專利名稱：電流源電路及使用該電流源電路的放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體集成電路中的電流源電路、以及使用該電流源電路的放大電路。
背景技術(shù)：
以前，有關(guān)用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體集成電路中的電流源電路，例如在日本特開平2-124609號公報(bào)或半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)技術(shù)(日經(jīng)BP公司，玉井德迪監(jiān)修，第1版，302頁)公開了一種電流鏡電路。
圖20是表示現(xiàn)有電流源電路構(gòu)成例的電路圖。圖20中，1是施加使電路工作的電壓的電源施加端子，2是提供基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源，4是電流流出的輸出端子，5是電流流入的輸出端子，M2、M12、M7是n溝道MOS晶體管，M6、M20是p溝道MOS晶體管。M2、M12、M7構(gòu)成電流鏡電路，M6、M20也構(gòu)成電流鏡電路。
下面說明如此構(gòu)成的電流源電路的工作。從基準(zhǔn)電流源2流入的電流由n溝道MOS晶體管M2接收，分別由n溝道MOS晶體管M7、M12反轉(zhuǎn)。由n溝道MOS晶體管M7反轉(zhuǎn)的電流通過輸出端子5引入。由n溝道MOS晶體管M12反轉(zhuǎn)的電流由p溝道MOS晶體管M20接收后，由p溝道MOS晶體管M6再次反轉(zhuǎn)，從輸出端子4流出。
圖21是表示作為流出電流的基準(zhǔn)電流源2、p溝道MOS晶體管M2、M12、M7、n溝道MOS晶體管M6、M20，與圖20一樣構(gòu)成的電流源電路的構(gòu)成例的電路圖。
并且，設(shè)定利用圖20所示電流源電路的放大電路的工作點(diǎn)的共同反饋(common feedback)電路，例如公開在[CMOS Analog CircuitDesign second edition](p196，OXFORD出版，Phillip E.Allen，Douglas R.Holberg著)中。圖22中示出該放大電路的結(jié)構(gòu)。
在圖22中，6是電壓源，8、9是放大電路的輸入端子，11、12是負(fù)載，13、14是放大電路的輸出端子，M1O、M11、M18、M19是n溝道MOS晶體管，M6a、M6b、M8、M9是p溝道MOS晶體管。
下面說明如此構(gòu)成的放大電路的工作。從放大電路的輸入端子8和9輸入的信號通過構(gòu)成差動放大器的M18和M19變換為電流，變?yōu)橛韶?fù)載11和12放大的電壓，從放大電路的輸出端子13和14取出。為了決定該放大電路的工作點(diǎn)，通過構(gòu)成差動放大器(誤差放大器)的M10和M11，將負(fù)載11與12的連接點(diǎn)的電壓與電壓源6的電壓相比較，調(diào)整流過電流鏡電路M8、M6a和M6b的電流。結(jié)果，將負(fù)載11和12的工作點(diǎn)設(shè)定在電壓源6的電壓。
以前，在電子設(shè)備和半導(dǎo)體集成電路的電流源電路和放大電路中使用的電流源電路中，在電路同時(shí)使用流出電流與流入電流的情況下，存在它們不相等的問題。
在MOS晶體管的特性中，電流Ids由下式表示。
Ids＝k×(Vgs-Vt)2×(1+λ×Vds)其中，Ids是MOS晶體管的電流，k是放大倍率，Vgs是柵極-源極間電壓，Vt是閾值電壓，λ是溝道長度調(diào)制系數(shù)，Vds是漏極-源極間電壓。提供的電流在每次通過MOS晶體管時(shí)受到溝道調(diào)制效應(yīng)的影響。在將晶體管的大小設(shè)計(jì)得相等，且Vds大致相等，n溝道與p溝道的λ近似成大致相等時(shí)，流過圖20的輸出端子4的流出電流I4與流過輸出端子5的流入電流I5的電流比不等于1，有如下關(guān)系I4/I5＝(1+λ×Vds)2/(1+λ×Vds)＝(1+λ×Vds)例如，當(dāng)λ＝0.05、Vds＝1.5V時(shí)，產(chǎn)生7.5％的誤差，流出電流變得比流入電流大。
同樣，在圖22所示的共用反饋電路中也產(chǎn)生同樣的誤差，但該誤差可由構(gòu)成差動放大器(誤差放大器)的M10、M11、電流鏡M8、M6a、M6b和負(fù)載11、12所決定的環(huán)路增益A1來進(jìn)一步縮小。其中，為了防止振蕩，環(huán)路增益A1不能設(shè)定得較大，大約為10倍左右。因此，誤差變?yōu)?0分之1，殘余0.75％的誤差。并且，因?yàn)樨?fù)載11和負(fù)載12進(jìn)入共用反饋電路的環(huán)路，所以為了防止振蕩不能取大的值。因此，不能將由M18和M19構(gòu)成的原來的差動放大器的增益設(shè)定得較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題作出，其目的在于提供一種能使流出電流與流入電流相等的電流源電路。
