專利名稱：邊緣反射式表面聲波裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用切向水平式表面聲波的邊緣反射式表面聲波裝置以及邊緣反射式表面聲波濾波器，本發(fā)明尤其涉及一種包含分開的叉指式換能器(IDT)的邊緣反射式表面聲波裝置和邊緣反射式表面聲波濾波器。
近年來，人們對使用切向水平(SH)式表面聲波(諸如Bleustein-Gulyaev-Shimizu(BGS)波或拉夫波)的邊緣反射式表面聲波裝置引起了注意。這種邊緣反射式表面聲波裝置包括設置在表面聲波基片上的IDT，并且在表面聲波基片的兩個相對的邊緣上反射SH式表面聲波。相應地，由于不必沿表面聲波傳播方向?qū)⒎瓷淦髟O置在DIT外面，表面聲波裝置的尺寸可以得到減小。
在第5-291869號日本未審查專利公告中，提供了一種邊緣反射式表面聲波裝置，其中將IDT設置在表面聲波基片上，并將IDT分為多個子IDT部分。在這種裝置中，由于將IDT分開，從而使多個子IDT部分沿表面聲波傳播方向安排，可以增加阻抗和電容。
但是，在第5-291869號日本未審查專利公告中描述的邊緣反射式表面聲波裝置中，當將IDT分為多個子IDT部分時，在頻率特性中可能產(chǎn)生不理想的波動(寄生響應)。由此，需要選擇IDT電極指的對數(shù)，以防止這種波動。
換句話說，由于IDT的電極指的對數(shù)受到限制，很難在不產(chǎn)生不理想波動的情況下得到各種頻率特性。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種使用SH型表面聲波的邊緣反射式表面聲波裝置和邊緣反射式表面聲波濾波器，其中將IDT分為多個子IDT部分，即使是在改變IDT的電極指的對數(shù)以獲得各種頻率特性時也能夠使發(fā)生在頻率特性中的不理想的波動最小化，從而得到極好的諧振特性和濾波器特性。
在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置中，將IDT分為多個子IDT部分，并且使在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的電極指處于相同的電位，從而在這些電極指之間不發(fā)生激勵。當假設IDT沿表面聲波傳播方向的最外面的寬度基本上等于剩下的電極指的寬度時，表面聲波基片的相對的兩個邊緣如此安排，從而相對的兩個邊緣之間的距離不是λ0/2的整數(shù)倍，這是通過在沿表面聲波傳播方向的最外面電極指中心的內(nèi)側位置切割邊緣而實現(xiàn)的。由此，由于分開IDT而得到的IDT的頻譜中(2N-2)模的頻率接近于由相對的兩個邊緣之間的距離確定的模的頻率，結果是有效地使不必要的波動最小化。
由此，通過分開的IDT，可以提供一種邊緣反射式表面聲波裝置，它具有極好的諧振特性，其中阻抗和電容得到增加，但是幾乎不因電極指對數(shù)上的限制而有影響。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置中，提供了一種結構，將IDT分為多個子IDT部分，并將在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的電極指連接到不同的電位，從而在電極指之間產(chǎn)生加倍激勵。當假設切割基片之前，IDT沿表面聲波傳播方向的最外面的寬度等于剩下的電極指的寬度時，如此安排表面聲波基片的相對的兩個邊緣，從而在沿表面聲波傳播方向的最外面電極指的中心的外側位置切割邊緣，從而基片的相對邊緣之間的距離不是λ0/2的整數(shù)倍。結果，由分開IDT得到的IDT的頻譜上的(2N-2)模的頻率接近于由相對的兩個邊緣之間的距離確定的模的頻率，結果，可以有效地使不必要的波動最小化。
由此，通過分開的IDT，可以提供一種邊緣反射式表面聲波裝置，它具有極好的諧振特性，其中阻抗和電容增加了，并且?guī)缀醪灰驗殡姌O指對數(shù)上的限制而有影響。
另外，在每一個根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置中，當邊緣的位置a在大約±0.036λ0的范圍內(nèi)滿足等式(1)時，可以將不必要的波動抑制到大約0.5dB或更低的值，結果，得到更為改進的諧振特性。
另外，當邊緣的位置a在大約0.018λ0滿足等式(1)時，上述波動的大小是大約0.2dB或更低的值，從而達到更為改進的諧振特性。
另外，如果如此安排沿表面聲波傳播方向的最外面電極指，從而最外面電極指延伸到由表面聲波基片的邊緣和上表面確定的邊緣時，可以得到類似的優(yōu)點。
如上所述，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種邊緣反射式表面聲波裝置，其中將具有多個子IDT部分的分開的IDT設置在表面聲波基片上。但是，當制備了多個根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置，并通過耦合多個邊緣反射式表面聲波裝置形成濾波器時，通過分開IDT，可以大大增加阻抗和電容。結果，容易地形成具有不同阻抗和電容的邊緣反射式表面聲波裝置。由此，例如，當構成梯形濾波器時，通過使用根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置產(chǎn)生一種包含串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器的適當結構，結果容易地得到極好的濾波器特性。
可以將根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置用作帶通濾波器。在這種情況下，使不必要的波動最小化，并得到極好的濾波器特性。
為了說明本發(fā)明，在附圖中示出幾種形式，它們是目前已知的較好的，但是，本發(fā)明不限于圖中所示的精確的安排和手段。


圖1A是根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置的平面圖。
圖1B是圖1A所示的邊緣反射式表面聲波裝置的切割了的平面圖。
