本發(fā)明屬于變頻系列產(chǎn)品，特別是涉及一種控制低功耗系統(tǒng)電路。

背景技術(shù)：

1、目前常規(guī)的低功耗系統(tǒng)電路控制包括以下方法：一：通過切斷高壓端電源比如使用繼電器切斷高壓電壓，本方式的缺點(diǎn)：高成本的繼電器和外加一路變頻供電的ad-dc電路；二：讓芯片睡眠通過外部喚醒芯片，本方式的缺點(diǎn)：還需要給mcu供電、ldo/dc-dc供電轉(zhuǎn)化過程還有多余損耗；三：通過低壓mos強(qiáng)行切斷mcu供電，本方式的缺點(diǎn)：系統(tǒng)穩(wěn)定性不夠。為解決上述高功耗的問題，提出一種控制低功耗系統(tǒng)電路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種控制低功耗系統(tǒng)電路，解決現(xiàn)有的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、本發(fā)明為一種控制低功耗系統(tǒng)電路，包括通信線電路、隔離通信電路和負(fù)載電源控制電路，所述負(fù)載電源控制電路由隔離控制電路、非隔離控制電路和開關(guān)電路組成；

4、所述隔離控制電路由抗干擾電阻、npn三極管、晶體管輸出光耦、限流電阻、mbpower電源和地gnd3隔離輸出發(fā)射極接pgnd、集電極接到p型moseft的柵極組成的；

5、所述非隔離控制電路由抗干擾電阻、濾波電容、npn三極管、控制信號(hào)bp_power和pgnd端組成的；

6、所述開關(guān)電路由濾波電容、濾波電容、p型moseft、上拉電阻、byqpower電源輸入端pgnd和bpbpower電源輸出端組成；

7、所述通信線電路由3pin的母座插座、限流抗干擾電阻、濾波電容、mbpower電源線、gnd3地線和d數(shù)據(jù)傳輸線組成；

8、所述隔離通信電路由限流電阻、抗干擾電阻、晶體管輸出光耦和tx發(fā)送端口、rx接收端口組成。

9、所述限流電阻與抗干擾電阻連接，所述抗干擾電阻與限流抗干擾電阻連接，所述限流抗干擾電阻與數(shù)據(jù)傳輸線連接；所述限流電阻與晶體管輸出光耦連接，所述晶體管輸出光耦與抗干擾電阻連接，所述抗干擾電阻與限流抗干擾電阻連接，所述npn三極管的基極連接到限流抗干擾電阻，所述npn三極管與晶體管輸出光耦連接，所述npn三極管與濾波電容并聯(lián)接到抗干擾電阻，所述抗干擾電阻與bp_power連接，byqpower連接p型moseft的源極、所述分流電阻連接p型moseft的源極和柵極，所述濾波電容與3pin的母座插座連接。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，關(guān)閉bpbpower時(shí)，pgnd電源輸出過程如下：所述d數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)據(jù)信號(hào)置低時(shí)，其中一路mbpower流過限流電阻，再流向抗干擾電阻然后流到限流電阻到d數(shù)據(jù)傳輸線；另外一路mbpower流向限流電阻，再流向晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陽極然后流向陰極，再從陰極流向抗干擾電阻，然后抗干擾電阻流向限流電阻，經(jīng)過限流電阻到達(dá)d數(shù)據(jù)傳輸線；所述npn三極管的基極連接到限流電阻，經(jīng)過限流電阻到d數(shù)據(jù)傳輸線后導(dǎo)致npn三極管的基極到發(fā)射極的電壓小于0.7v，102ce截止導(dǎo)致晶體管輸出光耦發(fā)光二極管截止，發(fā)光二極管截止則光耦的輸出三極管截止；當(dāng)bp_power置低時(shí)，npn三極管的基極和濾波電容的電壓經(jīng)過抗干擾電阻到bp_power，導(dǎo)致npn三極管的基極到發(fā)射極接pgnd小于0.7，導(dǎo)致npn三極管ce截止；byqpower連接p型moseft的源極、分流電阻連接p型moseft的源極和柵極，此時(shí)vsg<vth，所以p型moseft截止無bpbpower電源輸出。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，打開bpbpower時(shí)，pgnd電源輸出過程：所述d數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)據(jù)信號(hào)置高時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)通過限流電阻到達(dá)抗干擾電阻，然后到達(dá)npn三極管的基極，此時(shí)基極到發(fā)射極電壓大于0.7v，npn三極管的ce導(dǎo)通，mbpower流過限流電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陽極流向陰極，再流向npn三極管的集電極流過發(fā)射極到gnd3這個(gè)過程晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管導(dǎo)通導(dǎo)致晶體管輸出光耦三極管集電極流向發(fā)射極到pgnd，此過程byqpower連接p型moseft的源極、分流電阻連接p型moseft的源極和柵極，此時(shí)vsg>vth，所以p型moseft導(dǎo)通bpbpower電源輸出，然后bp_power置高流過抗干擾電阻到達(dá)濾波電容，然后到達(dá)npn三極管的基極，此時(shí)基極到發(fā)射極的電壓大于0.7v，npn三極管的ce導(dǎo)通并保持bp_power置高來維持p型moseft導(dǎo)通bpbpower電源輸出不再受晶體管輸出光耦是否導(dǎo)通或關(guān)閉影響。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，打開tx工作過程：當(dāng)tx接收到高電平時(shí)，mucpower連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陽極端電壓與tx連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端電壓壓差小于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce截止，mbpower經(jīng)過限流電阻經(jīng)過抗干擾電阻經(jīng)過限流抗干擾電阻到達(dá)d數(shù)據(jù)傳輸線，此時(shí)d數(shù)據(jù)傳輸線輸出高電平信號(hào)；

