專利名稱：一種電流鏡電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種電流鏡電路技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及模擬電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電流鏡電路。
技術(shù)背景[0002]電流鏡是模擬電路的一個重要的電路單元，它既可以作為偏置單元也可以作為信號處理元件，被廣泛地應用于各種模擬和射頻電路設計中。[0003]普通的兩管電流鏡容易受到溝道長度調(diào)制的影響，其輸出的電流精度不高。為了解決這個問題，人們發(fā)明了共源共柵電流鏡，共源共柵器件的加入使得電流鏡的輸出阻抗很高，當輸出端電壓變化時，鏡像電流的變化顯著減小，因此精度得到很大提高。但是這種電流鏡的缺點在于消耗的電壓余度過大，無法用于低電源電壓的應用場合。[0004]為了解決鏡像電流精度與輸出電壓余度之間的矛盾，人們又發(fā)明了自偏置電流鏡。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中自偏置電流鏡的電路圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，自偏置電流鏡包括固定電阻Re、匪OS管匪OS管Mn、匪OS管M12、匪OS管M13和匪OS管M14。匪OS管Mn、 匪OS 管 M12、匪OS 管 M13 和匪OS 管 Mw 均為 N 溝道 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應管)管。固定電阻Rtl的第一端接電流輸入端，NMOS管M11的漏極接固定電阻Rtl的第二端；NMOS管M12的漏極接NMOS管M11的源極，源極接地；NMOS管M13的柵極接NMOS管M12的柵極和NMOS管M11的漏極，源極接地；NMOS 管M14的柵極接NMOS管M11的柵極和固定電阻Rtl的第一端，源極接NMOS管M13的漏極，漏極接電流輸出端。輸入電流Iin由電流輸入端輸入，輸出電流I。ut由電流輸出端輸出。[0005]圖1所示的自偏置電流鏡在保持共源共柵電流鏡輸出電流精度高的優(yōu)點的同時， 將消耗的電壓余度降低了一個閾值電壓。圖1所示自偏置電流鏡在正常工作需要各NMOS 管工作在飽和區(qū)，NMOS管M11工作在飽和區(qū)的條件是電阻Rtl上的壓降小于NMOS管M11的閾值電壓。當輸入電流/in增大時，固定電阻Rtl上的壓降也隨之增大，當固定電阻Rtl上的壓降大于NMOS管M11的閾值電壓時，NMOS管M11就會由飽和區(qū)進入線性區(qū)，導致電流鏡的輸入阻抗降低，因而使得輸入輸出電流匹配度降低。[0006]可見，當輸入電流、變化時，由于圖1所示的自偏置電流鏡中電阻Rtl的阻值固定， 該電阻Rtl上的壓降會隨著輸入電流Iin線性變化，這樣會導致MOS管進入線性區(qū)而不能正常工作，使得鏡像電流精度降低。因此，圖1所示的自偏置電流鏡只能工作在一個較窄的輸入輸出電流范圍，不能滿足寬輸入輸出電流的應用需求。實用新型內(nèi)容[0007]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種電流鏡電路，滿足寬輸入輸出電流的應用需求。[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提出了一種電流鏡電路，包括[0009]電流輸入端；[0010]偏置端；[0011]電流輸出端；[0012]可變電阻，所述可變電阻的第一端接所述電流輸入端，第三端接所述偏置端；[0013]第一 NMOS管，所述第一 NMOS管的漏極接所述可變電阻的第二端；[0014]第二 NMOS管，所述第二 NMOS管的漏極接所述第一 NMOS管的源極，源極接地；[0015]第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第一 NMOS 管的漏極，源極接地；[0016]第四NMOS管，所述第四NMOS管的柵極接所述第一 NMOS管的柵極和所述可變電阻的第一端，源極接所述第三匪OS管的漏極，漏極接所述電流輸出端。[0017]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻的第二端和所述第一 NMOS管的漏極之間還串接有固定電阻。