圖2示出當將邊緣的位置a設置為0μm時(傳統(tǒng)的位置)得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖3示出當將邊緣的位置a設置為大約-1.2μm(-0.023λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖4示出當將邊緣的位置a設置為大約-1.5μm(-0.028λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖5示出當將邊緣的位置a設置為大約-2.0μm(-0.038λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖6示出當將邊緣的位置a設置為大約-2.7μm(-0.051λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖7示出當將邊緣的位置a設置為大約-3.4μm(-0.064λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖8示出當將邊緣的位置a設置為大約-3.9μm(-0.073λ0)時得到的邊緣反射式表面聲波裝置1的插入損耗—頻率特性。
圖9示出一個平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的，具有分為三個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖10示出一個平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的，具有分為四個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖11示出一個平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的，具有分為兩個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖12示出一個平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的，具有分為三個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖13示出一個平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的，具有分為四個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖14示出一個曲線圖，說明在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置中邊緣的位置和諧振頻率之間的關系。
圖15示出一個曲線圖，說明根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置中邊緣的位置和出現(xiàn)波動的位置之間的關系。
圖16示出一個曲線圖，說明具有分開結構的IDT和不具有分開結構的IDT的頻譜。
圖17示出一個平面圖，說明具有不分開的IDT的傳統(tǒng)的邊緣反射式表面聲波裝置。
圖18示出一個曲線圖，說明電極指的對數(shù)與能夠抑制波動的邊緣位置之間的關系。
圖19示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的O激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是9.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖20示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的加倍激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是9.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖21示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的O激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是15.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖22示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的加倍激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是15.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖23示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的O激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是21.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖24示出一個曲線圖，說明當使用分為兩個部分的加倍激勵式IDT，并且電極指的對數(shù)是21.5時得到的邊緣的位置與波動的大小之間的關系。
圖25示出一個曲線圖，說明在本發(fā)明的較佳實施例中的邊緣反射式表面聲波裝置中在反射特性的相位特性中出現(xiàn)的波動的大小和在傳輸特性的插入損耗—頻率特性中出現(xiàn)的波動的大小之間的關系。
圖26示出一個曲線圖，說明在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的，具有分為兩個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置中，當波動的大小在大約0.5dB或更低以及0.2dB或更低的范圍內(nèi)時，得到的邊緣的位置。
圖27示出一個曲線圖，說明在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例具有分為兩個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置中，當波動的大小在大約0.5dB或更低以及0.2dB或更低的范圍內(nèi)時，得到的邊緣的位置。
