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磁懸浮開關磁阻電機偏置繞組和電樞繞組的匝數(shù)設計方法與流程

文檔序號:11680636閱讀:808來源:國知局
磁懸浮開關磁阻電機偏置繞組和電樞繞組的匝數(shù)設計方法與流程

本發(fā)明涉及磁懸浮開關磁阻電機偏置繞組和電樞繞組的匝數(shù)設計方法,屬于磁懸浮開關磁阻電機及其設計技術領域。



背景技術:

磁懸浮開關磁阻電機因集旋轉(zhuǎn)與懸浮兩功能于一體,不僅有效解決高速運行時軸承摩擦帶來的損耗和發(fā)熱等問題,還能進一步發(fā)揮開關磁阻電機的高速適應性,從而強化其在航空航天、飛輪儲能、艦船等高速領域的應用基礎。

磁懸浮開關磁阻電機由一個磁軸承和一個開關磁阻電機集合而成,磁軸承的m個偏置繞組與開關磁阻電機的m相電樞繞組采用串聯(lián)共同勵磁的方式,同時提供轉(zhuǎn)矩和偏置磁通。由于開關磁阻電機的雙凸極結構,其運行時磁場呈現(xiàn)高度非線性,使得其電樞繞組匝數(shù)的準確計算更為困難。另外,為提高磁軸承的位移剛度和電流剛度,以提升懸浮控制的動態(tài)性能,磁軸承常工作于線性區(qū)域。然而,磁軸承的偏置繞組和開關磁阻電機的電樞繞組串聯(lián)在一起,采用相同的勵磁方式,導致二者匝數(shù)設計的難度更高。

為此,本發(fā)明引入了一個電源壓降系數(shù),以量化偏置繞組對電樞繞組的串聯(lián)分壓作用,并給出了利用結構和電磁等參數(shù)計算電源壓降系數(shù)的方法;將電樞繞組實際的脈沖電流波形等效為一個階梯方波,并將電源壓降系數(shù)引入到各繞組電流設計值的計算中;最后,基于等效磁路法,獲得偏置和電樞繞組的計算方法??紤]偏置和電樞繞組的分壓效應,電流計算簡單、準確,繞組匝數(shù)設計精度高,實用性強。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明目的是針對現(xiàn)有技術的不足,提出磁懸浮開關磁阻電機偏置繞組和電樞繞組的匝數(shù)設計方法,所述方法考慮了偏置繞組和電樞繞組的分壓效應,各繞組電流計算準確,且匝數(shù)計算精度高。

為了解決上述技術問題,本發(fā)明采用如下技術方案:

磁懸浮開關磁阻電機的偏置繞組和電樞繞組的設計方法,所述磁懸浮開關磁阻電機包括電機定子、電機轉(zhuǎn)子和電機繞組;所述電機定子由磁阻電機定子和磁軸承定子構成;所述電機轉(zhuǎn)子由凸極轉(zhuǎn)子和圓柱轉(zhuǎn)子構成;所述電機繞組由轉(zhuǎn)矩繞組和懸浮繞組構成;所述圓柱轉(zhuǎn)子布置在磁軸承定子內(nèi),凸極轉(zhuǎn)子布置在磁阻電機定子內(nèi);所述磁軸承定子和磁阻電機定子軸向串聯(lián)布置,所述圓柱轉(zhuǎn)子和凸極轉(zhuǎn)子套在轉(zhuǎn)軸上;所述磁阻電機定子和凸極轉(zhuǎn)子均為凸極結構,所述圓柱轉(zhuǎn)子為圓柱結構;

所述磁軸承定子由4個e型結構構成,4個e型結構在圓周上均勻分布,空間上相差90°;每個e型結構的齒數(shù)為3,所述e型結構的中間齒為寬齒,兩邊齒為窄齒;每個e型結構中的兩個窄齒上均有1個繞組,每個e型結構兩個窄齒上的繞組串聯(lián)形成1個窄齒繞組,4個e型結構形成4個窄齒繞組;所述4個窄齒繞組中相隔180°的兩個繞組反向串聯(lián),形成一個懸浮繞組;另外兩個相隔180°的窄齒繞組反向串聯(lián),形成另一個懸浮繞組;所述兩個懸浮繞組空間上相隔90°;

