本發(fā)明涉及高壓集成電路，具體涉及一種欠壓保護(hù)的高壓集成電路。

背景技術(shù)：

1、隨著工業(yè)迅速發(fā)展，ipm智能功率模塊廣泛被應(yīng)用各領(lǐng)域，特別在白色家電領(lǐng)域中，隨著家用產(chǎn)品的智能化、小型化，高可靠性，全安性功能，難以適應(yīng)發(fā)展需求。傳統(tǒng)型的ipm智能功率模塊內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)ic芯片，基本穩(wěn)定性，各種功能要求更加完善和穩(wěn)定性，在允許溫度環(huán)境下保持穩(wěn)定工作性能，以適用于各種應(yīng)用場(chǎng)合。

2、驅(qū)動(dòng)ic芯片是一種高壓集成電路，即hvic，是一種把mcu信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)igbt或mos信號(hào)的集成電路產(chǎn)品。hvic把pmos管、nmos管、三極管、二極管、穩(wěn)壓管、電阻、電容集成在一起，形成斯密特、低壓levelshift、高壓levelshift、脈沖發(fā)生電路、延時(shí)電路、濾波電路、過(guò)電流保護(hù)電路和過(guò)熱保護(hù)電路、自舉電路等電路。hvic一方面接收mcu的控制信號(hào)，驅(qū)動(dòng)后續(xù)igbt或mos工作，另一方面將系統(tǒng)的狀態(tài)檢測(cè)信號(hào)送回mcu。

3、然而，傳統(tǒng)的高壓集成電路中，其欠壓保護(hù)的功能單一，使得驅(qū)動(dòng)ic芯片的穩(wěn)定性和可靠性差，應(yīng)用范圍小，產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種欠壓保護(hù)的高壓集成電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的高壓集成電路的驅(qū)動(dòng)ic芯片的穩(wěn)定性和可靠性差，應(yīng)用范圍小，產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差的問(wèn)題。

2、本發(fā)明實(shí)施例提供一種欠壓保護(hù)的高壓集成電路，包括：rc濾波電路、多個(gè)施密特電路、多個(gè)濾波器、多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路、溫度保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路、故障邏輯控制電路、故障輸出電路、自舉電路、死區(qū)互鎖電路、延時(shí)電路、脈沖電路、第一高壓dmos、第二高壓dmos、rs觸發(fā)器、輸出電路以及與門(mén)；

3、所述rc濾波電路的輸入端用于分別連接hin驅(qū)動(dòng)信號(hào)和lin驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述rc濾波電路的輸出端依次經(jīng)過(guò)所述多個(gè)施密特電路、所述多個(gè)濾波器、所述多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路及所述死區(qū)互鎖電路，所述死區(qū)互鎖電路的輸出端分別連接脈沖電路的輸入端和所述延時(shí)電路的輸入端，所述脈沖電路的輸出端分別連接所述第一高壓dmos的柵極和所述第二高壓dmos的柵極，所述第一高壓dmos的源極連接所述第二高壓dmos的源極并接地，所述第一高壓dmos的漏極和所述第二高壓dmos的漏極連接并連接至所述rs觸發(fā)器的輸入端，所述rs觸發(fā)器的輸出端連接所述輸出電路；所述延時(shí)電路的輸出端連接所述與門(mén)的輸入端，所述與門(mén)的輸出端連接所述輸出電路；所述欠壓保護(hù)電路的輸入端用于連接供電電壓，所述欠壓保護(hù)電路的輸出端連接所述故障邏輯控制電路的輸入端，所述故障邏輯控制電路的輸出端分別連接所述與門(mén)的輸入端和所述脈沖電路的輸入端；所述欠壓保護(hù)電路的輸入端還連接所述自舉電路的輸入端，所述自舉電路的輸出端連接所述第一高壓dmos的漏極；所述溫度保護(hù)電路的輸入端和所述過(guò)流保護(hù)電路的輸入端分別連接所述多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端，所述溫度保護(hù)電路的輸出端和所述過(guò)流保護(hù)電路的輸出端分別連接所述故障邏輯控制電路的輸入端；所述故障輸出電路的輸入端用于連接fo端口，所述故障輸出電路的輸出端連接所述故障邏輯控制電路的輸入端，用于輸出故障信號(hào)；

4、所述欠壓保護(hù)電路包括穩(wěn)壓電路、電源電壓檢測(cè)電路、比較器以及第一nmos管；所述穩(wěn)壓電路的輸入端作為所述欠壓保護(hù)電路的輸入端連接所述供電電壓，所述穩(wěn)壓電路的輸出端分別連接所述電源電壓檢測(cè)電路的輸入端和所述比較器的負(fù)輸入端，所述電源電壓檢測(cè)電路的輸出端分別連接所述比較器的正輸入端和所述第一nmos管的漏極和源極，所述第一nmos管的柵極與所述比較器的輸出端連接，且所述比較器的輸出端作為所述欠壓保護(hù)電路的輸出端。

5、優(yōu)選的，所述穩(wěn)壓電路包括第一mos管、第二mos管、第一電阻、第二電阻以及穩(wěn)壓二極管；

6、所述第一mos管的漏極連接所述第二mos管的漏極，所述第一mos管的漏極作為所述穩(wěn)壓電路的輸入端，所述第二mos管的漏極作為所述穩(wěn)壓電路的第一輸出端連接至所述電源電壓檢測(cè)電路的輸入端；所述第一mos管的柵極連接所述第二mos管的柵極，所述第一mos管的源極連接所述第一mos管的柵極，所述第一mos管的源極還連接所述第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端連接所述第二電阻的第一端，所述第二mos管的源極連接所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極，所述第二mos管的源極還作為所述穩(wěn)壓電路的第二輸出端連接至所述比較器的負(fù)輸入端，所述穩(wěn)壓二極管的正極連接所述第二電阻的第二端并接地。