圖28是一個電路圖，用于說明作為根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的表面聲波濾波器的梯形濾波器。
圖29是平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波濾波器。
下面，參照附圖，詳細解釋本發(fā)明的較佳實施例。
圖1A和1B示出根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置的平面圖和部分放大的平面圖。
根據(jù)這個較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置1最好包括基本上是矩形的表面聲波基片2。表面聲波基片2最好是通過在壓電基片或絕緣基片上層疊壓電薄膜而形成的。壓電基片可以是由石英、LiNbO3、LiTaO3的壓電單晶，或諸如鈦酸鉛鋯陶瓷之類的壓電陶瓷制成。當將壓電薄膜設置在絕緣基片上時，可以將由諸如鋁土之類的絕緣材料制成的基片(確定了絕緣基片)用作該基片，并且ZnO薄膜或Ta2O5薄膜可以用作壓電薄膜。
當通過使用壓電陶瓷材料構成表面聲波基片時，沿基本上平行于IDT的電極指延伸的方向，對表面聲波基片2進行極化處理，這將在下面描述。
另外，當通過將壓電薄膜層壓在絕緣基片上產(chǎn)生表面聲波基片時，可以將IDT設置在壓電薄膜的上表面上或下表面上。
在本較佳實施例中，將IDT3設置在表面聲波基片2的上表面2a上。IDT3最好通過將諸如鋁土之類的金屬膜層壓在表面聲波基片2上，并通過諸如光刻之類的適當方法畫出圖案而形成。
將IDT3分為兩個子IDT部分4和5，它們沿表面聲波的傳播方向串聯(lián)。子IDT部分4最好包括一對梳形電極4a和4b，子IDT部分5最好包括一對梳形電極5a和5b。梳形電極4a具有多個電極指6和6a，梳形電極4b具有多個電極指7和7a。多個電極指6和6a以及多個電極指7和7a安排得相互交叉。
子IDT部分5最好具有和IDT4相同的結構和安排，其中梳形電極5a具有多個電極指8和8a，梳形電極5b具有多個電極指9和9a。
為了不在子IDT部分4和5之間產(chǎn)生激勵，將子IDT部分4的電極指6a和與其非常接近的子IDT部分5的電極指8a連接到母線10。換句話說，如此安排電極指6a和8a，從而把它們連接到相同的電位。
IDT3沿表面聲波傳播方向的最外面的電極指是電極指7a和9a。表面聲波基片2具有一對邊緣2b和2c，它們被設置在基片2的兩個相對端。最外面的電極指7a和9a分別位于邊緣2b和上表面2a，邊緣2c和上表面2a上。
如圖1A所示，通過在梳形電極4b和5b之間施加AC電壓，以激勵SH式表面聲波，驅(qū)動邊緣反射式表面聲波裝置1。作為SH式表面聲波，可以產(chǎn)生例如BGS波、LOve波、Leaky波。要注意，在邊緣反射式表面聲波裝置1中，最好在子IDT部分4和5的串聯(lián)連接的兩端施加AC電壓。這是邊緣反射式表面聲波裝置具有低電容和高阻抗的原因。
由于受到激勵的SH式表面聲波沿基本上垂直于IDT3的電極指的方向傳播，以在邊緣2b和2c之間反射，故可以取出以SH式表面聲波為基礎的諧振特性。
通常，在傳統(tǒng)的邊緣反射式表面聲波裝置中，當受到激勵的SH式表面聲波的波長是λ0時，沿表面聲波傳播方向的最外面的電極指的寬度為λ0/8，剩下的電極指的寬度是λ0/4，而電極指之間的間隙寬度也是λ0/4。由此，在產(chǎn)生表面聲波裝置的過程中，通過切割表面聲波基片，從而在形成寬度相等的電極指之后最外面的電極指寬度為λ0/8，確定一對相對的邊緣。
如在傳統(tǒng)的邊緣反射式SAW裝置中已知的，壓電基片的相對的邊緣之間的距離必須是λ0/2的整數(shù)倍，以產(chǎn)生諧振所需的駐波。
和傳統(tǒng)的結構上的需要相反在本較佳實施例的表面聲波裝置1中，表面聲波基片的相對邊緣與各自IDT的第二最外面電極指之間的距離D設置為一個不同于λ0/2的值，并且不是λ0/2的整數(shù)倍，其中，λ0是水平切向表面聲波的波長。本發(fā)明的較佳實施例的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果現(xiàn)有技術的λ0/2的整數(shù)倍安排與分開的IDT一同使用，在頻率特性中產(chǎn)生不理想的寄生成份。
更具體地說，在本發(fā)明的較佳實施例中，如果我們假設最外面電極指的寬度在切割基片2以確定端部邊緣2a、2c之前基本上等于剩下的電極指的寬度，如此切割基片，從而邊緣2a和2c位于沿表面聲波傳播方向最外面的電極指中心的內(nèi)側。這將參照圖1B描述。在生產(chǎn)表面聲波裝置1的過程中，將IDT3安排在表面聲波基片上，從而IDT3具有寬度相等的電極指。此后，如此切割表面聲波基片以確定邊緣2b和2c，從而邊緣2b和2c按如上所述定位。即，基片2被如此切割，從而邊緣2a、2c之間的距離不是λ0/2的整數(shù)倍。換句話說，當取邊緣2b為例，如圖1B所示時，和其它的電極指6和7的寬度相同的電極指7A(在切割基片之前)確定了最外面的電極指。在這種情況下，沿一點劃線B切割表面聲波基片2，其中點劃線B在點劃線A的內(nèi)側，點劃線A是電極指7A沿表面聲波傳播方向上的中心線。在這種情況下，形成邊緣2b。并按照相同的方法形成邊緣2c。
可以以離開IDT的第二最外面電極指的距離表示邊緣2b和2c的位置。更具體地說，在邊緣反射式表面聲波裝置1中，邊緣2b和第二最外面電極指6a的中心線之間的距離D以及邊緣2c和第二最外面電極指8a的中心線之間的距離設置為小于λ0/2的值。
由于如上所述，在本較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置1中將IDT3分開，以產(chǎn)生兩個子IDT部分3和4，阻抗大大增加，而電容大大減小，這正如在日本未審查專利公告第5-291869號中描述的現(xiàn)有技術的情況。