[0018]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，還包括N組電流鏡像管，其中，N為自然數(shù)，每一組所述電流鏡像管包括[0019]第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏極接所述第一 NMOS管的漏極，柵極接所述第一NMOS管的柵極；[0020]第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏極接所述第五NMOS管的源極，柵極接所述第二NMOS管的柵極，源極接地；[0021]第七NMOS管，所述第七NMOS管的柵極接所述第三NMOS管的柵極，源極接地；[0022]第八NMOS管，所述第八NMOS管的源極接所述第七NMOS管的漏極，柵極接所述第四NMOS管的柵極，漏極接所述第四NMOS管的漏極。[0023]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻為PMOS管，所述 PMOS管的源極為所述可變電阻的第一端，柵極為所述可變電阻的第三端，漏極為所述可變電阻的第二端。[0024]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻為由η個并聯(lián)支路所組成的電阻，每一個所述并聯(lián)支路包括串聯(lián)的固定電阻和開關(guān)，其中，η為自然數(shù)。[0025]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型還提出了一種電流鏡電路，包括[0026]電流輸入端；[0027]偏置端；[0028]電流輸出端；[0029]可變電阻，所述可變電阻的第一端接所述電流輸入端，第三端接所述偏置端；[0030]第一 PMOS管，所述第一 PMOS管的漏極接所述可變電阻的第二端；[0031]第二 PMOS管，所述第二 PMOS管的漏極接所述第一 PMOS管的源極，源極接電源 Vdd ；[0032]第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極接所述第二 PMOS管的柵極和所述第一 PMOS 管的漏極，源極接電源Vdd;[0033]第四PMOS管，所述第四PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述可變電阻的第一端，源極接所述第三PMOS管的漏極，漏極接所述電流輸出端。[0034]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻的第二端和所述第一 PNMOS管的漏極之間還串接有固定電阻。[0035]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，還包括N組電流鏡像管，其中，N為自然數(shù)，每一組所述電流鏡像管包括[0036]第五PMOS管，所述第五PMOS管的漏極接所述第一 PMOS管的漏極，柵極接所述第一PMOS管的柵極；[0037]第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏極接所述第五PMOS管的源極，柵極接所述第二PMOS管的柵極，源極接電源Vdd ；[0038]第七PMOS管，所述第七PMOS管的柵極接所述第三PMOS管的柵極，源極接電源 Vdd ；[0039]第八PMOS管，所述第八PMOS管的源極接所述第七PMOS管的漏極，柵極接所述第四PMOS管的柵極，漏極接所述第四PMOS管的漏極。[0040]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻為NMOS管，所述 NMOS管的源極為所述可變電阻的第一端，柵極為所述可變電阻的第三端，漏極為所述可變電阻的第二端。[0041]進一步地，上述電流鏡電路還可具有以下特點，所述可變電阻為由η個并聯(lián)支路所組成的電阻，每一個所述并聯(lián)支路包括串聯(lián)的固定電阻和開關(guān)，其中，η為自然數(shù)。[0042]本實用新型的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻調(diào)節(jié)自偏置電阻上的壓降，使自偏置電阻上的壓降盡可能恒定，保證所有MOS管均工作于飽和區(qū)，避免由于MOS管進入線性區(qū)而導致鏡像電流精度降低，從而能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。