7、優(yōu)選的，所述電源電壓檢測(cè)電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻及第八電阻；

8、所述第三電阻的第一端作為所述電源電壓檢測(cè)電路的輸入端，所述第三電阻的第二端連接所述第四電阻的第一端，所述第四電阻的第二端作為所述電源電壓檢測(cè)電路的第一輸出端連接所述比較器的正輸入端；所述第四電阻的第二端還連接所述第五電阻的第一端，所述第五電阻的第二端連接所述第六電阻的第一端，所述第六電阻的第二端作為所述電源電壓檢測(cè)電路的第二輸出端連接至所述第一nmos管的漏極；所述第六電阻的第二端連接所述第七電阻的第一端，所述第七電阻的第二端連接所述第八電阻的第一端，所述第八電阻的第二端分別連接所述第一nmos管的源極、所述穩(wěn)壓二極管的正極及所述第二電阻的第二端并接地。

9、優(yōu)選的，所述穩(wěn)壓二極管的齊納二極管。

10、優(yōu)選的，所述故障輸出電路為第三mos管，所述第三mos管的漏極作為所述故障輸出電路的輸入端，所述第三mos管的源極接地，所述第三mos管的柵極作為所述故障輸出電路的輸出端。

11、優(yōu)選的，所述第一電阻為正溫度系數(shù)的n-well電阻，所述第二電阻為負(fù)溫度系數(shù)高阻的poly電阻。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于，通過(guò)將rc濾波電路、多個(gè)施密特電路、多個(gè)濾波器、多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路、溫度保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路、故障邏輯控制電路、故障輸出電路、自舉電路、死區(qū)互鎖電路、延時(shí)電路、脈沖電路、第一高壓dmos、第二高壓dmos、rs觸發(fā)器、輸出電路以及與門(mén)相互電連接，所述穩(wěn)壓電路的輸入端作為所述欠壓保護(hù)電路的輸入端連接所述供電電壓，所述穩(wěn)壓電路的輸出端分別連接所述電源電壓檢測(cè)電路的輸入端和所述比較器的負(fù)輸入端，所述電源電壓檢測(cè)電路的輸出端分別連接所述比較器的正輸入端和所述第一nmos管的漏極和源極，所述第一nmos管的柵極與所述比較器的輸出端連接，且所述比較器的輸出端作為所述欠壓保護(hù)電路的輸出端。利用穩(wěn)壓電路實(shí)現(xiàn)低溫浮高精度欠壓保護(hù)電路的hvic，提高h(yuǎn)ivc在溫度變化比較大應(yīng)用場(chǎng)合工作的穩(wěn)定性和可靠性，減小溫度變化引起的一個(gè)誤保護(hù)，使驅(qū)動(dòng)ic適用于更多的應(yīng)用場(chǎng)合，具有更高的穩(wěn)定性和可靠性，提高產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)特征：

1.一種欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，包括：rc濾波電路、多個(gè)施密特電路、多個(gè)濾波器、多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路、溫度保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路、故障邏輯控制電路、故障輸出電路、自舉電路、死區(qū)互鎖電路、延時(shí)電路、脈沖電路、第一高壓dmos、第二高壓dmos、rs觸發(fā)器、輸出電路以及與門(mén)；

2.如權(quán)利要求1所述的欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓電路包括第一mos管、第二mos管、第一電阻、第二電阻以及穩(wěn)壓二極管；

3.如權(quán)利要求2所述的欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，所述電源電壓檢測(cè)電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻及第八電阻；

4.如權(quán)利要求2所述的欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓二極管的齊納二極管。

5.如權(quán)利要求1所述的欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，所述故障輸出電路為第三mos管，所述第三mos管的漏極作為所述故障輸出電路的輸入端，所述第三mos管的源極接地，所述第三mos管的柵極作為所述故障輸出電路的輸出端。

6.如權(quán)利要求1所述的欠壓保護(hù)的高壓集成電路，其特征在于，所述第一電阻為正溫度系數(shù)的n-well電阻，所述第二電阻為負(fù)溫度系數(shù)高阻的poly電阻。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及高壓集成電路技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種欠壓保護(hù)的高壓集成電路，包括：RC濾波電路、施密特電路、濾波器、電平轉(zhuǎn)換電路、溫度保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路、故障邏輯控制電路、故障輸出電路、自舉電路、死區(qū)互鎖電路、延時(shí)電路、脈沖電路、第一高壓DMOS、第二高壓DMOS、RS觸發(fā)器、輸出電路以及與門(mén)；欠壓保護(hù)電路包括穩(wěn)壓電路、電源電壓檢測(cè)電路、比較器以及第一NMOS管；穩(wěn)壓電路的輸入端作為欠壓保護(hù)電路的輸入端連接供電電壓，穩(wěn)壓電路的輸出端分別連接電源電壓檢測(cè)電路的輸入端和比較器的負(fù)輸入端。本發(fā)明提高HIVC在溫度變化比較大應(yīng)用場(chǎng)合工作的穩(wěn)定性和可靠性，提高產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：馮宇翔,謝榮才,李超,李斌,單聯(lián)瑜,潘開(kāi)林,華慶,李強(qiáng),盛爽,譚均必,文健,牛冰,謝穎熙,郭家杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19