所述轉(zhuǎn)矩繞組個數(shù)與磁阻電機的相數(shù)m相同,每個轉(zhuǎn)矩繞組由一個電樞繞組和一個偏置繞組串聯(lián)構成;

所述磁阻電機定子凸極結構包含有n個定子齒,每個定子齒上繞有1個繞組,所有磁阻電機定子齒上的繞組,分m組,分別連接在一起,構成m個電樞繞組;其中,n為m的倍數(shù);

所述偏置繞組共m個,每個e型結構寬齒上繞有m個線圈;在4個e型結構中,在每個寬齒上選取1個線圈,串聯(lián)成1個偏置繞組,從而形成m個偏置繞組;

所述磁懸浮開關磁阻電機偏置繞組和電樞繞組的匝數(shù)設計方法,包括如下步驟:

步驟a,計算每相偏置繞組端電壓ubias和電樞繞組端電流ua;具體步驟如下:

步驟a-1,計算每相偏置繞組自感l(wèi)bias和每相電樞繞組最大自感l(wèi)max;其表達式分別為:

其中,μ0為真空磁導率,δ為氣隙長度,l為磁軸承有效軸向長度,lsrm為磁阻電機有效軸向長度,αs為磁阻電機定子極弧角,αs1為磁軸承定子寬齒的極弧角,r為轉(zhuǎn)子半徑,n為電樞繞組匝數(shù),nb為偏置繞組匝數(shù),kfe為鐵心疊壓系數(shù),kα為e型結構寬窄定子極弧之比,其表達式為αs2為磁軸承定子窄齒的極弧角;

步驟a-2,獲得每相偏置繞組端電壓ubias和電樞繞組端電流ua;

根據(jù)所述lbias和lmax,及計算公式:

得到:

其中,lbias為每相偏置繞組自感,lmax為每相電樞繞組的最大自感,i為每相轉(zhuǎn)矩繞組電流,t為時間,kl為電樞繞組最大自感與最小自感之比,kl取值區(qū)間為[5,8];

步驟b,計算n2αslsrm和其表達式分別為:

其中,pn為磁阻電機的額定功率,n為額定轉(zhuǎn)速,fload為磁軸承的徑向負載,ip為每相等效電流的峰值,η為磁阻電機效率,zr為磁阻電機的轉(zhuǎn)子極數(shù),γ為磁軸承定子的寬齒與窄齒間夾角,k為磁阻電機的磁壓降系數(shù),k=1.1~1.2;

步驟c,計算電源壓降系數(shù)ku,根據(jù)所述表達式:

得到:

其中,ktf為力矩系數(shù),tn為額定轉(zhuǎn)矩,u為每相轉(zhuǎn)矩繞組的電源電壓,u=ua+ubias;

步驟d,計算偏置繞組和電樞繞組匝數(shù)設計的電流值,具體步驟如下:

步驟d-1,根據(jù)所述pn、u和ku,及計算公式計算出每相等效電流的峰值ip;

步驟d-2,根據(jù)所述ip,及計算公式計算出電樞繞組匝數(shù)設計的電流值im;

步驟d-3,根據(jù)所述ip,及計算公式計算出偏置繞組匝數(shù)設計的電流值iav;

步驟e,計算電樞繞組和偏置繞組的匝數(shù),具體步驟如下:

步驟e-1,計算電樞繞組匝數(shù)n;

根據(jù)所述im,及計算公式計算出電樞繞組的匝數(shù)n,其中,bδ為磁阻電機電樞繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bδ=1.0~1.5t;

步驟e-2,計算偏置繞組匝數(shù)nb;

根據(jù)所述im,及計算公式計算出偏置繞組的匝數(shù)nb,其中,bb為磁軸承偏置繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bb=0.3~0.5t;