13、當(dāng)tx接收到低電平時(shí)，mucpower連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陽極端電壓與tx連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端電壓壓差小于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce到gnd3，此時(shí)d數(shù)據(jù)傳輸線經(jīng)過限流抗干擾電阻經(jīng)過抗干擾電阻，然后到晶體管輸出光耦三極管的集電極也被置低電平。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，打開rx工作過程：當(dāng)抗干擾電阻接收到高電平時(shí)，所述抗干擾電阻的高電平信號(hào)經(jīng)過限流抗干擾電阻經(jīng)過抗干擾電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陰極，mbpower經(jīng)過限流電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陽極，此時(shí)晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端電壓壓差小于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce截止，則mucpower經(jīng)過限流電阻后到rx線端的電壓輸出高電平信號(hào)；

15、當(dāng)抗干擾電阻接收到低電平時(shí)，mbpower經(jīng)過限流電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陽極，抗干擾電阻連接限流抗干擾電阻連接抗干擾電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端，此時(shí)陽極和陰極的電壓壓差大于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce導(dǎo)通e極連接到pgnd，則mucpower經(jīng)過限流電阻后也被置為低電平，此時(shí)rx端輸出低電平。

16、本發(fā)明具有以下有益效果：

17、1、需要靜態(tài)待機(jī)部分可以做到<1毫瓦，或不耗電；

18、2、進(jìn)入待機(jī)前互相通信確認(rèn)而不是硬切斷電源有效保證系統(tǒng)穩(wěn)定；

19、3、只需要簡(jiǎn)單的幾顆低成本器件大大節(jié)約了成本；

20、4、單條通信線實(shí)現(xiàn)兩個(gè)系統(tǒng)mcu互相通信和電源系統(tǒng)的開/關(guān)。

21、當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種控制低功耗系統(tǒng)電路，包括通信線電路、隔離通信電路和負(fù)載電源控制電路，其特征在于：所述負(fù)載電源控制電路由隔離控制電路、非隔離控制電路和開關(guān)電路組成；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制低功耗系統(tǒng)電路，其特征在于，關(guān)閉bpbpower時(shí)，pgnd電源輸出過程如下：所述d數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)據(jù)信號(hào)置低時(shí)，其中一路mbpower流過限流電阻，再流向抗干擾電阻然后流到限流電阻到d數(shù)據(jù)傳輸線；另外一路mbpower流向限流電阻，再流向晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陽極然后流向陰極，再從陰極流向抗干擾電阻，然后抗干擾電阻流向限流電阻，經(jīng)過限流電阻到達(dá)d數(shù)據(jù)傳輸線131；所述npn三極管的基極連接到限流電阻，經(jīng)過限流電阻到d數(shù)據(jù)傳輸線后導(dǎo)致npn三極管的基極到發(fā)射極的電壓小于0.7v，npn三極管ce截止導(dǎo)致晶體管輸出光耦發(fā)光二極管截止，發(fā)光二極管截止則光耦的輸出三極管截止；當(dāng)bp_power置低時(shí)，npn三極管的基極和濾波電容的電壓經(jīng)過抗干擾電阻到bp_power，導(dǎo)致npn三極管的基極到發(fā)射極接pgnd小于0.7，導(dǎo)致npn三極管ce截止；byqpower連接p型moseft的源極、分流電阻連接p型moseft的源極和柵極，此時(shí)vsg<vth，所以p型moseft截止無bpbpower電源輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