本實(shí)用新型涉及高壓驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可以應(yīng)用于高壓MOS或IGBT的預(yù)驅(qū)動(dòng)的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片及無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路通常將在低電壓輸入電源產(chǎn)生的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為可從低輸入電壓偏移到快速改變的相對高的電壓的數(shù)字信號。集成數(shù)字電平轉(zhuǎn)換器通常由高電壓MOS器件實(shí)現(xiàn)，用以將信號從低端轉(zhuǎn)換到高端，或者從高端轉(zhuǎn)換到低端。

參考圖1，現(xiàn)有數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路示意圖。該電路用輸入數(shù)字信號直接控制一組互補(bǔ)的下拉NMOS開關(guān)M1、M2，由電阻R1、R2上拉到輸出高電平VOH。該電路優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、轉(zhuǎn)換速度快；缺點(diǎn)是無論輸入高電平VIH還是輸入低電平VIL(圖1中為輸入端GND)，始終有一個(gè)MOS開關(guān)打開，故始終有電流流過對應(yīng)的上拉電阻，從而帶來了額外的功耗。

在高壓MOS或者IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的驅(qū)動(dòng)中，往往通過自舉二極管和自舉電容來獲得控制高壓管柵極的輸出低電平VOH(圖1中為輸出端GND端口輸出電壓)和輸出高電平VOH(圖1中為輸出端VOH端口輸出電壓)。由于輸出高電平VOH電壓是由自舉電容的儲能來供電，任何靜態(tài)電流都會消耗自舉電容上的能量，從而使得控制電源電壓降低，所以高壓的MOS和IGBT驅(qū)動(dòng)電路對數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路的功耗非常敏感。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于，針對現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路始終有電流流過對應(yīng)的上拉電阻，從而帶來了額外的功耗的技術(shù)問題，提供一種數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片及無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)電路功耗低、可靠性高。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路，包括：邊沿脈沖產(chǎn)生模塊，用于接收輸入數(shù)字信號，在所述輸入數(shù)字信號的上升沿輸出第一脈沖信號，在所述輸入數(shù)字信號的下降沿輸出第二脈沖信號；第一電壓生成單元，用于根據(jù)所述第一脈沖信號輸出第一電壓信號；第二電壓生成單元，用于根據(jù)所述第二脈沖信號輸出第二電壓信號；輸出控制模塊，用于分別接收所述第一電壓信號或所述第二電壓信號并輸出相應(yīng)的輸出數(shù)字信號。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了用于無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)的半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器，所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器包括本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種用于無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)的半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片，所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片包括本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)，包括微控制單元、無刷直流電機(jī)以及數(shù)量與所述無刷直流電機(jī)端子數(shù)相適配的半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VCC引腳電性連接所述系統(tǒng)的低壓電源，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HIN 引腳電性連接所述微控制單元，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VB引腳通過一自舉二極管電性連接所述系統(tǒng)的低壓電源同時(shí)通過一自舉電容電性連接相應(yīng)半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳，每一所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HO引腳電性連接一半橋MOS上管的控制端，每一所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳進(jìn)一步電性連接相應(yīng)半橋MOS上管的第二端以及所述無刷直流電機(jī)的一端子；所有所述半橋MOS上管的第一端電性連接所述系統(tǒng)的高壓電源，每一所述半橋 MOS上管的第二端進(jìn)一步電性連接一半橋MOS下管的第一端；所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片包括本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路的邊沿脈沖產(chǎn)生模塊中用于接收輸入數(shù)字信號的端口電性連接所述HIN引腳、用于接收輸入高電平電壓的端口電性連接所述VCC引腳、用于接收輸入低電平電壓的端口接地；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出高電平電壓的輸出端口電性連接所述VB引腳；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出低電平電壓的輸出端口電性連接所述VS引腳；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出數(shù)字信號的輸出端口電性連接一PMOS管的柵極以及一NMOS管的柵極；所述PMOS管與所述NMOS管共漏極，所述PMOS管的源極電性連接所述VB引腳，所述NMOS管的源極電性連接所述VS引腳。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過先將輸入高/低電平電壓信號轉(zhuǎn)換成邊沿脈沖信號，然后對邊沿脈沖信號做電平轉(zhuǎn)換并還原成輸出高/低電平電壓信號并輸出。由于高壓NMOS開關(guān) M2和M1只在開關(guān)的邊沿時(shí)刻有短暫的開啟，所以消耗的電流大大減小，實(shí)現(xiàn)了低功耗的目的。該電路功耗低、可靠性高，特別適用于高壓的MOS和IGBT驅(qū)動(dòng)電路。

