一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路，包括充電母座P1、電阻R1、MOS管Q1、MOS管Q2、正輸出接口VCHG、負(fù)輸出接口GND、MOS管Q3、MOS管Q4、電阻R2及充電母座P2。本實(shí)用新型是一種低電壓、高效率、可正反接的充電處理電路，解決了便攜設(shè)備在充電接口方面需要方向防呆和接口體積過(guò)大的問(wèn)題，滿足便攜設(shè)備在充電接口的優(yōu)化，可以減少充電接口的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本，減少便攜設(shè)備損毀風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)，可以方便老人家和小孩的使用。本實(shí)用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性價(jià)比高，導(dǎo)通內(nèi)阻可達(dá)毫歐數(shù)量級(jí)，無(wú)大電流整流產(chǎn)生的壓降引起的發(fā)熱和功率損失問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及便攜設(shè)備智能充電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)上大部分便攜設(shè)備如手機(jī)、平板等充電電流方向上都是單一性的，以至于充電接口的使用必須要具有方向性，插反了會(huì)損壞設(shè)備或外觀，不便于一些老花眼的老人或者小孩使用。如果采用蘋(píng)果數(shù)據(jù)接口的那種對(duì)稱設(shè)計(jì)的話，會(huì)增加相應(yīng)的充電線路，造成相應(yīng)的接口體積和成本增加。而使用整流橋的話，又會(huì)增加相應(yīng)的體積和功耗。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于通過(guò)一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路，來(lái)解決以上【背景技術(shù)】部分提到的問(wèn)題。
[0004]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]—種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路，其包括充電母座Pl、電阻Rl、M0S管Ql、MOS管Q2、正輸出接口 VCHG、負(fù)輸出接口 GND、M0S管Q3、M0S管Q4、電阻R2及充電母座P2;所述充電母座Pl連接電阻Rl的一端、MOS管Ql漏極、MOS管Q2源極、MOS管Q3柵極、MOS管Q4柵極，電阻Rl的另一端與MOS管Ql源極、正輸出接口 VCHG、M0S管Q3源極連接，MOS管Q2漏極連接負(fù)輸出接口 GND、M0S管Q4漏極、電阻R2的一端，電阻R2的另一端與MOS管Ql柵極、MOS管Q2柵極、MOS管Q3漏極、MOS管Q4源極、充電母座P2連接。
[0006]特別地，所述MOS管Q1、M0S管Q3均選用P溝道MOS管，MOS管Q2、M0S管Q4均選用N溝道MOS管。
[0007]本實(shí)用新型提出的用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路是一種低電壓、高效率、可正反接的充電處理電路，解決了便攜設(shè)備在充電接口方面需要方向防呆和接口體積過(guò)大的問(wèn)題，滿足便攜設(shè)備在充電接口的優(yōu)化，可以減少充電接口的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本，減少便攜設(shè)備損毀風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)，可以方便老人家和小孩的使用。本實(shí)用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性價(jià)比高，導(dǎo)通內(nèi)阻可達(dá)毫歐數(shù)量級(jí)，無(wú)大電流整流產(chǎn)生的壓降引起的發(fā)熱和功率損失問(wèn)題，MOS管損失電壓是毫伏級(jí)，損失功率也是毫伏安級(jí)，而傳統(tǒng)橋式整流采用壓降0.5v的二極管，損失的電壓lv，損失功率1VA，并會(huì)帶來(lái)發(fā)熱問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容理解的更加透徹全面。需要說(shuō)明的是，當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0010]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路結(jié)構(gòu)圖。