所述磁阻電機定子齒數(shù)n為12、凸極轉(zhuǎn)子齒數(shù)為8、電機相數(shù)m為3,每4個相隔90°的磁阻電機定子齒上的繞組,采用串聯(lián)、或并列、或串并結合的連接方式,連接在一起,構成1個電樞繞組,共形成3個電樞繞組;所述3個電樞繞組再分別與所述3個偏置繞組進行串聯(lián),進而構成3個轉(zhuǎn)矩繞組,即為三相轉(zhuǎn)矩繞組。

本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提出了一種磁懸浮開關磁阻電機的偏置繞組和電樞繞組匝數(shù)的設計方法,采用本發(fā)明的技術方案,能夠達到如下技術效果:

(1)考慮偏置繞組和電樞繞組的分壓效應,引入了一個電源壓降系數(shù);

(2)基于階梯型等效電流波形,計及了續(xù)流階段對電磁功率的影響,各繞組電流計算準確;

(3)匝數(shù)計算精度高、通用性好。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種磁懸浮開關磁阻電機的三維結構示意圖。

圖2是本發(fā)明一種磁懸浮開關磁阻電機a相轉(zhuǎn)矩繞組的等效波形。

圖3是本發(fā)明偏置繞組和電樞繞組的設計流程圖。

附圖標記說明:圖1至圖3中,1是磁阻電機定子,2是凸極轉(zhuǎn)子,3是電樞繞組,4是磁軸承定子,5是圓柱轉(zhuǎn)子,6是偏置繞組,7是窄齒繞組,8是轉(zhuǎn)軸,9是電樞繞組的自感曲線,10為轉(zhuǎn)矩繞組的實際電流波形,11是轉(zhuǎn)矩繞組的等效階梯電流波形,12是勵磁區(qū)間,13是續(xù)流區(qū)間,14是轉(zhuǎn)子角變化區(qū)間,15是偏置繞組匝數(shù)設計的電流值,16是電樞繞組匝數(shù)設計的電流值。

具體實施方式

下面結合附圖,對本發(fā)明一種磁懸浮開關磁阻電機的偏置繞組和電樞繞組匝數(shù)的設計方法的技術方案進行詳細說明:

如圖1所示,是本發(fā)明磁懸浮開關磁阻電機實施例1的三維結構示意圖,其中,1是磁阻電機定子,2是凸極轉(zhuǎn)子,3是電樞繞組,4是磁軸承定子,5是圓柱轉(zhuǎn)子,6是偏置繞組,7是窄齒繞組,8是轉(zhuǎn)軸。

所述磁懸浮開關磁阻電機,包括電機定子、電機轉(zhuǎn)子和電機繞組;所述電機定子由磁阻電機定子和磁軸承定子構成;所述電機轉(zhuǎn)子由凸極轉(zhuǎn)子和圓柱轉(zhuǎn)子構成;所述電機繞組由轉(zhuǎn)矩繞組和懸浮繞組構成;所述圓柱轉(zhuǎn)子布置在磁軸承定子內(nèi),凸極轉(zhuǎn)子布置在磁阻電機定子內(nèi);所述磁軸承定子和磁阻電機定子軸向串聯(lián)布置,所述圓柱轉(zhuǎn)子和凸極轉(zhuǎn)子套在轉(zhuǎn)軸上;所述磁阻電機定子和凸極轉(zhuǎn)子均為凸極結構,所述圓柱轉(zhuǎn)子為圓柱結構;

所述磁軸承定子由4個e型結構構成,4個e型結構在圓周上均勻分布,空間上相差90°;每個e型結構的齒數(shù)為3,所述e型結構的中間齒為寬齒,兩邊齒為窄齒;每個e型結構中的兩個窄齒上均有1個繞組,每個e型結構兩個窄齒上的繞組串聯(lián)形成1個窄齒繞組,4個e型結構形成4個窄齒繞組;所述4個窄齒繞組中相隔180°的兩個繞組反向串聯(lián),形成一個懸浮繞組;另外兩個相隔180°的窄齒繞組反向串聯(lián),形成另一個懸浮繞組;所述兩個懸浮繞組空間上相隔90°;