附圖說明

圖1，現(xiàn)有數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路示意圖；

圖2，本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路一實(shí)施例示意圖；

圖3為圖2所述電路各個(gè)節(jié)點(diǎn)的工作波形示意圖；

圖4，本實(shí)用新型所述的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)第一實(shí)施例的示意圖；

圖5，本實(shí)用新型所述的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)第二實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型提供的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片及無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)做詳細(xì)說明。

參考圖2-3，其中，圖2為本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路一實(shí)施例示意圖；圖3 為圖2所述電路各個(gè)節(jié)點(diǎn)的工作波形示意圖。數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路包括：邊沿脈沖產(chǎn)生模塊 21、第一電壓生成單元22、第二電壓生成單元23以及輸出控制模塊24。

邊沿脈沖產(chǎn)生模塊21，用于接收輸入數(shù)字信號Input，在所述輸入數(shù)字信號的上升沿輸出第一脈沖信號set，在所述輸入數(shù)字信號的下降沿輸出第二脈沖信號reset。邊沿脈沖產(chǎn)生模塊21同時(shí)還接收輸入高電平電壓VIH以及輸入低電平電壓VIL。所述第一脈沖信號set 與所述第二脈沖信號reset的高/低電平電壓均與所述輸入數(shù)字信號Input的高/低電平電壓相同。

第一電壓生成單元22，用于根據(jù)所述第一脈沖信號set輸出第一電壓信號setB。

第二電壓生成單元23，用于根據(jù)所述第二脈沖信號reset輸出第二電壓信號resetB。

具體的，在本實(shí)施例中，所述第一電壓生成單元22包括第一MOS開關(guān)M1和第一上拉電阻R1。第一MOS開關(guān)M1，控制端用于接收所述第一脈沖信號set，第一端用于輸出所述第一電壓信號setB，第二端電性連接輸入低電平電壓VIL的輸入端口；第一上拉電阻R1，一端電性連接所述第一MOS開關(guān)M1的第一端，另一端電性連接輸出高電平電壓VOH 的輸出端口。其中，所述第一脈沖信號set的高電平電壓大于所述第一MOS開關(guān)M1的導(dǎo)通閾值電壓。所述第一電壓生成單元22，根據(jù)所述第一脈沖信號set輸出第一電壓信號setB，以及進(jìn)一步用于在所述第一MOS開關(guān)M1關(guān)斷時(shí)將所述第一電壓信號setB的電壓上拉到輸出高電平電壓VOH并輸出。在本實(shí)施例中，所述第一MOS開關(guān)M1為NMOS管，NMOS 管的柵極作為控制端、漏極作為第一端、源極作為第二端。

具體的，在本實(shí)施例中，所述第二電壓生成單元23包括第二MOS開關(guān)M2和第二上拉電阻R2。所述第二MOS開關(guān)M2，控制端用于接收所述第二脈沖信號reset，第一端用于輸出所述第二電壓信號resetB，第二端電性連接所述輸入低電平電壓VIL的輸入端口；所述第二上拉電阻R2，一端電性連接所述第二MOS開關(guān)M2的第一端，另一端電性連接所述輸出高電平電壓VOH的輸出端口。其中，所述第二脈沖信號reset的高電平電壓大于所述第二MOS開關(guān)M2的導(dǎo)通閾值電壓。所述第二電壓生成單元23，根據(jù)所述第二脈沖信號 reset輸出第二電壓信號resetB，以及進(jìn)一步用于在所述第二MOS開關(guān)M2關(guān)斷時(shí)將所述第二電壓信號resetB的電壓上拉到所述輸出高電平電壓VOH并輸出。在本實(shí)施例中，所述第二MOS開關(guān)M2為NMOS管，NMOS管的柵極作為控制端、漏極作為第一端、源極作為第二端。