另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能在確保穩(wěn)定的工作點(diǎn)的同時(shí)將增益設(shè)定得大的放大電路。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第1電流源電路構(gòu)成為具備提供基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源；與基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將基準(zhǔn)電流變換為電壓的第1晶體管組(M1、M2)；與第1晶體管組構(gòu)成電流鏡關(guān)系，且流過輸出電流的第1晶體管(M7)；將第1晶體管組發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓的誤差放大器(OP.Amp)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動的第2晶體管(M5)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過與第1晶體管的輸出電流相對輸出端子成相反方向的輸出電流的第3晶體管(M6)；和與第2晶體管串聯(lián)連接，將流過第2晶體管的電流變換為電壓，并提供給誤差放大器的另一輸入端子的第2晶體管組(M3、M4)。
另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第2電流源電路構(gòu)成為具備提供基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源；與基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將基準(zhǔn)電流變換為電壓的第1晶體管(M2)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，將電流變換為電壓的第2晶體管(M4)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，且流過輸出電流的第3晶體管(M7)；將第2晶體管發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓的誤差放大器(OP.Amp)；向誤差放大器的另一輸入端子提供電壓的電壓源；與第2晶體管串聯(lián)連接，由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動的第4晶體管(M5)；和由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過與第3晶體管的輸出電流相對輸出端子成相反方向的輸出電流的第5晶體管(M6)。
根據(jù)上述第1和第2電流源電路，可使輸出端子的流出電流與流入電流相等。
另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第1放大電路構(gòu)成為具備提供基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源；與基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將基準(zhǔn)電流變換為電壓的第1晶體管(M2)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，將電流變換為電壓的第2晶體管(M4)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，且流過第1電流的第3晶體管(M7)；將第2晶體管發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓的誤差放大器(OP.Amp)；向誤差放大器的另一輸入端子提供電壓的電壓源；與第2晶體管串聯(lián)連接，由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動的第4晶體管(M5)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過第2電流的第5晶體管(M6)；和將流過第3晶體管的第1電流作為一個(gè)電源電流，將流過第5晶體管的第2電流作為另一個(gè)電源電流，進(jìn)行工作，并放大提供給輸入端子的電壓的差動放大器(Diff.Amp)。
在該第1放大電路中，將差動放大器的工作點(diǎn)的基準(zhǔn)電壓設(shè)定為電壓源的電壓。
