體電極墊、振蕩輸出電極墊、接地電極墊和電源電壓電極墊、以及溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)寫入用的寫入電極墊，并將設(shè)在上述IC元件的下面上的多個(gè)連接墊電連接在相應(yīng)的上述電極墊上。
11.如權(quán)利要求10所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是在上述空腔底面的IC元件裝配區(qū)域配置的多數(shù)電極墊中的至少1個(gè)是接合在上述IC元件的連接墊上的虛設(shè)電極墊。
12.如權(quán)利要求10所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述多個(gè)電極墊，在行方向和列方向以-定間隔排列成一直線狀，而且全部的行和全部的列相正交。
13.如權(quán)利要求10所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述裝配用基體是層疊至少2個(gè)絕緣層而構(gòu)成的，在該2個(gè)絕緣層之間，設(shè)置有與配置在上述電極墊的正下方或正上方的通孔導(dǎo)體連接的布線導(dǎo)體。
14.如權(quán)利要求13所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述m、n雙方均為3以上，而且，對(duì)經(jīng)由上述通孔導(dǎo)體與上述布線導(dǎo)體連接的電極墊以該電極墊周圍包圍其他的電極墊的方式進(jìn)行配置。
15.如權(quán)利要求10所述的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，其特征是上述IC元件是在半導(dǎo)體元件的-主面上配置再布線層而構(gòu)成的，該再布線層用以使IC元件的各連接墊與各電極墊形成位置相對(duì)應(yīng)。
全文摘要
一種溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，該溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，在內(nèi)部收容晶體振動(dòng)元件(5)的容器體(1)下面裝配有根據(jù)晶體振動(dòng)元件(5)的振動(dòng)來控制振蕩輸出的IC元件(7)，并且，在IC元件(7)裝配區(qū)域，將包括連接在至少晶體振動(dòng)元件(5)上的多個(gè)晶體電極墊、連接在表面裝配用外部端子上的振蕩輸出電極墊、接地電極墊、電源電壓電極墊、振蕩控制電極墊以及多個(gè)寫入控制用電極墊的多個(gè)電極墊(10)，配置成m行×n列(m，n是2以上自然數(shù))的行列狀，且規(guī)定IC元件(7)和該電極墊電連接。因此，這種溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，IC元件接合可靠性優(yōu)良，即使整體結(jié)構(gòu)小型化也能適應(yīng)。
文檔編號(hào)H03L1/04GK1574608SQ20041007140
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月29日
發(fā)明者畠中英文, 笹川亮磨 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社