優(yōu)選的，所述第一MOS開關(guān)M1和所述第二MOS開關(guān)M2不同時(shí)導(dǎo)通。M1只在輸入信號的上升沿瞬間導(dǎo)通，M2只在輸入信號的下降沿瞬間導(dǎo)通，其余時(shí)間M1和M2都處于關(guān)斷狀態(tài)。

輸出控制模塊24，用于分別接收所述第一電壓信號setB或所述第二電壓信號resetB并輸出相應(yīng)的輸出數(shù)字信號Output。具體的，所述輸出控制模塊24根據(jù)所述第一電壓信號setB 生成輸出高電平電壓VOH的輸出數(shù)字信號Output并輸出，或根據(jù)所述第二電壓信號resetB 生成輸出低電平電壓VOL的輸出數(shù)字信號Output并輸出。

優(yōu)選的，所述輸出控制模塊24包括濾波單元241和RS觸發(fā)器242。所述濾波單元241，用于分別接收所述第一電壓信號setB或所述第二電壓信號resetB，并對接收到的信號進(jìn)行濾波和反轉(zhuǎn)，分別轉(zhuǎn)換成所述RS觸發(fā)器可識別的S信號或R信號；其中所述S信號和所述R信號的高/低電平電壓均與所述輸出數(shù)字信號Output的高/低電平電壓相同。所述RS觸發(fā)器242，用于分別根據(jù)接收的所述S信號或所述R信號輸出相應(yīng)的輸出高/低電平電壓的輸出數(shù)字信號Output，其中所述S信號和所述R信號的高/低電平電壓均與所述輸出數(shù)字信號Output的高/低電平電壓相同。具體的，根據(jù)所述S信號輸出高電平電壓VOH的輸出數(shù)字信號Output，或根據(jù)所述R信號輸出低電平電壓VOL的輸出數(shù)字信號Output。

優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，所述第一電壓生成單元22、第二電壓生成單元23進(jìn)一步分別包括電壓箝位模塊，用于在所述第一MOS開關(guān)M1導(dǎo)通時(shí)將所述第一電壓信號setB的電壓箝位到箝位電壓VOH-Vz(Vz為箝位管的箝壓)，以及在所述第二MOS開關(guān)M2導(dǎo)通時(shí)將所述第二電壓信號resetB的電壓箝位到箝位電壓VOH-Vz。

具體的，所述第一電壓生成單元22的電壓箝位模塊包括第一箝位管Z1，所述第二電壓生成單元23的電壓箝位模塊包括第二箝位管Z2。所述第一箝位管Z1，正極電性連接所述第一MOS開關(guān)M1的第一端(NMOS管的漏極D)，負(fù)極電性連接所述輸出高電平電壓VOH 的輸出端口；所述第二箝位管Z2，正極電性連接所述第二MOS開關(guān)M2的第一端(NMOS 管的漏極D)，負(fù)極電性連接所述輸出高電平電壓VOH的輸出端口。

以下結(jié)合附圖2-3對本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路的工作原理做說明：

1)輸入數(shù)字信號Input輸入到邊沿脈沖產(chǎn)生模塊21，在輸入數(shù)字信號的上升沿輸出第一脈沖信號set，在輸入數(shù)字信號的下降沿輸出第二脈沖信號reset。輸入數(shù)字信號的高電平電壓為VIH，低電平電壓為VIL；脈沖信號set和reset的高電平電壓VIH與低電平電壓VIL，均與輸入數(shù)字信號Input的高/低電平電壓相同，脈沖信號脈沖寬度為Tp。