另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第2放大電路構(gòu)成為具備提供基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源；與基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將基準(zhǔn)電流變換為電壓的第1晶體管(M2)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，流過第1電流的第2晶體管(M4)；與第1晶體管成電流鏡關(guān)系，且流過第2電流的第3晶體管(M7)；將流過第2晶體管的第1電流作為一個(gè)電源電流，接受提供給輸入端子的電壓的第1差動放大器(1st Diff.Amp)；將第1差動放大器的輸出電壓提供給一個(gè)輸入端子，將一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓的誤差放大器(OP.Amp)；向誤差放大器的另一輸入端子提供電壓的電壓源；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，將流過的第3電流作為另一電源電流，使第1差動放大器工作的第4晶體管(M5)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過第4電流的第5晶體管(M6)；和將流過所述第5晶體管的第4電流作為另一個(gè)電源電流，進(jìn)行工作，并放大提供給輸入端子的電壓的第2差動放大器(2nd Diff.Amp)。
在該第2放大電路中，將第2差動放大器的工作點(diǎn)的基準(zhǔn)電壓設(shè)定在電壓源的電壓。
根據(jù)上述第1和第2放大電路，可邊確保穩(wěn)定的工作點(diǎn)邊將增益設(shè)定得大。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的電流源電路的一構(gòu)成例的電路圖。
圖2是表示圖1的電流源電路的第1具體例的電路圖。
圖3是表示圖1的電流源電路的第2具體例的電路圖。
圖4是表示圖1的電流源電路的變形例的電路圖。
圖5是表示圖4的電流源電路的第1具體例的電路圖。
圖6是表示圖4的電流源電路的第2具體例的電路圖。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的電流源電路的一構(gòu)成例的電路圖。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式3的放大電路的一構(gòu)成例的電路圖。
圖9是表示圖8的放大電路的第1具體例的電路圖。
圖10是表示圖8的放大電路的第2具體例的電路圖。
圖11是表示圖8的放大電路的第3具體例的電路圖。
圖12是表示圖8的放大電路的第4具體例的電路圖。
圖13是表示圖8的放大電路的變形例的電路圖。
圖14是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式4的放大電路的一構(gòu)成例的電路圖。
圖15是表示圖14的放大電路的第1具體例的電路圖。
圖16是表示圖14的放大電路的第2具體例的電路圖。
圖17是表示圖14的放大電路的第3具體例的電路圖。
圖18是表示圖14的放大電路的第4具體例的電路圖。
圖19是表示圖14的放大電路的變形例的電路圖。
圖20是表示現(xiàn)有電流源電路的構(gòu)成例的電路圖。
圖21是表示現(xiàn)有電流源電路的變形例的電路圖。
圖22是表示現(xiàn)有放大電路的構(gòu)成例的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖來說明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。
(實(shí)施方式1)圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的電流源電路的一構(gòu)成例的電路圖。圖1中，3是由運(yùn)算放大器構(gòu)成的誤差放大器(OP.Amp)，M1、M2、M3、M4、M7是n溝道MOS晶體管，M5、M6是p溝道MOS晶體管。由作為第1晶體管組的M1與M2，構(gòu)成將基準(zhǔn)電流源2的電流變換為電壓的變換器。另外，由M2與M7(第1晶體管)構(gòu)成電流鏡電路。另外，由M5(第2晶體管)與M6(第3晶體管)構(gòu)成由誤差放大器3的輸出電壓驅(qū)動的電流源。并且，由作為第2晶體管組的M3與M4，構(gòu)成將M5的電流變換為電壓的變換器。
圖2是表示圖1的電流源電路的第1具體例的電路圖。圖2中，M8、M9是p溝道MOS晶體管，M10、M11、M12是n溝道MOS晶體管，C是電容器。M12變?yōu)殡娏髟矗琈10與M11變?yōu)椴顒訉?，M8與M9是電流鏡，變?yōu)椴顒訉10與M11的能動電荷。由晶體管M8至M12與電容器C構(gòu)成誤差放大器3。
下面，說明上述構(gòu)成的實(shí)施方式1的電流源電路的工作。
將第1晶體管組M1、M2發(fā)生的電壓與第2晶體管組M3、M4發(fā)生的電壓輸入誤差放大器3，調(diào)整M5的柵極電壓以便使這些電壓相等。因此，從晶體管M5流出的電流與基準(zhǔn)電源流2的電流相等，并且由與晶體管M5的柵極電壓相同的電壓來驅(qū)動晶體管M6的柵極電壓，所以晶體管M6的電流也與基準(zhǔn)電流源2的電流大致相等。當(dāng)與現(xiàn)有例一樣近似求出輸出端子4的流出電流I4與輸出端子5的流入電流I5的電流比時(shí)，有I4/I5＝(1+λ×Vds)/(1+λ×Vds)＝1如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過具備將電流變換為電壓的第1晶體管組M1、M2、將電流變換為電壓的第2晶體管組、對變換后的各電壓的差(誤差電壓)進(jìn)行放大的誤差放大器、及由誤差放大器驅(qū)動的晶體管M5、M6，可使輸出端子4的流出電流與輸出端子5的流入電流相等。