[0043]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中自偏置電流鏡的電路圖；[0044]圖2為本實用新型實施例中電流鏡電路的一種結(jié)構(gòu)圖；[0045]圖3為本實用新型實施例中電流鏡電路的另一種結(jié)構(gòu)圖；[0046]圖4為本實用新型實施例中電流鏡電路的又一種結(jié)構(gòu)圖；[0047]圖5為本實用新型實施例中電流鏡電路的再一種結(jié)構(gòu)圖；[0048]圖6為電阻陣列及其等效電路圖。
具體實施方式
[0049]
以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。[0050]圖2為本實用新型實施例中電流鏡電路的一種結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，本實施例中， 電流鏡電路包括電流輸入端、電流輸出端、偏置端、PMOS管Mltl、固定電阻Rtl、NMOS管M1工、NMOS 管 M12、NMOS 管 M13 禾口 NMOS 管 M14。其中，NMOS 管 M11、NMOS 管 M12、NMOS 管 M13 禾口 NMOS 管 M14 均為N溝道MOSFET管。其中，PMOS管Mltl為P溝道MOSFET管，PMOS管Mltl在該電流鏡電路中作為可變電阻。由圖2可見，PMOS管Mltl的源極接電流輸入端，柵極接偏置端Vbias;固定電阻Rtl的第一端接PMOS管Mltl的漏極，NMOS管M11的漏極接固定電阻Rtl的第二端；NMOS管 M12的漏極接NMOS管M11的源極，源極接地；NMOS管M13的柵極接NMOS管M12的柵極和NMOS 管M11的漏極，源極接地；NMOS管M14的柵極接NMOS管M11的柵極和PMOS管Mltl的源極，源極接NMOS管M13的漏極，漏極接電流輸出端。輸入電流Iin由電流輸入端輸入，輸出電流I。ut由電流輸出端輸出。[0051]在實際電路設計中，NMOS管Mn、匪OS管M12、匪OS管M13和匪OS管M14這四個晶體管均為長溝道管，且溝道長度一致以提高電流匹配度，寬長比根據(jù)電流鏡像比例而定。[0052]在本實用新型的其他實施例中，電流鏡電路可以不包含固定電阻Rtl,這種情況下， NMOS管M11的漏極直接接PMOS管Mltl (即可變電阻)的漏極。[0053]在本實用新型的其他實施例中，圖2所示電流鏡電路中的PMOS管Mltl也可以由其他可變電阻代替，如圖6所示。圖6為電阻陣列及其等效電路圖。如圖6所示，電阻陣列由 η個并聯(lián)支路組成，包括η個固定電阻R1 , R2……Rlri、!？η和η個開關(guān)V。tell , Vctrl2…… Vctrln^1、Vrtrin，每一個并聯(lián)支路包括串聯(lián)的固定電阻和開關(guān)，固定電阻R1和開關(guān)Vrtril串聯(lián)組成第一并聯(lián)支路，固定電阻&和開關(guān)v。tel2串聯(lián)組成第二并聯(lián)支路，……，固定電阻Rlri 和開關(guān)Vc^m串聯(lián)組成第n-1并聯(lián)支路，固定電阻和開關(guān)Vrtrin串聯(lián)組成第η并聯(lián)支路。 圖6左邊的電阻陣列等效于右邊的可變電阻其中，η為自然數(shù)。[0054]由圖2可見，本實施例中，電流鏡電路與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的自偏置電流鏡的電路相比，增加了作為可變電阻的PMOS管Mltl，使得整個自偏置電阻(固定電阻Rtl加上可變電阻)由固定電阻變?yōu)榭勺冸娮?。在電流鏡的輸入電流變化時，作為可變電阻的PMOS管Mltl 調(diào)節(jié)自偏置電阻上的壓降，使得NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管Mw均工作于飽和區(qū)，提高了輸入輸出電流的匹配度。具體地，利用PMOS管Mltl的電阻隨柵源電壓變化的特性，當輸入電流Iin較小時，PMOS管Mltl源電壓較低，因此PMOS管Mltl上的壓降比較明顯，從而補償了整個自偏置電阻。反之當輸入電流Iin較大時，PMOS管Mltl源端電壓較高，因此PMOS管Mltl上的壓降比較小，這樣對整個自偏置電阻值影響不大，從而不會導致MOS管進入線性區(qū)而降低鏡像電流精度。