另外，雖然有可能在日本未審查專利公告第5-291869號中描述的現(xiàn)有技術中，頻率特性中發(fā)生不理想的波動，但是在本發(fā)明的較佳實施例中的邊緣2b和2c按如上所述定位。結果，有效地使頻率特性中出現(xiàn)的不理想波動最小化，并得到極好的諧振特性。其原因?qū)⒁栽敿毜膶嶒灷枋觥?br> 本發(fā)明的發(fā)明人在將IDT分開以提供多個子IDT部分的邊緣反射式表面聲波裝置1中通過改變邊緣2b和2c的位置，測量傳輸特性中的插入損耗—頻率特性。結果在圖2到圖8中示出。在這種情況下，圖2到8所示的特性等效于邊緣反射式表面聲波裝置的特性，其中受到激勵的BGS波的波長λ0為大約53.08μm，IDT3的整個電極指的對數(shù)是21.5，電極指插入的寬度是大約6.0λ0。
通過改變?nèi)鐖D1B所示的點劃線A和B之間的距離，使邊緣2b和2c的位置不同。換句話說，點劃線A等效于沿表面聲波傳播方向的最外面電極指的中心位置，這在最外面電極指的寬度等于剩下的電極指的寬度時得到，如上所述(在切割基片2之前)，并且點劃線B等效于通過切割產(chǎn)生邊緣的位置。因此，位置a表示邊緣2b和2c實際形成的位置，即，離開傳統(tǒng)的邊緣反射式表面聲波裝置的邊緣的距離所定義的邊緣的位置。注意，當邊緣2b或2c位于最外面電極指的假定的中心位置的外側時，a值是正的。
結果，圖2中的特性指出將邊緣的位置a設置為0的情況，如在現(xiàn)有技術中的情況。另外，圖3所示的特性表示邊緣的位置是大約-1.2μm(-0.023λ0)的情況，而圖4中所示的特性表示邊緣的位置是大約-1.5μm(-0.028λ0)的情況。圖5中所示的特性指出邊緣的位置是大約-2.0μm(-0.038λ0)的情況，圖6所示的特性指出邊緣的位置是大約-2.7μm(-0.051λ0)的情況，圖7所示的特性指出邊緣位置a大約為-3.4μm(-0.064λ0)的情況，圖8中的特性指出邊緣位置a為大約-3.9～(-0.073λ)的情況。
如圖2所示，在諧振頻率為大約47.65MHz的邊緣反射式表面聲波裝置中，在大約45.9MHz的頻率附近出現(xiàn)大的波動，由箭頭C表示。相反，在如圖3到8所示的特性中，示出出現(xiàn)在諧振頻率附近的波動C1到C4小了許多。結果，在本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置1中，已經(jīng)確認，當最外面電極指的寬度基本上等于剩下的電極指的寬度時(切割之前)，在沿寬度方向的中心的內(nèi)側位置上切割邊緣2b和2c的位置，從而基片相對端之間的距離不是λ0/2的整數(shù)倍，由此得到極好的諧振特性。
相應地，作為邊緣反射式表面聲波裝置1的替代品，本發(fā)明的較佳實施例的發(fā)明人制作了如圖9到13所示的邊緣反射式表面聲波裝置，其中對IDT分開的數(shù)量以及分開的方式作了各種變化，從而可以檢查邊緣的位置與邊緣反射式表面聲波裝置中的諧振特性之間的關系。
在邊緣反射式表面聲波裝置1中，提供了這樣一種結構，其中設置了兩個子IDT部分4和5，子IDT部分4和5中的非常接近的電極指連接到相同的電位。為了使描述簡單，使用分為兩個部分的O激勵式作為分開邊緣反射式表面聲波裝置1的方法。
在圖9所示的邊緣反射式表面聲波裝置21中，將IDT23設置在表面聲波基片2上。將IDT23分為三個部分，確定三個子IDT部分24到26。另外，將在子IDT部分24和25之間相互非常接近的電極指24a和25a連接到母線27。結果，在電極指24a和25a之間無表面聲波被激勵。類似地，在IDT25和26之間相互非常接近的電極指25b和26a都連接到母線28，從而它們也連接到相同的電位。結果，在電極指25b和26a之間不激勵表面聲波。由此，在邊緣反射式表面聲波裝置21中分開IDT23的方法是分為三個部分的O激勵式。
在如圖10所示的邊緣反射式表面聲波裝置31中，將IDT33分為四個部分，確定四個子IDT部分34到37。類似于上述情況，將在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的電極指連接到相同電位，從而IDT33是分為四個部分的O激勵式。
在如圖11所示的邊緣反射式表面聲波裝置41中，將IDT43設置在表面聲波基片2上。IDT43沿表面聲波傳播方向具有兩個子IDT部分44和45。結果，在表面聲波裝置1的情況下，IDT43是兩部分分開式。但是，將子IDT部分44和45之間相互非常接近的電極指44a和45a連接到不同電位。換句話說，將電極指44a連接到母線46，將電極指45a連接到母線47。如圖所示，安排母線46和47接受AC電壓，以驅(qū)動邊緣反射式表面聲波裝置41。
另外，公共母線48沿著相對于母線46和47的邊緣定位。由此，施加在電極指44a和45a之間的電壓是施加在其它相鄰的電極指之間的電壓的兩倍。這種劃分結構是加倍激勵式。由此，在圖11所示的將邊緣反射式表面聲波裝置41中將IDT43分開的方法是兩部分分開的加倍激勵式。
在圖12所示的邊緣反射式表面聲波裝置51中，將IDT53分為三個部分，以確定多個子IDT部分54到56。類似于在這種情況下，由于將大小是施加在剩下的電極指之間的電壓的兩倍的電壓施加到在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的最外面電極指，所以邊緣反射式表面聲波裝置51具有分開的結構，它是分為三個部分的加倍激勵式。
如圖13所示的邊緣反射式表面聲波裝置61具有分開結構的IDT63，它是分為四個部分的加倍激勵式。換句話說，將IDT63分為四個部分，確定子IDT部分64到67。另外，如在圖11所示的分為兩個部分的加倍激勵式的情況下，大小為施加在剩下的電極指之間的電壓的兩倍的電壓施加到在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的最外面電極指上。
圖11到13中，雖然表面聲波基片2的邊緣2b和2c位于最外面電極指的外側邊緣的外面，但是最外面電極指可以延伸到由兩個邊緣2b和2c以及上表面2a確定的邊緣。
圖14和15示出當邊緣的位置在邊緣反射式表面聲波裝置1中改變時得到的諧振頻率的變化。圖15示出一個圖，指出在出現(xiàn)大的波動的頻率位置中的變化，其中所述波動非常接近于當邊緣的位置變化時得到的諧振頻率。如從圖14和15可見的，在邊緣反射式表面聲波裝置1中，邊緣的位置越朝負的方向偏離，出現(xiàn)波動的諧振頻率和頻率位置越高。這是因為，邊緣的位置越是朝負方向偏離，邊緣2b和2c之間的距離越是短，由此增高了諧振頻率。由此，考慮到諧振頻率的增高，出現(xiàn)在接近諧振頻率的低頻側的波動的位置也朝更高的頻率位置移動。