制低功耗系統(tǒng)電路，其特征在于，打開bpbpower時(shí)，pgnd電源輸出過程：所述d數(shù)據(jù)傳輸線的數(shù)據(jù)信號(hào)置高時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)通過限流電阻到達(dá)抗干擾電阻，然后到達(dá)npn三極管的基極，此時(shí)基極到發(fā)射極電壓大于0.7v，npn三極管的ce導(dǎo)通，mbpower流過限流電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陽極流向陰極，再流向npn三極管的集電極流過發(fā)射極到gnd3這個(gè)過程晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管導(dǎo)通導(dǎo)致晶體管輸出光耦三極管集電極流向發(fā)射極到pgnd，此過程byqpower連接p型moseft的源極、分流電阻連接p型moseft的源極和柵極，此時(shí)vsg>vth，所以p型moseft導(dǎo)通bpbpower電源輸出，然后bp_power置高流過抗干擾電阻到達(dá)濾波電容，然后到達(dá)npn三極管的基極，此時(shí)基極到發(fā)射極的電壓大于0.7v，npn三極管的ce導(dǎo)通并保持bp_power置高來維持p型moseft導(dǎo)通bpbpower電源輸出不再受晶體管輸出光耦是否導(dǎo)通或關(guān)閉影響。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制低功耗系統(tǒng)電路，其特征在于，打開tx工作過程：當(dāng)tx接收到高電平時(shí)，mucpower連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陽極端電壓與tx連接限流電阻到晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端電壓壓差小于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce截止，mbpower經(jīng)過限流電阻經(jīng)過抗干擾電阻經(jīng)過限流抗干擾電阻到達(dá)數(shù)據(jù)傳輸線，此時(shí)d數(shù)據(jù)傳輸線輸出高電平信號(hào)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制低功耗系統(tǒng)電路，其特征在于，打開rx工作過程：當(dāng)抗干擾電阻接收到高電平時(shí)，所述抗干擾電阻的高電平信號(hào)經(jīng)過限流抗干擾電阻經(jīng)過抗干擾電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陰極，mbpower經(jīng)過限流電阻到達(dá)晶體管輸出光耦發(fā)光二極管的陽極，此時(shí)晶體管輸出光耦的發(fā)光二極管陰極端電壓壓差小于正向偏置電壓導(dǎo)致晶體管輸出光耦的輸出三極管ce截止，則mucpower經(jīng)過限流電阻后到rx線端的電壓輸出高電平信號(hào)；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種控制低功耗系統(tǒng)電路，包括通信線電路、隔離通信電路和負(fù)載電源控制電路，負(fù)載電源控制電路由隔離控制電路、非隔離控制電路和開關(guān)電路組成；隔離控制電路由抗干擾電阻、NPN三極管、晶體管輸出光耦、限流電阻、MBPOWER電源和地GND3隔離輸出發(fā)射極接PGND、集電極接到P型MOSEFT的柵極組成的；非隔離控制電路由抗干擾電阻、濾波電容、NPN三極管、控制信號(hào)BP_POWER和PGND端組成的；開關(guān)電路由濾波電容、濾波電容、P型MOSEFT、上拉電阻、BYQPOWER電源輸入端PGND地和BPBPOWER電源輸出端組成；通信線電路由3PIN的母座插座、限流抗干擾電阻、濾波電容、MBPOWER電源線、GND3地線和D數(shù)據(jù)傳輸線組成。本發(fā)明解決了高成本問題的高壓切斷方案帶來的成本問題和系統(tǒng)穩(wěn)定性問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王文治,周瑞豐,馮祥龍,顧海承,李禮浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市福聯(lián)實(shí)業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19