[0055]由上可見，本實用新型實施例中的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻調(diào)節(jié)自偏置電阻上的壓降，使自偏置電阻上的壓降盡可能恒定，保證所有NMOS管均工作于飽和區(qū)，避免由于MOS管進入線性區(qū)而導致鏡像電流精度降低，從而使得本實用新型的電流鏡電路能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。[0056]當電流鏡電路所需的輸入輸出電流變化范圍繼續(xù)加大時，可以通過加大鏡像電流管的尺寸，使電流鏡電路能夠滿足更寬的輸入輸出電流范圍的應用需求，如圖3所示。[0057]圖3為本實用新型實施例中電流鏡電路的另一種結(jié)構(gòu)圖。圖3所示的電流鏡電路與圖2所示的電流鏡相比，增加了 N (N為自然數(shù))組NMOS管，其中，每一組NMOS管包括 NMOS 管 M15、NMOS 管 M16、NMOS 管 M17 和 NMOS 管 M18。NMOS 管 M15 的漏極接 NMOS 管 M11 的漏極，柵極接NMOS管M11的柵極；NMOS管M16的漏極接NMOS管M15的源極，柵極接NMOS管M12 的柵極，源極接地；NMOS管M17的柵極接NMOS管M13的柵極，源極接地；NMOS管M18的源極接 NMOS管M17的漏極，柵極接NMOS管M14的柵極，漏極接NMOS管M14的漏極。圖3中其余采用虛線連接的MOS管與M1: M18用途相同，此處不再一一描述。[0058]圖2所示的電流鏡電路為本實用新型的基礎(chǔ)電路，圖3中所示的NMOS管M15、NM0S 管M16、NMOS管M17和NMOS管M18以及圖3中采用虛線連接的MOS管為輔助電流鏡像管，只有當輸入電流Iin較大時，輔助電流鏡像管才會接入圖2所示的基礎(chǔ)電路。NMOS管M15、NM0S 管M16、NM0S管M17和NMOS管Mw四者構(gòu)成一組輔助電流鏡像管，它們必須同時接入，以保證左右兩邊MOS管具有相同對數(shù)。在具體應用中，實際需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)N與7輸入電流Iin的大小有關(guān)，當輸入電流Iin大時，需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)多，而當輸入電流1&小時，需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)少。[0059]根據(jù)飽和區(qū)MOS管的電流表達式，當輸入電流Iin升高至較大時，若電流鏡像管的寬長比維持恒定，則該MOS管的過驅(qū)動電壓必然增大。以圖2為例，這可能會導致MOS管 M12進入線性區(qū)，從而導致鏡像電流精度降低。圖3用電流鏡像管陣列代替了圖2的電流鏡像管，當輸入電流Iin升高至較大時，接入的輔助電流鏡像管可以避免過驅(qū)動電壓的顯著增大，因而可以抑制MOS管進入線性區(qū)，避免鏡像電流精度降低。[0060]圖3所示電流鏡電路能夠滿足更寬的輸入輸出電流范圍的應用需求，可以在輸入電流變化范圍很大時使用。[0061]由圖3可見，本實施例中的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻能夠維持自偏置電阻上的壓降，使之盡可能恒定，從而不會導致MOS管進入線性區(qū)而使鏡像電流精度降低，因此能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。[0062]圖4為本實用新型實施例中電流鏡電路的又一種結(jié)構(gòu)圖。如圖4所示，本實施例中，電流鏡電路包括電流鏡電路包括電流輸入端、電流輸出端、偏置端、NMOS管M2tl、固定電阻 R0、PMOS 管 M21、PMOS 管 M22、PMOS 管 M23 和 PMOS 管 M24。其中，PMOS 管 M21、PMOS 管 M22^PMOS 管M23和PMOS管M24均為P溝道MOSFET管。其中，NMOS管M2tl為N溝道MOSFET管，NMOS管 M^1在該電流鏡電路中作為可變電阻。由圖4可見，NMOS管M^1W源極接電流輸入端，柵極接偏置端Vbias;固定電阻Rtl的第一端接NMOS管M20的漏極，PMOS管M21的漏極接固定電阻 R0的第二端；PMOS管M22的漏極接PMOS管M21的源極，源極接電源Vdd ；PMOS管M23的柵極接 PMOS管M22的柵極和PMOS管M21的漏極，源極接電源Vdd ；PMOS管M24的柵極接PMOS管M21 的柵極和NMOS管M20的源極，源極接PMOS管M23的漏極，漏極接電流輸出端。