如上所述，在邊緣反射式表面聲波裝置1中，當將邊緣的位置設置在圖1B所示的點劃線A表示的位置的內(nèi)側時，使接近于諧振頻率的低頻側的大的波動最小化。下面將解釋這個結果的原因。
在具有傳統(tǒng)的不分開IDT的邊緣反射式表面聲波裝置71中(圖17)，在上述諧振頻率附近不出現(xiàn)大的波動。這是因為由表面聲波基片的兩個相對的邊緣之間的距離確定的模不作為波動出現(xiàn)，這是由于非常接近于IDT的頻譜中的主波瓣的衰減極點的頻率位置基本上與由表面聲波基片的兩個相對的邊緣之間的距離確定的模的諧振頻率一致。
圖16示出一個圖，說明當不分開IDT并使用邊緣反射式表面聲波裝置1時，所得到的IDT的頻譜(在每一個情況下都是中心頻率為50HMz和11.5對)。更具體地說，IDT3是分為兩個部分的O激勵式，并使用了如圖9到13所示的每一個邊緣反射式表面聲波裝置。在圖16中，實線D表示不將IDT分開的邊緣反射式表面聲波裝置71的IDT的頻譜。另外，在分為兩個部分的O激勵式的情況下，虛線E表示圖1所示的邊緣反射式表面聲波裝置1的IDT的頻譜。在分為三個部分的O激勵式的情況下，兩點劃線F表示圖9中所示的邊緣反射式表面聲波裝置21的IDT的頻譜。在具有圖10所示分為四個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置31中，三點劃線G表示IDT的頻譜。
虛線H表示分為兩個部分的加倍激勵式的IDT(圖11)的頻譜。點劃線I表示分為三個部分的加倍激勵式的IDT(圖12)的頻譜。另外，虛線J表示分為四個部分的加倍激勵式的IDT63(圖13)的頻譜。
另外，在圖16中，由圓圈K圍繞的部分表示非常接近于主波瓣的低頻側中的主波瓣部分的衰減極點。
如從圖16可見，在O激勵式的IDT中，不論分開的數(shù)量，表示和不分開IDT的情況相反，在非常接近于主波瓣的低頻側上的衰減極點通過分開IDT而朝著高頻側移動。在提供加倍激勵式IDT的情況下，不論分開的數(shù)量，當和不分開的情況相比時，發(fā)現(xiàn)上述衰減極點的位置偏離到低頻側。
換句話說，當將兩個相對的邊緣之間的距離設置得和不分開的情況相等時，由于因分開導致的IDT頻譜中的上述衰減極點的偏移，由兩個相對邊緣之間的距離確定的模的振蕩作為上述波動C出現(xiàn)。
相反，在IDT3是分為兩個部分的O激勵式的邊緣反射式表面聲波裝置1中，當邊緣2b和2c的位置從圖1(a)所示的點劃線A表示的位置朝內(nèi)偏移到由點劃線B表示的位置時，由兩個相對的邊緣之間的距離確定的模的頻率移動到高頻側，由此由兩個相對邊緣之間的距離確定的模的頻率與IDT的頻譜上的衰減極點一致或接近，這導致上述波動C的減小。
當使用具有加倍激勵式分開結構的IDT時，不論分開的數(shù)量，當和不分開IDT的情況相比時，IDT頻譜上的衰減極點移動到低頻側。由此，當如此確定邊緣的位置從而兩個相對邊緣之間的距離變寬時，認為由兩個相對邊緣之間的距離確定的模的諧振頻率與IDT的頻譜上的衰減極點一致或接近，如在上述情況下，由此使上述波動被大大抑制和最小化。
即，如圖1A中所示，當IDT具有加倍激勵式的分開結構時，壓電基片2的相對邊緣之間的距離最好如此確定，從而將從邊緣2b’到第二最外面電極指6a的中心的距離D設置為大于λ0/2的值。按照相同的方法，將其它邊緣(圖中未示)與第二最外面電極指8a的中心之間的距離設置為大于λ0/2的值。
考慮到上述情況，本發(fā)明的較佳實施例的發(fā)明人制作了各種邊緣反射式表面聲波裝置，每一個都具有一個分為兩個部分的O激勵式的IDT、一個分為三個部分的O激勵式的IDT、一個為分為四個部分的O激勵式IDT、以及一個為分為兩個部分的加倍激勵式的IDT，分為三個部分的加倍激勵式IDT，分為四個部分的加倍激勵式IDT，其中邊緣的位置根據(jù)上述對測量諧振特性的考慮而變化。結果，當提供O激勵式IDT時，和不分開IDT的情況相比，邊緣的位置位于內(nèi)側，當提供加倍激勵式IDT時，和不分開IDT的情況相比，相對邊緣的位置位于外側，由此可以肯定能抑制上述波動C。
另外，本發(fā)明的較佳實施例的發(fā)明人對上述波動量怎樣根據(jù)每個邊緣反射式表面聲波裝置中的電極指的對數(shù)而變化作了觀測，其中邊緣反射式表面聲波裝置具有通過上述各種方法分開的IDT。下面將參照圖18到27描述這些結果。
圖18示出一個圖，描述能夠抑制波動C的邊緣的位置和每一個邊緣反射式表面聲波裝置中的電極指對數(shù)之間的關系。在圖18中，實線K表示當使用分為兩個部分的O激勵式、分為三個部分的O激勵式和分為四個部分的O激勵式時得到的結果。換句話說，在O激勵式的分開結構中，不論分開的數(shù)量，電極指的對數(shù)與能夠抑制波動C的邊緣的位置之間的關系是相同的。
相反，當使用加倍激勵式的分開結構時，這種關系根據(jù)分開的數(shù)量而不同。在分為兩個部分的加倍激勵式的情況下，得到由虛線L表示的結果。在分為三個部分的加倍激勵式的情況下，得到由虛線M表示的結果，在分為四個部分的加倍激勵式的情況下，得到由虛線N表示的結果。
但是，發(fā)現(xiàn)在加倍激勵式的情況下，不論分開的數(shù)量，當電極指的數(shù)量增加時，與不分開的情況相比，能夠抑制波動的邊緣的位置相互更為接近。換句話說，當電極指的對數(shù)減小時，發(fā)現(xiàn)邊緣的位置比不分開的情況下更需要朝外。
相反，在O激勵式的情況下，發(fā)現(xiàn)當電極指的對數(shù)減小時，不論分開的數(shù)量，邊緣2b和2c的位置都需要更為朝內(nèi)一些。
圖18中可以抑制波動的位置是由圖19到24的結果得到的位置。換句話說，圖19示出一個曲線圖，說明在分成兩個部分的O激勵式邊緣反射式表面聲波裝置1中，在將電極指的對數(shù)設置為9.5的情況中，邊緣的位置和波動的大小之間的關系。在這種情況下，發(fā)現(xiàn)當邊緣的位置在-0.03λ附近時，波動最小。換句話說，對于圖18所示的實線K，為了有效地抑制電極指的對數(shù)為9.5的區(qū)域附近的波動，根據(jù)圖19，發(fā)現(xiàn)需要將邊緣的位置設置在-0.03λ附近。
另外，圖20示出一個曲線圖，說明在分為兩個部分的加倍激勵式邊緣反射式表面聲波裝置1中，在將電極指的對數(shù)設置為9.5的情況下，邊緣的位置和波動大小之間的關系。根據(jù)圖20，發(fā)現(xiàn)通過將邊緣的位置設置在接近于0.03λ0附近可以有效地抑制波動。