2)脈沖信號reset和set信號分別輸入到高壓NMOS開關(guān)M2和M1的柵極，脈沖信號 reset和set信號的脈沖的高電平電壓VIH大于高壓NMOS開關(guān)M2和M1的導(dǎo)通閾值電壓，以打開NMOS開關(guān)。當(dāng)?shù)谝幻}沖信號set為低電平時(shí)，M1關(guān)斷，其D端(漏極)輸出的第一電壓信號setB的電壓被第一上拉電阻R1上拉到輸出高電平電壓VOH；當(dāng)set高電平脈沖到來時(shí)，M1開啟，其D端輸出的setB的電壓被第一箝位管Z1下拉到箝位電壓VOH-Vz1 (Vz1為箝位管Z1的箝壓)。同樣的，當(dāng)?shù)诙}沖信號reset為低電平時(shí)，M2關(guān)斷，其D 端輸出的第二電壓信號resetB的電壓被第二上拉電阻R2上拉到VOH；當(dāng)reset高電平脈沖到來時(shí)，M2開啟，其D端輸出的resetB的電壓被第二箝位管Z2下拉到箝位電壓VOH-Vz2 (Vz2為箝位管Z2的箝壓，可以與Vz1相同)。一般箝位電壓VOH-Vz比輸出低電平電壓 VOL高，以保證后續(xù)電路的耐壓。

3)電壓信號resetB和setB輸入到濾波模塊241。濾波模塊241對輸入信號做適當(dāng)?shù)臑V波和反轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)換成RS觸發(fā)器242能夠識別的R信號和S信號。R信號和S信號的高電平電壓為VOH、低電平電壓為VOL；濾波寬度為Tp-Tf，以保證有效信號被保留，其中Tf 為系統(tǒng)延時(shí)。

4)R信號和S信號分別輸入到RS觸發(fā)器242的R端和S端，根據(jù)RS觸發(fā)器的特性，在S信號的高電平脈沖到來時(shí)，生成輸出高電平電壓VOH的輸出數(shù)字信號Output并輸出；在R信號的高電平脈沖到來時(shí)，生成輸出低電平電壓VOL的輸出數(shù)字信號Output并輸出。

本實(shí)用新型提供的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路也適用于浮動(dòng)高壓數(shù)字電平轉(zhuǎn)換，通過先將輸入高/低電平電壓信號轉(zhuǎn)換成邊沿脈沖信號，然后對邊沿脈沖信號做電平轉(zhuǎn)換并還原成輸出高/ 低電平電壓信號并輸出。由于高壓NMOS開關(guān)M2和M1只在開關(guān)的邊沿時(shí)刻有短暫的開啟，所以消耗的電流大大減小，實(shí)現(xiàn)了低功耗的目的。該電路功耗低、可靠性高，特別適用于高壓的MOS和IGBT驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型還提供了一種半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器，適用于無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)。半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)設(shè)有本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路。

本實(shí)用新型還提供了一種半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片，適用于無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)。半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)設(shè)有本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路。

本實(shí)用新型還提供了一種無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)，包括微控制單元、無刷直流電機(jī)以及數(shù)量與所述無刷直流電機(jī)端子數(shù)相適配的半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的 VCC引腳電性連接所述系統(tǒng)的低壓電源，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HIN引腳電性連接所述微控制單元，所有所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VB引腳通過一自舉二極管電性連接所述系統(tǒng)的低壓電源同時(shí)通過一自舉電容電性連接相應(yīng)半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳，每一所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HO引腳電性連接一半橋MOS上管的控制端，每一所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS 引腳進(jìn)一步電性連接相應(yīng)半橋MOS上管的第二端以及所述無刷直流電機(jī)的一端子；所有所述半橋MOS上管的第一端電性連接所述系統(tǒng)的高壓電源，每一所述半橋MOS上管的第二端進(jìn)一步電性連接一半橋MOS下管的第一端；所述半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)設(shè)有本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路。

其中，所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路的邊沿脈沖產(chǎn)生模塊21中用于接收輸入數(shù)字信號Input 的端口電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述HIN引腳、用于接收輸入高電平電壓VIH的端口電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述VCC引腳、用于接收輸入低電平電壓VIL的端口接地；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出高電平電壓VOH的輸出端口電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述VB 引腳；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出低電平電壓VOL的輸出端口電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述VS引腳；所述數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路中輸出數(shù)字信號Output的輸出端口電性連接一 PMOS管P1的柵極以及一NMOS管N1的柵極；所述PMOS管P1與所述NMOS管N1共漏極，所述PMOS管P1的源極電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述VB引腳，所述NMOS管 N1的源極電性連接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的所述VS引腳。