輸入電流Iin 由電流輸入端輸入，輸出電流I。ut由電流輸出端輸出。[0063]可見，圖4所示電流鏡電路與圖2所示電流鏡電路采用相反的MOS管作為可變電阻和電流鏡像管。[0064]在本實用新型的其他實施例中，圖4所示電流鏡電路可以不包含固定電阻Rtl，這種情況下，PMOS管M21的漏極直接接NMOS管M20 (即可變電阻)的漏極。[0065]在本實用新型的其他實施例中，圖4所示電流鏡電路中的NMOS管M20也可以由其他可變電阻代替，例如圖6所示的電阻陣列。[0066]由圖4可見，本實施例中的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻調(diào)節(jié)自偏置電阻上的壓降，使自偏置電阻上的壓降盡可能恒定，保證所有PMOS管均工作于飽和區(qū)，避免由于MOS管進入線性區(qū)而導致鏡像電流精度降低，從而使得本實施例的電流鏡電路能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。[0067]當電流鏡電路所需的輸入輸出電流變化范圍繼續(xù)加大時，可以通過加大鏡像電流管的尺寸，使電流鏡電路能夠滿足更寬的輸入輸出電流范圍的應用需求。此時，可以以圖4 所示的電流鏡電路作為基礎(chǔ)電路，加入類似圖3中的那種輔助電流鏡像管。即在圖4所示的電流鏡電路基礎(chǔ)上，加入N組輔助電流鏡像管。圖5為本實用新型實施例中電流鏡電路的再一種結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示，每一組輔助電流鏡像管包括PMOS管M25、PMOS管M26、PMOS 管M27和PMOS管M2go PMOS管M25的漏極接PMOS管M21的漏極，柵極接PMOS管M21的柵極； PMOS管M26的漏極接PMOS管M25的源極，柵極接PMOS管M22的柵極，源極接電源Vdd ； PMOS管M27的柵極接PMOS管M23的柵極，源極接電源Vdd ； PMOS管M28的源極接PMOS管M27的漏極，柵極接PMOS管M24的柵極，漏極接PMOS管Il24的漏極。[0068]圖5中，PMOS管M25、PM0S管M26、PM0S管M27和PMOS管M28必須同時接入圖4所示的電流鏡電路中，以保證左右兩邊MOS管具有相同對數(shù)。在具體應用中，實際需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)N與輸入電流Iin的大小有關(guān)，當輸入電流Iin大時，需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)多，而當輸入電流Iin小時，需要接入的輔助電流鏡像管組數(shù)少。[0069]由圖5可見，本實施例中的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻能夠維持自偏置電阻上的壓降，使之盡可能恒定，從而不會導致MOS管進入線性區(qū)而使鏡像電流精度降低，因此能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。[0070]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電流鏡電路，其特征在于，包括 電流輸入端；偏置端； 電流輸出端；可變電阻，所述可變電阻的第一端接所述電流輸入端，第三端接所述偏置端； 第一 NMOS管，所述第一 NMOS管的漏極接所述可變電阻的第二端； 第二 NMOS管，所述第二 NMOS管的漏極接所述第一 NMOS管的源極，源極接地； 第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第一 NMOS管的漏極，源極接地；第四NMOS管，所述第四NMOS管的柵極接所述第一 NMOS管的柵極和所述可變電阻的第一端，源極接所述第三NMOS管的漏極，漏極接所述電流輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻的第二端和所述第一 NMOS管的漏極之間還串接有固定電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流鏡電路，其特征在于，還包括N組電流鏡像管，其中，N 為自然數(shù)，每一組所述電流鏡像管包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏極接所述第一 