另外，圖21示出在具有分為兩個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置1中，將電極指的對數(shù)設置為15.5的情況下的結果，圖22示出在具有分為兩個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置41中，在將電極指的對數(shù)設置為15.5的情況下的結果。另外，圖23示出在具有分為兩個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置1中，將電極指的對數(shù)設置為21.5的情況下的結果，而圖24示出在具有分為兩個部分的加倍激勵式的IDT的邊緣反射式表面聲波裝置41中，將電極指的對數(shù)設置為21.5的情況下的結果。
雖然波動的大小由圖19到24中的反射特性中的相位頻率特性顯示，但是如圖25所示，在出現(xiàn)在相位頻率特性中的波動的大小和出現(xiàn)在傳輸特性中的插入損耗—頻率特性中的波動的大小之間具有相關性。
由此，如上所述，發(fā)現(xiàn)同樣可以通過能夠抑制出現(xiàn)在相位頻率特性中的波動的邊緣位置，來抑制如圖2所示的插入損耗—頻率特性中的波動C。
另外，本發(fā)明的較佳實施例的發(fā)明人在基于圖18所示的結果的插入損耗一頻率特性中獲得一個波動大小大約為0.5dB或更低的范圍，還得到一個波動C的大小是0.2dB或更低的范圍。這個結果示于圖26和27中。
圖26示出一個曲線圖，說明在具有分為兩個部分的O激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置1中，當電極指的對數(shù)改變時，為得到在大約0.5dB或更低以及0.2dB或更低范圍的波動C大小的邊緣位置。
換句話說，在圖26中，當如此確定邊緣位置，從而邊緣在虛線O和P之間的區(qū)域中時，波動C的大小可以設置為大約0.5dB或更低，而當邊緣位于虛線Q和R之間的區(qū)域時，波動的大小可以設置為大約0.2dB或者更低。
由此，在具有分為兩個部分的O激勵式的IDT的邊緣反射式表面聲波裝置的情況下，發(fā)現(xiàn)較好地將圖26所示的虛線O和P之間的位置用作邊緣位置，更好地，將虛線Q和R之間的位置用作邊緣位置，可以有效地抑制上述波動。
雖然圖26描述了IDT是分為兩個部分的O激勵式的情況，但是在分為三個部分的O激勵式和分為四個部分的O激勵式的IDT的情況下也可得到相同的結果。
圖26中的虛線O和P包含的范圍和虛線Q和R包含的范圍可以根據(jù)下面的等式(1)描述。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>換句話說，當使用三角形功能模型時用下述等(2)得到不分開的IDT的頻譜S(f)。S(f)=∫A(t)e-jwtdt=Σi=12NA(i)e-j(2πf×i2f0)]]>=Σi=12N(A(i){cos(iπff0)-jsin(iπff0)})]]>在這種情況下，f0等于V/λ0，v是基片的聲速，λ0是由IDT確定的波長，A(i)等于cos(iπ)，N是電極指的對數(shù)。
由于基片相對的兩個邊緣之間的距離而出現(xiàn)的2N模的頻率由下面的等式(3)確定。f2Nvλ2N=v(LN)=vNL…(3)]]>在等式(3)中，λ2N等于2N模的波長，L是相對的兩個邊緣之間的距離。
由此，作為波動的2N-2模的頻率通過下面的等式(4)得到，并且它與沒有分開的IDT的光譜的衰減極點的頻率fp相一致。f2N-2vλ2N-2=vLN-1=v(N-1)N=f0(N-1)N=f0-f0N…(4)]]>但是，當將IDT分開時，等式(2)中的A(i)不等于cos(iπ)。結果，IDT的頻譜變化。由此，如上所述，2N-2模的頻率和衰減極點的頻率fp不一致，并作為波動而出現(xiàn)。為了抑制該波動，如上所述，認為相對的兩個邊緣之間的距離需要改變，以使(2N-2)模的頻率與衰減極點的頻率fp相一致。當上述基片邊緣偏移的量，換句話說，即點劃線A和B之間的距離(圖1(b)所示)設置為a時，基片的邊緣之間的距離由公式L+2a表示。
由此，在等式(4)中，當用L+2a替代L，并且f2N-2等于fp時，對公式(4)求解而得到a的值，如下。a=v(N-1)2fp-L′2=λ0f0(N-1)2fp-λ0N2…(5)]]>
由此，當?shù)仁?5)中得到的結果由IDT的波長λ0標準化時，得到下面的等式(1)。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>在等式(1)中，由IDT的對數(shù)N和函數(shù)f0/Pp得到邊緣位置的變化量。
在等式(2)中，IDT的頻譜S(f)是f的函數(shù)，同時它是f/f0的函數(shù)。換句話說，當分開IDT的方法和電極指的對數(shù)固定時，IDT的頻譜的頻率軸由f0標準化，從而把作為f0與fp之比值的f0/fp值固定下來。由此，發(fā)現(xiàn)當電極指的對數(shù)固定時，等式(1)的解是固定值。
由此顯示，當邊緣之間的距離由等式(1)得到的值改變時，換言之，當改變了上述的邊緣位置a時，就有效地抑制了(2N-2)模的波動。
由于圖26所示的實線W滿足等式(1)，所在在圖26中發(fā)現(xiàn)，較好地，在由等式(1)指出的值的±0.036λ0的范圍內(nèi)，可以將大于主波瓣的低頻側上出現(xiàn)的波動設置在大約0.5dB或更低。另外，發(fā)現(xiàn)更好地，在由等式(1)表示的值的±0.018λ0的范圍內(nèi)，波動的大小可以設置為大約0.2dB或更低，由此得到更加出色的諧振特性。