另外，在本實(shí)施方式中，將串聯(lián)重疊2級的晶體管設(shè)為變換器，但也可如圖3所示，省略誤差放大器3的電流源，將1級晶體管設(shè)為變換器。
另外，在本實(shí)施方式中，將n溝道MOS晶體管作為變換器來構(gòu)成電流源電路，但也可如圖4、圖5、圖6所示，將p溝道MOS晶體管作為變換器來構(gòu)成電流源電路。
并且，在本實(shí)施方式中，使用MOS晶體管來構(gòu)成電流源電路，但也可使用雙極晶體管來構(gòu)成電流源電路。
(實(shí)施方式2)圖7是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的電流源電路的一構(gòu)成例的電路圖。圖7中，向具有與實(shí)施方式1相同的結(jié)構(gòu)和功能的部分標(biāo)以相同符號，省略說明。圖7中，6是決定放大電路工作點(diǎn)的電壓源。
下面，說明如上所述構(gòu)成的第2實(shí)施方式的電流源電路的工作。
圖7中，調(diào)整晶體管M5和M6的柵極電壓，使晶體管M4的漏極與晶體管M5的漏極的連接點(diǎn)的電壓與電壓源6的電壓相等。此時(shí)，若求出輸出端子4的流出電流I4與輸出端子5的流入電流I5的電流比，則有I4/I5＝(1+λ×Vds)/(1+λ×Vds)＝(1+λ×Vds)如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，由于具有發(fā)生工作點(diǎn)基準(zhǔn)電壓的電壓源6、誤差放大器3、由誤差放大器3驅(qū)動的晶體管M5、M6，可使輸出端子4的流出電流與輸出端子5的流入電流相等。
(實(shí)施方式3)圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式3的放大電路的一構(gòu)成例的電路圖。本實(shí)施方式的放大電路使用實(shí)施方式2的電流源電路。
圖8中，10是差動放大器(Diff.Amp)，具有輸入端子8、9和輸出端子13、14，在輸出端子13與電壓源6之間連接負(fù)載11，在輸出端子14與電壓源6之間連接負(fù)載12。將流入晶體管M6和M7的電流作為電源電流，驅(qū)動差動放大器10。
另外，圖9是表示本實(shí)施方式的放大電路的第1具體例的電路圖。圖9中，15是電壓源，M16、M17是p溝道MOS晶體管，M18、M19是n溝道MOS晶體管。從晶體管M6提供的電流由電壓源6與晶體管M16和M17來分割。另外，來自晶體管M18和M19的電流，分別經(jīng)由晶體管M16和M17提供給晶體管M7。
下面，說明如上所述構(gòu)成的第3實(shí)施方式的放大電路的工作。
圖9中，輸入差動對M18和M19的信號被負(fù)載11、12放大后，輸出到輸出端子13、14。此時(shí)，作為工作的必要條件，輸出端子13、14的工作中心必需以電壓源6的電壓進(jìn)行工作。其中，晶體管M6的流出電流與晶體管M7的流入電流相等，且差動對M18、M19在工作中心點(diǎn)均等分配晶體管M7的電流，另外，電壓源15與晶體管M16和M17均等分配晶體管M6的電流是必要的。
結(jié)果，輸出端子13、14的工作中心點(diǎn)的電壓與晶體管M5的漏極與晶體管M4的漏極的連接點(diǎn)電壓相等。該電壓通過誤差放大器3變?yōu)榕c電壓源6的電壓相等的電壓，差動放大器10的輸出的工作中心點(diǎn)的電壓也與電壓源6的電壓相等。
此時(shí)，因?yàn)樨?fù)載11和12未包含于誤差放大器3的環(huán)路內(nèi)，所以作為由差動對M1S、M19構(gòu)成的差動放大器10的負(fù)載11、12，可連接具有大的電阻值的負(fù)載。由此，可增大放大電路的增益。并且，也可省略負(fù)載11、12，構(gòu)成由MOS晶體管的輸出阻抗設(shè)定的增益大的放大電路。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過具備第2實(shí)施方式的電流源電路和放大信號的差動放大器，可在確保穩(wěn)定的工作點(diǎn)的同時(shí)，將增益設(shè)定得大。
另外，在本實(shí)施方式中，將電壓源6與晶體管M16、M17設(shè)定為電流分配器，但也可如圖10所示，將圖9的晶體管M6分割成M6a與M6b，省略圖9的電壓源15和晶體管M16、M17。
另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為向n溝道MOS晶體管輸入信號，但也可如圖11所示，向p溝道MOS晶體管輸入信號。
另外，在本實(shí)施方式中，將電壓源6與晶體管M16、M17設(shè)定為電流分配器，但也可如圖12所示，將圖9的晶體管M7分割成M7a與M7b，省略圖9的電壓源15和晶體管M16、M17。