所述轉(zhuǎn)矩繞組個數(shù)與磁阻電機的相數(shù)m相同,每個轉(zhuǎn)矩繞組由一個電樞繞組和一個偏置繞組串聯(lián)構成;

所述磁阻電機定子凸極結構包含有n個定子齒,每個定子齒上繞有1個繞組,所有磁阻電機定子齒上的繞組,分m組,分別連接在一起,構成m個電樞繞組;其中,n為m的倍數(shù);

所述偏置繞組共m個,每個e型結構寬齒上繞有m個線圈;在4個e型結構中,在每個寬齒上選取1個線圈,串聯(lián)成1個偏置繞組,從而形成m個偏置繞組;

所述磁阻電機定子齒數(shù)n為12、凸極轉(zhuǎn)子齒數(shù)為8、電機相數(shù)m為3,每4個相隔90°的磁阻電機定子齒上的繞組,采用串聯(lián)、或并列、或串并結合的連接方式,連接在一起,構成1個電樞繞組,共形成3個電樞繞組;所述3個電樞繞組再分別與所述3個偏置繞組進行串聯(lián),進而構成3個轉(zhuǎn)矩繞組,即為三相轉(zhuǎn)矩繞組。

所述三相轉(zhuǎn)矩繞組電流之和產(chǎn)生的合成磁通,作為轉(zhuǎn)子懸浮的偏置磁通;3相轉(zhuǎn)矩繞組電流的控制方法與傳統(tǒng)開關磁阻電機相同;x軸方向懸浮繞組產(chǎn)生的磁通,在該方向磁軸承定子中的一個氣隙處與轉(zhuǎn)矩繞組在該處產(chǎn)生的磁通方向相同,而在該方向的另一個氣隙處則相反,通過控制x軸方向懸浮繞組中電流的大小和方向,即在x軸正、負方向產(chǎn)生一個可控的徑向磁力;同理,在y軸正、負方向也產(chǎn)生一個可控的徑向磁力;進而得到一個大小和方向控制的合成磁拉力,從而滿足懸浮所需。

圖2為本發(fā)明一種磁懸浮開關磁阻電機a相轉(zhuǎn)矩繞組的等效波形。所述磁懸浮開關磁阻電機的轉(zhuǎn)矩控制與傳統(tǒng)12/8極開關磁阻電機相同,在中高速運行階段通常采用角度位置控制方式,為便于電樞繞組和偏置繞組設計,將實際的脈沖相電流分段等效幅值不等的恒定電流,如圖2所示。在每相勵磁導通區(qū)間,即[0,15°],電流幅值為ip;在續(xù)流導通區(qū)間,即[15°,22.5°],電流幅值為ip/2;由此方便計算電機的電磁功率即為勵磁階段的輸入功率與續(xù)流階段的回饋功率之差。

設電磁功率為pem,直流母線電流為idc,則得電磁功率pem與電流ip的關系:

電磁功率pem與額定功率pn的關系為:

式中,u為每相轉(zhuǎn)矩繞組的電源電壓,η為效率。

圖3是本發(fā)明偏置繞組和電樞繞組的設計流程圖。首先計算電樞繞組的最大自感和偏置繞組的自感,然后計算兩繞組的匝數(shù)平方、極弧角和軸向長度的乘積,之后計算電源壓降系數(shù),接著求解各等效電流及兩繞組匝數(shù)設計的電流值,最后基于等效磁路法,計算兩繞組的匝數(shù),其具體步驟為:

步驟a,計算每相偏置繞組端電壓ubias和電樞繞組端電流ua;具體步驟如下:

步驟a-1,計算每相偏置繞組自感l(wèi)bias和每相電樞繞組最大自感l(wèi)max;其表達式分別為:

其中,μ0為真空磁導率,δ為氣隙長度,l為磁軸承有效軸向長度,lsrm為磁阻電機有效軸向長度,αs為磁阻電機定子極弧角,αs1為磁軸承定子寬齒的極弧角,r為轉(zhuǎn)子半徑,n為電樞繞組匝數(shù),nb為偏置繞組匝數(shù),kfe為鐵心疊壓系數(shù),kα為e型結構寬窄定子極弧之比,其表達式為αs2為磁軸承定子窄齒的極弧角;

步驟a-2,獲得每相偏置繞組端電壓ubias和電樞繞組端電流ua;

根據(jù)所述lbias和lmax,及計算公式:

得到:

其中,lbias為每相偏置繞組自感,lmax為每相電樞繞組的最大自感,i為每相轉(zhuǎn)矩繞組電流,t為時間,kl為電樞繞組最大自感與最小自感之比,kl取值區(qū)間為[5,8];

步驟b,計算n2αslsrm和其表達式分別為:

其中,pn為磁阻電機的額定功率,n為額定轉(zhuǎn)速,fload為磁軸承的徑向負載,ip為每相等效電流的峰值,η為磁阻電機效率,zr為磁阻電機的轉(zhuǎn)子極數(shù),γ為磁軸承定子的寬齒與窄齒間夾角,k為磁阻電機的磁壓降系數(shù),k=1.1~1.2;

步驟c,計算電源壓降系數(shù)ku,根據(jù)所述表達式:

得到:

其中,ktf為力矩系數(shù),tn為額定轉(zhuǎn)矩,u為每相轉(zhuǎn)矩繞組的電源電壓,u=ua+ubias;

步驟d,計算偏置繞組和電樞繞組匝數(shù)設計的電流值,具體步驟如下:

步驟d-1,根據(jù)所述pn、u和ku,及計算公式計算出每相等效電流的峰值ip;

步驟d-2,根據(jù)所述ip,及計算公式計算出電樞繞組匝數(shù)設計的電流值im;

步驟d-3,根據(jù)所述ip,及計算公式計算出偏置繞組匝數(shù)設計的電流值iav;

步驟e,計算電樞繞組和偏置繞組的匝數(shù),具體步驟如下:

步驟e-1,計算電樞繞組匝數(shù)n;

根據(jù)所述im,及計算公式計算出電樞繞組的匝數(shù)n,其中,bδ為磁阻電機電樞繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bδ=1.0~1.5t;

步驟e-2,計算偏置繞組匝數(shù)nb;

根據(jù)所述im,及計算公式計算出偏置繞組的匝數(shù)nb,其中,bb為磁軸承偏置繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bb=0.3~0.5t。

其詳細計算過程如下:

令電樞繞組的壓降為ua,偏置繞組壓降為ubias,電源壓降系數(shù)為ku,則有

式中,la為電樞繞組自感,lbias為偏置繞自感,i為轉(zhuǎn)矩繞組電流,t為時間,θ為轉(zhuǎn)子位置角,ω為角速度。

對12/8極srm而言,相電感l(wèi)a在區(qū)間[0,7.5°]內(nèi)基本為恒值,運動電動勢為零,相電流在該區(qū)間單調(diào)遞增,且在θ=7.5°附近達到最大值,如圖2所示。為簡化繞組設計時的計算難度,僅考慮[0,7.5°]區(qū)間內(nèi)偏置繞組的分壓作用,根據(jù)式(3)得到電源壓降系數(shù)為ku表達式為:

其中,lmin為不對齊位置處每相電樞繞組自感,即最小自感。

由于不對齊位置處srm的相電感解析求解較為復雜,利用計算較為簡單的對齊位置處(即θa=22.5°)的電感l(wèi)max,替代式(4)中的lmin,則壓降系數(shù)ku的計算公式變?yōu)椋?/p>

式中,kl為a相電樞繞組最大自感與最小電感之比,對12/8極srm而言,kl=5~8。

利用等效磁路法,獲得lmax和lbias的計算公式為:

式中,μ0為真空磁導率,δ為氣隙長度,l為磁軸承有效軸向長度,lsrm為磁阻電機有效軸向長度,αs為磁阻電機定子極弧角,αs2為磁軸承寬定子極弧角,r為轉(zhuǎn)子半徑,n為電樞繞組匝數(shù),nb為電樞繞組匝數(shù),kfe為鐵心疊壓系數(shù),kα為e型結構寬窄定子極弧之比,其表達式為αs1為磁軸承窄定子極弧角。

將式(6)、(7)帶入式(5)中,得

設偏置繞組的額定電流為iav,懸浮繞組的額定電流為is,根據(jù)懸浮力計算公式,則rmb的徑向負荷fload定義為:

式中,γ為磁軸承定子寬窄定子齒間的夾角。

由于nbiav=nsis時,磁利用率最高,則式(9)變?yōu)椋?/p>

根據(jù)平均電流iav的定義,得到其與電流ip的關系為:

將式(11)帶入(10),得

對srm而言,忽略磁場飽和及相間互感的影響,則每相電磁轉(zhuǎn)矩的tav用下式表示:

式中,zr為srm轉(zhuǎn)子極數(shù),im表示相等效電流的半周期平均值,其中

式中:c為繞組串并聯(lián)支路數(shù),zs為定子齒極數(shù),βs為srm定子極弧系數(shù),δ為srm氣隙長度,lsrm為srm軸向長度,d為srm定子內(nèi)徑,k為磁路計及鐵心磁壓降的系數(shù),k=1.1~1.2,n為一個定子齒的電樞繞組匝數(shù),其表達式為:

式中,bδ為對齊位置處的氣隙磁密。

相平均轉(zhuǎn)矩tav與電磁功率pem的關系為:

式中,n為轉(zhuǎn)速

結合式(1)~(2)和(13)~(18),推導出srm基本尺寸計算公式:

進一步將式(19)改寫為:

又因為:

將式(14)、(17)和(21)帶入式(20)中,得到

將式(12)和(22)帶入(8),得

其中ktf為力矩系數(shù),tn為額定轉(zhuǎn)矩,

當磁懸浮開關磁阻電機的結構和電磁參數(shù)已知時,由式(23)計算出電源壓降系數(shù),進一步計算出各繞組電流值。

電樞繞組等效電流的峰值ip為:

電樞繞組匝數(shù)設計的電流值im和偏置繞組匝數(shù)設計的電流值iav分別為:

然后,分別根據(jù)開關磁阻電機和磁軸承的等效磁路方程,方便寫電樞繞組和偏置繞組的匝數(shù)計算公式分別為:

其中,bδ為磁阻電機電樞繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bδ=1.0~1.5t,bb為磁軸承偏置繞組產(chǎn)生的氣隙磁密,bb=0.3~0.5t。

本發(fā)明方法,引入了一個電源壓降系數(shù),以量化偏置繞組對電樞繞組的串聯(lián)分壓作用,并給出了利用結構和電磁等參數(shù)計算電源壓降系數(shù)的方法;將電樞繞組實際的脈沖電流波形等效為一個階梯方波,并將電源壓降系數(shù)引入到各繞組電流設計值的計算中;最后,基于等效磁路法,獲得偏置和電樞繞組的計算方法??紤]偏置和電樞繞組的分壓效應,電流計算簡單、準確,繞組匝數(shù)設計精度高,實用性強。

對該技術領域的普通技術人員而言,根據(jù)以上實施類型很容易聯(lián)想其他的優(yōu)點和變形。因此,本發(fā)明并不局限于上述具體實例,其僅僅作為例子對本發(fā)明的一種形態(tài)進行詳細、示范性的說明。在不背離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi),本領域普通技術人員根據(jù)上述具體實例通過各種等同替換所得到的技術方案,均應包含在本發(fā)明的權利要求范圍及其等同范圍之內(nèi)。

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