即，較好地，將邊緣位置a設置得滿足不等式(6)，更好地，將邊緣位置a設置得滿足不等式(7)。f0(N-1)2fp-N2-0.036<aλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.036…(6)]]>f0(N-1)2fp-N2-0.018<aλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.018…(7)]]>這些不等式可以以距離D的形式表達為不等式(8)和(9)，其中距離D是離開第二個最外面電極指6a或8a的中心線的距離。f0(N-1)2fp-N2+0.464<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.536…(8)]]>f0(N-1)2fp-N2+0.482<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.518…(9)]]>圖27示出在具有分為兩個部分的加倍激勵式IDT的邊緣反射式表面聲波裝置中，電極指的對數(shù)和能夠抑制波動的邊緣位置之間的關系。虛線S和T之間的范圍是波動大小為0.5dB或更低的區(qū)域，虛線U和V之間的范圍是波動大小為0.2dB或者更低的區(qū)域。在這種情況下，類似地，由于實線X滿足等式(1)，如在O激勵式的IDT的情況下，當邊緣位置如此確定，從而它們在±0.036λ0范圍內(nèi)(等式(1)的值)，更好地，在±0.018λ0范圍內(nèi)滿足(等式(1)的值)時，可以得到滿意的諧振特性。
雖然滿足等式(1)的值依賴于分開的數(shù)量，但是在形成分為三個部分的加倍激勵式和分為四個部分的加倍激勵式IDT的過程中，類似地，以滿足等式1的值為中心，當將邊緣位置設置在±0.036λ0的范圍內(nèi)，更好地，在±0.018λ0的范圍內(nèi)作為滿足等式1的值時，可以得到更為出色的諧振特性。
另外，根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置不但可以應用于上述表面聲波諧振器，還可以應用于表面聲波濾波器。
例如，當構成由圖28中的電路圖所示的梯形濾波器時，可以使用根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置確定串聯(lián)臂諧振器S1到S3以及并聯(lián)臂諧振器P1到P3。在這種情況下，必須使串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器之間的電容不同。根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，可以使IDT的分開的數(shù)量不同，而方便地實現(xiàn)電容的不同。
另外，作為根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的邊緣反射式表面聲波裝置，可以將多個邊緣反射式表面聲波諧振器設置在一個表面聲波基片上，以通過縱向耦合或橫向耦合多個邊緣反射式表面聲波諧振器確定表面聲波濾波器。圖29示出一例這樣的表面聲波濾波器。
在如圖29所示的邊緣反射式表面聲波濾波器81中，將邊緣反射式表面聲波諧振器83和84設置在表面聲波基片82上。將邊緣反射式表面聲波諧振器83和84沿大致上垂直于表面聲波傳播方向的方向安排成互相靠近，由此確定橫向耦合的邊緣反射式表面聲波濾波器。
在邊緣反射式表面聲波濾波器81中，類似地，根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，通過確定相對的兩個邊緣82b和82c的位置，可以得到滿意的特性，并具有更低的波動。
另外，在上述較佳實施例中，雖然只示出了均勻分開IDT的例子，但是對于本發(fā)明來說不是唯一的應用。每個分開的子IDT部分的對數(shù)可以不同。
雖然已經(jīng)解釋了本發(fā)明的較佳實施例，實現(xiàn)這里所揭示的原理的各種模式都在下面的權利要求的范圍內(nèi)。因此，應該知道本發(fā)明的范圍僅僅由權利要求限定。
權利要求
1.一種邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于包含具有一對相對的邊緣的表面聲波基片；及至少一個叉指式換能器設置在表面聲波基片上，并安排得產(chǎn)生切向水平式表面聲波，從而切向水平式表面聲波在一對相對的邊緣之間反射；其中，叉指式換能器包括電極指，并沿表面聲波傳播方向分為多個子IDT部分，在相鄰的子IDT部分之間相互非?？拷碾姌O指的電位相同，以便不在相鄰的子IDT部分之間激勵；及其中，相對的邊緣對通過切割表面來確定，并且當假設最外面電極指沿叉指式換能器的表面聲波傳播方向的寬度等于剩下的電極指的寬度時，相對的邊緣對由切割表面確定，所述切割表面位于表面聲波傳播方向中最外面電極指的中心內(nèi)側。
2.一種邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于包含具有一對相對邊緣的表面聲波基片；及至少一個叉指式換能器，設置在表面聲波基片上，并安排得產(chǎn)生切向水平式表面聲波，所述表面聲波在一對相對的邊緣之間反射，其中，叉指式換能器包含電極指，并沿表面聲波傳播方向分為多個子IDT部分，將相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的電極指連接到不同的電位，以便在相鄰的子IDT部分之間激勵；及其中，由切割表面確定一對相對的邊緣，當假設最外面的電極指沿叉指式換能器的表面聲波傳播方向的寬度等于剩下的電極指的寬度時，這對相對的邊緣由切割表面確定，所述切割表面位于沿表面聲波傳播方向的最外面電極指的中心的外側。
3.如權利要求1所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于，當將切割表面的位置a設置為a，其中所述切割表面根據(jù)最外面電極指的中心位置沿表面聲波傳播方向確定了一對相對的邊緣，將通過IDT的頻譜得到的中心頻率和它的波長分別設置為f0和λ0，將IDT頻譜中的衰減極點的位置a設置為fp，并將叉指式換能器所有的電極指的對數(shù)設置為N時，邊緣位置a在大約±0.036λ0的范圍內(nèi)，它是滿足下面等式(1)的值。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>
4.如權利要求3所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于邊緣位置a在大約±0.018λ0的范圍內(nèi)，它是滿足下面等式(1)的值。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>