另外，在本實(shí)施方式中，將圖8的n溝道MOS晶體管作為電流鏡來構(gòu)成放大電路，但也可如圖13所示，將p溝道MOS晶體管作為電流鏡來構(gòu)成放大電路。
并且，在本實(shí)施方式中，由MOS晶體管構(gòu)成放大電路，但也可由雙極晶體管構(gòu)成放大電路。
(實(shí)施方式4)圖14是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式4的放大電路的一構(gòu)成例的電路圖。圖14中，7是第1差動放大器(1st Diff.Amp)，10是具有與第1差動放大器結(jié)構(gòu)等價(jià)的第2差動放大器(2nd Diff.Amp)，其它結(jié)構(gòu)與圖8所示實(shí)施方式3一樣。
圖15是表示圖14的放大電路的具體例的電路圖。圖15中，n溝道MOS晶體管M13與M14構(gòu)成差動對，p溝道MOS晶體管M15構(gòu)成柵極接地電路，由晶體管M13、M14、M15構(gòu)成與第2差動放大器10等價(jià)的第1差動放大器7。
下面，說明如上所述構(gòu)成的第4實(shí)施方式的放大電路的工作。
在第3實(shí)施方式中，將MOS晶體管的溝道調(diào)制效應(yīng)λ與Vds近似為大致恒定，但通過設(shè)置等價(jià)的第1差動放大器7，第1差動放大器7的MOS晶體管的工作狀態(tài)與第2差動放大器10的MOS晶體管的工作狀態(tài)相等，進(jìn)一步減少輸出端子4的流出電流與輸出端子5的流入電流的電流比引起的誤差。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過具備與第3實(shí)施方式的差動放大器10等價(jià)的差動放大器7，可在確保穩(wěn)定的工作點(diǎn)的同時(shí)將增益設(shè)定得大，并可進(jìn)一步降低誤差。
另外，在本實(shí)施方式中，將圖15的電壓源6與晶體管M15、M16、M17設(shè)定為電流分配器，但也可如圖16所示，將圖15的晶體管M6分割成M6a和M6b，省略圖15的電壓源15與晶體管M15、M16、M17。
另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為向n溝道MOS晶體管輸入信號，但也可如圖17所示，向p溝道MOS晶體管輸入信號。
另外，在本實(shí)施方式中，將圖15的電壓源6與晶體管M15、M16、M17設(shè)定為電流分配器，但也可如圖18所示，將圖15的晶體管M7分割成M7a與M7b，省略圖15的電壓源15和晶體管M15、M16、M17。
另外，在本實(shí)施方式中，將n溝道MOS晶體管作為電流鏡來構(gòu)成放大電路，但也可如圖19所示，將p溝道MOS晶體管作為電流鏡來構(gòu)成放大電路。
并且，在本實(shí)施方式中，由MOS晶體管構(gòu)成放大電路，但也可由雙極晶體管構(gòu)成放大電路。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)使輸出端子的流出電流與流入電流相等的優(yōu)良的電流源電路。
另外，可實(shí)現(xiàn)在確保穩(wěn)定的工作點(diǎn)的同時(shí)將增益設(shè)定得大的優(yōu)良的放大電路。
權(quán)利要求
1.一種電流源電路，具備基準(zhǔn)電流源，提供基準(zhǔn)電流；第1晶體管組，與所述基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將所述基準(zhǔn)電流變換為電壓；第1晶體管，與所述第1晶體管組構(gòu)成電流鏡關(guān)系，且流過輸出電流；誤差放大器，將所述第1晶體管組發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將所述一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓；第2晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動；第3晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過與所述第1晶體管的輸出電流相對輸出端子成相反方向的輸出電流；和第2晶體管組，與所述第2晶體管串聯(lián)連接，將流過所述第2晶體管的電流變換為電壓，并提供給所述誤差放大器的所述另一輸入端子。
