技術(shù)編號：12685971
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種反接保護(hù)電路、H橋輸出驅(qū)動(dòng)芯片及該驅(qū)動(dòng)芯片的應(yīng)用。背景技術(shù)在風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場合，經(jīng)常會(huì)采用H橋結(jié)構(gòu)作為輸出驅(qū)動(dòng)電路。傳統(tǒng)的H橋結(jié)構(gòu)一般采用上面兩個(gè)是PMOS管，下面兩個(gè)是NMOS管，如圖1所示，T1和T3是PMOS管，T2和T4為NMOS管。該種結(jié)構(gòu)中，由于空穴的遷移率比電子遷移率要低，因此需要將T1和T3的面積提升至T2和T4面積的2～3倍左右，而這就大大增加了驅(qū)動(dòng)芯片本身的面積。尤其在對于大功率驅(qū)動(dòng)芯片而言，驅(qū)動(dòng)芯片的面積主要是由輸出管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。