本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路是半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片中的一部分，該芯片還包含半橋MOS下管的驅(qū)動(dòng)模塊、輸入邏輯控制等電路，半橋MOS下管的第二端電性連接相應(yīng)半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的COM引腳，半橋MOS下管的控制端電性連接相應(yīng)半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的LO 引腳；半橋MOS下管的驅(qū)動(dòng)模塊、輸入邏輯控制等電路采用本領(lǐng)域現(xiàn)有公知技術(shù)，此處不再贅述。

其中，半橋MOS上/下管可以均采用NMOS管，NMOS管的柵極作為控制端、漏極作為第一端、源極作為第二端。

參考圖4，本實(shí)用新型所述的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)第一實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)中的無刷直流電機(jī)采用三相無刷直流電機(jī)49，其三個(gè)端子U/V/W 分別連接各自的半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片42的輸出節(jié)點(diǎn)，即半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳與半橋MOS 上管MH、半橋MOS下管ML的公共節(jié)點(diǎn)。也即，在本系統(tǒng)中，設(shè)有3套半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片 +半橋MOS上/下管(圖中僅示意出U相端子的電路連接方式，V相和W相端子的結(jié)構(gòu)與 U相端子完全一致，原理相同)。半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片42還包含半橋MOS下管的驅(qū)動(dòng)模塊、輸入邏輯控制等電路，其采用本領(lǐng)域現(xiàn)有公知技術(shù)，此處不再贅述。

以U相為例，系統(tǒng)中的半橋MOS上管MH與半橋MOS下管ML均采用NOMS管。 MH的柵極接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HO引腳，MH的漏極接系統(tǒng)的高壓電源(300V)，MH的源極接ML的漏極、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳以及三相無刷直流電機(jī)的U相端子；ML的柵極接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的LO引腳，ML的漏極接MH的源極、半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳以及三相無刷直流電機(jī)的U相端子，ML的源極接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的COM引腳。微控制單元41的控制上管輸入數(shù)字信號端口接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的HIN引腳，微控制單元41的控制下管輸入數(shù)字信號端口接半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的LIN引腳。

圖4所示系統(tǒng)中三相無刷直流電機(jī)的U相端子的工作原理是：當(dāng)半橋MOS上管MH打開、半橋MOS下管ML關(guān)閉時(shí)，輸出高電壓(如300V)；當(dāng)半橋MOS上管MH關(guān)閉，半橋MOS下管ML打開時(shí)，輸出低電壓0V。為了打開半橋MOS上管MH，需要MH的柵極電壓(HO引腳輸出電壓)大于MH的導(dǎo)通閾值電壓(300V)，故需要HO引腳輸出比300V 更高一些的電壓(如315V)。利用自舉二極管D1和自舉電容C1，當(dāng)?shù)蛪弘娫碫CC＝15V 供電時(shí)，則在VB引腳可以得到自舉電壓VS+VCC。通過采用本實(shí)用新型所述的數(shù)字電平轉(zhuǎn)換電路，VB和VS作為高電平電壓VOH和低電平電壓VOL輸出端口，則HO引腳可以高效的輸出高電平＝315V的MOS管柵極控制電壓。從而完成從微控制單元41的低電壓信號到無刷直流電機(jī)49的浮動(dòng)高壓驅(qū)動(dòng)信號的轉(zhuǎn)換。V相和W相端子的結(jié)構(gòu)完全一致，原理相同。

參考圖5，本實(shí)用新型所述的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)第二實(shí)施例的示意圖。與圖4所示實(shí)施例的不同之處在于，在本實(shí)施例中，無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)中的無刷直流電機(jī)采用單相無刷直流電機(jī)59，其兩個(gè)端子分別連接各自的高壓半橋驅(qū)動(dòng)的輸出節(jié)點(diǎn)，即半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片的VS引腳與半橋MOS上管MH、半橋MOS下管ML的公共節(jié)點(diǎn)。也即，在本系統(tǒng)中，設(shè)有2套半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片+半橋MOS上/下管(圖中僅示意出一端子的電路連接方式，另一端子的結(jié)構(gòu)與所示端子完全一致，原理相同)。半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片52與圖4所示半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片42結(jié)構(gòu)相同；微控制單元51與圖4所示微控制單元41的控制上/下管輸入數(shù)字信號端口的連接方式相同。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。