5.如權利要求4所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于將一對相對邊緣的位置設置a為滿足等式(1)的值。
6.如權利要求1所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于如此安排沿表面聲波傳播方向的最外面電極指，從而電極指延伸到由表面聲波基片的邊緣和上表面確定的邊緣。
7.一種邊緣反射式表面聲波濾波器，其特征在于包含多個如權利要求1所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其中多個邊緣反射式表面聲波裝置相互耦合確定濾波器。
8.如權利要求7所述的邊緣反射式表面聲波濾波器，其特征在于濾波器是帶通濾波器。
9.如權利要求2所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于當將切割表面的位置a設置為a，其中所述切割表面根據(jù)沿著表面聲波傳播方向的最外面電極指的中心位置確定了一對相對的邊緣，將SH型表面聲波的波長設置為λ0，將由IDT的頻譜得到的中心頻率設置為f0，將IDT頻譜中的衰減極點的位置a設置為fp，并將叉指式換能器的所有電極指的對數(shù)設置為N時，相對邊緣對的位置a在大約±0.036λ0的范圍內(nèi)，這是滿足下面等式(1)的值。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>
10.如權利要求9所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于相對邊緣對的位置a在大約±0.018λ0的范圍內(nèi)，這是滿足下面等式(1)的值。aλ0=f0(N-1)2fp-N2…(1)]]>
11.如權利要求10所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于相對邊緣對的位置a設置為滿足等式(1)的值。
12.如權利要求2所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于如此安排沿表面聲波傳播方向的最外面電極指，從而電極指延伸到由表面聲波基片的邊緣和上表面確定的邊緣。
13.一種邊緣反射式表面聲波濾波器，其特征在于含有多個如權利要求2所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其中使多個邊緣反射式表面聲波裝置相互耦合以確定濾波器。
14.如權利要求13所述的邊緣反射式表面聲波濾波器，其特征在于濾波器是帶通濾波器。
15.一種邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于包含具有一對相對邊緣的表面聲波基片；及至少一個叉指式換能器(IDT)，具有多個電極指，并安排在表面聲波基片上，從而由IDT激勵的切向水平表面聲波沿大致上垂直于表面聲波基片的相對邊緣對的方向傳播并由邊緣反射，將叉指式換能器分為多個子IDT部分，它們串聯(lián)，并沿大致上垂直于一對相對邊緣的方向安排，其中，將表面聲波基片相對邊緣與IDT的各個第二最外面電極指之間的距離D設置成不同于λ0/2的值，其中λ0是切向水平表面聲波的波長。
16.如權利要求15所述邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于在相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的電極指相互電氣連接，并將距離D設置成小于λ0/2的值。
17.如權利要求15所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于距離D滿足下面的不等式f0(N-1)2fp-N2+0.464<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.536]]>其中，分別將由IDT的頻譜得到的中心頻率及其波長設置為f0和λ0，將IDT頻譜中的衰減極點的位置a設置為fp，將叉指式換能器的所有電極指的對數(shù)設置為N。
18.如權利要求17所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于距離D滿足下面的不等式f0(N-1)2fp-N2+0.482<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.518]]>
19.如權利要求16所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于距離D滿足下面的不等式f0(N-1)2fp-N2+0.464<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.536]]>其中，分別將由IDT的頻譜得到的中心頻率及其波長設置為f0和λ0，將IDT頻譜中的衰減極點的位置a設置為fp，將叉指式換能器的所有電極指的對數(shù)設置為N。
20.如權利要求19所述的邊緣反射式表面聲波裝置，其特征在于距離D滿足下面的不等式。f0(N-1)2fp-N2+0.482<Dλ0<f0(N-1)2fp-N2+0.518]]>
全文摘要
本發(fā)明提供了一種邊緣反射式表面聲波裝置,它包括表面聲波基片,該基片具有一對相對的邊緣,還包括至少一個位于表面聲波基片上的叉指式換能器。通過叉指式換能器產(chǎn)生切向水平式表面聲波,并在相對的邊緣對之間反射。沿表面聲波傳播方向,將叉指式換能器分為多個子IDT部分。使相鄰的子IDT部分之間相互非常接近的叉指式換能器的電極指處于同一電位,從而在相鄰的子IDT部分之間不激勵。另外,當假設在切割基片之前,最外面電極指沿叉指式換能器的表面聲波傳播方向的寬度等于剩下的電極指的寬度時,如此安排邊緣,從而在沿著表面聲波傳播方向的最外面電極指的中心的內(nèi)側位置切割邊緣,從而基片相對邊緣之間的距離不是λ
文檔編號H03H9/25GK1264220SQ0010236
公開日2000年8月23日 申請日期2000年2月18日 優(yōu)先權日1999年2月18日
發(fā)明者門田道雄, 吾鄉(xiāng)純也, 堀內(nèi)秀哉, 池浦守 申請人:株式會社村田制作所