NMOS管的漏極，柵極接所述第一 NMOS管的柵極；第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏極接所述第五NMOS管的源極，柵極接所述第二 NMOS管的柵極，源極接地；第七NMOS管，所述第七NMOS管的柵極接所述第三NMOS管的柵極，源極接地； 第八NMOS管，所述第八NMOS管的源極接所述第七NMOS管的漏極，柵極接所述第四 NMOS管的柵極，漏極接所述第四NMOS管的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻為PMOS管，所述 PMOS管的源極為所述可變電阻的第一端，柵極為所述可變電阻的第三端，漏極為所述可變電阻的第二端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻為由η個并聯(lián)支路所組成的電阻，每一個所述并聯(lián)支路包括串聯(lián)的固定電阻和開關(guān)，其中，η為自然數(shù)。
6.一種電流鏡電路，其特征在于，包括 電流輸入端；偏置端； 電流輸出端；可變電阻，所述可變電阻的第一端接所述電流輸入端，第三端接所述偏置端； 第一 PMOS管，所述第一 PMOS管的漏極接所述可變電阻的第二端； 第二 PMOS管，所述第二 PMOS管的漏極接所述第一 PMOS管的源極，源極接電源Vdd ； 第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極接所述第二 PMOS管的柵極和所述第一 PMOS管的漏極，源極接電源Vdd;第四PMOS管，所述第四PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述可變電阻的第一端，源極接所述第三PMOS管的漏極，漏極接所述電流輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻的第二端和所述第一 PNMOS管的漏極之間還串接有固定電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流鏡電路，其特征在于，還包括N組電流鏡像管，其中， N為自然數(shù)，每一組所述電流鏡像管包括第五PMOS管，所述第五PMOS管的漏極接所述第一 PMOS管的漏極，柵極接所述第一 PMOS管的柵極；第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏極接所述第五PMOS管的源極，柵極接所述第二 PMOS管的柵極，源極接電源Vdd ；第七PMOS管，所述第七PMOS管的柵極接所述第三PMOS管的柵極，源極接電源Vdd ；第八PMOS管，所述第八PMOS管的源極接所述第七PMOS管的漏極，柵極接所述第四 PMOS管的柵極，漏極接所述第四PMOS管的漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻為NMOS管，所述 NMOS管的源極為所述可變電阻的第一端，柵極為所述可變電阻的第三端，漏極為所述可變電阻的第二端。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流鏡電路，其特征在于，所述可變電阻為由η個并聯(lián)支路所組成的電阻，每一個所述并聯(lián)支路包括串聯(lián)的固定電阻和開關(guān)，其中，η為自然數(shù)
專利摘要本實用新型涉及一種電流鏡電路。該電流鏡電路包括電流輸入端；偏置端；電流輸出端；可變電阻，可變電阻的第一端接電流輸入端，第三端接偏置端；第一NMOS管，第一NMOS管的漏極接可變電阻的第二端；第二NMOS管，第二NMOS管的漏極接第一NMOS管的源極，源極接地；第三NMOS管，第三NMOS管的柵極接第二NMOS管的柵極和第一NMOS管的漏極，源極接地；第四NMOS管，第四NMOS管的柵極接第一NMOS管的柵極和可變電阻的第一端，源極接第三NMOS管的漏極，漏極接電流輸出端。本實用新型的電流鏡電路，在輸入電流變化時，可以通過可變電阻調(diào)節(jié)自偏置電阻上的壓降，避免由于MOS管進入線性區(qū)而導致鏡像電流精度降低，從而能夠滿足寬輸入輸出電流的應用需求。
文檔編號G05F3/26GK202306379SQ201120427820
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者曾軍 申請人:國民技術(shù)股份有限公司