1.反接保護電路，其特征在于：該反接保護電路設(shè)于芯片供電端(VDD)與公共電源端(Vcom)之間，芯片供電端(VDD)通過一輸出NMOS管(Tn1)向公共電源端(Vcom)提供電壓，芯片供電端(VDD)還通過一齊納二極管(D1)或一阻值足夠大的電阻(R1)接入輸出NMOS管(Tn1)的柵極；輸出NMOS管(Tn1)的柵極還通過一控制PMOS管(Tp1)接入一升壓輸出端(Vcp)，升壓輸出端(Vcp)所提供的電壓大于芯片供電端(VDD)所提供的電壓，控制PMOS管(Tp1)的柵極接入公共電源端(Vcom)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反接保護電路，其特征在于：升壓輸出端(Vcp)所提供的電壓由一電荷泵升壓電路對公共電源端(Vcom)所提供的電壓進行升壓后得到。
3.H橋輸出驅(qū)動芯片，其特征在于：包括信號產(chǎn)生放大電路、預(yù)驅(qū)動電路和H橋電路，信號產(chǎn)生放大電路用于產(chǎn)生控制信號并對其進行放大，預(yù)驅(qū)動電路用于根據(jù)信號產(chǎn)生放大電路處的信號對H橋電路的通斷進行控制；H橋電路包括組成4個橋臂的第一NMOS管(T1)、第二NMOS管(T2)、第三NMOS管(T3)和第四NMOS管(T4)，第一NMOS管(T1)和第三NMOS管(T3)接入公共電源端(Vcom)，第二NMOS管(T2)和第四NMOS管(T4)接入公共接地端(VSS)；第一NMOS管(T1)與第二NMOS管(T2)間形成第一輸出端(VoutP)，第三NMOS管(T3)和第四NMOS管(T4)間形成第二輸出端(VoutN)；公共電源端(Vcom)處接入一電荷泵升壓電路，電荷泵升壓電路的升壓輸出端(Vcp)用于通過預(yù)驅(qū)動電路向第一NMOS管(T1)和第三NMOS管(T3)提供開啟電壓；公共電源端(Vcom)與芯片供電端(VDD)間接入權(quán)利要求1中所述的反接保護電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋輸出驅(qū)動芯片，其特征在于：信號產(chǎn)生放大電路包括霍爾傳感器、斬波放大器和比較器，霍爾傳感器用于產(chǎn)生控制信號，斬波放大器用于對霍爾傳感器處產(chǎn)生的控制信號進行放大，比較器用于將經(jīng)斬波放大器處理后的控制信號與一基準信號進行比較并向預(yù)驅(qū)動電路輸出一數(shù)字信號。
5.H橋輸出驅(qū)動芯片的應(yīng)用，其特征在于：將權(quán)利要求3或4中的H橋輸出驅(qū)動芯片用作單線圈風扇驅(qū)動芯片中。