[0011]本實(shí)施例中用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路具體包括充電母座P1、電阻RUMOS管Ql、M0S管Q2、正輸出接口 VCHG、負(fù)輸出接口 GND、M0S管Q3、M0S管Q4、電阻R2及充電母座P2。所述充電母座Pl連接電阻Rl的一端、MOS管Ql漏極、MOS管Q2源極、MOS管Q3柵極、MOS管Q4柵極，電阻Rl的另一端與MOS管Ql源極、正輸出接口 VCHG、M0S管Q3源極連接，MOS管Q2漏極連接負(fù)輸出接口 GND、M0S管Q4漏極、電阻R2的一端，電阻R2的另一端與MOS管Ql柵極、MOS管Q2柵極、MOS管Q3漏極、MOS管Q4源極、充電母座P2連接。
[0012]在本實(shí)施例中所述MOS管Q1、M0S管Q3均選用P溝道MOS管，MOS管Q2、M0S管Q4均選用
N溝道MOS管。
[0013]下面對(duì)本實(shí)用新型的工作原理扼要說(shuō)明如下:當(dāng)接口正方向插入充電母座(Pl，P2)時(shí)，充電母座Pl端AC_L為正，充電母座P2端AC_N為負(fù)，此時(shí)，根據(jù)MOS管開(kāi)關(guān)特性，MOS管Q3和MOS管Q2同時(shí)關(guān)閉，MOS管Ql和MOS管Q4同時(shí)打開(kāi)，這時(shí)電流流向?yàn)?ACJ^MOS管Q1—正輸出接口 VCHG—負(fù)載—負(fù)輸出接口 GND—M0S管Q4—AC_N;同樣的，當(dāng)接口為負(fù)方向接入時(shí)，AC_L為負(fù)，AC_N為正，此時(shí)，根據(jù)MOS管開(kāi)關(guān)特性，MOS管Q3和MOS管Q2同時(shí)打開(kāi)，MOS管Ql和MOS管Q4同時(shí)關(guān)閉，這時(shí)電流流向?yàn)?AC_N—M0S管Q3—正輸出接口 VCHG—負(fù)載—負(fù)輸出接口 GND—M0S管Q2—AC_L ；經(jīng)過(guò)本實(shí)用新型調(diào)整后，正反充電接口插入時(shí)，就會(huì)在VCHG和GND之間形成兩個(gè)正向的半周給到充電1C，以達(dá)到外部接口可以任意方向插入。
[0014]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種低電壓、高效率、可正反接的充電處理電路，解決了便攜設(shè)備在充電接口方面需要方向防呆和接口體積過(guò)大的問(wèn)題，滿足便攜設(shè)備在充電接口的優(yōu)化，可以減少充電接口的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本，減少便攜設(shè)備損毀風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)，可以方便老人家和小孩的使用。本實(shí)用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性價(jià)比高，導(dǎo)通內(nèi)阻可達(dá)毫歐數(shù)量級(jí)，無(wú)大電流整流產(chǎn)生的壓降引起的發(fā)熱和功率損失問(wèn)題，MOS管損失電壓是毫伏級(jí)，損失功率也是毫伏安級(jí)，而傳統(tǒng)橋式整流采用壓降0.5v的二極管，損失的電壓IV，損失功率IVA，并會(huì)帶來(lái)發(fā)熱問(wèn)題。
[0015]注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路，其特征在于，包括充電母座P1、電阻Rl、MOS管Ql、MOS管Q2、正輸出接口 VCHG、負(fù)輸出接口 GND、MOS管Q3、MOS管Q4、電阻R2及充電母座P2 ；所述充電母座Pl連接電阻Rl的一端、MOS管Ql漏極、MOS管Q2源極、MOS管Q3柵極、MOS管Q4柵極，電阻Rl的另一端與MOS管Ql源極、正輸出接口 VCHG、M0S管Q3源極連接，MOS管Q2漏極連接負(fù)輸出接口 GND、M0S管Q4漏極、電阻R2的一端，電阻R2的另一端與MOS管Ql柵極、MOS管Q2柵極、MOS管Q3漏極、MOS管Q4源極、充電母座P2連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于便攜設(shè)備的充電接口處理電路，其特征在于，所述MOS管.01、]?03管03均選用？溝道祖)3管，]\?)3管02、]\?)3管04均選用咐勾道祖)3管。
【文檔編號(hào)】H02J7/00GK205595821SQ201620161557
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年3月2日
【發(fā)明人】孟令志
【申請(qǐng)人】無(wú)錫久源軟件科技有限公司