1.基于GaN的高效率高功率密度隔離DC-DC變換電路，包括LLC半橋軟開關、諧振電感、諧振電容、匝比N:1:1的變壓器、及輸出整流；其特征在于，所述的LLC半橋軟開關采用GaN MOSFET半橋，采用GaN器件GS66502B，所述的輸出整流采用GaN MOSFET并聯(lián)同步整流，采用GaN器件GS61004B，該電路還包括濾波電容、Fly-back輔助電源電路、集成LLC控制UCC25600芯片電路、驅(qū)動UCC27714電路、光耦及輸出反饋PI調(diào)節(jié)電路、PEM-2-S12-S5-D電壓轉(zhuǎn)換電路、UCC24610同步整流控制電路；
濾波電容與GaNMOSFET半橋并聯(lián)連接300-400V輸入電壓，UCC25600芯片采集諧振電流，其輸出端連接UCC27714電路，UCC27714電路的兩路輸出各通過一個脈沖驅(qū)動變壓器與GaNMOSFET半橋中的兩個開關管柵極相連，F(xiàn)ly-back輔助電源電路從輸入直流母線取電，用于將300-400V的輸入電壓轉(zhuǎn)化為12V為原邊芯片UCC25600和UCC27714供電，UCC24610芯片用于給GaNMOSFET并聯(lián)同步整流電路提供驅(qū)動信號，PEM-2-S12-S5-D電壓轉(zhuǎn)換電路用于將原邊的12V轉(zhuǎn)化為5V為UCC24610芯片供電，基于431的輸出反饋PI調(diào)節(jié)電路通過光耦反饋到原邊控制芯片UCC25600。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN的高效率高功率密度隔離DC-DC變換電路，其特征在于，所述的脈沖驅(qū)動變壓器采用EP7磁芯，初級電感值為2mH，匝比為1:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN的高效率高功率密度隔離DC-DC變換電路，其特征在于，所述的LLC諧振電路選定諧振頻率：160kHz；輸出電容：2200uF，取m＝5，滿載時品質(zhì)因數(shù)為Qe＝0.288，選取諧振電容為24nF，諧振電感為Lr＝40.2μL，主變壓器勵磁電感Lm＝201μL。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN的高效率高功率密度隔離DC-DC變換電路，其特征在于，所述的變壓器采用鐵氧體PQ3220型磁芯，諧振電感采用PQ2020磁芯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN的高效率高功率密度隔離DC-DC變換電路，其特征在于，所述的輸出整流部分采用三個GaN器件GS61004B并聯(lián)進行同步整流，具體為：三個GaN MOSFET的漏極共連作為漏端，源極共連作為源端，三個MOSFET的柵極各與一個1Ω電阻一端相連，這三個1Ω電阻(R2、R6、R7)的另一端共接為公共端(Common_point1)，穩(wěn)壓管MMBZ5V6ALT1G跨接于上述公共端與源端之間，源端與一個1Ω電阻(R5)一端相連，該電阻另一端與芯片UCC24610的7號引腳相連，該引腳連接一個10k電阻(R4)后接入公共端，二級管(D1)串聯(lián)0歐姆電阻(R3)后與5.1Ω電阻(R1)并聯(lián)，該并聯(lián)電路二極管陽極端連接公共端，該并聯(lián)電路另一端與UCC24610的5號引腳相連。