2.一種電流源電路，具備基準(zhǔn)電流源，提供基準(zhǔn)電流；第1晶體管，與所述基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將所述基準(zhǔn)電流變換為電壓；第2晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，將電流變換為電壓；第3晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，且流過輸出電流；誤差放大器，將所述第2晶體管發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將所述一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓；電壓源，向所述誤差放大器的所述另一輸入端子提供電壓；第4晶體管，與所述第2晶體管串聯(lián)連接，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動；和第5晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過與所述第3晶體管的輸出電流相對輸出端子成相反方向的輸出電流。
3.一種放大電路，具備基準(zhǔn)電流源，提供基準(zhǔn)電流；第1晶體管，與所述基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將所述基準(zhǔn)電流變換為電壓；第2晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，將電流變換為電壓；第3晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，且流過第1電流；誤差放大器，將所述第2晶體管發(fā)生的電壓提供給一個(gè)輸入端子，將所述一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓；電壓源，向所述誤差放大器的所述另一輸入端子提供電壓；第4晶體管，與所述第2晶體管串聯(lián)連接，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動；第5晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過第2電流；和差動放大器，將流過所述第3晶體管的所述第1電流作為一個(gè)電源電流，將流過所述第5晶體管的所述第2電流作為另一個(gè)電源電流來進(jìn)行工作，并放大提供給輸入端子的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大電路，其特征在于將所述差動放大器的工作點(diǎn)的基準(zhǔn)電壓設(shè)定為電壓源的電壓。
5.一種放大電路，具備基準(zhǔn)電流源，提供基準(zhǔn)電流；第1晶體管，與所述基準(zhǔn)電流源串聯(lián)連接，將所述基準(zhǔn)電流變換為電壓；第2晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，流過第1電流；第3晶體管，與所述第1晶體管成電流鏡關(guān)系，流過第2電流；第1差動放大器，將流過所述第2晶體管的所述第1電流作為一個(gè)電源電流，并接受提供給輸入端子的電壓；誤差放大器，將所述第1差動放大器的輸出電壓提供給一個(gè)輸入端子，將所述一個(gè)輸入端子的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓；電壓源，向所述誤差放大器的所述另一輸入端子提供電壓；第4晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，將流過的第3電流作為另一電源電流，使所述第1差動放大器工作；第5晶體管，由所述誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過第4電流；和第2差動放大器，將流過所述第3晶體管的所述第2電流作為一個(gè)電源電流，將流過所述第5晶體管的所述第4電流作為另一個(gè)電源電流來進(jìn)行工作，并放大提供給所述輸入端子的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放大電路，其特征在于將所述第2差動放大器的工作點(diǎn)的基準(zhǔn)電壓設(shè)定為所述電壓源的電壓。
全文摘要
提供一種能使輸出端子的流出電流與流入電流相等的電流源電路。其具備將來自基準(zhǔn)電流源(2)的基準(zhǔn)電流變換為電壓的第1晶體管組(M1、M2)；與第1晶體管組構(gòu)成電流鏡關(guān)系，且流過輸出電流的第1晶體管(M7)；將提供給一個(gè)輸入端子的由第1晶體管組發(fā)生的電壓與提供給另一輸入端子的電壓相比較，輸出誤差電壓的誤差放大器(3)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動的第2晶體管(M5)；由誤差放大器的輸出電壓驅(qū)動，流過與第1晶體管的輸出電流相對輸出端子成相反方向的輸出電流的第3晶體管(M6)；和將流過第2晶體管的電流變換為電壓，并提供給誤差放大器的另一輸入端子的第2晶體管組(M3、M4)。
文檔編號H03F3/45GK1521943SQ200310120128
公開日2004年8月18日 申請日期2003年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月14日
發(fā)明者小屜正之, 嶋岡裕泰, 泰 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社